【課題】真空槽に導入されるプラズマと基板との間でプラズマに接する部材がプラズマ中の活性種を失活させることを抑えることのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマが導入される導入口１２ａを有する真空槽１０と、導入口１２ａと処理の対象物との間でプラズマに接する中間部材と、を備えるプラズマ処理装置について、中間部材を、導入口１２ａの周囲に吊り下げられた金属製の支柱３０と、支柱３０に連結されて導入口１２ａと互いに向かい合う金属製の対向板３１と、から構成する。そして、支柱３０及び対向板３１を、シリコン酸化膜３５により被覆する。 （もっと読む）

【課題】配線間の絶縁性に優れ信頼性の高い配線構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】スピンコート法により、ベースポリマーがポリイミド樹脂である非感光性樹脂のワニスを塗布後、ベーク、キュアしてポリイミド樹脂を硬化、膜を形成する。これを第１絶縁膜１２とする。次いで、めっきシード層１８形成、フォトレジスト溝パターン２２形成、めっき、フォトレジスト溝パターン２２除去、配線下以外のめっきシード層１８除去に依り、第１の絶縁膜上に配線２６を形成する。そして、第１絶縁膜の表面上にシリカ粒子３０を分散し、散したシリカ粒子３０をマスクとして、ＣＦ４及びＯ２を混合したガスで、第１絶縁膜１２をドライエッチングすることに依り、段差が１００ｎｍ以上の凹凸３２を形成する。最後に前述と同様にして、スピンコート法により、第２絶縁膜としてのポリイミド樹脂膜３４を形成する。 （もっと読む）

【課題】より再現性よく安定してエッチング対象物の特定の局所的な特定の領域のみをプラズマエッチング加工することが可能なプラズマエッチング技術を提供する。
【解決手段】吸引型かつドライエッチング型のプラズマエッチング装置は、エッチング対象物2を固定し、三次元方向に移動可能なステージ3と、一方の端部が、ステージ3に固定されたエッチング対象物2に対向して設置されるプラズマ発生管8と、プラズマ発生用電源10と、このプラズマ発生用電源10に接続され、プラズマ発生管8の外側と内側に配置される一対のプラズマ発生用電極9と、プラズマ発生管の他方の端部に連結される排気管を有する排気装置11,12とを備え、プラズマ発生管8両端の圧力および圧力差、プラズマの発光並びにプラズマ中に含まれる反応生成物の種類とその量のうちの少なくともいずれかを計測する計測手段と、該計測手段からの情報に基づきプラズマの発生状態を制御するコンピュータ14を有する。 （もっと読む）

【課題】ポッピングの発生を抑制するとともに、ポッピングが発生してしまった場合には飛散した変質層の破片をも除去することができるアッシング方法およびアッシング装置を提供する。
【解決手段】イオン注入により表面に形成された変質層４とその下の未変質層３とを有するレジストを除去するアッシング方法であって、基板の前記レジストが形成された面を覆うように塗布膜５を形成し、前記レジストと前記塗布膜５とを反応性ガスを用いたプラズマ処理により除去する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置における配線形状を改善すること。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、溝領域を規定する第１パターンを有する第１マスクを、サイドウォール形状の転写により、半導体装置の層間膜に設けられた金属膜上に形成する工程と、前記第１パターンに重なる少なくとも一つの開口を有する第２マスクを、平面図で見た場合に、前記２マスクが前記第１マスクに重なり、前記開口が前記溝領域に重なるように、形成し、第２パターンを形成する工程と、前記第１及び第２マスクを介して、前記層間膜をエッチングし、前記第１パターンを前記層間膜に転写させる工程と、前記第２マスクを介して前記層間膜をエッチングし、前記第２パターンを前記層間膜に転写させる工程とを具備する。前記第１パターンは、前記第２パターンとは異なる深さで前記層間膜に形成される。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板上にポリイミドなどからなる保護膜が形成された半導体装置の製造中に、保護膜の上面層が変質しても、この変質による悪影響が生じないようにする。
【解決手段】 ポリイミドなどからなる保護膜５に開口部６を形成したとき、保護膜５の開口部６を介して露出された接続パッド２の上面にポリイミドなどからなる残渣が残存する場合がある。そこで、次に、この残渣を酸素プラズマアッシングにより除去する。この場合、保護膜５の上面側に凸凹構造の変質層Ａが形成される。次に、開口部４、６を介して露出された接続パッド２の上面に形成された自然酸化膜をアルゴンプラズマエッチングにより除去する。この場合、変質層Ａがさらに変質して網目構造の変質層Ｃが形成される。次に、チタンなどからなる第１の下地金属層７を成膜する。この場合、第１の下地金属層７は網目構造の変質層Ｃの上面に成膜されるため、その界面の密着力は高い。 （もっと読む）

