【課題】少ない設置面積で、ウェーハを含む基板の搬送及び処理を行う装置及び方法を提供する。
【解決手段】線形搬送チャンバ１２３２は、線形トラックと、線形トラックに乗っているロボットアーム１２４３等を含み、基板を線形的に、処理チャンバ１２０１等の側部に沿って搬送する。又ロードロック１２３５を介し、処理チャンバ１２０１等に到達させ、搬送チャンバ１２３２に沿って基板を制御された雰囲気の中に供給する。よって相応な経費で、且つ改良されたスループットで効率的に製造を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】基板に所望のプラズマ処理を適切に施すことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、ウエハＷを収容するチャンバ１１内部をプラズマ生成室１２及びウエハ処理室１３に仕切るイオントラップ１４と、プラズマ生成室１２内に配置される高周波アンテナ１５と、プラズマ生成室１２内に処理ガスを導入する処理ガス導入部１６と、ウエハ処理室１３内に配置されてウエハＷを載置し且つバイアス電圧が印加される載置台１７とを備え、イオントラップ１４は、プラズマ生成室１２からウエハ処理室１３へ向けて二重に配置された板状の上側イオントラップ板２０及び下側イオントラップ板２１を有し、上側イオントラップ板２０及び下側イオントラップ板２１のそれぞれは設置された導電体２０ａ，２１ａと該導電体２０ａ，２１ａの表面を覆う絶縁体からなる絶縁膜２０ｂ，２１ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】被処理物が落電等で損傷するのを防止するプラズマ表面処理装置を提供する。
【解決手段】電極３１にて処理ガスをプラズマ化する。この処理ガスを被処理物９に接触させる。処理容器１０が閉状態のときは、押さえ具２７が支持部２１及び被処理物９上に載り、引っ掛け部２７ａが係止部２６から離れる。このとき、押さえ具２７は、支持部２１と被処理物９の他は、いかなる部材とも接触していない。支持部２１は、押さえ具２７と、絶縁保持部と、絶縁性の連結部材２５と、被処理物９の他は、いかなる部材とも接触していない。したがって、支持部２１及び押さえ具２７は、電気的に浮いている。ひいては、被処理物９が電気的に浮いた状態（電気的フロート）になっている。 （もっと読む）

【課題】電極板の中心部と外周部に生じる温度差を小さくして、エッチング深さの面内均一性を向上させる。
【解決手段】プラズマ処理装置に用いられる電極板構成体２０であって、高周波電圧が印加される電極板３と、該電極板３の背面に緊密接触状態に固定される冷却板１４とから構成され、電極板３は中心部の厚さｔ１が外周部の厚さｔ２より小さく形成され、冷却板１４は、電極板３に対応して中心部の厚さが外周部より大きく形成されている。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内を減圧した際の誘電体板の変形を考慮して機械的強度を確保しつつ、誘電体板の薄型化を図り、かつ梁状構造物が存在することによる高周波パワーの投入損失の低減を図ったプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置は、基板２と対向するチャンバ３の上部開口に配置されて誘電体板８を支持する梁状スペーサ７を備える。梁状スペーサ７は、チャンバ３によってその下面７ｄが支持される環状の外周部７ａと、平面視で外周部７ａによって囲まれた領域の中央に位置する中央部７ｂと、中央部７ｂから外周部７ａまで放射状に延びる複数の梁部７ｃとを備える。外周部７ａ、中央部７ｂ、及び梁部７ｃで囲まれた領域が中央部７ｂの周囲に複数の窓部２６を構成する。梁状スペーサ７の上面のうち少なくとも中央部７ｂの部分と誘電体板８の下面との間に介在する弾性部材２５が介在する。 （もっと読む）

