【課題】金属ブロック同士の間に形成される流路にろう材をはみ出させずに、複数の金属ブロックを密着させて接合させることにより、高品質のガス供給部材を製造する。
【解決手段】複数の金属ブロック６０〜６２同士の接合面において、接合面の外縁よりも内側に離れた領域にろうペースト７５を塗布し、複数の金属ブロック６０〜６２同士を圧接させ、加熱することにより、複数の金属ブロック６０〜６２同士をろう付けさせてガス供給部材４０を製造する。 （もっと読む）

【課題】マッチングボックスの昇降駆動装置を小型化すると共に、チャンバーとマッチングボックスとを電気的に確実に接続することのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１１は、内部に上部電極１３および下部電極１４を含むチャンバー１２と、下部電極１４に対して着脱自在な状態で電気的に接続され、下部電極１４に高周波電力を供給するマッチングボックス２１と、チャンバー１２に固定され、マッチングボックス２１を下部電極１４に接続可能な位置まで引き上げるエアシリンダ３１とを備える。そして、下部電極１４とマッチングボックス２１とは、一方側に接続される筒状の雌端子と、他方側に接続されて雌端子の内径面に嵌まり込む雄端子とによって電気的に接続され、雌端子および雄端子のうちの少なくともいずれか一方は、他方との接触面を覆う弾性導電体を有する。 （もっと読む）

【課題】プラズマの逆流を防止し、プラズマ励起用ガスを均一に安定して供給することが可能で、使用時に部品が脱落することのないシャワープレートの製造方法を提供する。
【解決手段】ガス流通方向に連通した気孔を有する多孔質で、柱状のガス流通体１１を形成する。気体を通さない素材で、ガス流通体１１の側面を接するように覆う筒状の緻密部材１２を形成する。緻密部材１２の中空部分にガス流通体１１をはめ込んでポーラスピース体１３を形成し、第１の温度で焼成を行う。天板９に凹部１０を形成し、一端を凹部１０と連通した天板９を貫通するガス流路を形成する。凹部１０に、ポーラスピース体１３をはめ込み、第１の温度と同等以下の温度で一体焼成し、シャワープレート３を形成する。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの発生要因に関する知識を殆ど有していない者であってもパーティクルの発生要因を正確に判別することができるパーティクル発生要因判別システムを提供する。
【解決手段】パーティクルの発生要因を判別するパーティクル発生要因判別システム４３は、クライアントＰＣ４７と、ホストサーバ４８とを備え、ホストサーバ４８は、複数のパーティクル発生要因の各々に関する確度を算出する算出方法のプログラムを格納するメモリと、各格納されたプログラムに基づいてパーティクルマップ、各パーティクルの材質、形状及びサイズから上記確度を各パーティクル発生要因について算出するＣＰＵとを有し、クライアントＰＣ４７は各パーティクル発生要因について算出された確度をディスプレイ５１に表示する。 （もっと読む）

【課題】エネルギー的に効率よく紫外光を有効的に利用し且つ清潔にオゾンを分解する。
【解決手段】オゾン分解装置１４は、筐体４１内において、オゾンガスを流通させる配管４２，４７を備えたガス流路と、このガス流路内のオゾンガスのガス流に対して紫外光を透過させる光透過管（光透過部材）４４と、前記ガス流を迂回させるガス流迂回板（ガス流迂回部材）４６とを備える。光透過管４４は円筒状を成すと共に筐体４１内に同軸に格納される。ガス流迂回板４６は光透過管４４内に複数配置される。筐体４１の内面は鏡面処理するとよい。オゾン分解装置１４はオゾンガスを用いて基板の酸化処理を行うプロセスシステムに適用できる。 （もっと読む）

【課題】外乱が加わってもエッチング量の算出を安定して正確に行うことができるエッチング量算出方法を提供する。
【解決手段】マスク膜１３１を用いてトレンチ１３２を形成するウエハＷのエッチングにおいて、ウエハＷにレーザ光Ｌ１を照射し、マスク膜干渉光及びトレンチ干渉光が重畳された重畳干渉光を受光して重畳干渉波を算出し、現タイミングＴを終点とする窓の波形を抽出し、該窓の波形に最大エントロピー法を用いて周波数解析を施して得られた周波数分布からトレンチ干渉光を検出し、窓の終点をΔｔだけずらしつつ重畳干渉波の算出、窓の波形の抽出、窓の波形の周波数解析及びトレンチ干渉周期の検出を繰り返し、繰り返しの度に検出されたトレンチ干渉周期を積算平均し、該積算平均されたトレンチ干渉周期に基づいてトレンチ１３２のエッチング量を算出する。 （もっと読む）

