【課題】ウエハの温度の変化を高速化し温度の調節の精度を向上して処理の効率を向上できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器内部の処理室内に配置された試料台上にウエハを載置して前記処理室内に形成したプラズマを用いて前記ウエハを処理するプラズマ処理装置であって、前記試料台の内部に配置された金属製の基材と、この基材上面に配置され溶射により形成された誘電体製の膜と、前記誘電体製の膜内部に配置され溶射で形成された膜状のヒータと、前記誘電体膜上に配置された接着層と、前記接着層によって前記誘電体膜に貼り付けられた厚さ０.２〜０.４mmのセラミック製の焼結板と、前記基材内部に配置され温度を検知するセンサと、このセンサからの出力を受けて前記ヒータの発熱を調節する制御部とを備えた。 （もっと読む）

【課題】ウエハ処理装置において、処理室減圧時のウエハの移動を抑制する。
【解決手段】真空処理室１０１に処理ガスを供給するガス供給装置１０９，１１０，１１１と、前記真空処理室内で試料を載置して保持する試料台１０４と、前記真空処理室内を排気する排気装置１０６と、前記真空処理室に高周波エネルギを供給してプラズマを生成するプラズマ生成装置１０７，１０８とを備え、前記試料台上に配置した試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記試料台は載置した試料を上方に押し上げるプッシャーピンを備え、プラズマ処理の終了後、前記プッシャーピンを操作して試料を試料台から押し上げた状態で真空排気する。 （もっと読む）

【課題】処理の面内均一性の向上を図ることができるとともに、装置の小型化と処理効率の向上を図ることができ、かつ、上部電極と下部電極との間隔を容易に変更することのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】処理チャンバー２０１内に設けられた下部電極２０２と、シャワーヘッドとしての機能を備え上下動可能とされた上部電極１００と、前記上部電極の上側に設けられ処理チャンバーの上部開口を気密に閉塞する蓋体２０５と、前記上部電極の面内に形成された複数の排気孔１３と、前記上部電極の周縁部に沿って下方に突出するように設けられ該電極と連動して上下動可能とされて、下降位置において前記下部電極と前記上部電極とによって囲まれた処理空間を形成する環状部材２２０と、前記環状部材の内壁部分に誘電体製の容器２３０内に収容されて配置されたコイル２４０と、を具備したプラズマ処理装置とする。 （もっと読む）

【課題】基板ステージの冷却溝に起因するエッチングムラを発生させているエッチング装置を判別することにより、被処理基板におけるエッチングムラの発生を抑制して、歩留まりの低下を抑制することができるエッチング装置の検査方法を提供する。
【解決手段】エッチング処理が施された被処理基板２０を搬送させながら、被処理面２０ａに照明ランプ３２による照射光２２を照射させた状態で、ラインセンサー３３により、被処理面２０ａの画像データを撮影し、該画像データに基づいて、被処理面２０ａに形成されたエッチングパターンを特定する。そして、前記エッチングパターンのデータと被処理面２０ａに形成される予定のエッチングパターンのデータとを比較して、基板ステージの冷却溝に起因するエッチングムラの発生の有無を判定し、エッチング装置に欠陥があるか否かを検出する。 （もっと読む）

【課題】真空処理室でプラズマ処理が再開可能な異常が発生した場合に、オペレータによる長時間のウエハの処理再開操作待ちによりウエハに成膜された金属膜の腐食が進行する問題が考慮されていなかった。
【解決手段】本発明はプラズマ処理を行う真空処理室と、洗浄処理を行う洗浄処理装置とを備え、表面に金属膜の単層または金属膜を含む積層膜が成膜されたウエハを腐食性ガスにより、プラズマ処理する真空処理装置において、真空処理室に異常が発生し、プラズマ処理が中断されたウエハを所定時間経過後に、プラズマ処理が中断されたウエハを洗浄処理装置へ搬送し、洗浄処理を行うシーケンスを有する制御手段を備えたことを特徴とする真空処理装置である。 （もっと読む）

【課題】所望の機会に消耗部材の消耗量を測定することができる消耗量測定方法を提供する。
【解決手段】プラズマに晒される上面２５ａ及びサセプタに対向する下面２５ｂを有するフォーカスリング２５の消耗量を測定する際、サセプタに対向する下面５７ｂ及びフォーカスリング２５に対向する上面５７ａを有する基準片５７をフォーカスリング２５と熱的に結合し、上面２５ａ及び下面２５ｂに対して垂直にフォーカスリング２５へ低コヒーレンス光を照射してフォーカスリング２５内を厚み方向に往復する低コヒーレンス光の第１の光路長を計測し、上面５７ａ及び下面５７ｂに対して垂直に基準片５７へ低コヒーレンス光を照射して基準片５７内を厚み方向に往復する低コヒーレンス光の第２の光路長を計測し、第１の光路長及び第２の光路長の比率に基づいてフォーカスリング２５の消耗量を算出する。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内を汚染することなく、且つ基板載置台に余分な孔を設けることなく、基板載置台で支持するウエハ温度を正確に測定することができる基板載置台を提供する。
【解決手段】ウエハＷを載置する載置面９０ａと、ウエハＷをリフトピン８４によって載置面９０ａから持ち上げる基板持ち上げユニット８０と、リフトピン８４内部を光路として低コヒーレンス光からなる測定光８８をウエハＷに照射し、ウエハＷの表面及び裏面からの反射光をそれぞれ受光する光照射・受光ユニット８７とを有し、光照射・受光ユニット８７は、基板持ち上げユニット８０のベースプレート８６に固定されている。 （もっと読む）