【課題】高周波電力を伝送する伝送線路上に発生するプラズマからの高調波による定在波を低減し、プロセスの再現性および信頼性を確保する。
【解決手段】処理ガス供給装置を備えた処理容器３７と、該処理容器内に配置され、処理ガスにプラズマ生成用高周波電源からの高周波エネルギを供給してプラズマを生成するアンテナ３８と、前記処理容器内に配置された基板電極１を備え、前記基板電極にイオン引き込み用高周波電圧を供給して前記プラズマ中のイオンを加速して前記基板電極上に載置した試料にプラズマ処理を施す処理装置において、ケーブル９ａ，９ｂ，９ｃの長さを切り換えるケーブル長切換手段１５ａ，１５ｂと、基板電極側からの反射波を検出する反射波検出手段１３と、前記ケーブル長切換手段を制御する切換制御手段１４を備え、プロセス処理に先立って前記ケーブル長をプロセス条件毎に予め設定した長さに切換えて前記反射波の高調波レベルを抑制する。 （もっと読む）

【課題】処理室内の試料台の結露を抑制し信頼性を向上させる。
【解決手段】真空容器内部に配置されガスが供給されてプラズマが形成される処理室２００と、前記処理室内に配置されウエハが載置される前記略円筒形の試料台２５０と、前記試料台の下方で前記ガスが排気される開口２０４と、前記試料台内部に配置され熱交換媒体が流れる媒体用通路３０４と、前記処理室内で水平方向に前記試料台を支持する梁２１６と、前記試料台内の前記通路の下方に配置され内部が大気圧にされた円筒形の空間２１４と、前記空間の内側壁と前記真空容器外とを連通する連結路３０９と、この連結路内に配置された前記熱交換媒体用管路と、前記空間内に配置された中央側のウエハ用ピンの駆動機構３０８及びこの外周側で複数の前記媒体用管路の前記試料台との接続部を覆う複数の金属製ブロックとの間から高温のガスを供給し前記連結路を通り前記空間内のガスが外部に排出する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理におけるトレーサビリティを確保することができるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】プラズマ処理装置は、データ記録部３５と履歴情報記憶部４１と生産履歴ファイル作成部４２ａを備えた構成とする。データ記録部は、処理対象物に対するプラズマ処理が終了する毎に、日時データ，対象物特定データ，整合器１８等の運転状態を示すマシン出力データ，放電状態検出部３４による良否判定結果を示す判定データを読み取って履歴情報記憶部に時系列的に記憶する。生産履歴ファイル作成部は指定された期間または日時に基づいて日時データ４１ｋ，対象物特定データを含んだ処理済ワーク情報４１ｊ，マシン出力データ４１ｃ，判定データ４１ｆを履歴情報記憶部から読み取り、トレーサビリティに有用な生産履歴ファイルを作成する。 （もっと読む）

【課題】対向するカソード／アノードの放電空間を複数有するプラズマ処理装置において、配線とカソードとの間に異常放電を発生させず、基板面内のプラズマ処理の均一化を図る。
【解決手段】プラズマ処理装置１００は、チャンバ３と、カソード１と、複数のアノード２とを備える。複数のアノード２は、カソード放電面に対してアノード放電面が対向するように配置されている。カソード１は、カソード端面に給電部５を有し、カソード放電面およびアノード放電面は、共通する一定の対称軸に関して線対称な形状である。カソード放電面およびアノード放電面の前記対称軸方向の最大幅は、前記対称軸に垂直な方向の最大幅よりも小さい。給電部５は、前記対称軸を含みカソード放電面に対して垂直な面である基準面とカソード端面との交差線上にある。アノード２は、前記基準面に対し面対称な位置に、接地部４３を有している。 （もっと読む）

