【課題】基板が破損する可能性を軽減しつつ、基板が載置台上に吸着しているか否かを検出し解消する吸着検知解消方法を提供すること。
【解決手段】載置台の載置面から被処理体の裏面に対して、所定の吸着判定圧力にて流体を供給する工程と（ステップ２）、吸着判定圧力にて流体を供給開始してから、所定の吸着判定時間が経過したときの流体の流量を検知する工程と、該工程において検知された流体の流量が、所定の吸着判定流量以下か否か、を判定する工程と（ステップ３）、該工程における判定の結果、流体の流量が吸着判定流量以下の場合、被処理体の裏面に対して流体を供給する圧力を吸着判定圧力よりも高圧の吸着解消圧力にする工程と（ステップ７）、を具備する。 （もっと読む）

【課題】伝送線路に矩形導波管を用いて所望の形状で所望の位置に配置された電極からマイクロ波を処理室に供給する。
【解決手段】マイクロ波プラズマ処理装置１００は、マイクロ波を出力するマイクロ波源４０と、マイクロ波源に連結された給電用導波管３０と、給電用導波管３０と連結され、内部空間が給電用導波管３０の内部空間と連通する複数の放射用導波管３１と、複数の放射用導波管３１に隣接して設けられ、２以上の放射用スロット３２ａを含むスロット群３２ａｇが放射用導波管３１を伝送するマイクロ波の管内波長λｇ／２の整数倍毎に等間隔に形成された複数の金属のスロットアンテナ３２と、を有し、給電用導波管３０から複数の放射用導波管３１に伝送したマイクロ波をスロット群３２ａｇに通して処理室内に供給し、処理室の内壁を形成するスロットアンテナ３２の金属面に沿って伝搬させる。 （もっと読む）

【課題】基板を処理する処理容器内におけるガスの流れをコントロールすることにより、処理容器内の圧力を適切に制御し、所望の圧力状態にすることが可能な基板処理技術を提供する。
【解決手段】処理容器２内に処理ガスを導入するとともに排気して処理容器２内の載置台４上に置かれた基板Ｇを処理する基板処理装置１であって、処理容器２内において、載置台４の周囲を複数の領域１５に仕切る仕切り部材６と、処理容器２の底面２ａにおいて、仕切り部材６によって仕切られた複数の領域１５にそれぞれ設けられた、処理ガスを排気する複数の排気口５と、複数の排気口５の各々に接続されて個別に作動可能な排気機構５５と、各領域１５の圧力を検出するセンサ４７と、センサ４７が検出した圧力に基づいて排気機構５５を個別に制御する制御装置４５を有する。 （もっと読む）

【課題】
ドライエッチング後に処理済み基板を取り出すために真空処理室を大気に戻し開放する際に、放出される可能性のある残留プロセスガスの有無を検知して真空処理室を大気へ戻す際に効率的かつ安全に有害な残留プロセスガスを除去できるようにしたドライエッチング装置を提供する。
【解決手段】
本ドライエッチング装置は、排気系及びガス導入系を備えた真空処理室と、真空処理室の搬入・搬出開口部に設けたゲートバルブと、ゲートバルブの外側に、ゲートバルブを囲んで設けた残留ガス排出用ケースと、残留ガス排出用ケースに接続された排気管とで構成される。 （もっと読む）

【課題】 本発明は基板に塗布したレジスト除去に関し、より詳細には基板の周辺部に形成されたエッジビードと呼ばれるレジストのみをアッシング除去するレジスト除去装置およびレジスト除去方法に関するものである。
【解決手段】 本発明のレジスト除去装置は、レジスト除去装置のチャンバー内にマスク支持台と、そのマスク支持台の内側に配置されて基板を載置する基板支持台と、マスク支持台の基板を覆う位置に配置されて基板の周辺部を露出させる開口部を有する蓋状のアッシングマスクとを備える。 （もっと読む）

