【課題】段差を有する膜構造を高精度にエッチングするプラズマ処理装置またはドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】真空容器１０７と、この真空容器内部の処理室内に配置されその上面にエッチング対象のウェハ１１２が載せられる下部電極１１３と、下部電極１１３にバイアス電位を形成するための高周波電力を供給するバイアス印加装置１１８，１２０と、前記処理室内に反応性ガスを導入するガス供給手段１１１と、前記処理室内にプラズマを生成するための電界を供給する電界供給手段１０１〜１０３と、前記高周波電力により前記ウェハ１１２に入射する前記プラズマ中のイオンのエネルギーの分布を調節する調節装置１２７とを備えたプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】エッチング深さが異なる形状を簡単に、且つ精度よく加工できる半導体素子の作製方法を提供する。
【解決手段】開口部幅の異なる領域毎に、半導体のエッチングの進行、またはポリマーの生成のどちらか一方のみが発現するように前記開口部幅が設定された開口部を有するマスク１９００を半導体表面に形成すると共に、マスクの周辺に周辺窓１７０１を有する周辺マスク１７００を形成する第１の工程と、メタンプラズマおよび水素プラズマをマスクが形成された半導体表面に照射する第２の工程を有し、マスク１９００が、第１のパターンを有す第１のマスク部１９１０と、第１のマスク部上に形成され、第１のマスク部のマスク厚よりも厚く、第１のパターンの開口部幅を画定する第２のパターンを有す第２のマスク部１９２０とからなり、周辺マスクの窓領域が第１のパターンの回折格子方向周辺に配されるようにした。 （もっと読む）

【課題】エッチング加工により高アスペクト比の構造体の形成が可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】異なる材料からなる複数の膜を積層して少なくとも酸化シリコン膜を含む積層膜を形成する工程と、前記積層膜上にハードマスクパターンを形成する工程と、前記ハードマスクパターンをエッチングマスクに用いて前記積層膜を異方性エッチングして所定の形状の積層膜パターンを形成する工程と、前記ハードマスクパターンを除去する工程と、を含み、前記ハードマスクパターンは、第１ハードマスク層と第２ハードマスク層とが少なくとも１層ずつ以上積層されて構成され、前記第１ハードマスク層は、前記第２ハードマスク層よりもウェットエッチングによる剥離性が良い材料からなり、前記積層膜の直上には前記第１ハードマスク層が配置される。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比のホールやトレンチの多段構造を高い加工精度で容易に形成することができるシリコン構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンからなる基材１に凹部４の一部である初期凹部４ａを形成する初期凹部形成工程と、初期凹部４ａの凹部側壁４２ａに保護膜を形成する保護膜形成工程と、凹部側壁４２ａの保護膜に隣接した基材１の一部を隔壁１２として残存させて、初期凹部４ａに隣接する周回領域の基材１を深さ方向に異方性エッチングするエッチング工程と、残存した突起状の隔壁を酸化してシリコン酸化物を形成する突起状隔壁酸化工程と、酸化した突起状の隔壁を除去する突起状隔壁除去工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】無機膜をマスクとして有機膜をエッチングする場合に、ボーイング等のエッチング形状不良を生じさせずにエッチングすることができるプラズマエッチング方法を提供すること。
【解決手段】処理容器内に、その表面がシリコン含有物からなる上部電極と、被処理基板が載置される下部電極とが配置され、上部電極と下部電極との間にプラズマを形成して被処理基板に対してプラズマエッチングを行うプラズマエッチング装置を用い、無機膜をマスクとして被処理基板の有機膜をプラズマエッチングするにあたり、有機膜を途中までプラズマエッチングし、その後、プラズマを形成しつつ上部電極に負の直流電圧を印加して、エッチング部位の側壁に上部電極のシリコン含有物を含む保護膜を形成し、その後、プラズマエッチングを継続する。 （もっと読む）

【課題】より良質な膜を形成する。
【解決手段】実施形態の膜形成方法は、下地の上に設けられた酸素及び窒素の少なくともいずれかを含む膜の表面に、酸素及び窒素の少なくともいずれかを含むイオン化されたガスクラスタを照射して、前記ガスクラスタを照射した後の前記膜の密度を前記ガスクラスタを照射する前の前記膜の密度よりも高くする。 （もっと読む）

【課題】同一ウエハ面内でエッチング深さが異なる形状を容易に加工することができる半導体素子の作製方法を提供する。
【解決手段】開口部幅の異なる領域毎に、半導体表面のエッチングが進行する第１の状態、または半導体表面にポリマーが生成される第２の状態のどちらか一方のみが発現するように前記開口部幅が設定された開口部１９０２，１９０３，１９０４を有するマスク１９００を半導体１８０１表面に形成すると共に、マスク１９００の周辺にマスクの開口部に供給される水素プラズマ濃度を制御するための周辺窓を有する周辺マスクを形成する第１の工程と、メタンプラズマおよび水素プラズマをマスクが形成された半導体表面に照射する第２の工程を有するようにした。 （もっと読む）

