半導体装置の製造方法
【課題】半導体装置における配線形状を改善すること。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、溝領域を規定する第１パターンを有する第１マスクを、サイドウォール形状の転写により、半導体装置の層間膜に設けられた金属膜上に形成する工程と、前記第１パターンに重なる少なくとも一つの開口を有する第２マスクを、平面図で見た場合に、前記２マスクが前記第１マスクに重なり、前記開口が前記溝領域に重なるように、形成し、第２パターンを形成する工程と、前記第１及び第２マスクを介して、前記層間膜をエッチングし、前記第１パターンを前記層間膜に転写させる工程と、前記第２マスクを介して前記層間膜をエッチングし、前記第２パターンを前記層間膜に転写させる工程とを具備する。前記第１パターンは、前記第２パターンとは異なる深さで前記層間膜に形成される。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、溝領域を規定する第１パターンを有する第１マスクを、サイドウォール形状の転写により、半導体装置の層間膜に設けられた金属膜上に形成する工程と、前記第１パターンに重なる少なくとも一つの開口を有する第２マスクを、平面図で見た場合に、前記２マスクが前記第１マスクに重なり、前記開口が前記溝領域に重なるように、形成し、第２パターンを形成する工程と、前記第１及び第２マスクを介して、前記層間膜をエッチングし、前記第１パターンを前記層間膜に転写させる工程と、前記第２マスクを介して前記層間膜をエッチングし、前記第２パターンを前記層間膜に転写させる工程とを具備する。前記第１パターンは、前記第２パターンとは異なる深さで前記層間膜に形成される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、集積回路の製造方法に関する。特に、半導体装置における配線構造の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の微細化により、配線の低抵抗化及び低容量化が要求されている。配線及びビアとして、アルミニウムではなく、銅が用いられるようになってきている。これらの構造を銅により形成する場合、銅のドライエッチングが困難である観点から、デュアルダマシンプロセスが一般的に用いられる。
【０００３】
デュアルダマシンプロセスは、大まかに、トレンチファースト方式とビアファースト方式に分けられる。各方式には、様々なサブ方式がある。例えば、米国特許第６０８３８２４号は、下層の層間絶縁膜中に形成されるトレンチパターンを規定するハードマスクをパターニングし、その後、ビアホールパターンを形成する為のフォトレジストを、ハードマスクを覆うように形成し、トレンチとビアのアライメントを向上させる点を開示している。ビアは、フォトレジスト及びハードマスクを貫通するようにエッチングされ、その後、フォトレジストが除去され、トレンチがハードマスクを介して形成される。
【０００４】
しかしながら、チップサイズ及び回路レイアウトが縮小し続けているため、配線構造を形成する層のアスペクト比が増大し、厚いハードマスクが必要となっている。その上、トレンチパターンを形成するためのハードマスクがビアのアライメントにも使用されるトレンチファースト方式では、マスクは、２回、エッチング工程に晒される場合がある。このような方式は、ハードマスクの厚みを増加させ、選択的なエッチング条件をビア形成時の絶縁層のエッチング条件として決定したとしても、ハードマスク層の侵食の点で制限を受ける。更には、厚いマスク層を用いたとしても、必ずしも配線構造を形成する層のアスペクト比は増大せず、層間構造のパターン倒壊につながる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許第６０８３８２４号
【発明の概要】
【０００６】
本願発明者らは、サイドウォール形状の転写をトレンチパターンの形成に利用し、残存したサイドウォールを次のビア形成時における犠牲マスクとして用いることにより、半導体装置における配線形状を改善できることを見出した。特に絶縁材料を用いた場合、残存するサイドウォールが比較的高くなり、下層のメタルハードマスク層の厚みを従来技術よりもかなり薄くすることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
その他の本発明の目的、特徴及び作用は、以下の発明の詳細な説明、図面の記載から、明かとなるであろう。
【図１】本発明の好適な実施形態に係る第１工程における半導体装置を示す断面図である。
【図２】図１に示される半導体装置の次の工程における断面図である。
【図３】図２に示される半導体装置の次の工程における断面図である。
【図４】図３に示される半導体装置の次の工程における断面図である。
【図５】図４に示される半導体装置の次の工程における断面図である。
【図６】図５に示される半導体装置の次の工程における断面図である。
【図７】図６に示される半導体装置の次の工程における断面図である。
【図８】図７に示される半導体装置の次の工程における断面図である。
【図９】図８に示される半導体装置の次の工程における断面図である。
【図１０】図９に示される半導体装置の次の工程における断面図である。
【図１１】図１０に示される半導体装置の次の工程における断面図である。
【図１２】図１１に示される半導体装置の次の工程における断面図である。
【図１３Ａ】図１２に示される半導体装置の次の工程における断面図である。
【図１３Ｂ】図１３Ａに示される半導体装置の平面図である。
【図１４】図１３Ａ、図１３Ｂに示される半導体装置の次の工程における断面図である。
【図１５】図１４に示される半導体装置の次の工程における断面図である。
【図１６】図１に示される半導体装置の図４に示される工程の次工程における断面図であり、本発明の第２の実施形態の製造方法を示す図である。
【図１７】図１６に示される半導体装置の次の工程における断面図である。
【図１８】図１７に示される半導体装置の次の工程における断面図である。
【図１９】図１８に示される半導体装置の次の工程における断面図である。
【図２０】図１９に示される半導体装置の次の工程における断面図である。
【図２１】図２０に示される半導体装置の次の工程における断面図である。
【図２２】図２１に示される半導体装置の次の工程における断面図である。
【図２３】図２２に示される半導体装置の次の工程における断面図である。
【図２４Ａ】第３の実施形態に係る半導体装置のビアエッチング時の断面図である。
【図２４Ｂ】図２４Ａに示される装置の平面図である。
【図２５】トレンチファーストメタルマスク集積における自己整合ビアの形成方法を概念的に示す平面図である。
【図２６Ａ】従来のメタルハードマスクを利用した自己整合によるビアの製造方法を示す図である。