【課題】プラズマ密度の分布特性を制御することで、プラズマ処理の均一性と歩留まりの向上を実現可能なプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】内部が真空に保持可能な処理室を含む処理容器と、該処理室で基板を載置するとともに下部電極を兼ねた載置台と、前記基板の周縁を囲むように配され、前記載置台により一端が支持され、他端が前記処理容器の構成部材で支持された円環状部材と、前記下部電極に対向してその上方に配置される上部電極と、前記載置台に高周波電力を供給する給電体とを備え、前記処理室で発生するプラズマにより前記基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記円環状部材の中間を支持する前記処理容器の構成部材であって、前記処理室外に延在する第１の中間導電体と、前記給電体とを電気的に接続又は非接続可能とする第１の可動導電体を有している。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造で、かつ固形物の捕集効率を低下させることなく、排ガスの導入部での固形物の析出を抑制する。
【解決手段】固形物捕集装置は、固形物を含有する排ガスが導入される容器２と、容器２内に設置されたフィルターと、容器２を冷却する冷却器５とを有する。容器２にはガス導入口が開口し、そのガス導入口にガス導入管３が接続されている。ガス導入管３は、容器２との接続側端部３０が、内管部３１と外管部３２とを有する二重管構造とされる。内管部３１と外管部３２との隙間の大きさＣは、２．５ｍｍより大きく、かつ４０ｍｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】高い結晶性をもった物を製造することが可能なドライプロセス装置を提供する。
【解決手段】基板保持部１０ａに保持された基板１４の温度を所望の温度に保つ温度調整器と、前記基板保持部１０ａとターゲット保持部１０ｂとにそれぞれ配置された高周波電極１１ａ、１１ｂと、両電極の陰陽を切り替える陰陽切替器と、前記チャンバー内の気体を外部の排出するあたりその排気速度を調整する排気調整器と、前記チャンバー内へ供給する気体の供給速度を調整する給気調整器と、この給気調整器を介して前記チャンバーに供給する気体の種類を変更する気体切替器とからなり、前記基板保持部１０ａに保持された基板１４に対しスパッタリング法、イオン注入法、ＣＶＤ法等の異なった複数のドライプロセスを選択して連続実行する。 （もっと読む）

【課題】
被加工試料の外周部で生じるシャワープレートからのガス供給不足を解決し、被加工試料での加工精度の面内均一性を向上させるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】
真空容器と、真空容器内に設けられ被加工試料を載置する試料台と、試料台に対向し被加工試料直径よりも大きな直径のガス供給面を有するガス供給手段とを有し、被加工試料の表面処理を行うプラズマ処理装置において、ガス供給手段のガス供給面には、同一直径のガス噴出し孔が同心円状に設けられており、被加工試料直径またはそれよりも外側にあるガス噴出し孔の孔数密度は、被加工試料直径よりも内側にあるガス噴出し孔の孔数密度よりも高い。また、ガス供給手段のガス供給面には、ガス噴出し孔が同心円状に設けられており、被加工試料直径またはそれよりも外側にあるガス噴出し孔直径は、被加工試料直径よりも内側にあるガス噴出し孔直径よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】ロック室で被処理体に付着する異物粒子数の低減とスループットの向上を両立させる。
【解決手段】任意の開度に調整可能なバルブを設置し、制御コンピュータによって減圧速度を自動的に調整できるようにした。 （もっと読む）

【課題】より均一にウエハをエッチングすることができるエッチング方法、及び、エッチング装置を提供する。
【解決手段】ウエハ８０をエッチングするエッチング方法であって、表裏を連通する複数の連通孔が形成されているウエハ８０の一方の表面に向けてエッチングガスを供給するとともに、供給したエッチングガスの少なくとも一部を前記複数の連通孔から他方の表面側に排出する方法。 （もっと読む）

【課題】ワークを加工精度を向上させることが可能なプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供すること。
【解決手段】放電用ガスに励起電圧を印加してプラズマを発生させ、前記プラズマを照射してワークを加工するプラズマ処理装置であって、前記プラズマを前記ワークに向けて噴射する噴射口及び前記噴射口の周囲の空間を吸引する吸引口を有するプラズマ発生機構と、前記プラズマ発生機構と前記ワークとを相対移動させる移動機構と、少なくとも前記ワークの目標形状データと、前記ワークの加工前形状データと、前記プラズマ発生機構の加工量データと、前記プラズマ発生機構を用いた加工後の前記ワークの形状に基づく加工分布データとに基づいて前記ワークの加工計画データを生成し、前記加工計画データに基づいて前記ワークの加工を行わせる制御装置とを備える。 （もっと読む）

