【課題】真空処理室において高温で処理された後に搬送されるウェハを微小異物や汚染が問題にならない温度に効率良く冷却できる真空処理装置を提供する。
【解決手段】試料を収納するカセットが設置されるカセット台と、大気搬送室と、該大気搬送室から搬送された試料を収納し大気圧雰囲気もしくは真空に切り替え可能なロードロック室と、該ロードロック室に連結された真空搬送室と、真空搬送された試料を処理する真空処理室と、を備える真空処理装置において、前記大気搬送室内に配置され、前記真空処理室で処理された後の高温の試料８を冷却する冷却部を備え、該冷却部は、試料８を載置し冷却液１７の流路が設けられた試料台１５と、試料８の搬入口側に配置され試料台１５に向かって冷却用ガス１０を吹き付けるガス吹き付け管１１と、試料台１５を境に前記搬入口の反対側に配置され、吹き付けられた冷却用ガス１０を排気する排気口１２と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】中密度プラズマ領域のプラズマを用い、高い制御性を得るとともに大口径ウエハにおける処理の均一性を得る。
【解決手段】真空排気手段により排気される真空処理室と、該真空処理室にガスを供給するためのガス供給手段と、プラズマを生成するためのマイクロ波電力供給手段と、ウエハを載置するための基板ステージと、前記基板ステージを介してウエハに高周波バイアス電力を印加するための高周波バイアス電源と、前記真空処理室内に磁場を発生させるためのソレノイドコイルと、ヨークと、中央部あるいは外周部を、他の部分に対して、誘電体中のマイクロ波の波長の略１／４ 突出させて形成した誘電体製マイクロ波透過窓とを備えたプラズマ処理装置において、前記誘電体製マイクロ波透過窓は、平板部と、該平板部上に載置された突出部と、該突出部を平板部に位置決めする位置決め用凹凸部を備えた。 （もっと読む）

【課題】プラズマの逆流を防止して冷却板の損傷を防ぐことができ、被処理基板に面内均一なプラズマ処理を行わせることができるプラズマ処理装置用電極板を提供する。
【解決手段】電極板３の放電面３ａから厚さ方向途中まで形成された第１穴部１１ａと、放電面３ａとは反対面３ｂから第１穴部１１ａの軸芯ｃ１と平行な軸芯ｃ２に沿って厚さ方向途中まで形成された第２穴部１１ｂとが、互いに連通して形成される複数の通気孔１１を有するとともに、第１穴部１１ａと第２穴部１１ｂとの間に第１穴部１１ａの開口面積以下の開口面積を有するオリフィス２１が設けられている。 （もっと読む）

【課題】平板状のサンプル材料の組み合わせにより形成されるサンプル管を有するラジカル測定装置及びラジカル測定管を提供すること
【解決手段】本発明のラジカル測定装置１は、ラジカル生成室２と、測定管４と、支持体１６と、真空排気部１０とを具備する。ラジカル生成室２は、原料ガスのプラズマを発生させることで原料ガスのラジカルを生成させるラジカル生成手段６を有する。測定管４は、ラジカル生成室２に連通する。支持体１６は測定管４内に配置され、複数の、平板状のサンプル材料からなるサンプル板Ｓにより管状のサンプル管が形成されるように、それぞれのサンプル板を支持する。真空排気部１０は、測定管４を真空排気する。温度センサ９は、サンプル管に挿通され、サンプル管の軸方向に沿って移動可能である。 （もっと読む）

【課題】多種類の半導体ガスの貯蔵、供給装置を低圧で小型化する。
【解決手段】直方体形状の流体貯蔵・計量分配容器５０，５２を含む流体貯蔵・計量分配装置及び、こうした流体貯蔵・計量分配装置および／または使用時換気ガス清浄器６１を、換気されたガスキャビネット２０内に含む一体型ガスキャビネットアセンブリを開示する。たとえば、ガスキャビネット２０から供給された処理ガスが、有毒又は有害な特性のものである場合、ガスキャビネット２０は、物理的吸着剤及び化学吸着媒体の使用によって、運転の安全面で強化されることが可能である。 （もっと読む）