【課題】ホール形状を垂直として微細化を図ることができるとともに、従来に比べて工程数を削減することができ、生産性の向上を図ることのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板にホールを形成するホール形成工程と、前記ホール内にポリイミド膜を形成するポリイミド膜形成工程と、前記基板を、前記ホール内の側壁部の前記ポリイミド膜を覆うマスクを使用せずに異方性エッチングして、前記ホール内の側壁部の前記ポリイミド膜を残したまま、前記ホール内の底部の前記ポリイミド膜の少なくとも一部を除去して貫通させるプラズマエッチング工程と、前記ホール内に導体金属を充填する導体金属充填工程とを具備した半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】酸素プラズマ中の活性種の失活を抑えプラズマ処理効率の向上を図ることのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】円柱体１５、下蓋３３、拡散板４３、スカート等の形成部材の各表面を、フッ化表面層ＦＳで被膜した。これにより、酸素プラズマ中のラジカル（活性種）が、プラズマ生成室Ｓから半導体基板まで案内される流路上の各形成部材の表面への接触等を起こしても失活し難くなり、プラズマ処理効率の向上を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】高硬度で脆い基板に対する微細加工を実現できる現実に実用化可能な基板のドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】洗浄装置２で洗浄済みの支持基板１１に真空貼付装置３により粘着剤フィルム２１を真空貼付する。マスク層１３ａを形成済みの水晶基板９を、真空貼合装置４によって粘着剤フィルム２１を介して支持基板１１に真空貼り合わせする。支持基板１１をドライエッチング装置６の基板載置面４１ａに静電吸着すると共に、支持基板１１と基板載置面４１ａの間に伝熱ガスを供給した状態で、プラズマを発生させた水晶基板９をドライエッチングする。 （もっと読む）

【課題】吸引型のプラズマガン搭載型プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】キャピラリー３とプラズマ発生用電極４を具備したプラズマガン２のキャピラリー先端部６が密閉容器１内に配設されてなり、前記プラズマガン２の密閉容器１外にある端部には排気装置７が連結されており、また、前記密閉容器１にはガス導入部８が設けられており、該ガス導入部８には反応性原料ガス供給ユニット９が連結されている。 （もっと読む）

【課題】積層膜の剥離の発生を防止ししつつ所望の中空構造を容易に形成することができる赤外線センサ素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
ＳＯＩ基板準備工程と、ＳＯＩ基板に熱検出部及びこれ電気的に接続される配線を形成する熱検出構造形成工程と、少なくとも窒化シリコン膜を含む絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、絶縁層上にガス流入開口を含む赤外線受光部形成する受光部形成工程と、ＳＯＩ基板に到達する貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、貫通孔を介してエッチングを施すことによって半導体基板に空隙を形成する空隙形成工程と、を有し、貫通孔形成工程において窒化シリコン膜を露出することなく貫通孔を形成する。 （もっと読む）

【課題】パッド領域上での堆積物の生成を抑制することのできる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】パッド領域を有する配線層群を形成するステップと、前記配線層群が被覆されるように、絶縁性のカバー層を形成するステップと、前記パッド領域が露出するように、前記カバー層をプラズマエッチングにより除去するステップとを具備し、前記パッド領域は、アルミニウムにより形成され、前記プラズマエッチングにより除去するステップは、炭素ラジカル及びフッ素ラジカルを発生させるＣＦ系ガスを用いて、前記パッド領域を露出させるステップと、前記露出させるステップの後に、塩素ラジカル又は塩素イオンを発生させるＣｌ_２系ガスを用いて、前記パッド領域の表面に生成した堆積物を除去するステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】２回以上フォトレジスト層を露光することによって、基板層における部材をパターニングする方法を提供する。
【解決手段】炭素質マスク層は堆積されてから（２１０）、フォトレジスト層および中間層が動作（２１５）において炭素質マスク層上に堆積される。レチクルは基板層に整列され（２２５）、フォトレジストは第１回目の露光をされ（２３０）、第１の対のフォトレジストラインを形成する。基板層とレチクル間の整列を所定量だけオフセットして（２３５）、フォトレジストは２回目の露光がされ（２４０）、第１の露光によってプリントされたフォトレジストラインの少なくとも１つを分岐させる。２度目に露光されたフォトレジストは次いで現像される（２４５）。フォトレジスト層に形成された二重パターンによって、炭素質マスク層ならびに任意の他の非感光性中間層がパターニングされる（２５０）。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極同士の間隔が狭い場合においても、基板に損傷を与えることなく微細なコンタクトホールを安定して形成することが可能な半導体装置及びその製造方法を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、基板１１の上に互いに間隔をおいて形成されたゲート電極１３と、基板１１の上に、ゲート電極１３同士の間の領域を埋め且つゲート電極１３を覆うように形成された第１の絶縁膜１６と、第１の絶縁膜１６の上に下側から順次形成された第２の絶縁膜１７及び第３の絶縁膜１８と、第１の絶縁膜１６、第２の絶縁膜１７及び第３の絶縁膜１８を貫通し、ソース・ドレイン領域１５と電気的に接続されたコンタクトプラグ２２とを備えている。第１の絶縁膜１６は、水素原子を含み且つフッ素原子を含まないガスによりドライエッチング可能な材料からなる。 （もっと読む）

