【課題】座屈やクラックのような僅かな異常をも検知でき、かつ、僅かな異常を、処理装置を停止させずに検知することが可能な同軸ケーブルの異常検知システムを提供すること。
【解決手段】一端をＲＦジェネレータ１の出力１１に接続し、他端を整合器４の入力４１に接続した同軸ケーブル３と、同軸ケーブル３のＲＦジェネレータ１の出力１１における反射波Ｒを検出する第１の反射波検出手段１２と、同軸ケーブル３の整合器４の入力における反射波ｒを検出する第２の反射波検出手段４３と、反射波Ｒと反射波ｒとを比較し、反射波Ｒと反射波ｒとの関係がＲ＞ｒであり、反射波Ｒと反射波ｒとの差分が規定値を超えたときに同軸ケーブル３中の異常発生を検知する検知器６とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 半導体プロセスのスループットを向上させることができるように、電極の接続構造を大幅に改善した半導体製造装置用のセラミックス基板、特にシャワー基板を提供する。
【解決手段】 半導体製造装置のチャンバー内に設置され、内部に導電体２を埋設したセラミックス基板１であって、導電体２に接続された外部端子接続用の電極部材３と、電極部材３に接続され且つ電極部材３を被覆する導電性のカバー部材４と、カバー部材４で被覆されている電極部材３をチャンバー内雰囲気から遮断するＯ−リング５とを有し、電極部材３とセラミックス基板１及び電極部材３とカバー部材４とがネジなどにより機械的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、エネルギー効率が高く且つ、温度制御対象の温度制御精度のより優れた基板処理装置、及びそのような基板処理装置に用いられる温度調節装置を提供することを課題とする。
【解決手段】 温度調節対象の温度を調節する第１の温調流体１５を循環させる第１の流路１６の一部は基板処理部を通る。第１の温調流体１５と熱の交換をする第２の温調流体１８は第２の流路１９を流れる。上流路１６ａ、一部の流路、下流路１６ｂ及びバイパス３６６よりなる第１の温調流体の循環路と、上流路１６ａ、一部の流路、下流路１６ｂ及び熱交換路３９ａよりなる第１の温調流体の循環路とを切換手段により切り換える。 （もっと読む）

【課題】処理チャンバへの流れを提供する方法と装置を提供する。
【解決手段】一実施形態において、内容積部を有するチャンバ本体と、内容積部に配置された基板支持部と、非対称分布のガス注入ポートを有するガス分配アセンブリとを含む真空処理チャンバを提供する。他の実施形態において、基板を処理チャンバ内の基板支持部上に配置し、処理チャンバ内の基板上に配置されたガス分配板上に規定した空間に処理ガスを横方向に流し、処理ガスを存在させて基板を処理することを含む基板を真空処理する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】加熱基体１１と、この加熱基体１１に接合された支持部材１３とを有する加熱装置において、加熱基体１１と、支持部材１３との接合部近傍にクラックが発生することを効果的に防止する。
【解決手段】セラミックスよりなる加熱装置１０は、加熱面１１ａを有する板状の加熱基体１１と、この加熱基体１１の背面１１ｂ接合された中空筒状の支持部材１３とを備えている。加熱基体１１と支持部材１３との接合界面１４の外端１４Ｅ近傍で、この加熱基体１１の背面１１ｂと支持部材１３の外表面１３ｂとを滑らかに接続する凹曲面部１５が形成されている。凹曲面部１５は、支持部材１３の軸線を含む断面において、短軸方向が支持部材１３の軸線方向と平行である楕円の弧の曲線を有している。 （もっと読む）

【課題】製造装置筐体内部からの汚染物質をクリーンルームへ漏洩するのを防止すること、並びに、クリーンルームからの塵埃を製造装置筐体内部に侵入するのを防止する。
【解決手段】ミニエンバイロメント方式を採用した半導体製造装置が、台ＴＥ上に半導体ウエーハＳＷが配置され、半導体ウエーハＳＷを囲む複数の面を有する筐体ＢＥと、複数の面のうちの少なくとも１つの面の近傍に対向して設置され、気体が通過する隙間ＳＴを有する板ＢＤと、板ＢＤと１つの面との間で形成された排気室ＶＲ内の気体を排気する排気系ＶＳと、を有している。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置用の電極として好適に用いることが可能な電気特性を備え、かつ、長期間にわたって安定したプラズマが生成可能なプラズマ処理装置用電極を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置に備えられ、高周波電圧が印加されることでプラズマ生成容器内にプラズマを生成するための電極であって、少なくともプラズマに曝される表面部分が、化学気相成長法（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって作成されたＳｉＣからなり、ＳｉＣ中の不純物濃度が３．０×１０^１５（個／ｃｍ^３）以上かつ１．０×１０^１９（個／ｃｍ^３）以下であることを特徴とするプラズマ処置装置用電極を提供する。 （もっと読む）

