【課題】複雑な構造で、高精確性を有し、且つ生産コストが低い三次元ナノ構造体アレイ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の三次元ナノ構造体アレイの製造方法は、基板を提供する第一ステップと、前記基板の表面にマスク層を設置する第二ステップと、前記マスク層を加工して、前記マスク層の表面に、並列した複数のストリップ状の突部構造を形成し、隣接する該ストリップ状の突部構造の間に、凹溝を形成させる第三ステップと、前記マスク層をエッチングして、前記凹溝と対応する領域における前記基板の表面を露出させる第四ステップと、エッチングによって、前記隣接するストリップ状の突部構造を二つずつ互いに接近させて、更に接触させ、三次元ナノ構造体予備成形物を形成する第五ステップと、前記マスク層を取り除き、三次元ナノ構造体アレイを形成する第六ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】種々の材料のガスクラスタイオンのビーム（ＧＣＩＢ）エッチングプロセスを実行するための方法及び装置を提供する。
【解決手段】第１の材料、第２の材料及び前記第１の材料及び／又は第２の材料を曝露する表面を持つ基板を保持するための基板ホルダ回りを減圧環境に維持し、１又はそれ以上の目標エッチングプロセス特性を選択し、少なくとも１つのエッチングガスを含む加圧ガスからガスクラスタイオンビーム（ＧＣＩＢ）を形成し；前記１又はそれ以上の目標エッチングプロセス特性を達成するために前記ＧＣＩＢについてのＧＣＩＢプロセス条件の１又はそれ以上のＧＣＩＢ性質を設定し；前記減圧環境を通じて前記ＧＣＩＢを加速し；及び前記基板の前記表面の少なくとも１部分に前記ＧＣＩＢを照射して、前記第１の材料及び前記第２の材料の少なくとも１部分をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】反応性クラスタによる基板の加工方法に係り、基板の損傷が少なく、高速加工ができるようにした。
【解決手段】反応性ガスと、前記反応性ガスと不活性であって前記反応性ガスより低沸点のガスとからなる混合ガス１４を、ノズル出口２１に至る混合ガス供給路１で冷却源３により冷却して前記ノズル出口２１から断熱膨張させながら真空処理室４内に噴出させて、反応性クラスタ４５を生成し、この反応性クラスタ４５を真空処理室４内の基板５に噴射して基板表面５１を加工するようにしたから、反応性クラスタ４５の加工性能を高めることができ、基板５の損傷が少なく、かつ高速で基板５の加工を行うことができるようにした。 （もっと読む）

【課題】高密度かつ複雑な三次元微細構造の加工を可能にする。
【解決手段】基板上の三次元微細構造は、以下の方法で作製される。第１工程では、真空中でIII−Ｖ族化合物半導体基板１の表面に電子ビームを照射することにより、当該基板１の表面の自然酸化膜２をIII族酸化物３に置換させ、改質マスク部３を周期的に形成する。第２工程では、真空中で前記基板１を昇温させることにより、前記改質マスク部３以外の部分の前記自然酸化膜２を脱離させて基板表面を露出させる。第３工程では、真空にＶ族原料を供給した環境下で前記基板１を所定温度で加熱することで、前記基板表面の露出部分からIII族原子を優先的に剥離させて前記改質マスク部３上をホッピングさせ、当該露出部分に窪み４を形成する。第４工程では、固体成長原料を用いた分子線エピタキシャル成長法を行うことで、前記窪み４の部分にIII−Ｖ族化合物半導体結晶５を選択成長させる。 （もっと読む）

【課題】充分な選択比を備え、また、除去が比較的容易なエッチングストッパ層を得る。
【解決手段】ＧａＡｓ基板１０上に設けられた高電子移動度トランジスタ構造２０と、高電子移動度トランジスタ構造２０の上に設けられたヘテロ接合バイポーラトランジスタ構造４０と、を備え、高電子移動度トランジスタ構造２０とヘテロ接合バイポーラトランジスタ構造４０との間には、Ａｓ濃度が１．０×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上１．０×１０^２１ａｔｏｍｓ／ｃｃ以下のＩｎＧａＡｓＰ層からなるエッチングストッパ層３０を備える。 （もっと読む）