【課題】装置の異常発生を高精度に検知することができ、また、異常の原因を容易に探索することのできるプラズマ処理技術を提供する。
【解決手段】供給された処理ガスに高周波電力を印加してプラズマを生成するプラズマ生成手段および被処理基板を載置する試料台を備えた処理室と、
予め設定された処理条件に従ってプラズマを生成して前記試料台上に載置された被処理基板に逐次プラズマ処理を施すとともにプラズマ処理の状態を表すパラメータ値を逐次収集する制御用計算機１１２を備え、前記制御用計算機は、収集した装置パラメータ値が予め設定した基準値を逸脱した回数を所定期間毎に記録する記録部２０４と、前記逸脱した回数の発生確率を計算する確率計算部２０５と、前記発生確率と予め設定した設定値とを比較して装置状態を診断する比較部２０６を備えた。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置において、チャンバ内壁からの反応生成物の剥離によるパーティクルの抑制とチャンバ内雰囲気の安定化を、簡易な制御と構成で実現する。
【解決手段】プラズマ処理装置は、アウターチャンバ１１とインナーチャンバ１２からなるチャンバ４を備える。インナーチャンバ１２は薄肉円筒状の放熱部１２ａと、この放熱部１２ａの上端側に一体に形成された温調部１２ｂを備える。温調部１２ｂにはシーズヒータ３１が取り付けられている。アウターチャンバ１１の排気口１１ｃと対向して、インナーチャンバ１２の放熱部１２ａに排気貫通孔１２ｃが設けられている。インナーチャンバ１２の温調部１２ｂには排気貫通孔１２ｃの上方に相当する部位に熱電対３５が取り付けられている。この熱電対３５の検出する温度に基づいて、シーズヒータ３１の発熱量が制御される。 （もっと読む）

【課題】プラズマに投入するＲＦパワーを広範囲に変えても（特に低パワー領域を選択したときでも）、あるいはプラズマのインピーダンスが大きく変動しても、整合器のマッチング動作を安定かつスムースに行い、プラズマプロセスの安定性・再現性を向上させる。
【解決手段】容量結合型プラズマエッチング装置において、チャンバ１０内で半導体ウエハＷを載置するサセプタ１２には、高周波電源２８がマッチングユニット３０および給電棒３２を介して電気的に接続されている。給電棒３２の途中で、あるいはマッチングユニット３０内の整合器の後段で、ＲＦパワー分岐吸収部４４にＲＦパワーの一部を分岐させ吸収させることより、整合器から見える見掛け上の負荷インピーダンスの変動を低減させる。 （もっと読む）

【課題】 高価な測定装置を用いることなく、高圧力プラズマの電子密度および／また電子衝突周波数測定が可能な測定方法及び測定装置を実現する。
【解決手段】 本発明の高圧力プラズマの電子密度、電子衝突周波数の測定方法及びプラズマ特性測定装置１によれば、プローブ１０を高圧力プラズマＰに挿入し、高周波発振器２１によりプローブ１０に周波数を掃引しながら高周波パワーを供給し、反射係数スペクトル表示部２５により、プローブ１０から反射されるパワーにより得られる反射係数のスペクトルを測定し、プローブ１０の共振スペクトルを検出し、当該共振スペクトルから共振周波数及び共振の半値幅を算出し、プラズマ特性算出部２６において、当該共振周波数及び共振の半値幅に基づいて、高圧力プラズマの電子密度および／また電子衝突周波数を算出することができる。 （もっと読む）

【課題】 スタブ導波管を備えたスロットアンテナ方式のマイクロ波プラズマ処理装置において、スタブ導波管の直下の電界強度を高めることにより、スロットアンテナ付近の電界分布を効果的に調節し、スロットアンテナ全体に均一な電界分布を形成させる。
【解決手段】 プラズマ処理装置１００は、偏平導波管を構成する平面アンテナ板３１の上に形成される電界分布を調整する第２の導波管としてのスタブ４３Ａを備えている。スタブ４３Ａは、導電性のカバー部材３４に設けられている。スタブ４３Ａは、平面アンテナ板３１の最外周に配列されたスロット対を構成するスロット３２と上下に重なるように配置されている。透過板２８の下面には、スタブ４３Ａと上下に重なるように環状溝２８ｂが設けられている。 （もっと読む）