【課題】表面の凹凸を抑制して同一面内でエッチング深さが異なる形状を容易に加工することができる半導体素子の作製方法を提供する。
【解決手段】酸素プラズマを所定の拡散距離に対して、開口部幅の異なる領域毎に、半導体表面のエッチングが進行する第１の状態、または半導体表面にポリマーが生成される第２の状態のどちらか一方のみが発現するように前記開口部幅が設定された開口部１９０１を有するマスク１９００を半導体表面に形成する第１の工程と、メダンプラズマをマスク１９００が形成された半導体表面に照射しつつ、酸素プラズマをマスクの端部にて所定の濃度で前記開口部の幅方向においてマスク１９００の端部から開口部へ拡散させる第２の工程を有するようにした。 （もっと読む）

【課題】下部ＤＢＲ反射鏡等を構成するＡｌ組成の高いＡｌＧａＡｓ、ＡｌＡｓ等の層の側面からの酸化を防ぐ構造を有する面発光型レーザ技術の提供。
【解決手段】半導体基板の表面上に、下部反射鏡と活性層と電流狭窄層と上部反射鏡とをエピタキシャル成長により形成する半導体層形成工程（ステップＳ１０１）と、半導体層形成工程により形成された半導体膜の一部をエッチングすることによりメサ構造を形成するメサ構造形成工程（ステップＳ１０２）と、半導体層形成工程により形成された半導体膜を半導体基板の表面までエッチングすることにより素子分離溝を形成する素子分離溝形成工程（ステップＳ１０３）と、素子分離溝の壁面、メサ構造の上面および側面に半導体材料からなる再成長層を形成する再成長層形成工程（ステップＳ１０４）と、再成長層上に、絶縁体からなる保護膜を形成する保護膜形成工程（ステップＳ１０５）とを有する。 （もっと読む）

【課題】同一ウエハ面内で素子ごとにエッチング深さが異なる形状を簡単に、且つ精度よく加工することができる半導体素子の作製方法を提供する。
【解決手段】開口部幅の異なる領域毎に、半導体表面のエッチングが進行する第１の状態か、半導体表面にポリマーが生成される第２の状態のどちらか一方のみが発現するように前記開口部幅が設定された開口部１９０１を有する第一のマスク１９００を半導体表面に形成すると共に、第一のマスクの周辺に第一のマスクの開口部に供給される水素プラズマ濃度を制御するための第二のマスクを形成する第１の工程と、メタンプラズマおよび水素プラズマを第一のマスク１９００および第二のマスクが形成された半導体表面に照射する第２の工程を有するようにした。 （もっと読む）

【課題】被エッチング膜の上に積層された、有機膜と、その有機膜の上に積層されたレジストパターンが開口したレジスト膜とを備える、被エッチング膜のエッチングマスクとなる複数層レジストの前記有機膜に、高い垂直性を有するマスクパターンを形成すること。
【解決手段】前記複数層レジストの前記有機膜を、二酸化炭素と水素とを含む処理ガスをプラズマ化して得たプラズマにより前記レジストパターンに沿ってエッチングして、前記被エッチング膜をエッチングするためのマスクパターンを形成する。実験により複数層レジストを構成する有機膜に垂直性が高いマスクパターンを得ることができることが示されている。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉを含まない化学構造を有する有機化合物である重合性化合物の重合体を含む材料で構成された絶縁膜を備え、誘電率の増大の問題が防止された信頼性の高い半導体装置を効率よく製造することができる製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、素子が形成された半導体基板を被覆するように、Ｓｉを含まない化学構造を有する有機化合物である重合性化合物の重合体を含む材料で構成された絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、窒素系ガスを用いて前記絶縁膜をプラズマエッチングする窒素系エッチング工程と、前記窒素系エッチング工程が施された前記絶縁膜の窒素含有率を低減させる窒素含有率低減工程とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉを含まない化学構造を有する有機化合物である重合性化合物の重合体を含む材料で構成された絶縁膜を備え、誘電率の増大の問題が防止された信頼性の高い半導体装置を効率よく製造することができる製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、素子が形成された半導体基板を被覆するように、Ｓｉを含まない化学構造を有する有機化合物である重合性化合物の重合体を含む材料で構成された絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、窒素系ガスを用いて前記絶縁膜をプラズマエッチングする窒素系エッチング工程と、前記窒素系エッチング工程が施された前記絶縁膜の酸素含有率を低減させる酸素含有率低減工程とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】表面欠陥の発生を低減できて積層欠陥の発生を抑制でき、オン電圧ドリフトを抑制できるＳｉＣバイポーラ半導体素子を提供する。
【解決手段】このＳｉＣ ｐｉｎダイオード２０は、六方晶構造の炭化珪素半導体で作製され、メサ状の半導体層３１が六角柱形状で６つの側面(メサ面)３１Ａをすべて{０ｍ−ｍ０}面(ｍ,ｎは整数)とした。これにより、メサ面３１Ａに対する〈１１−２０〉方向のバーガーズベクトルＢＶ１,ＢＶ２の角度θ１,θ２(図４)が、{１１−２０}面の素子表面(メサ面)に対するバーガーズベクトルＢＶ１０１,ＢＶ１０２の角度θ１０１,θ１０２(図１２)に比べて小さくなると共に表面欠陥が発生するのに必要なバーガーズベクトルＢＶ１,ＢＶ２の長さが長くなる。これにより、メサ面３１Ａに表面欠陥ＳＤが入り難くなり、メサ状の半導体層３１の各メサ面３１Ａでの表面欠陥を低減できて、積層欠陥の発生を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】所望の微細化パターンを高精度かつ効率良く形成することができ、生産効率を向上させることのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】トリミングされたフォトレジスト層１０４のラインパターンの上に第１の膜１０５を成膜する工程と、前記ラインパターンの側壁部以外にある第１の膜１０５およびフォトレジスト層１０４を除去する工程と、該除去後に残った部分の第１の膜１０５をマスクとして反射防止膜１０３とコア層１０２をエッチングし、コア層１０２をラインパターンとする工程と、ラインパターン化コア層１０２の上に第２の膜１０６を成膜する工程と、ラインパターン化コア層１０２の側壁部以外にある第２の膜１０６およびラインパターン化コア層１０２を除去する工程と、該除去後に残った部分の第２の膜１０６をマスクとして被エッチング層１０１をエッチングし、ラインパターンとする工程とを備えた製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】エッチング層内に特徴をエッチングするための方法であって、エッチング層の上に配されたアモルファスカーボン又はポリシリコンのパターン化疑似ハードマスクに対するコンディショニングを提供する。
【解決手段】コンディショニングは、炭化水素ガスを含む無フッ素蒸着ガスを供給することと、無フッ素蒸着ガスからプラズマを形成することと、５００ボルト未満のバイアスを提供することと、パターン化疑似ハードマスクの上端上に蒸着を形成することとを含む。エッチング層は、パターン化疑似ハードマスクを通してエッチングされる。 （もっと読む）