【課題】ヒートシンクに生じる不具合を低減すること。
【解決手段】半導体装置は、第１面及び第２面を有し、第１面と第２面とを貫通するバイアホールを有する半導体基板と、第１面上に、バイアホールの開口と少なくとも部分的に重複するように形成された配線又は電極と、第２面上に形成され、バイアホールの開口と少なくとも部分的に重複する開口を有する応力緩衝層と、応力緩衝層上からバイアホールの内壁面に沿って延在し、配線又は電極と電気的に接続されたヒートシンクと、を備える。バイアホールの第２面における開口の大きさは、第１面における開口の大きさよりも大きい。応力緩衝層の熱膨張係数は、ヒートシンクの熱膨張係数未満である。 （もっと読む）

【課題】被対象物を効率よく所望する形状となるようにエッチングすることが可能な異方性エッチング方法、該異方性エッチング方法を用いて形成可能な三次元構造体、及び、該三次元構造体を備えたデバイスを得る。
【解決手段】異方性エッチング方法は、表面に所定形状のマスクを有した基板に対して、ＳＦ_６とＣ_４Ｆ_８とを含む混合ガス、又は、ＳＦ_６とＣ_４Ｆ_８とＯ_２とを含む混合ガスを用いた反応性イオンエッチングによって、所定条件下で結晶異方性エッチングを行う結晶異方性エッチング工程を有している。本方法と、Ｂｏｓｃｈ法による垂直異方性エッチングを行う垂直異方性エッチング工程とを用いて三次元構造体を製造し、該三次元構造体をデバイスに利用する。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル基板と製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のエピタキシャル基板は結晶性基板を備える。結晶性基板は微細な凹凸を備えるとともにパターニング不要のエピタキシャル表面を有する。本発明によるエピタキシャル基板は化合物半導体材料から、良好な品質のエピタキシャル層の成長を得るという利点を有する。さらに、本発明によるエピタキシャル基板の製造方法は低コストかつ製造時間短縮といった利点を有する。 （もっと読む）

【課題】厚みのある半導体基板に対し、正確な位置でのへき開を可能とするような十分な深さのガイド溝を形成する半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体基板の製造方法は、インジウムリン化合物半導体またはガリウムヒ素化合物半導体からなる基板本体の表面に、開口幅が略４０ｕｍ以下である開口部が形成されたマスクを、その開口部が基板本体のへき開線に沿って延びるように転写する工程と、基板本体の表面に臭素系のエッチング液を用いてウエットエッチング処理を施すことによって、縦断面で略Ｖ字型を有するガイド溝を形成する工程と、ガイド溝に反応性ガスを用いてドライエッチング処理を施すことによって、底部の縦断面形状を略Ｖ字型に保持したままガイド溝の溝深さを深くする工程と、を含むものである。 （もっと読む）

【課題】表面の凹凸を抑制して同一面内でエッチング深さが異なる形状を容易に加工することができる半導体素子の作製方法すること。
【解決手段】開口部幅の異なる複数の開口部を有するマスクを半導体表面上に形成する。開口部幅が同じ開口部毎に、マスク端での水素プラズマ濃度が所定の濃度となる条件でエッチング（メタン／水素プラズマ照射）を行う。表面で凹凸を著しく増加させるようなエッチングとポリマーの生成が同時に起きるような水素プラズマ量の領域を避けるように、プラズマ条件（拡散距離または圧力）とマスク形状（開口部幅）を設定することにより、表面の凹凸を抑制して同一面内でエッチング深さが異なる形状を加工することができる。 （もっと読む）

【課題】所望のパターンを有する第１のマスクと、所望のパターンの開口部に拡散されるエッチング種の量を制御するための第２のマスクとを用いて、深さが場所によって変化する前記所望のパターンを半導体表面に作製するための方法において、エッチングに寄与するエッチング種の供給に前記深さの変化に対応した分布を設ける。
【解決手段】第１のパターン１４１０を有する第１のマスク１４０２の上層に、第２のパターンを有する第２のマスク１４１１を積層する積層マスクを基板１４０１上に形成し、前記第２のマスク１４１１は、側壁に傾斜を有する開口部１４１１Ｂと、平坦部１４１１Ａと、からなり、かつ、上面視で幅広部１４１５Ａおよび１４１５Ｂを有するパターンとする。 （もっと読む）