【課題】蓋体の開閉動作に必要なスペースを抑制することができる処理装置およびそのメンテナンス方法を提供すること。
【解決手段】処理チャンバ６０内で被処理体に所定の処理を施す処理装置であって、処理チャンバ６０は、チャンバ本体６１と、このチャンバ本体６１の上に開閉可能に設けられた蓋体６２と、この蓋体６２を開閉する開閉装置６３とを具備し、開閉装置６３は、蓋体６２を、蓋体６２がチャンバ本体６１に接触せずに垂直方向に回転可能な非接触回転位置まで上昇させることが可能な昇降機構１５０と、蓋体６２を垂直方向に回転させる回転機構１６０と、蓋体６２が垂直状態でチャンバ本体６１と重ならない位置まで蓋体６２をスライドさせるスライド機構と１４０とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＲＦアンテナ内の波長効果を十全に抑制しつつ、周回方向にも径方向にも均一なプラズマプロセスを容易に実現する。
【解決手段】この誘導結合型プラズマ処理装置においては、誘導結合プラズマを生成するために誘電体窓５２の上に設けられるＲＦアンテナ５４が径方向で内側コイル、中間コイルおよび外側コイル６２に分割されている。内側コイル５８は、単一または直列接続の内側コイルセグメント５９を有する。中間コイル６０は、周回方向で分割されていて、電気的に並列に接続されている２つの中間コイルセグメント６１(1)，６１(2)を有する。外側コイル６２は、周回方向で分割されていて、電気的に並列に接続されている３つの外側コイルセグメント６３(1)，６３(2)，６３(3)を有する。 （もっと読む）

【課題】基板を裏面側から支持装置により水平に支持するにあたり、当該基板と支持装置との接触による基板の裏面における傷の生成やパーティクルの発生を抑えること。
【解決手段】支持体本体３１上に形成された複数の凹部４１内に、磁性体からなる芯材４２ａと、この芯材４２ａの外周側を覆う被覆材４２ｂと、を備えた転動体４２を転動自在に収納し、これら転動体４２の上面によりウエハＷを裏面側から水平に支持すると共に、凹部４１の下方側に位置規制機構４３を設ける。そして、各々の位置規制機構４３について、支持体本体３１上に載置されるウエハＷが水平方向に移動する場合、当該ウエハＷの動きに倣って位置規制機構４３の引きつける力に抗して転動体４２が転動し、支持体本体３１上にウエハＷが載置されていない時には位置規制機構４３の上方側に転動体４２が戻るように構成する。 （もっと読む）

【課題】気相エッチング法によりシリコンウェーハ表層部を短時間で均一にエッチングするための手段を提供すること。
【解決手段】弗化水素酸と硫酸との混酸Ａを収容した密閉容器内に、混酸Ａと接触しないようにシリコンウェーハを配置し、次いで、窒素酸化物を含む硝酸水溶液である溶液Ｂを前記密閉容器内に導入して混酸Ａと混合し、混酸Ａと溶液Ｂを混合した溶液から蒸発するガスによって前記密閉容器内で前記シリコンウェーハ表層部を気相分解する。 （もっと読む）