【図２６Ｂ】図２６Ａの平面図である。
【図２７Ａ】図２６Ａの次の工程を示す断面図である。
【図２７Ｂ】図２７Ａの平面図である。
【図２８Ａ】図２６Ａの次の工程を示す断面図である。
【図２８Ｂ】図２８Ａの平面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
従来の自己整合によるビア（ＳＡＶ）形成方法には、いわゆる「トレンチファースト」があり、トレンチパターンがメタルハードマスクによって形成される。図２５に示されるように、ビアＶｗは、Ｍｘトレンチに平行なＸ方向において自己整合するが、Ｍｘ＋１トレンチに平行なＹ方向においては自己整合しない。Ｍｘ＋１トレンチのためのトレンチパターンが予め形成されたメタルハードディスクは、ビアＶｗをＸ方向において限定することを目的とするものである。
【０００９】
図２６Ａの断面図及び図２６Ｂの平面図において、参照番号１１は、絶縁キャップ層であり、図示された配線層と図示しない下層の配線層（若しくは図示された配線層が第１配線層である場合には半導体基板）とを分ける層である。一方、参照番号２５は、層間絶縁膜であり、その上には更なる絶縁キャップ層１３が設けられている。絶縁キャップ層１３上にはメタルハードマスク層１５が設けられている。層１５には、予め、トレンチパターンに対応する開口が設けられている。ハードマスク層１５上には、有機平坦化層（ＯＰＬ）３７、反射防止膜３９、及びビアパターン３９が設けられたフォトレジスト層４１が積層されている。
【００１０】
図２６Ａ及び図２６Ｂに示される構造がエッチングされると、図２７Ａ及び図２７Ｂに示される構造が得られる。この従来の方式では、メタルハードマスク１５に関連し、高い選択性を有するエッチング条件が選ばれる必要がある。しかしそれでも、ＳＡＶの絶縁層エッチングにより、メタルハードマスク層１５の領域４５が著しく侵食されるため、比較的厚いハードマスク１５を用いる必要がある。
【００１１】
次いで、ＯＰＬが剥離され、図２８Ａ及び図２８Ｂにより示される構造が得られる。しかし、層１５における著しい侵食部分４５は残存する。ハードマスクは一般的に最終製品に残り、ビアの頂部の領域を正確に規定することができなくなる。
【００１２】
以下に説明される本発明の実施形態は、図２５乃至図２８により説明した技術を改善したものである。
【００１３】
図１には、半導体装置の断面図が示されている。図示された全ての要素は、断面図である。層１０は、絶縁キャップであり、窒素がドープされたシリコンカーバイド、及びＳｉ−Ｎ−Ｃ−Ｈ（ＮＢＬＯｋ）等に例示され、図示された構造を下層の基板若しくは下部の層間膜（図示せず）と分けている。層２４は、層間絶縁膜であり、好ましくは、ｌｏｗ−ｋ誘電体膜であり、より好ましくは、ｕｌｔｒａ−ｌｏｗ−ｋ誘電体膜である。Ｌｏｗ−ｋ誘電体材料は、比誘電率が酸化シリコン（３．９）よりも低いという特徴を有しており、ｕｌｔｒａ−ｌｏｗ−ｋ誘電体膜は、一般的に、２．５以下の比誘電率を有している。層２４は、好ましくは、１００ｎｍの厚みで形成されるが、それより厚くても薄くてもよい。
【００１４】
層２４上には次の絶縁キャップ層１２が設けられている。絶縁キャップ層１２は、本実施形態では、好ましくは、約１５ｎｍの酸化シリコンにより形成される。より好ましくは、層１２は、オルトケイ酸テトラエチル（ｔｅｔｒａｅｔｈｙｌｏｒｔｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ）等のような、低密度で堆積された酸化シリコンのハードマスクである。層１２上には、メタルハードマスク層１４が設けられており、本実施形態では、約２５ｎｍの厚みで形成されたＴｉＮにより形成されることが好ましい。層１４を覆うのは、アモルファスカーボン層２２であり、絶縁キャップ層や他の反射防止層などとともに、フォトリソグラフィにおける反射を制御する為に用いられる。アモルファスカーボン層２２は、後述のように、サイドウォールを形成する為の型となる直方体柱を形成するように、加工（パターニング）される。アモルファスカーボン層２２の厚みは、好ましくは、約１４０ｎｍであるが、後述のように、８０ｎｍから２００ｎｍの範囲をとることができ、好ましくは、１２０ｎｍから２００ｎｍである。
【００１５】
アモルファスカーボン層２２上には、シリコン含有有機反射防止材（ＳｉＡＲＣ）１８が設けられている。最後に、層２０は、フォトレジストパターンであり、これから説明する直方体柱部のリソグラフィのために用いられる。
【００１６】
本実施形態に係るプロセスは、ＳｉＡＲＣ及びアモルファスカーボン層１８及び２２をフォトマスク２０を介してエッチングすることにより開始される。これらの層は、図２に示されるように、下層領域のＴｉＮハードマスク１４が露出するように、選択的に除去される。次いで、図３に示されるように、ＳｉＡＲＣ層１８の残存部分が、ＴｉＮ層１４から突き出たアモルファスカーボン層による「直方体柱部」を残して、焼き去られる。
【００１７】
図４に示されるように、ＳｉＯ２によるスペーサ層２６が、直方体柱部２２及びＴｉＮ層１４を被覆するように堆積される。続いて、図５に示されるように、ＳｉＯ２層２６が、各直方体柱部２２の両側にＳｉＯ２によるサイドウォール２８が残るように、エッチングされる。例えば、サイドウォール２８を形成する為のエッチングは、直方体柱部の上表面が露出するまでＣＦ４ガスを用いて行なわれる。次いで、図６に示されるように、サイドウォール２８が残るように、直方体柱部が引き抜かれる。直方体柱部の引き抜き手法としては、例えば、酸素ガスによるアッシングが効果的である。
【００１８】
図７に示されるように、サイドウォール２８が、有機平坦化膜（ＯＰＬ）３０により、被覆される。ＯＰＬ３０は、感光性有機ポリマー若しくはエッチタイプ有機化合物を含んでいてもよい。好ましい感光性有機ポリマーは、ポリアクリル樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリフェニレンスフフィド樹脂、若しくは、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）である。これらの材料は、スピンーオン法を用いて形成されてもよい。
【００１９】
ＯＰＬ３０上には、ＳｉＡＲＣ層３２が設けられ、更に、サイドウォールと共にトレンチパターンを規定するリソグラフィのブロックとして用いられるフォトレジストマスク３４が設けられる。本実施形態のマスク３４は、フッ化アルゴン（ＡｒＦ）エキシマレーザーによる露光されるフォトレジスト層である。図８に示されるように、ＳｉＡＲＣ層３２及びＯＰＬ３０は、第１のエッチング工程により、マスク３４を介して選択的に除去される。その後、図９に示されるように、残存したＳｉＡＲＣ層３２が除去され、ＴｉＮ層１４が選択的にエッチングされる。具体的には、好ましくは、まず、ＳｉＡＲＣ層がマスク３４を介してＣＦ４によりエッチングされ、次いで、ＯＰＬ３０がＯ２又はＮ２／Ｈ２ガスを用いてエッチングされる。ＡｒＦレジスト層３４はこれらの工程後に、除去される（図８）。