【課題】エッチングレートを低下させることなくアスペクト比の高いホール等をシリコン層に形成することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】ウエハ上のポリシリコン層３８が臭化水素ガス、酸素ガス及び三弗化窒素ガスを含む処理ガスから生成されたプラズマ中の臭素陽イオン４５ａや臭素ラジカル４５ｂでエッチングされ、次いで、該エッチング中に生成された臭化珪素系デポ物４４が酸素ガス及び窒素ガスを含む処理ガスから生成されたプラズマ中の酸素ラジカル４６や窒素ラジカル４７で酸化処理されて酸化珪素に変成し、該酸化珪素がアルゴンガス及び三弗化窒素ガスを含む処理ガスから生成されたプラズマ中のフッ素陽イオン４８ａやフッ素ラジカル４８ｂで引き続きエッチングされることによって、ホール４３のエッチングレート低下が防止される。 （もっと読む）

【課題】被処理基板のエッチングにおける面内均一性を向上させるとともに、丸みのある滑らかな底面を有する素子分離用トレンチを形成することができる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板５１に素子分離用トレンチ５９を形成するためのパターニングが施されたハードマスク５７を形成する工程と、該ハードマスクをエッチング用マスクとして、希ガス、ハロゲンガス、および酸化性ガスを含むプロセスガスを供給し、所定の深さよりも浅い深さまでシリコン基板５１をエッチングする第一工程と、該第一工程の後に、希ガス、ハロゲンガス、酸化性ガス、および堆積性ガスを含むプロセスガスを、シリコン基板５１の中央領域および周縁領域にそれぞれ流量を制御して供給し、所定の深さＤ２までシリコン基板５１をエッチングして素子分離用トレンチ５９を形成する第二工程と、を備える製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】ブロック共重合体を用いて簡便にパターンを形成することが可能なパターン形成方法、及びパターン形成装置を提供する。
【解決手段】少なくとも２種類のポリマーを含むブロック共重合体の膜を基板に形成するステップと、前記ブロック共重合体の膜を加熱するステップと、加熱された前記ブロック共重合体の膜に紫外光を照射するステップと、紫外光の照射を経た前記ブロック共重合体の膜に現像液を供給するステップとを含むパターン形成方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】シリコン膜のエッチング時に膜厚方向中央部での括れの発生を防止する。
【解決手段】多結晶シリコン膜３の上部と下部はノンドープ層３ａ、３ｃにてそれぞれ構成され、多結晶シリコン膜３の中央部は不純物ドープ層３ｂにて構成され、多結晶シリコン膜３に凹部Ｍ１を形成した後、多結晶シリコン膜３の酸化処理にて凹部Ｍ１の表面にシリコン酸化膜６を形成し、凹部Ｍ１下の多結晶シリコン膜３を除去する。 （もっと読む）