【課題】大面積に亘って均一な分布のプラズマを形成可能なプラズマ発生装置及びこれを備えたプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】大気よりも減圧された雰囲気を維持可能なプラズマ発生室６０と、マイクロ波の進行波を共振させる環状共振器１０と、環状共振器１０からマイクロ波を分配する複数の結合器４２と、複数の結合器４２のそれぞれに結合され、プラズマ発生室６０にマイクロ波を導入する相互に離隔して設けられた複数のアプリケータ５０と、を備え、複数のアプリケータ５０はプラズマ発生室６０にマイクロ波を導入する誘電体から形成された導波体５４をそれぞれ有し、導波体５４からプラズマ発生室６０に導入されたマイクロ波によりプラズマを生成する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置の基板サセプタに配置されるフォーカスリング付設の誘電性リングを交換することなくその誘電率を調整できるようにすることで，基板周縁部の印加電圧のばらつきを抑え，フォーカスリングの上面電位を所望の値に制御する。
【解決手段】基板Ｗを載置する基板載置部を有し，高周波電力が印加されるサセプタ１１４と，基板載置部に載置された基板の周囲を囲むように配置され，基板より高い上面を有する外側リング２１４と，該外側リングの内側に延在して基板の周縁部の下方に入り込むように配置され基板より低い上面を有する内側リング２１２とによって一体に構成されたフォーカスリング２１０と，該フォーカスリングと前記サセプタとの間に介在する誘電性リング２２０と，該誘電性リングの誘電率を可変する誘電率可変機構２５０とを設けた。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置において、簡単な構造でフォーカスリングを試料と同等の温度に冷却することでフォーカスリングの消耗を抑制し、試料の外周部のエッチング特性を長期間良好に保つ。
【解決手段】真空処理室と、試料台４と、試料３を静電吸着させるための第一の静電吸着層２０と、フォーカスリング１４を静電吸着させるための第二の静電吸着層２１と、試料３の裏面に伝熱ガスを供給する手段２４，２５と、前記第一及び第二の静電吸着層２０，２１の表面にそれぞれ伝熱ガス供給溝２７，２８，２９と、を有するプラズマ処理装置において、試料３の中心側と試料３の外周側に異なる圧力で伝熱ガスを供給するため２系統の伝熱ガス供給手段２４，２５とし、かつ、供給手段２５からの伝熱ガスを伝熱ガス供給経路２６によってフォーカスリング１４の載置面の伝熱ガス供給溝２９に分岐し、フォーカスリング冷却用伝熱ガスをウェハ冷却用伝熱ガスと共用する。 （もっと読む）

【課題】 内部アンテナ型のプラズマ処理装置において、真空容器の小容積化、高周波電力の効率的な利用および供給ガスの効率的な利用を可能にする。
【解決手段】 このプラズマ処理装置は、真空容器４の壁面に設けられた１以上のアンテナ用開口２２と、その真空容器外側の面を塞いでいる蓋２４と、各アンテナ用開口２２内に設けられたアンテナ導体２６と、各アンテナ用開口２２内においてアンテナ導体２６を覆っている誘電体カップ３０とを備えている。各誘電体カップ３０は、その底面に複数の小孔を有している。各誘電体カップ３０内には、ガス導入部３６から導入されたガス３４を前記各小孔に導くガス流路を有している誘電体製の充填物３８が充填されている。 （もっと読む）

【課題】監視したり人手を要したりすることなく、容易にかつ確実にプラズマを点火した
り再点火したりすることが可能なプラズマ点火技術を提供する。
【解決手段】所定の高周波信号ＨＳを発生しプラズマ発生させるための負荷電極１１４に
供給する高周波電源装置１０１、高周波電源装置側と負荷電極側とのインピーダンスを整
合させる整合装置１０５、高周波信号ＨＳの進行波および反射波を検出する進行波・反射
波検出装置１０２、所定の高電圧ＨＶを発生する高電圧発生装置１０３、反射波の進行波
に対する比率が第１のしきい値より大きい場合に高電圧ＨＶを高周波信号ＨＳに重畳する
制御装置１００を備える。 （もっと読む）