【００２０】
ＴｉＮ層１４は、好ましくは、ＳｉＡＲＣ層３２およびＯＰＬ３０をマスクとして、Ｃｌ２によりエッチングされる。ＴｉＮ層１４がエッチングされる部分は、マスク３４により設けられた層３０及び３２の開口、及びサイドウォール２８から露出した部分である。ＴｉＮ層１４のエッチングにより、露出したサイドウォール２８が腐食し、高さが減少することが理解される。
【００２１】
図１０に示されるように、続いて、ＯＰＬ３０が剥離され、新たなＯＰＬ３６、ＳｉＡＲＣ層３８、及びフォトマスク４０が形成される（図１１参照）。マスク４０は、ビアが形成される位置を規定する。次いで、図１２に示されるように、ＳｉＡＲＣ層３８及びＯＰＬ３６が、マスク４０を介して、下層のＴＥＯＳ膜１２が露出するように、エッチングされる。
【００２２】
続いて、図１３Ａに示されるように、次なるエッチング工程により、サイドウォール２８間の領域であり、層３６及び層３８の開口から露出した領域であり、マスク４０によって決められる領域において、ＴＥＯＳ層１２及び層間絶縁膜２４が選択的に除去される。サイドウォール２８の露出部分は、層１２及び層２４のエッチング時に更に腐食する。しかし、サイドウォールは、高いため、下部のＴｉＮハードマスク層１４が露出することが防止され、ビアの断面構造は良好に規定される。すなわち、サイドウォール２８が、本エッチング時における犠牲マスクとして機能するため、ビア形状を損なうことなく、従来技術を用いた場合よりもＴｉＮ層１４の厚みを薄くすることが可能になる。
【００２３】
図１３Ｂは、層間絶縁膜２４に設けられたビアの外観を示す図である。図１３Ａに示されるビアの底部には、層１０が露出しており、ＯＰＬ３６から突き出たサイドウォール２８部分が見えている。
【００２４】
ＯＰＬ３６の剥離後（図１４）、サイドウォール２８がエッチングにより除去され、サイドウォールスペーサによって露出した領域において、ＴＥＯＳ層１２、層間絶縁膜２４、及びＮＢＬｏｋ層１０が選択的にエッチングされる。図１５に示されるように、層１０が選択的に除去されることにより、ビア４２の形成が完了する。一方で、層１２及び２４が選択的に除去されることにより、トレンチ４４が形成される。
【００２５】
上述の工程は、トレンチ自体はビアの後に形成されるにもかかわらず、トレンチのリソグラフィがビアのリソグラフィより前に行なわれるため、「トレンチファースト」技術であると考えられる。
【００２６】
図１５に示される構造は、その後、公知の技術により、ビア４２及びトレンチ４４を埋め込むように、銅によって被覆される。トレンチ及びビアが同一の銅の堆積処理により自発的に埋められる場合、「デュアル」ダマシンということになる。
【００２７】
尚、上述の製造方法において、ダブルパターニングを用いることにより、サイドウォールの寸法を、リソグラフィの解像度以下の寸法にすることが可能である。すなわち、リソグラフィーにより、単一の直方体柱部を形成し、スペーサーにより、サイドウォールを形成する。この時、サイドウォールの寸法を、リソグラフィーの解像度以下の寸法にすることで、リソグラフィの限界以上の微細パターンを得ることができる。
【００２８】
また、上述の例では、直方体柱部が、アモルファスカーボン層により形成される場合について説明した。アモルファスカーボン層は、例えば、化学蒸着（ＣＶＤ）法などにより、堆積させることができる。また、直方体円柱部としては、例えば、スピン塗布（スピン−オフ）法により堆積された有機膜（ＯＰＬ）を用いることも可能である。
【００２９】
一方、図１６には、本発明の他の実施形態に係るプロセスが示されている。図１６では、図４の続きのプロセスが示されている。すなわち、第２の実施形態に係るプロセスは、図４まで第１の実施形態と同じである。
【００３０】
しかしながら、本実施形態では、酸化層２６は、その形成後、直ちにエッチバックされるのではない。代わりに、ＯＰＬ４６、ＳｉＡＲＣ層４８及びマスク５０が連続層４６を覆うように形成される。本実施形態では、マスクが適当に形成されていなかった場合であっても、容易にマスクを再加工することが可能となる。すなわち、再加工時のリソグラフィ工程においてマスク５０、ＳｉＡＲＣ層４８、及びＯＰＬ４６を剥離する際、酸化層２６により保護されているので、下地のＴｉＮ層１４がダメージを受けない。
【００３１】
図１６に示される構造に対して、その後、上述の第１の実施形態と同様の処理が施され、マスク５０を介して露出した層２６がエッチングされ、次いで、ＳｉＡＲＣ層４８が、予めマスクされた領域（既述の図９に対応）において焼き去られ、サイドウォールスペーサのエッチングにより、アモルファスカーボンによる直方体柱部が抜き去られ（図６に対応）、マスク５０から露出した領域において、サイドウォール２８により保護された領域を除いて、ＴｉＮ層１４がエッチングされ、残存したＯＰＬ４６が除去される（図１０に対応）。その結果、図１７に示される構造が得られる。
【００３２】
次いで、既述の実施形態と同様に、ビアのリソグラフィ処理が実行され、図１８に示されるように、サイドウォール２８が新たにＯＰＬ５２、ＳｉＡＲＣ層５４、及びビアマスク５６の３層により被覆される。尚、本実施形態において、残存したスペーサー層２６は、次のエッチングステップにおいて、下地のＴｉＮマスク層１４を更に保護する機能を果たす。
【００３３】
図１９に示されるように、ＴＥＯＳ層１２がビアの位置において露出するように、ＳｉＡＲＣ層５４及びＯＰＬ５２がマスク５６を介してエッチングされる。次いで、図２０に示されるように、ビアの絶縁層エッチングが実行され、ＴＥＯＳ層１２の露出した領域が、下地の絶縁膜２４と共に、ＮＢＬｏｋ層１０に至るまで除去される。本処理において、サイドウォール２８は再び犠牲マスクとして機能し、ＴｉＮ層１４の腐食を防止し、正確なビア形状が保護される。本実施形態のサイドウォール２８は、最終製品の高密度配線領域に対応する領域に存在する。また、本実施形態によれば、スペーサー層２６の高さにより、装置のフィールド領域に対応するＴｉＮ層１４の下地領域が保護される。
【００３４】
その後、ＯＰＬ５２が除去され、図２１に示される構造が得られる。図２１より、アモルファスカーボンによる直方体柱部２２は、ここまでエッチングされてこなかったスペーサー層２６により被覆されている領域において、未だ残存していることが理解される。これらの直方体柱部は、長時間のＯＰＬプラズマもしくは過剰の下方流アッシングなどによって除去されてもよく、最終製品において残っていてもよい。
【００３５】