本発明は、基板表面、特に光学素子上の円錐形のナノ構造、その製造方法、および、特に光学装置、太陽電池およびセンサにおけるその使用に関する。本発明に係る円錐形のナノ構造は、特に、非常に低い光反射性を有する基板表面を準備するために好適である。基板表面上に円錐形のナノ構造を作る本発明に係る方法は、少なくとも以下の工程を有する：ａ）ナノ粒子で被覆された基板表面を準備し、ｂ）ナノ粒子で被覆された前記基板表面を少なくとも１００ｎｍの深さまでエッチングし、ここで前記ナノ粒子はエッチングマスクとして作用し、前記ナノ粒子の下方に双曲面構造が生じるようにエッチングパラメータを設定し、ｃ）機械的な力を加えることによって前記双曲面構造を最小の直径の領域において破壊し、ここで前記基板表面に残る構造が一層の双曲面の実質的に半分に対応する円錐形の形状を有する。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、対レジスト選択比や加工形状のエッチング性能に優れるだけでなく、入手が容易で、環境に負荷をかけるＣＦ₄を実質的に副生しない新規なエッチングガスを提供する。
【解決手段】
ＣＨＦ₂ＣＯＦを含んでなるエッチングガスであって、Ｏ₂、Ｏ₃、ＣＯ、ＣＯ₂、Ｆ₂、ＮＦ₃、Ｃｌ₂、Ｂｒ₂、Ｉ₂、ＸＦ_n（式中、ＸはＣｌ、ＩまたはＢｒを表し、ｎは１≦ｎ≦５の整数を表す。）、ＣＨ₄、ＣＨ₃Ｆ、ＣＨ₂Ｆ₂、ＣＨＦ₃、Ｎ₂、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ、Ｋｒなど、または、ＣＨ₄、Ｃ₂Ｈ₂，Ｃ₂Ｈ₄，Ｃ₂Ｈ₆、Ｃ₃Ｈ₄、Ｃ₃Ｈ₆、Ｃ₃Ｈ₈、ＨＩ、ＨＢｒ、ＨＣｌ、ＣＯ、ＮＯ、ＮＨ₃、Ｈ₂など、または、ＣＨ₄、ＣＨ₃Ｆ、ＣＨ₂Ｆ₂、ＣＨＦ₃の中から選ばれた少なくとも１種のガスを添加物として含むエッチングガス。 （もっと読む）

【課題】被加工物に対する加工後に得られる平坦度を所望の平坦度に制御でき、加工量を抑制することができる平坦化加工方法を提供する。
【解決手段】被加工物の表面の凹凸に関する凹凸情報を取得する凹凸情報取得ステップと、凹凸情報に基づいてシミュレーションを行い、被加工物の表面が所定の平坦度を満たすための加工量を求めるシミュレーションステップと、加工量に基づいて被加工物の表面の局所加工を行う加工ステップとを備え、シミュレーションステップでは、複数のセルに分割された被加工物表面を多平面最適化し、各平面が目標とする平坦度を満たすまでシミュレーションを繰り返すことにより加工量を求める。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理の工程数削減および処理時間短縮を図ることができるとともに、第１の被処理面および第２の被処理面に対して所望のプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、対向配置された上部電極２１および下部電極２２と、第１、第２の被処理面１０１、１０２を有するワーク１０を載置する載置部と、第１の被処理面１０１および第２の被処理面１０２に処理ガスを供給する処理ガス供給手段３と、上部電極２１および下部電極２２間へ通電する通電手段４とを有する。このようなプラズマ処理装置１は、第１の被処理面１０１側に発生したプラズマにより第１の被処理面１０１をプラズマ処理しつつ、第２の被処理面１０２側に発生したプラズマにより第２の被処理面１０２をプラズマ処理する。 （もっと読む）