【課題】高密度なラジカルを生成することが可能なラジカル源を実現すること。
【解決手段】ラジカル源は、ＳＵＳからなる供給管１０と、供給管１０に接続する熱分解窒化ホウ素（ＰＢＮ）からなる円筒状のプラズマ生成管１１を有している。プラズマ生成管１１の外側には、円筒形のＣＣＰ電極１３が配置されていて、ＣＣＰ電極１３よりも下流側には、プラズマ生成管１１の外周に沿って巻かれたコイル１２を有している。供給管１０とプラズマ生成管１１との接続部における供給管１０の開口には、セラミックからなる寄生プラズマ防止管１５が挿入されている。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置において、試料吸着台に設けたプッシャピンと試料の間に発生する異常放電を抑制し、また、試料に対する除電不良を抑制する。
【解決手段】基台４および試料吸着台２に設けた複数の貫通孔をそれぞれ挿通するとともに、その一方端を前記試料吸着台２上に載置した試料１に当接可能に配置し、その他方端をピン駆動部６に接続した複数のプッシャピン７と、前記プッシャピン７を備えた試料載置台を収納する真空容器とを備え、前記真空容器内にプラズマを生成して前記試料１にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記プッシャピン７は誘電体を同軸に配置したピンであり、ピンの外周部に配置した誘電体７ｂの誘電正接はピンの内周部に配置した誘電体７ａの誘電正接よりも小である。 （もっと読む）

【課題】大気圧プラズマ処理装置、大気圧プラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】処理ガスが流通する流路５１（第２の配管５０）に介装され、前記流路５１
を開閉可能なバルブ５２と、前記流路５１から前記処理ガスが供給され、前記処理ガスを
大気圧下でプラズマ化するプラズマ発生部１６と、前記プラズマ発生部１６及び前記バル
ブ５２に接続され、前記バルブ５２の開放時から一定の遅延時間経過後に前記プラズマ発
生部１６を駆動させる制御部６０と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】処理室内にパーティクルが発生するのを防止することができ、プラズマの分布を乱すのを防止することができ、排気コンダクタンスの調整幅を拡大することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、ウエハＷを収容してプラズマエッチング処理を施す処理室１３と、該処理室１３と連通する排気室１４と、処理室１３及び排気室１４を仕切り且つ処理室１３内のプラズマが排気室１４内へ漏洩するのを防止する排気プレート１５と、排気室１４内に配される上部電極板２８とを備え、排気プレート１５は複数の貫通穴を有し、上部電極板２８も複数の貫通穴を有し、上部電極板２８は排気プレート１５と互いに平行に接触可能であるとともに、排気プレート１５から離間可能である。 （もっと読む）

【課題】真空搬送室に、基板を処理するための複数の処理室を接続した基板処理装置において、装置の大型化を抑え、フットプリントの増大を抑制する技術を提供すること。
【解決手段】真空搬送室１３の周囲に、基板に対して処理が行なわれる複数の処理室３０を設ける。前記真空搬送室１３の上方側に回転テーブル６を介して第１のガイドレール５４を設けると共に、前記回転テーブル６が対応する位置に静止したときに前記ガイドレール５４の延長線上に位置するように第２のガイドレール５２を設ける。移動体７１を、第１及び第２のガイドレール５２，５４に沿って、処理室３０の上方側に移動させ、移動体７１に設けられた蓋体保持機構８を上昇させることにより、蓋体３２に設けられた被保持部５を持ち上げて、処理室３０から蓋体３２を開放する。 （もっと読む）

【課題】基板に均一なプラズマ処理を施しつつ、一チャンバ複数プロセスの要求に充分応えることができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】ウエハＷを収容するチャンバ１１と、チャンバ１１内に配置されウエハＷを載置するサセプタ１２と、サセプタ１２に対向配置された上部電極２４と、サセプタ１２に接続された第１，第２の高周波電源１４，１６とを備え、上部電極２４は接地３６と電気的に接続され、上部電極２４をサセプタ１２に対して移動可能な基板処理装置１０において、上部電極２４に誘電体２６を埋め込んで、処理空間ＰＳに生じるプラズマ及び接地３６の間の電位差を、プラズマ及び誘電体２６の間の電位差、並びに、誘電体２６及び接地３６の間の電位差に分割し、さらに上部電極２４とサセプタ１２との間のギャップＧを変動させることによって、上部電極２４及びサセプタ１２の間のプラズマ密度を変化させる。 （もっと読む）