プロセス室から排出されるガスの処理方法であって、排気ガスは、真空ポンプ（２０）に運ばれ、窒素パージガスは、排気ガスとともに排気するために排出ガスに加えられる。ポンプからのガス排気は、排気ガスを除害するための除害装置（２８）に運ばれる。排気ガスに加えられるパージガスの量は、排気ガスの除害を最適にするように、排気ガスの組成、またはプロセス室に供給されたガスの組成の変化に応答して調整される。
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【課題】 本発明の課題は、ビューポートを構成している接着行程をなくし、製造コストを下げ、さらに紫外線の透過率を向上させることである。
【解決手段】 ビューポートの保護膜をエアロゾルデポジションによるアルミナあるいはイットリアなどの薄膜セラミックで形成する。 （もっと読む）

【課題】使用済みエッチング処理剤を再利用し、排水量及び廃棄物量を大幅に削減する。
【解決手段】、クリーンルーム内に配置されたデバイス製造装置１００は、ウエハの表面をエッチング剤を用いエッチングするエッチング装置７２と、エッチング装置７２から排出されるフッ化水素をカルシウム化合物と反応させフッ化カルシウムを生成させる生成槽２０と、生成槽２０で得られたフッ化カルシウム含有処理液２２から膜濾過を行う処理槽３０と、処理槽３０にて沈殿したフッ化カルシウムを回収するフィルタプレス３６と、フィルタプレス３６にて回収されたフッ化カルシウムに酸を添加し反応させフッ化水素を生成させる再生槽４０と、再生槽４０で得られたフッ化水素をエッチング装置７２に戻すエッチング剤再利用ラインと、を備える。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理法において、できる限りリアクタ管の腐食及びリアクタ管内の温度を低下させることが可能かつ高効率に処理が可能な、半導体製造装置からの排ガス処理方法及び装置を提供する。
【解決手段】半導体製造工程における排ガスを、プラズマを発生する高周波放電管に導入し、該高周波放電管用電極に高周波電力を印加することにより前記容器内にプラズマを発生させて半導体プ口セス用排ガスを分解処理する半導体プ口セス用排ガス処理方法において、上記高周波電力をパルス発生器によってパルス変調することを特徴とする半導体プ口セス用排ガス処理方法及び処理装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】
測定対象表面に含まれる異物を正確に吸引抽出して測定することのできるプラズマ処理装置の表面異物検出技術を提供する。
【解決手段】
所定圧力のガスを測定対象物表面に断続して吹き付けるガスの吹き出し口２、および該ガスの吹き出し口から吹き出したガスにより放出された異物を吸引するガスの吸引口３を備えた測定子１と、前記ガスの吸引口から一定量のガスを連続して吸引する吸引ポンプを備え、該吸引ポンプで吸引したガスに含まれる異物の数を計数するパーティクルカウンタ６と、前記ガスの吹き出し口に所定圧力のガスを断続して供給する圧力調整ユニット４を備えた。 （もっと読む）

【課題】 被処理物が処理容器内にあるときでもクリーニング作業を行うことができ、さらには被処理物の処理作業とクリーニング作業を重複して行うことも可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 プラズマ処理空間と、クリーニング空間と、を有する処理容器と、第１の遮蔽体と、第２の遮蔽体と、を備え、前記第１及び第２の遮蔽体の少なくともいずれかを前記プラズマ処理空間に移動させた状態で前記載置手段に載置された前記被処理物をプラズマ処理可能とし、前記第１及び第２の遮蔽体の少なくともいずれかを前記クリーニング空間に移動させた状態で前記クリーニング空間においてプラズマを形成することにより、前記第１及び第２の遮蔽板の前記少なくともいずれかの表面に形成された堆積物を除去可能としたことを特徴とするプラズマ処理装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】 マルチチャンバシステムの生産性を向上させる。
【解決手段】 複数のプロセスチャンバ（１００，１１０，１２０）に関する，点火電力供給部６００，主電力供給源４００，インピーダンス整合器（２００，２１０，２２０，５００）を含む電源供給系統を効果的に統合構成し，マルチチャンバシステムの設備面積と費用を節減し，各プロセスチャンバのプラズマ密度を独立に制御して工程収率を向上させることで全体としてマルチチャンバシステムの生産性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 基板処理装置による製品の品質管理をＰＣＡモデルに基づいて適切に行うことのできる基板処理監視装置、基板処理監視システム、基板処理監視プログラム及び記録媒体の提供を目的とする。
【解決手段】 基板を処理する基板処理装置とネットワークを介して接続し、該基板処理装置における前記基板の処理状況を監視する基板処理監視装置であって、前記基板の処理を規定する複数の制御項目のそれぞれについて少なくとも設定値、上限値及び下限値の入力を受け付ける入力手段と、前記入力手段が受け付けた複数の制御項目に対する少なくとも前記設定値、前記上限値及び前記下限値に基づくＰＣＡ出力値を前記基板の処理の異常を検出するための閾値として算出する第一のＰＣＡ算出手段とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は実質的に大気圧でガス流出物をプラズマ処理する方法に関し、処理される流出物をプラズマトーチに注入し、プラズマの上流または下流で水蒸気を注入することを含む。 （もっと読む）