図２２は、第１の実施形態と同様にトレンチのエッチング及びＮＢＬｏｋ層１０の開口処理を行った後の構造を示しており、ビア４２及びトレンチ４４が完全に形成されており、銅で満たされる用意が整った状態を示している。図２２には、残存した直方体柱部２２の露出部が示されている。一方、図２３は、直方体柱部を構成するアモルファスカーボンを剥離させることにより、残存した直方体柱部２２が更に除去された後の装置を示している。
【００３６】
図２４Ａ及び図２４Ｂは、本発明の第３の実施形態を示す図であり、第１の実施形態の図１３Ａ及び図１３Ｂに対応する段階、および第２の実施形態の図２０に対応する段階を示す図である。本実施形態では、ビア同士が、比較的近くに位置している。そのため、３層マスク中のビア用の開口を分けて形成する必要はない。代わりに、図２４Ｂに示されるように、ＯＰＬ５８に設けられた単一の細長い開口により、中央のサイドウォールスペーサ２８と共に、ハードマスク層１４及び絶縁層２４に設けられた近接するビア群を規定することができる。この技術は、「バービア」と呼ばれる。本実施形態は、第１の実施形態及び第２の実施形態の夫々に変形して用いることも可能である。
【００３７】
上述の技術により、メタルハードマスクの厚みを従来技術よりも小さくした上で、ビアをより正確に形成することが可能になる。若しくは、ハードマスク層に対して高い選択性を有するＳＡＶエッチング条件を用いることなく、メタルハードマスクの厚みを従来技術と同等とすることができる。
【００３８】
本発明について様々な実施形態について説明したが、これらの実施形態は、本発明の単なる例示に過ぎず、添付の特許請求の範囲のスコープ及び思想を限定して解釈するために用いてはならない。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、集積回路の製造方法に関する。特に、半導体装置における配線構造の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の微細化により、配線の低抵抗化及び低容量化が要求されている。配線及びビアとして、アルミニウムではなく、銅が用いられるようになってきている。これらの構造を銅により形成する場合、銅のドライエッチングが困難である観点から、デュアルダマシンプロセスが一般的に用いられる。
【０００３】
デュアルダマシンプロセスは、大まかに、トレンチファースト方式とビアファースト方式に分けられる。各方式には、様々なサブ方式がある。例えば、米国特許第６０８３８２４号は、下層の層間絶縁膜中に形成されるトレンチパターンを規定するハードマスクをパターニングし、その後、ビアホールパターンを形成する為のフォトレジストを、ハードマスクを覆うように形成し、トレンチとビアのアライメントを向上させる点を開示している。ビアは、フォトレジスト及びハードマスクを貫通するようにエッチングされ、その後、フォトレジストが除去され、トレンチがハードマスクを介して形成される。
【０００４】
しかしながら、チップサイズ及び回路レイアウトが縮小し続けているため、配線構造を形成する層のアスペクト比が増大し、厚いハードマスクが必要となっている。その上、トレンチパターンを形成するためのハードマスクがビアのアライメントにも使用されるトレンチファースト方式では、マスクは、２回、エッチング工程に晒される場合がある。このような方式は、ハードマスクの厚みを増加させ、選択的なエッチング条件をビア形成時の絶縁層のエッチング条件として決定したとしても、ハードマスク層の侵食の点で制限を受ける。更には、厚いマスク層を用いたとしても、必ずしも配線構造を形成する層のアスペクト比は増大せず、層間構造のパターン倒壊につながる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許第６０８３８２４号
【発明の概要】
【０００６】
本願発明者らは、サイドウォール形状の転写をトレンチパターンの形成に利用し、残存したサイドウォールを次のビア形成時における犠牲マスクとして用いることにより、半導体装置における配線形状を改善できることを見出した。特に絶縁材料を用いた場合、残存するサイドウォールが比較的高くなり、下層のメタルハードマスク層の厚みを従来技術よりもかなり薄くすることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
その他の本発明の目的、特徴及び作用は、以下の発明の詳細な説明、図面の記載から、明かとなるであろう。
【図１】本発明の好適な実施形態に係る第１工程における半導体装置を示す断面図である。
【図２】図１に示される半導体装置の次の工程における断面図である。
【図３】図２に示される半導体装置の次の工程における断面図である。
【図４】図３に示される半導体装置の次の工程における断面図である。
【図５】図４に示される半導体装置の次の工程における断面図である。
【図６】図５に示される半導体装置の次の工程における断面図である。
【図７】図６に示される半導体装置の次の工程における断面図である。
【図８】図７に示される半導体装置の次の工程における断面図である。
【図９】図８に示される半導体装置の次の工程における断面図である。
【図１０】図９に示される半導体装置の次の工程における断面図である。
【図１１】図１０に示される半導体装置の次の工程における断面図である。
【図１２】図１１に示される半導体装置の次の工程における断面図である。
【図１３Ａ】図１２に示される半導体装置の次の工程における断面図である。
【図１３Ｂ】図１３Ａに示される半導体装置の平面図である。
【図１４】図１３Ａ、図１３Ｂに示される半導体装置の次の工程における断面図である。
【図１５】図１４に示される半導体装置の次の工程における断面図である。
【図１６】図１に示される半導体装置の図４に示される工程の次工程における断面図であり、本発明の第２の実施形態の製造方法を示す図である。
【図１７】図１６に示される半導体装置の次の工程における断面図である。
【図１８】図１７に示される半導体装置の次の工程における断面図である。
【図１９】図１８に示される半導体装置の次の工程における断面図である。
【図２０】図１９に示される半導体装置の次の工程における断面図である。
【図２１】図２０に示される半導体装置の次の工程における断面図である。
【図２２】図２１に示される半導体装置の次の工程における断面図である。
【図２３】図２２に示される半導体装置の次の工程における断面図である。
【図２４Ａ】第３の実施形態に係る半導体装置のビアエッチング時の断面図である。
【図２４Ｂ】図２４Ａに示される装置の平面図である。
【図２５】トレンチファーストメタルマスク集積における自己整合ビアの形成方法を概念的に示す平面図である。
【図２６Ａ】従来のメタルハードマスクを利用した自己整合によるビアの製造方法を示す図である。
【図２６Ｂ】図２６Ａの平面図である。