【課題】プラズマ洗浄処理の制限を緩和し、使用勝手の良いプラズマ洗浄装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ洗浄処理のレシピ設定をする際には、パソコン１５により、プラズマエッチング（ＰＥ）方式かリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）方式かのどちらであるかを判定し、ＲＩＥ方式であればプラズマ処理制限を内部メモリから読み込む。次に、プラズマ処理パワー（Ｗ）と処理時間（秒）の積がプラズマ処理制限を超えていないか判定する。ＲＦ電源出力パワーを「５００（Ｗ）」と入力して、プラズマ処理時間を「２５（秒間）」と入力すると、パソコン１５は５００Ｗ×２５秒＝１２５００Ｗ秒と算出して、プラズマ処理制限の１００００Ｗ秒を超えたと判定して、超えた旨をモニター１７に表示させる。次に、ＲＦ電源出力パワーはそのままとし、１００００Ｗ秒÷５００Ｗ＝２０秒間を算出し、プラズマ処理時間を２０秒間として内部メモリに保存する。 （もっと読む）

【課題】作業工数、特に、孔加工工数を低減することができる基板処理装置用の多孔板の製造方法を提供する。
【解決手段】予め多数の第１の貫通孔４２が形成されたカーボン基台４１の表面に、化学蒸着（ＣＶＤ）法によって、例えば厚さ５ｍｍのＳｉＣ膜４３を形成させ、その後、第１の貫通孔４２に対応する第２の貫通孔４４が多数設けられた表層の多孔ＳｉＣ膜４３を切り出し、加熱してＳｉＣ膜４３に付着したカーボンを燃焼、除去し、必要に応じて表面を研削し、また表面処理を施す。 （もっと読む）

【課題】ミスト成分が十分に除去された液体原料の蒸気を生成することが可能なバブリング装置を提供する。
【解決手段】バブリング装置１０は、液体原料１７を収容する容器１１と、液体原料１７が供給される液体原料供給口１２と、キャリアガスが供給されるキャリアガス供給口１３と、容器１１内のガスを排出するガス排出口１４と、キャリアガスを用いて液体原料１７をバブリングさせる下部フィルタ１５と、バブリングによって得られた液体原料１７の蒸気を含むキャリアガスから液体原料１７のミスト成分を除去する上部フィルタ１６とを備えている。 （もっと読む）

【課題】整合速度低下を招く事なくハンチングを効果的に抑制できるプラズマ処理装置用自動整合装置を提供する。
【解決手段】コントローラ９０は、インピーダンス測定部８４より得られる負荷側インピーダンスの絶対値測定値ＺＭ_mおよび位相測定値Ｚθ_mをそれぞれ所定の絶対値基準値ＺＭ_S及び位相基準値Ｚθ_Sに可及的に近づける様に、第１及び第２ステッピングモータ８６，８８を介して第１及び第２可変コンデンサ８０，８２の静電容量をそれぞれ可変制御する第１及び第２整合調節部１００，１０２と、第１及び第２静電容量モニタ部１０８，１１０と、ゲイン制御部１１２とを有している。ゲイン制御部１１２は、第１及び第２静電容量モニタ部１０８，１１０よりそれぞれ得られる第１及び第２の可変コンデンサ８０，８２の静電容量現在値ＮＣ₁，ＮＣ₂に基づいて、第１及び第２の整合調節部１００，１０２における比例ゲインの少なくとも一方を可変制御する。 （もっと読む）

【課題】基板載置台内部の流路を流れる温度調整媒体の温度を各部で連続的に正確に測定することができ、基板の各部を所定温度に正確に温度調節することのできる温度測定方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】主線１０１に、当該主線と熱電対を構成する枝線１０２を間隔を設けて複数溶接して構成した温度測定機構１００を、基板載置台内部に配設された温度調整媒体の流路内に挿入し、当該流路内を循環する前記温度調整媒体の温度を複数箇所において前記温度測定機構により直接測定する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理の面内均一性を向上させるとともに、消耗した上部電極の交換が容易に行えるプラズマ処理装置用電極板を提供する。
【解決手段】複数の電極構成板が積層されるとともに、電極構成板の厚さ方向に貫通するガス通過孔１１が複数設けられてなる電極板３に、隣り合う電極構成板３ａ，３ｂの対向面間の外周部にガス通過孔１１を避けて複数の溝状の凹部３２Ａ〜３２Ｅによる空隙部ｓ１が設けられるとともに、空隙部ｓ１は電極構成板３ａの外周面に開口するように設けられており、両電極構成板３ａ，３ｂの単位面積当たりの接触面積が電極板３の中央部に比べて外周部の方が小さく形成されている。 （もっと読む）