【課題】金属電極及び周辺の構成を適正化する。
【解決手段】マイクロ波プラズマ処理装置１０は、処理容器１００と、マイクロ波を出力するマイクロ波源９００と、処理容器内の天井面に隣接して設けられ、マイクロ波源９００から出力されたマイクロ波を処理容器内に放出する誘電体板３０５と、誘電体板３０５のプラズマ側の面にて誘電体板３０５に隣接して設けられ、周縁から誘電体板３０５の一部を処理容器内に露出させる菱形状の金属電極３１０とを有する。金属電極３１０と誘電体板３０５とは、処理容器１００の天井面を区切る仮想領域であって金属電極３１０の２本の対角線Ｄ１，Ｄ２にそれぞれ平行な２本ずつの直線から画定され、金属電極３１０と誘電体板３０５とを含む最小の矩形領域をセル領域Ｃｅｌとして、セル領域Ｃｅｌの短辺の長さに対する長辺の長さの比は、１．２以下になっている。 （もっと読む）

【課題】反応生成物がプラズマ光透過面に堆積しにくく、また、プラズマ光透過面がプラズマによりエッチングされにくい検出窓を備えたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマエッチング処理を行うプラズマ処理室１０と、プラズマ処理室の壁面に設けられて、プラズマ処理室で生成されるプラズマ光を透過する検出窓と、プラズマ光を受光して、プラズマ光の発光強度に基づいてプラズマエッチング処理の終点を検出する終点検出器とを備え、検出窓は、プラズマ光に対して透過性を有する第１部材３４と、第１部材３４よりプラズマ処理室側に設けられて、プラズマ光に対して非透過性を有する第２部材３５とを具備し、第２部材３５は、プラズマ光をプラズマ処理室から第１部材３４へ導光する複数の貫通孔３５１を備え、複数の貫通孔３５１は、プラズマ処理室で発生して前記複数の貫通孔３５１へ進入する進入物の進入防止構造を備える。 （もっと読む）

【課題】シリコン接着剤に対するプラズマ浸食をほぼ完全に防止することができる構造にして、ウェハ等のワークに対する支障のない円滑なプラズマ処理作業を可能にした静電チャック及びその製造方法を提供する。
【解決手段】静電チャック１は、ベース２とセラミックプレート３と接着部４とを備える。接着部４は、シリコン接着剤４１とエポキシ接着剤４２とポリイミドフィルム４３とで構成される。具体的には、シリコン接着剤４１は台座部２０の表面２０ａに塗布され、台座部２０の段部２０ｂとセラミックプレート３の周縁部下面とで構成される広い間隙４０内に、エポキシ接着剤４２とポリイミドフィルム４３とが装着されている。これにより、接着部４は、シリコン接着剤４１の外周面をエポキシ接着剤４２で覆い、エポキシ接着剤４２の外周面をポリイミドフィルム４３で覆った構造になっている。 （もっと読む）

【課題】基板との接触が良好で基板の温度を高精度で所望の温度に制御することができる基板載置台を提供すること。
【解決手段】載置台本体４１と、載置台本体４１の上部に設けられた、基板を載置する載置面を有する載置部と、冷熱を載置台本体４１の上部に伝熱させるための冷媒流路４５と、載置台本体４１の伝熱経路中に位置し、載置された基板に対応するように設けられた空間部６１、および空間部６１に充填された、多数の連通する空隙が存在する固体部材６２を有し、空間部６１に伝熱ガスを供給または空間部６１から伝熱ガスを排出することにより、冷媒からの伝熱をコントロールする伝熱コントロール部６０と、空間部６１へ伝熱ガスを供給する伝熱ガス供給機構６５と、空間部６１から伝熱ガスを排出する伝熱ガス排出機構６８と、空間部６１への伝熱ガスの供給および伝熱ガスの排出を制御する制御部とを具備する。 （もっと読む）