【図２７Ａ】図２６Ａの次の工程を示す断面図である。
【図２７Ｂ】図２７Ａの平面図である。
【図２８Ａ】図２６Ａの次の工程を示す断面図である。
【図２８Ｂ】図２８Ａの平面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
従来の自己整合によるビア（ＳＡＶ）形成方法には、いわゆる「トレンチファースト」があり、トレンチパターンがメタルハードマスクによって形成される。図２５に示されるように、ビアＶｗは、Ｍｘトレンチに平行なＸ方向において自己整合するが、Ｍｘ＋１トレンチに平行なＹ方向においては自己整合しない。Ｍｘ＋１トレンチのためのトレンチパターンが予め形成されたメタルハードディスクは、ビアＶｗをＸ方向において限定することを目的とするものである。
【０００９】
図２６Ａの断面図及び図２６Ｂの平面図において、参照番号１１は、絶縁キャップ層であり、図示された配線層と図示しない下層の配線層（若しくは図示された配線層が第１配線層である場合には半導体基板）とを分ける層である。一方、参照番号２５は、層間絶縁膜であり、その上には更なる絶縁キャップ層１３が設けられている。絶縁キャップ層１３上にはメタルハードマスク層１５が設けられている。層１５には、予め、トレンチパターンに対応する開口が設けられている。ハードマスク層１５上には、有機平坦化層（ＯＰＬ）３７、反射防止膜３９、及びビアパターン３９が設けられたフォトレジスト層４１が積層されている。
【００１０】
図２６Ａ及び図２６Ｂに示される構造がエッチングされると、図２７Ａ及び図２７Ｂに示される構造が得られる。この従来の方式では、メタルハードマスク１５に関連し、高い選択性を有するエッチング条件が選ばれる必要がある。しかしそれでも、ＳＡＶの絶縁層エッチングにより、メタルハードマスク層１５の領域４５が著しく侵食されるため、比較的厚いハードマスク１５を用いる必要がある。
【００１１】
次いで、ＯＰＬが剥離され、図２８Ａ及び図２８Ｂにより示される構造が得られる。しかし、層１５における著しい侵食部分４５は残存する。ハードマスクは一般的に最終製品に残り、ビアの頂部の領域を正確に規定することができなくなる。
【００１２】
以下に説明される本発明の実施形態は、図２５乃至図２８により説明した技術を改善したものである。
【００１３】
図１には、半導体装置の断面図が示されている。図示された全ての要素は、断面図である。層１０は、絶縁キャップであり、窒素がドープされたシリコンカーバイド、及びＳｉ−Ｎ−Ｃ−Ｈ（ＮＢＬＯｋ）等に例示され、図示された構造を下層の基板若しくは下部の層間膜（図示せず）と分けている。層２４は、層間絶縁膜であり、好ましくは、ｌｏｗ−ｋ誘電体膜であり、より好ましくは、ｕｌｔｒａ−ｌｏｗ−ｋ誘電体膜である。Ｌｏｗ−ｋ誘電体材料は、比誘電率が酸化シリコン（３．９）よりも低いという特徴を有しており、ｕｌｔｒａ−ｌｏｗ−ｋ誘電体膜は、一般的に、２．５以下の比誘電率を有している。層２４は、好ましくは、１００ｎｍの厚みで形成されるが、それより厚くても薄くてもよい。
【００１４】
層２４上には次の絶縁キャップ層１２が設けられている。絶縁キャップ層１２は、本実施形態では、好ましくは、約１５ｎｍの酸化シリコンにより形成される。より好ましくは、層１２は、オルトケイ酸テトラエチル（ｔｅｔｒａｅｔｈｙｌｏｒｔｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ）等のような、低密度で堆積された酸化シリコンのハードマスクである。層１２上には、メタルハードマスク層１４が設けられており、本実施形態では、約２５ｎｍの厚みで形成されたＴｉＮにより形成されることが好ましい。層１４を覆うのは、アモルファスカーボン層２２であり、絶縁キャップ層や他の反射防止層などとともに、フォトリソグラフィにおける反射を制御する為に用いられる。アモルファスカーボン層２２は、後述のように、サイドウォールを形成する為の型となる直方体柱を形成するように、加工（パターニング）される。アモルファスカーボン層２２の厚みは、好ましくは、約１４０ｎｍであるが、後述のように、８０ｎｍから２００ｎｍの範囲をとることができ、好ましくは、１２０ｎｍから２００ｎｍである。
【００１５】
アモルファスカーボン層２２上には、シリコン含有有機反射防止材（ＳｉＡＲＣ）１８が設けられている。最後に、層２０は、フォトレジストパターンであり、これから説明する直方体柱部のリソグラフィのために用いられる。
【００１６】
本実施形態に係るプロセスは、ＳｉＡＲＣ及びアモルファスカーボン層１８及び２２をフォトマスク２０を介してエッチングすることにより開始される。これらの層は、図２に示されるように、下層領域のＴｉＮハードマスク１４が露出するように、選択的に除去される。次いで、図３に示されるように、ＳｉＡＲＣ層１８の残存部分が、ＴｉＮ層１４から突き出たアモルファスカーボン層による「直方体柱部」を残して、焼き去られる。
【００１７】
図４に示されるように、ＳｉＯ２によるスペーサ層２６が、直方体柱部２２及びＴｉＮ層１４を被覆するように堆積される。続いて、図５に示されるように、ＳｉＯ２層２６が、各直方体柱部２２の両側にＳｉＯ２によるサイドウォール２８が残るように、エッチングされる。例えば、サイドウォール２８を形成する為のエッチングは、直方体柱部の上表面が露出するまでＣＦ４ガスを用いて行なわれる。次いで、図６に示されるように、サイドウォール２８が残るように、直方体柱部が引き抜かれる。直方体柱部の引き抜き手法としては、例えば、酸素ガスによるアッシングが効果的である。
【００１８】
図７に示されるように、サイドウォール２８が、有機平坦化膜（ＯＰＬ）３０により、被覆される。ＯＰＬ３０は、感光性有機ポリマー若しくはエッチタイプ有機化合物を含んでいてもよい。好ましい感光性有機ポリマーは、ポリアクリル樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリフェニレンスフフィド樹脂、若しくは、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）である。これらの材料は、スピンーオン法を用いて形成されてもよい。
【００１９】
ＯＰＬ３０上には、ＳｉＡＲＣ層３２が設けられ、更に、サイドウォールと共にトレンチパターンを規定するリソグラフィのブロックとして用いられるフォトレジストマスク３４が設けられる。本実施形態のマスク３４は、フッ化アルゴン（ＡｒＦ）エキシマレーザーによる露光されるフォトレジスト層である。図８に示されるように、ＳｉＡＲＣ層３２及びＯＰＬ３０は、第１のエッチング工程により、マスク３４を介して選択的に除去される。その後、図９に示されるように、残存したＳｉＡＲＣ層３２が除去され、ＴｉＮ層１４が選択的にエッチングされる。具体的には、好ましくは、まず、ＳｉＡＲＣ層がマスク３４を介してＣＦ４によりエッチングされ、次いで、ＯＰＬ３０がＯ２又はＮ２／Ｈ２ガスを用いてエッチングされる。ＡｒＦレジスト層３４はこれらの工程後に、除去される（図８）。