【課題】100nm以下の粒径の異物粒子を高効率で検出できるパーティクルカウンタを搭載したプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】処理室と、プラズマ生成のための高周波電源と、ガスを供給するためのガス供給手段と、ガス排気ラインを介して前記処理室内を減圧するためのガス排気手段と、前記処理室内の圧力を調整するための調圧バルブと、被処理体を戴置するためのステージとを備え、さらに、前記ガス排気ラインを流れる排気ガスにレーザー光を透過させるためのレーザー光源と、前記レーザー光内を通過した異物粒子による散乱光を検出するためのＩ−ＣＣＤカメラと、該Ｉ−ＣＣＤカメラで計測した画像から異物の検出を行う異物判定検出ユニットとを備え、前記異物判定検出ユニットは、前記計測した画像から、所定の強度以上の信号を得た複数の画素が略直線で結ばれるときに前記異物粒子を検出したと判定する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理の面内均一性を向上させるとともに、消耗した上部電極の交換が容易に行えるプラズマ処理装置用電極板を提供する。
【解決手段】複数の電極構成板が積層されるとともに、電極構成板の厚さ方向に貫通するガス通過孔が複数設けられてなるプラズマ処理装置用電極板３であって、隣り合う固定側電極構成板３ａと放電側電極構成板３ｂとの積層面の外周部に、板厚の一部を周方向に沿って切欠してなる空隙部ｓ１が設けられている。 （もっと読む）

【課題】直膨式冷却システムにおけるサイクル内の冷媒循環量を最適化させ、低消費電力にて所望のウエハ温度分布を達成可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】試料台１には、内部を冷媒が循環する第一の蒸発器２が設けられている。第一の蒸発器２は、圧縮機８、第一の凝縮器５、膨張弁９、第二の蒸発器３、冷媒温度計１０、冷媒流量計１１と共に冷却サイクルを構成している。第一の凝縮器５には熱交換用媒体が供給される。第二の蒸発器３に供給される冷却水の温度か、供給側水温度計１２及び排出側水温度計１３で計測され、また、冷却水の流量が流量調節器１４でモニタされ調整される。これにより、冷却水の供給側と排出側の温度差と流量が測定可能となる。第二の蒸発器３内において冷媒が完全蒸発する際に冷却水から吸収（熱交換）する熱量、冷媒循環量、冷媒温度より、試料台１から排出される冷媒の乾き度が算出され、圧縮機８の回転数が制御される。 （もっと読む）

【課題】プラズマの副生成物生成がなく、電極周辺部材のなどの形状やガスの流れに起因した処理ムラが生じることがない大気開放型のプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】第１および第２電極と、ガス供給路と、ガス供給路に設けられガスの流れを均一化する多孔質誘導体３とを備え、第１および第２電極により電界を形成すると共にガス供給路から均一化したガスを供給してプラズマ生成領域にプラズマ９を生成し、被処理基材１０を処理する。 （もっと読む）

【課題】発生させるプラズマを周方向および／または径方向において均一にすることができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１１は、マイクロ波伝播体１９に対向するラジアル導波箱４３の下面５１の周方向の一部を凹ませて、ラジアル導波箱４３の下面５１の周方向の一部とラジアル導波箱４３に対向するマイクロ波伝播体１９の上面５２との板厚方向の長さを変更する変更手段として、ラジアル導波箱凹部６１に収容可能であって、下方側端部を構成する下方側端面６０がラジアル導波箱４３の下面５１の一部を構成するスタブ部材５６を含む。 （もっと読む）

【課題】温度分布や昇温条件を任意に設定可能で、均一な発熱も高精度に実現でき、故障時のリスクを低減でき、修復作業が容易なゲートバルブを提供する。
【解決手段】バルブプレート２０中に、複数の発熱体モジュール３０を設置してバルブプレート２０を加熱する。発熱体モジュール３０は、各々が発熱体を収容部材中に封止した部材であって、これを単位に温度制御が可能であるとともに、故障した場合にはこの発熱体モジュール３０のみを交換すればよい。また、１つが故障をしても全体に対する影響は少なくリスクも低減できる。 （もっと読む）

【課題】複数の排気路の排気流量を各々調整することにより、真空容器内における処理ガスの気流を制御して基板へのガス流れを一定に保つこと。
【解決手段】第１のバルブ６５ａが介設された第１の排気路６３ａと、第２のバルブ６５ｂが介設された第２の排気路６３ｂと、から真空容器１内の雰囲気を夫々真空排気できるようにして、真空容器１内の圧力が処理圧力Ｐとなるように第１のバルブ６５ａの開度を調整すると共に、第１の排気路６３ａの排気流量と第２の排気路６３ｂの排気流量とをレシピに応じた設定値にするために、バタフライバルブ６７の開度Ｖをテーブル８６に記載された値に設定し、次いで差圧計６８の測定値がテーブル８６に記載された差圧ΔＰとなるように第２のバルブ６５ｂの開度を調整する。 （もっと読む）