【課題】 簡素な構成でポリマーの付着量の制御を容易に行うことができるプラズマ処理室を提供する。
【解決手段】 プラズマ処理室１０は容器１１の内周面を覆う円筒状の側壁部材４５を有し、電位制御装置４６は、昇降して側壁部材４５と接触し、または側壁部材４５と非接触となる、接地された導通部材４７を有し、ＲＩＥ処理では、導通部材４７を下降させて側壁部材４５と接触させることにより、側壁部材４５の電位を接地電位に設定し、アッシング処理では、導通部材４７を上昇させて側壁部材４５と非接触にすることによって、側壁部材４５の電位を浮遊電位に設定する。 （もっと読む）

【課題】 アンテナサイズの変更やギャップ変更を容易に行うことが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 プラズマ処理装置１００は、気密に構成され、接地された略円筒状のチャンバー１を有しており、チャンバー１の上部には、アンテナ部材３０が配備されている。このチャンバー１は、略円筒形をしたハウジング２と、ハウジング２に上から接合されて処理空間を囲繞する円筒形をしたチャンバーウォール３と、により構成される分割構造とし、チャンバーウォール３を着脱自在にした。 （もっと読む）

【課題】 除害のコストを削減できる真空装置及び除害システムを提供する。
【解決手段】 真空ポンプ１１により真空にした処理槽１０内に反応ガスを供給してワークの加工を行う加工工程と、処理槽１０内にクリーニング用ガスを供給してワークのクリーニングを行うクリーニング工程とを交互に行う真空装置１において、加工工程時に反応ガスを希釈する希釈用ガスを真空ポンプ１１に供給する第１、第２供給経路１４、１５を設け、クリーニング工程時に第１供給経路１４の希釈用ガス供給弁１４ａを閉じて希釈用ガスの供給量を加工工程時よりも少なくした。 （もっと読む）

【課題】 所望のエッチング角度を容易に設定することができると共に、コストを低減することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 エッチング処理装置１は、半導体デバイス用のウエハＷを収容する真空処理室２と、該真空処理室２内においてウエハＷに対向するように配置された誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）ソース４と、ウエハＷ及びＩＣＰソース４の間に配置される遮蔽板５とを備え、遮蔽板５の貫通孔１１は、ＩＣＰソース４の直下以外の箇所において開口する。 （もっと読む）

【課題】反射係数が最小となる出力周波数を迅速に求め、その出力周波数に調整して高周波を出力する高周波電源装置を提供する。
【解決手段】高周波電源装置１は、高周波電力の供給に応じて高周波電力の反射特性が時間的に変動する負荷Ｌに対して高周波電力を供給するものであって、高周波電力を発生する周波数変更可能な発振部１４及び増幅部１５と、負荷Ｌに入射される高周波電力と負荷Ｌから反射される高周波電力を検出するパワー検出部１６と、パワー検出部１６で検出された負荷Ｌへの入射電力と負荷Ｌからの反射電力とに基づいて反射係数を算出する反射係数算出部１７と、予め設定された周波数範囲内で周波数を変化させて発振部１４及び増幅部１５から高周波電力を発生させ、反射係数算出部１７で算出される反射係数が最小となる周波数を求め、求められた周波数の高周波電力を発振部１４及び増幅部１５で発生させ、負荷Ｌに供給する制御部１２とを備える。 （もっと読む）