【００２０】
ＴｉＮ層１４は、好ましくは、ＳｉＡＲＣ層３２およびＯＰＬ３０をマスクとして、Ｃｌ２によりエッチングされる。ＴｉＮ層１４がエッチングされる部分は、マスク３４により設けられた層３０及び３２の開口、及びサイドウォール２８から露出した部分である。ＴｉＮ層１４のエッチングにより、露出したサイドウォール２８が腐食し、高さが減少することが理解される。
【００２１】
図１０に示されるように、続いて、ＯＰＬ３０が剥離され、新たなＯＰＬ３６、ＳｉＡＲＣ層３８、及びフォトマスク４０が形成される（図１１参照）。マスク４０は、ビアが形成される位置を規定する。次いで、図１２に示されるように、ＳｉＡＲＣ層３８及びＯＰＬ３６が、マスク４０を介して、下層のＴＥＯＳ膜１２が露出するように、エッチングされる。
【００２２】
続いて、図１３Ａに示されるように、次なるエッチング工程により、サイドウォール２８間の領域であり、層３６及び層３８の開口から露出した領域であり、マスク４０によって決められる領域において、ＴＥＯＳ層１２及び層間絶縁膜２４が選択的に除去される。サイドウォール２８の露出部分は、層１２及び層２４のエッチング時に更に腐食する。しかし、サイドウォールは、高いため、下部のＴｉＮハードマスク層１４が露出することが防止され、ビアの断面構造は良好に規定される。すなわち、サイドウォール２８が、本エッチング時における犠牲マスクとして機能するため、ビア形状を損なうことなく、従来技術を用いた場合よりもＴｉＮ層１４の厚みを薄くすることが可能になる。
【００２３】
図１３Ｂは、層間絶縁膜２４に設けられたビアの外観を示す図である。図１３Ａに示されるビアの底部には、層１０が露出しており、ＯＰＬ３６から突き出たサイドウォール２８部分が見えている。
【００２４】
ＯＰＬ３６の剥離後（図１４）、サイドウォール２８がエッチングにより除去され、サイドウォールスペーサによって露出した領域において、ＴＥＯＳ層１２、層間絶縁膜２４、及びＮＢＬｏｋ層１０が選択的にエッチングされる。図１５に示されるように、層１０が選択的に除去されることにより、ビア４２の形成が完了する。一方で、層１２及び２４が選択的に除去されることにより、トレンチ４４が形成される。
【００２５】
上述の工程は、トレンチ自体はビアの後に形成されるにもかかわらず、トレンチのリソグラフィがビアのリソグラフィより前に行なわれるため、「トレンチファースト」技術であると考えられる。
【００２６】
図１５に示される構造は、その後、公知の技術により、ビア４２及びトレンチ４４を埋め込むように、銅によって被覆される。トレンチ及びビアが同一の銅の堆積処理により自発的に埋められる場合、「デュアル」ダマシンということになる。
【００２７】
尚、上述の製造方法において、ダブルパターニングを用いることにより、サイドウォールの寸法を、リソグラフィの解像度以下の寸法にすることが可能である。すなわち、リソグラフィーにより、単一の直方体柱部を形成し、スペーサーにより、サイドウォールを形成する。この時、サイドウォールの寸法を、リソグラフィーの解像度以下の寸法にすることで、リソグラフィの限界以上の微細パターンを得ることができる。
【００２８】
また、上述の例では、直方体柱部が、アモルファスカーボン層により形成される場合について説明した。アモルファスカーボン層は、例えば、化学蒸着（ＣＶＤ）法などにより、堆積させることができる。また、直方体円柱部としては、例えば、スピン塗布（スピン−オフ）法により堆積された有機膜（ＯＰＬ）を用いることも可能である。
【００２９】
一方、図１６には、本発明の他の実施形態に係るプロセスが示されている。図１６では、図４の続きのプロセスが示されている。すなわち、第２の実施形態に係るプロセスは、図４まで第１の実施形態と同じである。
【００３０】
しかしながら、本実施形態では、酸化層２６は、その形成後、直ちにエッチバックされるのではない。代わりに、ＯＰＬ４６、ＳｉＡＲＣ層４８及びマスク５０が連続層４６を覆うように形成される。本実施形態では、マスクが適当に形成されていなかった場合であっても、容易にマスクを再加工することが可能となる。すなわち、再加工時のリソグラフィ工程においてマスク５０、ＳｉＡＲＣ層４８、及びＯＰＬ４６を剥離する際、酸化層２６により保護されているので、下地のＴｉＮ層１４がダメージを受けない。
【００３１】
図１６に示される構造に対して、その後、上述の第１の実施形態と同様の処理が施され、マスク５０を介して露出した層２６がエッチングされ、次いで、ＳｉＡＲＣ層４８が、予めマスクされた領域（既述の図９に対応）において焼き去られ、サイドウォールスペーサのエッチングにより、アモルファスカーボンによる直方体柱部が抜き去られ（図６に対応）、マスク５０から露出した領域において、サイドウォール２８により保護された領域を除いて、ＴｉＮ層１４がエッチングされ、残存したＯＰＬ４６が除去される（図１０に対応）。その結果、図１７に示される構造が得られる。
【００３２】
次いで、既述の実施形態と同様に、ビアのリソグラフィ処理が実行され、図１８に示されるように、サイドウォール２８が新たにＯＰＬ５２、ＳｉＡＲＣ層５４、及びビアマスク５６の３層により被覆される。尚、本実施形態において、残存したスペーサー層２６は、次のエッチングステップにおいて、下地のＴｉＮマスク層１４を更に保護する機能を果たす。
【００３３】
図１９に示されるように、ＴＥＯＳ層１２がビアの位置において露出するように、ＳｉＡＲＣ層５４及びＯＰＬ５２がマスク５６を介してエッチングされる。次いで、図２０に示されるように、ビアの絶縁層エッチングが実行され、ＴＥＯＳ層１２の露出した領域が、下地の絶縁膜２４と共に、ＮＢＬｏｋ層１０に至るまで除去される。本処理において、サイドウォール２８は再び犠牲マスクとして機能し、ＴｉＮ層１４の腐食を防止し、正確なビア形状が保護される。本実施形態のサイドウォール２８は、最終製品の高密度配線領域に対応する領域に存在する。また、本実施形態によれば、スペーサー層２６の高さにより、装置のフィールド領域に対応するＴｉＮ層１４の下地領域が保護される。
【００３４】
その後、ＯＰＬ５２が除去され、図２１に示される構造が得られる。図２１より、アモルファスカーボンによる直方体柱部２２は、ここまでエッチングされてこなかったスペーサー層２６により被覆されている領域において、未だ残存していることが理解される。これらの直方体柱部は、長時間のＯＰＬプラズマもしくは過剰の下方流アッシングなどによって除去されてもよく、最終製品において残っていてもよい。
【００３５】