【課題】ワークを加工精度を向上させることが可能なプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供すること。
【解決手段】放電用ガスに励起電圧を印加してプラズマを発生させ、前記プラズマを照射してワークを加工するプラズマ処理装置であって、前記プラズマを前記ワークに向けて噴射する噴射口及び前記噴射口の周囲の空間を吸引する吸引口を有するプラズマ発生機構と、前記プラズマ発生機構と前記ワークとを相対移動させる移動機構と、少なくとも前記ワークの目標形状データと、前記ワークの加工前形状データと、前記プラズマ発生機構の加工量データと、前記プラズマ発生機構を用いた加工後の前記ワークの形状に基づく加工分布データとに基づいて前記ワークの加工計画データを生成し、前記加工計画データに基づいて前記ワークの加工を行わせる制御装置とを備える。 （もっと読む）

【課題】ワークの裏面側に載置部との間に隙間が形成されている場合において、ワークの被処理面の各部位に対して、所定のプラズマ処理を行うことのできるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、上部電極２１と、これに対向配置されワーク１０を載置する下部電極２２と、下部電極２２をｘ軸方向およびｙ軸方向に移動する移動手段５と、ワーク１０の被処理面１０１に処理ガスを供給する処理ガス供給手段３と、上部電極２１および下部電極２２間へ通電する通電手段と、移動手段５の作動を制御する制御手段７とを有している。また、制御手段７は、ワーク１０の裏面側に下部電極２２との間に形成された隙間の大きさに応じて、下部電極２２の移動速度を補正するよう制御する。 （もっと読む）

【課題】ワークの裏面側に載置部との間に隙間が形成されている場合において、ワークの被処理面の各部位に対して、所定のプラズマ処理を行うことのできるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、上部電極２１と、これに対向配置されワーク１０を載置する下部電極２２と、上部電極２１および下部電極２２をｘｙｚ３次元方向に相対的に移動する移動手段５と、ワーク１０の被処理面１０１に処理ガスを供給する処理ガス供給手段３と、上部電極２１および下部電極２２間へ通電する通電手段と、移動手段５の作動を制御する制御手段７とを有している。また、制御手段７は、ワーク１０の裏面側に下部電極２２との間に形成された隙間の大きさに応じて、上部電極２１および下部電極２２の電極間距離を調整するよう制御する。 （もっと読む）

【課題】ワークの裏面側に載置部との間に隙間が形成されている場合において、ワークの被処理面の各部位に対して、所定のプラズマ処理を行うことのできるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、上部電極２１と、これに対向配置されワーク１０を載置する下部電極２２と、下部電極２２をｘ軸方向およびｙ軸方向に移動する移動手段５と、ワーク１０の被処理面１０１に処理ガスを供給する処理ガス供給手段３と、上部電極２１および下部電極２２間へ通電する通電手段と、通電手段４の作動を制御する制御手段７とを有している。また、制御手段７は、ワーク１０の裏面側に下部電極２２との間に形成された隙間の大きさに応じて、上部電極２１および下部電極２２間に印加する高周波電圧をＲＦパワーを調整するよう制御する。 （もっと読む）

【課題】大面積基板に厚さのばらつきの小さい結晶性半導体層を形成することを課題とする。
【解決手段】複数の半導体基板に表面からの深さが異なる位置に脆化層を形成し、ベース基板面内の化学機械研磨の研磨量が大きい領域には表面から脆化層までの深さが大きい半導体基板を配置し、ベース基板面内の化学機械研磨の研磨量が小さい領域には表面から脆化層までの深さが小さい半導体基板を配置し、ベース基板と前記半導体基板を接合し、脆化層を起点としてベース基板と半導体基板を分離することで第１の半導体層を形成し、第１の半導体層をＣＭＰにより研磨して第２の半導体層を形成する。ＣＭＰに代えてエッチング処理を用いても良く、この場合にはエッチングレートが大きい領域に、表面から脆化層までの深さが大きい半導体基板を配置する。 （もっと読む）