【課題】載置台本体と支柱との接合部の強度を向上させることが可能な載置台構造を提供する。
【解決手段】処理容器３２内で被処理体Ｗに対して処理を施すために前記被処理体を載置する載置台構造６０において、上面に前記被処理体を載置するために円板状に形成されたセラミック材、或いは石英よりなる載置台本体６２と、前記載置台本体を支持するために前記載置台本体の下面に接合されたセラミック材、或いは石英よりなる円筒状の支柱６４とを備え、前記載置台本体と前記支柱との接合部１０２に、前記円筒状の支柱の断面の接線方向と半径方向外方との間の斜め方向へ向く研削引目１０６が付くような曲面加工部１０４を形成する。これにより、載置台本体と支柱との接合部の強度を向上させる。 （もっと読む）

【課題】加熱対象を選択して加熱することが可能な、プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置は、処理室内に設置された載置台１１０ａの外周近傍に設けられたフォーカスリング１３０と、載置台１１０ａの外周近傍にてフォーカスリング１３０に近接して設けられ、フォーカスリング１３０を加熱する加熱用電極１３５とを有している。加熱用電極１３５の内部には、往路及び復路のコイル１３５ａ１、１３５ａ２が載置台１１０ａの外周に沿って互いに近接して配線されている。 （もっと読む）

【課題】処理室容器（チャンバ）から排出される排出ガスに含まれる帯電したパーティクルが排気流路の内壁面へ付着することによる排気流路の詰まりを防止できる排気方法を提供する。
【解決手段】 処理対象のウエハＷを収容するチャンバ５０と、チャンバ５０の容器内ガスを排気する排気流路５１と、排気流路５１にガス流通方向に沿って順次設けられたドライポンプ５２及び排ガス中の有害成分を捕集する除害装置５３とを有する基板処理装置のチャンバ５０の容器内ガスを排気する排気方法において、排気流路５１を流れる排ガスに、ドライポンプ５２の上流側の排気流路５１に接続されたイオン化ガス供給管５５からイオン化ガスを供給して排ガスに含まれる帯電したパーティクルを除電し、排ガスと共に系外に排出する。 （もっと読む）

【課題】冷却層と加熱層を併用しても装置構造が複雑にならず、加熱応答性及び冷却応答性に優れた温度調節装置を提供する。
【解決手段】ウエハを載置するサセプタ１２と、サセプタ１２と対向するように配置されたシャワーヘッド２２とを有し、サセプタ１２及びシャワーヘッド２２の間に供給される処理ガスを励起してプラズマを生成し、プラズマによってウエハにプラズマ処理を施す基板処理装置内のプラズマに晒される部材の温度を調整し、シャワーヘッド２２が有する上部電極板２４を加熱する加熱層３１と、加熱層３１の上部電極板２４に対向する面とは反対側の面に当接するように配置された断熱層３２と、断熱層３２の加熱層３１に対向する面とは反対側の面に当接するように配置された冷却層３３とからなり、冷却層３３の冷媒として流水を使用する。 （もっと読む）