図２２は、第１の実施形態と同様にトレンチのエッチング及びＮＢＬｏｋ層１０の開口処理を行った後の構造を示しており、ビア４２及びトレンチ４４が完全に形成されており、銅で満たされる用意が整った状態を示している。図２２には、残存した直方体柱部２２の露出部が示されている。一方、図２３は、直方体柱部を構成するアモルファスカーボンを剥離させることにより、残存した直方体柱部２２が更に除去された後の装置を示している。
【００３６】
図２４Ａ及び図２４Ｂは、本発明の第３の実施形態を示す図であり、第１の実施形態の図１３Ａ及び図１３Ｂに対応する段階、および第２の実施形態の図２０に対応する段階を示す図である。本実施形態では、ビア同士が、比較的近くに位置している。そのため、３層マスク中のビア用の開口を分けて形成する必要はない。代わりに、図２４Ｂに示されるように、ＯＰＬ５８に設けられた単一の細長い開口により、中央のサイドウォールスペーサ２８と共に、ハードマスク層１４及び絶縁層２４に設けられた近接するビア群を規定することができる。この技術は、「バービア」と呼ばれる。本実施形態は、第１の実施形態及び第２の実施形態の夫々に変形して用いることも可能である。
【００３７】
上述の技術により、メタルハードマスクの厚みを従来技術よりも小さくした上で、ビアをより正確に形成することが可能になる。若しくは、ハードマスク層に対して高い選択性を有するＳＡＶエッチング条件を用いることなく、メタルハードマスクの厚みを従来技術と同等とすることができる。
【００３８】
本発明について様々な実施形態について説明したが、これらの実施形態は、本発明の単なる例示に過ぎず、添付の特許請求の範囲のスコープ及び思想を限定して解釈するために用いてはならない。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
溝領域を規定する第１パターンを有する第１マスクを、サイドウォールイメージの転写により、半導体装置の層間膜に設けられた金属膜上に形成する工程と、
前記第１パターンに重なる少なくとも一つの開口を有する第２マスクを、平面図で見た場合に、前記開口が前記溝領域に重なるように、前記第１マスク上に形成し、第２パターンを形成する工程と、
前記第１及び第２マスクを介して、前記層間膜をエッチングし、前記第１パターンを前記層間膜に転写させる工程と、
前記第２マスクを介して前記層間膜をエッチングし、前記第２パターンを前記層間膜に転写させる工程と、
を具備し、
前記第１パターンは、前記層間膜に、前記第２パターンとは異なる深さで形成される
半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載された半導体装置の製造方法であって、
前記第１パターンは、前記層間膜の厚さの途中まで伸びる連続した溝として、前記層間膜に転写される
半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載された半導体装置の製造方法であって、
前記第２パターンは、前記層間膜の厚さ全体を通じて延びるビアとして、前記層間膜に転写される
半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載された半導体装置の製造方法であって、
前記第１マスクは、リソグラフィにより複数の直方体柱部を形成し、前記直方体柱部に絶縁材料を塗布し、前記絶縁材料による前記直方体柱部のサイドウォールが残るように前記絶縁材料を選択的に除去し、前記サイドウォールを残したまま前記直方体柱部を除去することにより、形成される
半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載された半導体装置の製造方法であって、
前記サイドウォールの厚み及びスペースの少なくとも一方は、前記リソグラフィの実行時における解像度以下である
半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項４に記載された半導体装置の製造方法であって、
前記直方体柱部は、化学蒸着又はスピンーオン法により堆積された有機材料である
半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載された半導体装置の製造方法であって、
前記直方体柱部は、アモルファスカーボンにより形成される
半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１に記載された半導体装置の製造方法であって、
前記層間膜中における前記第１及び第２パターンは、銅により埋め込まれる
半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１に記載された半導体装置の製造方法であって、
前記第２マスクは、上層のフォトレジスト層、及び、下層の有機平坦化層を備えている
半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１に記載された半導体装置の製造方法であって、
更に、
前記第２マスクを形成する前に、前記第１マスクを覆う第３マスクを形成する工程、
を具備し、
前記第３マスクは、前記第１パターンが形成される領域を露出させ、前記第１パターンが形成されない領域を被覆する
半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１に記載された半導体装置の製造方法であって、
更に、
前記第１マスクが形成される前に、前記第１マスクとなる酸化層を被覆する第３マスクを形成する工程と、ここで、前記第３マスクは、前記第１パターンが形成される領域を露出させ、前記第１パターンが形成されない領域を被覆するように、形成され、
前記第３マスクを介して前記酸化層を選択的に除去することにより、前記第１マスクを形成する工程と、
を具備し、
前記酸化膜は、前記第１パターンが形成されない領域において、除去されない
半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１に記載された半導体装置の製造方法であって、
前記第２マスクは、複数の開口を備え、
前記複数の開口の各々は、前記第１マスクと共に、単一のビアパターンを規定する
半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１に記載された半導体装置の製造方法であって、
前記第２マスクは、前記第１マスクと共に、隣接する一連のビアパターンを規定する、細長い開口を備えている
半導体装置の製造方法。
【請求項１】
溝領域を規定する第１パターンを有する第１マスクを、サイドウォールイメージの転写により、半導体装置の層間膜に設けられた金属膜上に形成する工程と、
前記第１パターンに重なる少なくとも一つの開口を有する第２マスクを、平面図で見た場合に、前記開口が前記溝領域に重なるように、前記第１マスク上に形成し、第２パターンを形成する工程と、