【課題】パーティクルが発生することのないプラズマエッチング用上部電極板を提供する。
【解決手段】上部電極板２の厚さ方向に平行に貫通細孔５が設けられているプラズマエッチング用上部電極板において、貫通細孔５の内壁面に、開口端部８から最も深い底部９に向かう上側壁面１１および下側壁面１１´からなる溝１５が形成されており、前記溝１５は、溝の開口端部８から最も深い底部９に向かう下側壁面１１´がエッチングガスの流れ方向１３に対して鈍角をなすように傾斜した断面鋸刃状の溝であることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は反応空間を提供するチャンバと、前記チャンバ内部に設けられるステージと、前記ステージに対向して前記チャンバ内部に設けられるプラズマ遮蔽部と、前記ステージと前記プラズマ遮蔽部の間に基板を支持する支持台と、前記ステージに備えられ、前記基板の一面に反応ガス又は非反応ガスを供給する第１供給口と、前記プラズマ遮蔽部に備えられ、前記基板の他面に反応ガスを供給する第２供給口及び非反応ガスを供給する第３供給口と、を含む基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
このような本発明は単一チャンバ内で基板のエッジ領域及び背面領域にプラズマ処理を個別的に行うことができる。従って、装置の設置空間が減り、生産ラインの空間活用性を高めることができる。そして、チャンバ移動による大気露出がないので基板汚染が少なく、チャンバ移動による待機時間がないので全体的な工程時間を節約できる。 （もっと読む）

【課題】
半導体や液晶製造工場から排出されるフッ素化合物を含む排ガスの処理装置の耐久性の向上，メンテナンスの簡便化を図る。
【解決手段】
被処理ガス中のミスト形成ガスとミスト付着ガスとを分離するガス分離手段と、前記ガス分離手段を通過した被処理ガスに含まれる酸性ガスまたはケイ素化合物の少なくともいずれかを除去する湿式除去装置と、湿式除去装置を通過した被処理ガスに含まれるフッ素化合物を分解する触媒を備えたフッ素化合物分解装置とを有することを特徴とする排ガス処理装置にある。上記装置により、触媒反応層前段の前処理工程において、ＳＯ₃とＳｉＦ₄を分離し、ＳｉＦ₄は乾式除去装置後段に設置した湿式除去装置で除去する。排ガス中に含まれるＳＯ₃とＳｉＦ₄を分離し、フッ素化合物分解触媒の寿命延命化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】 異常放電を抑制し、安定してプラズマ発振が可能なイオンビーム処理装置を提供する。
【解決手段】 プラズマ生成空間を規定するプラズマ室１０と、プラズマ生成空間にプラズマを生成するための誘導電磁界を誘起するアンテナコイル１２と、アンテナコイル１２とプラズマ生成空間との間に、プラズマ室と大気との圧力隔壁として設けられた誘電体窓２２と、誘電体窓２２とプラズマ生成空間の間に配置される誘電体板２４と、プラズマ生成空間を挟んでアンテナコイル１２に対向する位置に配置され、プラズマ中のイオンを加速するための２枚以上の多孔引出電極３０とを含むイオンビーム源を備える。また、誘電体窓２２と誘電体板２４の間に配置され、互いに孤立した複数の第１導電配線と複数の第１導電配線の全てと一箇所で接続された第２導電配線を有するシールド電極２０を有する。 （もっと読む）

【課題】ノズル部の退避時でも噴出口から噴き出された反応性ガスを確実に吸引して排出できる表面処理装置を提供する。
【解決手段】被処理物Ｗを支持部２１で支持する。移動機構５によって支持部２１をノズル部１０に対し相対移動させるとともに、ノズル部１０の噴出口１１から反応性ガスを噴出し、吸引口１２から吸引する。ノズル部１０が支持部２１より外側に位置する退避位置の時、吸引口１２からの吸引流量を処理位置の時より大きくする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置の状態を高感度で検出し管理することで、長期間安定に処理を行う。
【解決手段】真空処理室１０と、プラズマ生成用高周波電源１６と、入射波５３の処理装置における反射波５４から装置の状態を推定する、波形発生器３２およびＶＣＯ３３、方向性結合器３４、検出器３５、測定データ処理部３６とを有する測定装置部３を備えたプラズマ処理装置において、プラズマ放電のない状態の処理装置内に周波数を掃引した測定用高周波５３を導入し、反射波５４の吸収スペクトル周波数の変動をモニタすることで処理装置の状態変化を管理する。 （もっと読む）