【課題】誘電体窓の撓み等に起因した隙間が発生するのを防止できるマイクロ波プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】マイクロ波プラズマ処理装置の誘電体窓１２と誘電体板２２との間を１〜６００Torr（１．３３３２×１０²〜７．９９９３×１０⁴Ｐａ）の範囲の負圧にする。誘電体板２２を誘電体窓１２に押し付け、誘電体窓１２の撓みに合わせて誘電体板２２を撓ませることができるので、誘電体板２２とスロット板２３との間、又はスロット板２３と誘電体窓１２との間に隙間が発生するのを防止することができる。大気圧が直接誘電体窓１２にかからなくなるので、誘電体窓１２の撓みも低減する。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体製造装置を構成する部品を洗浄する際に、反応管内壁、特に封止キャップの内壁への反応生成物の付着を抑制して、作業者が安全に作業することができる洗浄方法及び洗浄装置を得る。
【解決手段】窒化物半導体製造装置内の汚染された部品９を、反応管１内で塩素系ガスを主成分とする洗浄ガスと接触させて汚染物質を除去した後、反応管１を冷却する際に、反応管１の両端開口部を閉塞する封止キャップ２と、封止キャップ２の封止面側に封止面との間に空間を有するように近接して設けられた防着板３との間にシールガスを流しながら冷却することを特徴とする窒化物半導体製造装置部品の洗浄方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置データを、指定されたデータ定義に従う表現に変換してユーザーに提供する。
【解決手段】情報処理システムは、随時更新されうるデータ定義に従ってデータベースに記録された装置データを利用するように構成され、データ定義バージョンと当該データ定義が使用された期間とが対応付けられたデータ定義履歴の保持部と、データ定義ライブラリと、ユーザーインターフェースを通して装置データを抽出する抽出部と、前記装置データを指定されたデータ定義に従う表現にする変換部とを備える。前記装置データは、半導体製造装置が発生またはそれを処理したデータである。前記変換部は、前記データ定義履歴を参照することによりデータ定義バージョンを特定し、更に、前記データ定義ライブラリを参照することにより、データ定義を特定し、当該装置データを前記指定されたデータ定義に従う表現に変換して前記ユーザーインターフェースに提供する。 （もっと読む）

【課題】磁性層の表面を酸化またはハロゲン化させることなく、かつ、ダストによって表面が汚染されず、製造工程が複雑にならない磁気的に分離した磁気記録パターンが形成された磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】非磁性基板上１に磁性層２を形成する工程と、磁性層２の上に磁気記録パターンを形成するためのマスク層３を形成する工程と、磁性層２のマスク層３に覆われていない部位にイオンビーム１０を照射し、該部位７の磁性層２の上層部を除去すると共に、下層部８の磁気特性を改質する工程をこの順で有し、イオンビーム１０には、質量の異なる２種以上の正イオンを使用し、イオンビームを形成するイオンガンが、イオン源からの正イオンを基板側に押し出す正電極と、正イオンを基板側に加速させる負電極を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＡｒＦフォトレジストのダメージ（荒れ）を抑制しつつ、シリコンを含有する反射防止膜（Ｓｉ−ＡＲＣ）を高いエッチングレート及び十分な選択比でプラズマエッチングすることのできるプラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体を提供する。
【解決手段】基板に形成されたＡｒＦフォトレジスト１０３をマスクとして、ＡｒＦフォトレジスト１０３の下層に位置するＳｉを含有する反射防止膜１０２を、処理ガスのプラズマによりエッチングするプラズマエッチング方法であって、処理ガスとして、ＣＦ系ガス及び／又はＣＨＦ系ガスと、ＣＦ_３Ｉガスと、酸素ガスとを含む混合ガスを使用し、かつ、上部電極に直流電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】 加熱性を損なうことなく被加熱体を冷却することが可能な被加熱体の冷却方法を提供すること。
【解決手段】 少なくとも一部が断熱材で覆われた被加熱体を冷却する被加熱体の冷却方法であって、被加熱体１０を加熱するとき、断熱材１１を被加熱体１０に密着させ、被加熱体１０を冷却するとき、被加熱体１０と断熱材１１との間に空間１３が生じるように、断熱材１１を被加熱体１０から離間させ、空間１３中に冷却流体１４を送り込み、被加熱体１０を冷却する。 （もっと読む）