前記第１及び第２マスクを介して、前記層間膜をエッチングし、前記第１パターンを前記層間膜に転写させる工程と、
前記第２マスクを介して前記層間膜をエッチングし、前記第２パターンを前記層間膜に転写させる工程と、
を具備し、
前記第１パターンは、前記層間膜に、前記第２パターンとは異なる深さで形成される
半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載された半導体装置の製造方法であって、
前記第１パターンは、前記層間膜の厚さの途中まで伸びる連続した溝として、前記層間膜に転写される
半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載された半導体装置の製造方法であって、
前記第２パターンは、前記層間膜の厚さ全体を通じて延びるビアとして、前記層間膜に転写される
半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載された半導体装置の製造方法であって、
前記第１マスクは、リソグラフィにより複数の直方体柱部を形成し、前記直方体柱部に絶縁材料を塗布し、前記絶縁材料による前記直方体柱部のサイドウォールが残るように前記絶縁材料を選択的に除去し、前記サイドウォールを残したまま前記直方体柱部を除去することにより、形成される
半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載された半導体装置の製造方法であって、
前記サイドウォールの厚み及びスペースの少なくとも一方は、前記リソグラフィの実行時における解像度以下である
半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項４に記載された半導体装置の製造方法であって、
前記直方体柱部は、化学蒸着又はスピンーオン法により堆積された有機材料である
半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載された半導体装置の製造方法であって、
前記直方体柱部は、アモルファスカーボンにより形成される
半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１に記載された半導体装置の製造方法であって、
前記層間膜中における前記第１及び第２パターンは、銅により埋め込まれる
半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１に記載された半導体装置の製造方法であって、
前記第２マスクは、上層のフォトレジスト層、及び、下層の有機平坦化層を備えている
半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１に記載された半導体装置の製造方法であって、
更に、
前記第２マスクを形成する前に、前記第１マスクを覆う第３マスクを形成する工程、
を具備し、
前記第３マスクは、前記第１パターンが形成される領域を露出させ、前記第１パターンが形成されない領域を被覆する
半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１に記載された半導体装置の製造方法であって、
更に、
前記第１マスクが形成される前に、前記第１マスクとなる酸化層を被覆する第３マスクを形成する工程と、ここで、前記第３マスクは、前記第１パターンが形成される領域を露出させ、前記第１パターンが形成されない領域を被覆するように、形成され、
前記第３マスクを介して前記酸化層を選択的に除去することにより、前記第１マスクを形成する工程と、
を具備し、
前記酸化膜は、前記第１パターンが形成されない領域において、除去されない
半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１に記載された半導体装置の製造方法であって、
前記第２マスクは、複数の開口を備え、
前記複数の開口の各々は、前記第１マスクと共に、単一のビアパターンを規定する
半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１に記載された半導体装置の製造方法であって、
前記第２マスクは、前記第１マスクと共に、隣接する一連のビアパターンを規定する、細長い開口を備えている
半導体装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３Ａ】
【図１３Ｂ】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４Ａ】
【図２４Ｂ】
【図２５】
【図２６Ａ】
【図２６Ｂ】
【図２７Ａ】
【図２７Ｂ】
【図２８Ａ】
【図２８Ｂ】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３Ａ】
【図１３Ｂ】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４Ａ】
【図２４Ｂ】
【図２５】
【図２６Ａ】
【図２６Ｂ】
【図２７Ａ】
【図２７Ｂ】
【図２８Ａ】
【図２８Ｂ】
【公開番号】特開２０１２−２０９５５２（Ｐ２０１２−２０９５５２Ａ）
【公開日】平成２４年１０月２５日（２０１２．１０．２５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−６４４３５（Ｐ２０１２−６４４３５）
【出願日】平成２４年３月２１日（２０１２．３．２１）
【出願人】（３０２０６２９３１）ルネサスエレクトロニクス株式会社 (8,021)
【出願人】（３９０００９５３１）インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション (4,084)
【氏名又は名称原語表記】ＩＮＴＥＲＮＡＴＩＯＮＡＬ ＢＵＳＩＮＥＳＳ ＭＡＳＣＨＩＮＥＳ ＣＯＲＰＯＲＡＴＩＯＮ
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１０月２５日（２０１２．１０．２５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年３月２１日（２０１２．３．２１）
【出願人】（３０２０６２９３１）ルネサスエレクトロニクス株式会社 (8,021)
【出願人】（３９０００９５３１）インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション (4,084)
【氏名又は名称原語表記】ＩＮＴＥＲＮＡＴＩＯＮＡＬ ＢＵＳＩＮＥＳＳ ＭＡＳＣＨＩＮＥＳ ＣＯＲＰＯＲＡＴＩＯＮ
【Ｆターム（参考）】
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