【課題】排気の除害を行う除害手段の負担を軽減し，排気の除害に必要なエネルギやコストの低減を図れる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ガスを導入して所定の処理を行う複数の処理室２００Ａ，２００Ｂ等と，これらの各処理室にそれぞれ設けられた排気系２２０Ａ，２２０Ｂ等と，これら各処理室の排気系のうち少なくとも２以上の処理室の排気系を接続する共通排気系３１０とを備える基板処理装置であって，共通排気系は，各処理室の排気系からの排気を除害手段３４０により除害してから排気する除害共通排気系３２０と，各処理室の排気系からの排気を除害手段を介さずに排気する非除害共通排気系３３０とを切換え可能に構成され，各処理室で実行される処理の種類に応じて，除害共通排気系と非除害共通排気系との切換制御を行う制御部４００を設けた。 （もっと読む）

【課題】少ないエネルギーで効率よく有害排気ガスを処理できる排気ガス処理システムを提供する。
【解決手段】導入した有害排気ガスを、爆発限界以下の濃度に希釈する希釈ガス供給装置と、ヒータとヒータコントローラを備え、希釈された有害排気ガスを触媒活性により除害する除害装置と、希釈ガスの総流量をモニタするモニタとを備え、希釈ガスの流量データ情報をヒータコントローラにフィードバックし、除害装置への希釈ガスの流入流量に応じて、触媒温度を制御する。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波吸収液体を利用したマイクロ波プラズマ・システム用の液体冷却プラズマ・アプリケータおよび液体冷却誘電体窓の提供。
【解決手段】アプリケータは、マイクロ波エネルギーに対してほぼ透過性の放電管５０、およびチャネル６８および媒体を画定する管を覆っている冷却部材６０を備えている。チャネル６８は、部材の内表面に沿って形成され、マイクロ波吸収冷却液を管の外表面上に運ぶために管の外表面を覆い、チャネル６８に隣接した媒体により、電界が管に入り、液体がチャネルを流れている間、管内にプラズマを持続させることが可能になる。窓は、誘電体窓、およびチャネルおよびチャネルに隣接した媒体を画定する窓の外表面に接触した冷却部材を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】プラズマチャンバ内に発生するアーキング検出・抑制回路とアルゴリズムの提供。
【解決手段】ＰＬＣ１２とＤＳＰ１４から構成されるアーク検出抑制回路１０を備える。アンテナ４７からの電磁場信号４８、方向性結合器からの前進出力信号２５、反射出力信号２７等１つ以上のセンサ信号に対して閾値を設け、アークを検出し場合ＲＦ電源２０に対して、短期間に出力を低減することによってアークを抑制させ、次いで元の値に回復させる。アークが再び始まると、ＲＦ電源２０は、出力を低減し、次いで出力を回復するステップを繰り返す。 （もっと読む）

スピン塗布によりレジストの被膜を形成する場合、無駄となってしまうレジスト材料が存在し、さらに、必要に応じて端面洗浄の工程が増えてしまう。また、真空装置を用いて、基板上に薄膜を成膜する際には、チャンバー内を真空にする特別な装置や設備が必要で、製造コストが高くなってしまう。本発明は、絶縁表面を有する基板上に、ＣＶＤ法、蒸着法又はスパッタ法により選択的に導電層を形成するステップと、前記導電層に接するように、組成物を吐出してレジストマスクを形成するステップと、前記レジストマスクを用いて、大気圧又は大気圧近傍下で、プラズマ発生手段により前記導電層をエッチングするステップと、大気圧又は大気圧近傍下で、前記プラズマ発生手段により前記レジストマスクをアッシングするステップを有することを特徴とする。上記特徴により、材料の利用効率を向上させて、製造コストの低減を実現する。
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簡単な構造でありながら、プラズマやオゾンを高効率に発生し、取り扱いが容易な発生装置を得るようにする。 誘電体を介在しない電極１１、１２からなる電極部１０を構成する。この電極部１０に電荷を蓄積する電荷蓄積部としての消弧コンデンサ１３を直列に接続する。電極部１０と消弧コンデンサ１３との直列回路の両端に、交流電圧を印加して消弧コンデンサ１３を充放電させ、電極１１、１２間に自己消弧放電を生じさせてプラズマを発生させる交流電源１５を接続する。電極部の多極化を容易にするために、消弧コンデンサ１３と、これに接続される側の電極部１０の一方の電極１２とをユニット化する。ユニットは、電極部１０の一方の電極１２とコンデンサ１３の一方の電極とを兼用した浮遊電極と、浮遊電極の周囲に設けられた絶縁体と、絶縁体周囲に設けられた接地電極とから構成する。
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