【課題】表面を均一で高精度で再現性のある微細凹凸面とし、腐食性洗浄液、腐食性ガスに対する耐食性に優れ、パーティクルの発生がなく耐久性に優れるなど、機能性、表面特性に優れた石英ガラス材料を提供する。
【解決手段】多関節アームロボット３を利用したレーザー加工装置１のレーザー光の焦点を石英ガラスプレート２の表面に合わせ、所望の表面粗さにするために予め表面粗さＲａ０．５〜５０μｍの範囲内における速度と表面粗さの関係式から求めた速度で移動させて、石英ガラスプレートの表面に微細な凹凸面を形成した。次いで、ダイヤモンド・ライク・カーボン膜（ＤＬＣ）で凹凸面が形成された面を被覆した。パーティクルの発塵がなく、フッ酸耐久性や熱酸化速度が良好であり、ハロゲン化物ガス及び／又はそのプラズマに対する耐食性が高く、半導体製造装置用部材など、表面特性に優れた石英ガラス材料として好適である。 （もっと読む）

【課題】プラズマの状態を乱すことなく、粒子密度を正確に測定できる光源を実現すること。
【解決手段】本光源は、管状の筐体１２と、筐体の内壁に沿って設けられた、冷却媒体を流通させる冷却媒体流通路３０と、筐体の先端に配設されたレンズ５０と、レンズの手前であって、筐体内部において、その筐体の軸に垂直に、相互に平行に、配設された第１電極４４及び第２電極４６と、その間に配設された絶縁スペーサ４６とを有する。第１電極、絶縁スペーサ及び第２電極の中央部を軸の方向に貫通する孔４７を有する。冷却媒体流通路の内壁に沿って、放電ガスを、レンズの裏面に向かって導入し、レンズで反射させて、孔を通して、流通させる放電ガス流通路を設けた。 （もっと読む）

【課題】ハロゲン系ガスを高効率かつ選択的に除害できるゼオライトからなる除害剤及びそれを用いたハロゲン系ガスの除害方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＯ_２／Ａｌ_２Ｏ_３モル比が２．０〜２．３のフォージャサイト型ゼオライト、カチオンとしてアルカリ金属および／またはアルカリ土類金属を少なくとも１種を含有するハロゲン系ガス除害剤を用いる。バインダー含有量が１０％以下の成形体が好ましく、特にバインダーレス剤であることが好ましい。カチオンはＮａ及び／又はＫからなる群から選ばれる少なくとも１種であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】基板上における異常放電の発生を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、順に積層された、天井電極板２５、冷却板２６及び上部電極支持体２７を有する円板状のシャワーヘッド２４を備え、上部電極支持体２７は上部高周波電源３０に接続され、冷却板２６は中央バッファ室３４と周縁バッファ室３５とを内部に有し、上部電極支持体２７には２つのクランプ３８が中央バッファ室３４に対応する位置に配置され、且つ２つのクランプ４０が周縁バッファ室３５に対応する位置に配置され、各クランプ３８，４０はそれぞれガス供給系３９，４１に接続され、２つのクランプ３８は、シャワーヘッド中心を中心とする円周上において１８０°±３°毎に配置され、２つのクランプ４０も、シャワーヘッド中心を中心とする円周上において１８０°±３°毎に配置されている。 （もっと読む）

【課題】効率的で、大径のパターニング加工を可能とするパターニング装置及びパターニング方法を提供する。
【解決手段】基材Ｐに設けられた処理対象材Ｓを除去してパターニングする。処理対象材Ｓの所定箇所にレーザ光Ｌを照射して、所定箇所の処理対象材Ｓを除去するレーザ照射装置３０と、除去された処理対象材Ｓをプラズマによりガス化するプラズマ発生装置４０と、ガス化された処理対象材Ｓを排出する排出装置５０とを備える。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置の電極を含む処理ヘッドにおける樹脂ボルトの損傷を防止し、メンテナンスの容易化を図る。
【解決手段】プラズマ処理装置Ｍの処理ヘッド２０の電極２３をはじめとするヘッド構成部材２１〜２３を、樹脂製のボルト３０で連結する。樹脂ボルト３０の頭部３１に被覆材４０を被せる。被覆材４０は、ボルト頭部３１への取り付け時に流動性を有し、取り付け後剥離可能に粘着し硬化し、単独で取り外し可能である。被覆材４０は、好ましくはビニルポリシロキサンで構成されている。 （もっと読む）

【課題】ガス供給孔における処理室内への開口部においてデポの発生を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理システム１０はウエハＷに弗化水素ガスを用いた化学反応処理を施す第２のプロセスモジュール３４を備え、該第２のプロセスモジュール３４はチャンバ３８とＧＤＰ４０とを有し、該ＧＤＰ４０はガス供給部４４を有し、該ガス供給部４４は孔径が１ｍｍ以上、好ましくは１ｍｍに形成された複数のガス供給孔４８を介してチャンバ３８内へ弗化水素ガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】排気管内を流れるパーティクルの数や大きさを正確に検出することができるパーティクルモニタシステムを提供する。
【解決手段】チャンバ１１及びＤＰ１７を連通するバイパスライン１６には、レーザ光を照射するレーザ光発振装置２１と、バイパスライン１６の中心軸及びレーザ光の交差部に焦点ＦＰを有する光電子倍増管２２と、円板状部材からなるパーティクル収束部材２３とから構成されるパーティクルモニタシステムが配され、パーティクル収束部材２３は焦点ＦＰに対向する貫通穴２４を有し、バイパスライン１６とパーティクル収束部材２３の周縁部との間には間隙２５が形成される。 （もっと読む）