【要 約】
【課題】欠陥層を除去できる低コストの技術を提供する。
【解決手段】反応室６にバッファータンク３５を接続し、固体ＸｅＦ₂が配置されたガスボンベ３１を加熱して発生させたエッチングガスでバッファータンク３５を充填し、反応室６とバッファータンク３５を接続して反応室６内をエッチングガスで充満させ、プラズマを発生させずにシリコン基板１１表面の欠陥層１３をエッチング除去する。バッファータンク３５により、固体ＸｅＦ₂からのエッチングガス発生速度が遅くても、待ち時間を発生させないで済む。バッファータンク３５を昇温させておき、バッファータンク３５の内壁に固体ＸｅＦ₂が析出しないようにしておくとよい。 （もっと読む）

【課題】プラズマ均一性を改善したプラズマリアクタを提供する。
【解決手段】ＲＦ接地リターン電流は、バイパス電流路を提供することにより、リアクタチャンバの非対称なフィーチャーからは迂回されている。１つのバイパス電流路は、チャンバ床のポンピングポート１６２を排除するものであり、側壁から接地台座ベースまで延在する導電性の対称グリル２００を含んでいる。他のバイパス電流路は、ウェハスリットバルブを排除するものであり、スリットバルブ１２８の占める側壁部分を橋架けする列をなす導電性ストラップを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】フッ化水素（ＨＦ）を用いた表面処理における安全性を向上させる。
【解決手段】貯留容器１０に無水または含水の液体フッ化水素１１を貯留する。吸込加圧手段２０によって、容器１０内を大気圧以下または前記被処理物の配置環境の圧力以下にし、気化したＨＦガスを吸い込んで加圧し、被処理物Ｗへ供給して表面処理を行なう。氷を蓄熱剤３２とする温調手段３０によって、貯留容器１０内をＨＦの大気圧下での沸点（約２０℃）より低温に保つ。 （もっと読む）

【課題】一酸化炭素ガスを貯蔵することなく、一酸化炭素ガスを供給することができる一酸化炭素ガス供給機構を提供すること。
【解決手段】チャンバー内に配置されたウエハＷに所定の処理を行うためのＣＯガスを供給するＣＯガス供給機構３１は、蟻酸を供給する蟻酸供給部４３と、蟻酸供給部４３から供給された蟻酸を分解してＣＯガスを生成するＣＯガス生成部４４と、ＣＯガス生成部４４で生成したＣＯガスをチャンバー１内のウエハＷに供給するＣＯガス供給部としてのＣＯガス配管４５を具備する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置において、熱応力で誘電体等が損傷するのを防止し、かつ漏洩ガスによる電極等の腐食を防止する。
【解決手段】第１方向に並べられた複数の電極２１を含む電極群２０を骨組み状のフレーム３０で囲んで保持する。フレーム３０は、電極群２０の第１方向の外側において第１方向と直交する第２方向に延びるフレーム部材３３を含む。フレーム部材３３の長手方向の少なくとも一箇所が支持系４２に連結されて変位が拘束される被拘束部３３ａとなり、その他の箇所が第１方向へ弾性変位可能な変位可能部３３ｂとなっている。フレーム部材３３の変位可能部３３ｂと電極群２０との間には、これら変位可能部３３ｂと電極群２０とを第１方向に沿って互いに離間する向きに押圧する押圧手段５０を設ける。 （もっと読む）

一態様において、電子デバイス製造施設の性能を改善するための方法が提供され、本方法は、生産装置を使用して行われる電子デバイス製造部品のシーズニング工程の数を減らすことにより、電子デバイス製造システムの動作中断時間を短縮する工程を含む。幾つかのその他の態様が提供される。
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【課題】安価で排気速度が速くパーティクルの舞い上がりを防止できる減圧装置を提供する。
【解決手段】本減圧装置は真空チャンバ内を減圧する排気機構を備えた減圧装置において、排気機構は一端が真空チャンバに連通し、他端が真空ポンプに連通する主排気路と、この主排気路に設けた第１の開閉弁と、一端が主排気路を介してあるいは直接真空チャンバに連通し、他端が主排気路を介してあるいは直接真空ポンプに連通するスロー排気路と、このスロー排気路にこのスロー排気路壁と間隔を設けて配され、円筒形状のシリカ多孔体からなるフィルタと、スロー排気路に設けた第２の開閉弁を備える。 （もっと読む）

【課題】長期間安定して稼動できる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】内部を減圧可能に構成された容器１１と、容器１１に収納される被処理基板
１２を支持するサセプタ１３と、容器１１の外壁に沿って配置された銅管製のコイル１４
と、コイル１４に交流電力を供給し、容器１１内にプラズマを発生させる電源１５と、コ
イル１４の一端部１４ａから冷却用流体を供給し、コイルの他端部１４ｂから冷却用流体
を排出し、コイル１４の銅管内に冷却用流体を循環させる循環水システム１６と、コイル
１４の銅管の内壁に形成され、冷却用流体によるコイル１４の腐食を防止する被膜１７と
、を具備する。 （もっと読む）