【課題】電極間における異常放電を抑制することによって、プラズマ処理の処理効率を向上させたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】ステージ電極２の各外周面２ｂから距離ｄだけ基板Ｗが突出するように、ステージ電極２を形成し、基板Ｗが位置決めされたステージ電極２を対向電極３側から見たときに、ステージ電極２の電極面２ａが基板Ｗによって覆われるようにする。また、ステージ電極２の外周面２ｂに誘電体膜９を設ける。 （もっと読む）

【課題】電極部分を含む基板の樹脂密着性を向上させる基板の表面処理方法等を提供する。
【解決手段】真空チャンバ２２内に基板３１の表面と成膜用ターゲット２４とを対向させて配置し、真空チャンバ２２内に放電用ガスを供給してプラズマを発生させることで基板３１のレジスト膜のアッシングと成膜用ターゲット２４のスパッタリングを同時に行い、レジスト膜の活性化処理と電極の金メッキ膜に成膜用ターゲット２４の組成物質を付着させる成膜処理とを並行して行う。 （もっと読む）

【課題】有機絶縁膜を被覆した無機絶縁膜のエッチング時にエッチング残渣が生成しない半導体装置、その製造方法及び当該製造方法に使用する感光性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体素子１上に形成された少なくともパッド電極２及び金属配線上に無機絶縁膜３を形成する工程と、前記無機絶縁膜３上に有機絶縁膜４であるフッ素非含有有機絶縁膜を形成する工程と、前記フッ素非含有有機絶縁膜をパターン加工する工程と、前記パターン加工により露出された前記無機絶縁膜３をフッ素含有ガスによりドライエッチングして前記パッド電極２を露出させる工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】誘導電流が形成されるのを防止するトロイダル・プラズマ・チャンバを提供する。
【解決手段】トロイダル低電場プラズマソースとともに用いられ得る金属製プラズマチャンバ１００は、第１の誘電体領域１０８および第２の誘電体領域１１０を含む。誘電体領域１０８および１１０は、プラズマチャンバ１００を、第１の領域１１２および第２の領域１１４に電気的に分離する。第１の領域１１２および第２の領域１１４の各々は、高度真空シールにより誘電体領域１０８、１１０に接続されることにより、プラズマチャンバ１００を形成している。誘電体領域１０８、１１０は、プラズマチャンバ１００の組み合わせ面１１６を分離する誘電体スペーサを有してなっていてもよい。 （もっと読む）

電子素子、特にＴＦＴ、蓄積コンデンサまたはスタック装置の導電層間の交差部等を備えるものが開示されている。電子素子は、電極を形成する第１の導電層を基板上に備える。第２の導電層により形成された第２の電極は第１の電極から少なくとも誘電体層により隔てられている。この誘電体層は電気絶縁材料の中間層、好ましくは絶縁破壊に対して高い耐性を有する中間層と、光パターニング可能な電気絶縁材料のさらなる層とを包含する。 （もっと読む）

【課題】誘導電流が形成されるのを防止するトロイダル・プラズマ・チャンバを提供する。
【解決手段】トロイダル低電場プラズマソースとともに用いられ得る金属製プラズマチャンバ１００は、第１の誘電体領域１０８および第２の誘電体領域１１０を含む。誘電体領域１０８および１１０は、プラズマチャンバ１００を、第１の領域１１２および第２の領域１１４に電気的に分離する。第１の領域１１２および第２の領域１１４の各々は、高度真空シールにより誘電体領域１０８、１１０に接続されることにより、プラズマチャンバ１００を形成している。誘電体領域１０８、１１０は、プラズマチャンバ１００の組み合わせ面１１６を分離する誘電体スペーサを有してなっていてもよい。 （もっと読む）