【課題】レーザ照射手段のような大掛かりな装置を必要とせず、ＰＦＣ系ガスを用いずに、十分な処理効果を奏するプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法、ガス発生装置及びガス発生方法、並びに、フッ素含有高分子廃棄物処理方法を提供する。
【解決手段】プラズマを発生させる放電空間４に配置されたフッ素含有高分子原料１と、プラズマ中において上記フッ素含有高分子原料と反応することによって、フッ素含有化学反応種を発生させるガスを供給するガス供給手段８とを備え、プラズマ中にフッ素含有化学反応種を発生させ、該フッ素含有化学反応種により被処理物を処理するプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法、ガス発生装置及びガス発生方法である。フッ素含有高分子廃棄物にプラズマ又はプラズマ中を通過したガスを照射することにより、当該フッ素含有高分子廃棄物のフッ素を回収するフッ素含有高分子廃棄物処理方法である。 （もっと読む）

【課題】スループットを低下させることなく基板の裏面に傷が付くのを確実に防止することができる基板処理システムを提供する。
【解決手段】基板処理システム１０は、真空系基板搬送装置であるトランスファモジュール１１と、該トランスファモジュール１１の周囲において放射状に配置された、４つのプロセスモジュール１２〜１５と、大気系基板搬送装置であるローダーモジュール１６と、該ローダーモジュール１６の長手方向に関する一端に配置されたプリンティングモジュール３４と、同他端に配置されたクリーニングモジュール３５とを備え、プリンティングモジュール３４がウエハＷの裏面にスクリーン印刷処理によって保護膜４８を印刷し、プロセスモジュール１３がウエハＷにＲＩＥ処理を施し、クリーニングモジュール３５がウエハＷの裏面に印刷された保護膜４８を常圧プラズマアッシング処理によって除去する。 （もっと読む）

【課題】低コストに且つ簡素な製造工程でよりエネルギ変換効率が高い光起電デバイスを製造可能にする。
【解決手段】所定の軸Ｘを中心とする円形の走査経路ＳＰに沿って配列された複数個のステーション１５５を有するレーザアブレーション装置１００によって、光起電デバイスを複数個一括製造するシステムを構築する。各ステーション１５５には経路ＳＰに沿って光起電デバイス仕掛品（ウェハ）２１１を積載する。軸Ｘ沿いにレーザ光源１１０から随時出射されるパルス状レーザビーム光ＬＢ１をレーザ光走査機構１２０に設けた光学系（１２３，１２５，１２７）によって経路ＳＰと交差する方向に転向させる。軸Ｘを中心に回転体１２１及び光学系を回転させ出射ビーム光ＬＢ３の到達先を経路ＳＰ沿いに変化させる一方、各ステーション１５５では径方向にウェハ２１１を移動させる。 （もっと読む）

【解決手段】電極を有するプラズマ閉じ込め区域を備えたプラズマチャンバを提供する。第１のガスおよび第２のガスを供給するガス分配システムが、プラズマチャンバに接続されており、ガス分配システムは、１秒未満の期間内でプラズマ区域内の一方のガスを他方のガスで実質的に置き換えることができる。第１の周波数帯域で電極に電力を提供するための第１の周波数調整ＲＦ電源が、少なくとも１つの電極に電気的に接続されており、第１の周波数整ＲＦ電源は、反射ＲＦ電力を最小化することができる。第１の周波数帯域の外側の第２の周波数帯域で前記プラズマチャンバに電力を供給するための第２の周波数調整ＲＦ電源が備えられており、第２の周波数調整ＲＦ電源は、反射ＲＦ電力を最小化することができる。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチング装置に用いる陽極酸化処理を施したアルミニウム合金電極について、エッチング特性（エッチング形状やエッチング速度）の処理基板面内でのばらつきの発生させ難さ（ばらつきを発生させ易いか、させ難いか）を、前記アルミニウム合金電極を実使用せずに予測できるアルミニウム合金電極の耐久性評価方法を提供する。
【解決手段】(1) 前記電極を１２０〜２００℃の温度で１時間以上保持した後、塩酸水溶液に浸漬し、しかる後、前記電極表面の漏れ電流分布のばらつきを測定することを特徴とするアルミニウム合金電極の耐久性評価方法、(2) 前記耐久性評価方法において塩酸水溶液の温度が１０℃以上であるもの、(3) 前記耐久性評価方法において塩酸水溶液の濃度が０．１質量％以上であるもの等。 （もっと読む）