【課題】半導体の構成原子の脱離による欠陥（Ｖ族原子空格子）の誘起または表面モフォロジーの劣化を生じさせずに、表面の凹凸を抑制して同一面内でエッチング深さが異なる形状を容易に加工することができる半導体素子の作製方法を提供する。
【解決手段】酸素プラズマを所定の拡散距離に対して、開口部幅の異なる領域毎に、半導体表面のエッチングが進行する第１の状態か、半導体表面にポリマーが生成される第２の状態のどちらか一方のみが発現するように前記開口部幅が設定された開口部１９０１を有するマスク１９００を半導体表面に形成する第１の工程と、メダンプラズマをマスク１９００が形成された半導体表面に照射しつつ、酸素プラズマを開口部１９０１の幅方向にてマスク１９００の端部から開口部へ所定の拡散距離にて拡散させる第２の工程を有するようにした。 （もっと読む）

【課題】実施の容易な、側壁イメージ転写により部分的に定義されるパターンを生成する方法を提供する。
【解決手段】基板１には、第１の材料２の層と、第１のエッチングマスク４と、カバリング層３と、第２のエッチングマスクとが設けられている。カバリング層３は、覆われた主領域と、覆われていない副領域とを有する。カバリング層３の副領域は、第２のエッチングマスクを介して部分的にエッチングされ、突出パターンが形成される。第３のエッチングマスクを定義する突出パターンの周囲に、横スペーサが形成される。第２のエッチングマスクは除去される。カバリング層３は、第３のエッチングマスクを用いてエッチングされ、カバリング層３における突出パターンが形成され、第１のエッチングマスク４および第１の材料２が露出される。第１の材料２の層は、エッチングされ、第１の材料２から作られるパターンが形成される。 （もっと読む）

【課題】半導体の構成原子の脱離による欠陥（Ｖ族原子空格子）の誘起または表面モフォロジーの劣化を生じさせずに、同一面内でエッチング深さが異なる形状を容易に加工することができる半導体素子の作製方法を提供する。
【解決手段】開口部幅の異なる複数の開口部を有するマスクを半導体層１８０１の表面上に形成し、開口部幅が同じ開口部毎に、前記マスク端での酸素プラズマ濃度が所定の濃度となるようにプラズマ条件（拡散距離または圧力）とマスク形状（開口部幅）を設定してエッチング（メタン／酸素プラズマ照射）を行い、同一面内でエッチング深さが異なる形状を加工する。 （もっと読む）

【課題】金属部材の劣化を抑えた集積回路装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る集積回路装置の製造方法は、ハロゲンを含むガスを用いて金属部材をエッチングする工程と、エッチングされた前記金属部材を大気に曝すことなく、前記金属部材のエッチング面を覆うようにシリコン酸化膜を形成する工程と、前記シリコン酸化膜を除去する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】エッチング面積を変えずにマスク面積を小さくする、同一面内でエッチング深さが異なる形状を容易に加工することができる半導体素子の作製方法を提供すること。
【解決手段】エッチングされる領域のマスク端からの距離は、マスク幅が１μｍ以上でほぼ一定の値を示す。このことは、マスク上のマスク端から１μｍまでの領域に存在する水素プラズマが開口部に拡散してエッチングに寄与することを示す。このとき、マスク上のマスク端から１μｍ以上の領域に存在する水素プラズマはエッチングに寄与することなくマスク上から脱離するものと考えられる。そのため、本発明の選択エッチングにおいてはマスクの幅は１μｍ以上あればエッチング領域のマスク端からの距離を十分に得られる。また、半導体素子の高密度集積における素子間隔が１０μｍ程度であることを考慮すると、マスク幅は１μｍ以上１０μｍ以下で有効である。 （もっと読む）

【課題】パターン疎密差の影響を受けないハードマスク形成法を提供する。
【解決手段】基板１０１上に、第１から第３の膜１１１，１１２，１１３およびレジスト層１１４を形成した後、疎部Ｒ１と密部Ｒ２が存在するパターンを前記レジスト層に形成して前記第３の膜をエッチングする。次に、前記第３の膜及び前記レジスト層をマスクとして、密部Ｒ２内では前記第２の膜が残存するが、疎部Ｒ１内では前記第１の膜が露出するまで、前記第２の膜を除去する。その後Ｃ_XＦ_YＨ_Zガスを使用して、第５の膜１１５を、疎部Ｒ１内に露出した前記第１の膜上に第１の膜厚Ｔ１で形成し、密部Ｒ２内に残存する前記第２の膜上には膜厚Ｔ１よりも薄い第２の膜厚Ｔ２で形成する。膜厚Ｔ１の前記第５の膜で疎部Ｒ１内に露出した前記第１の膜を保護しながら密部Ｒ２内に残存する前記第２の膜を除去し、最後に、前記第３から第５の膜を除去して前記第２の膜をハードマスクとする。 （もっと読む）

【課題】良好なエッチングの制御性を提供できる化合物半導体光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】III−Ｖ族化合物半導体からなる半導体基板上１０１にＧａを構成原子として含むコンタクト層１０５を形成し、コンタクト層１０５上にＧａを構成原子として含まないエッチングモニタ層１０６を形成し、エッチングモニタ層上にＧａを構成原子として含むカバー層１０７を形成する半導体層形成工程と、塩素系ガスを用いたドライエッチングにより、カバー層１０７及びエッチングモニタ層１０６を連続してエッチングするエッチング工程と、を含み、エッチング工程では、Ｇａの発光プラズマの波長成分の有無を観察することにより、ドライエッチングを停止するタイミングを制御することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】凹凸構造の角部分の形状変形を防いで固体表面の加工を行う。
【解決手段】上部にクラスター保護層が被覆形成された凸部とクラスター保護層が被覆形成されない凹部とでなる凹凸構造を固体表面に形成するクラスター保護層形成工程と、クラスター保護層形成工程において凹凸構造が形成された固体表面に対してガスクラスターイオンビームを照射する照射工程と、クラスター保護層を除去する除去工程とを有するガスクラスターイオンビームによる固体表面の加工方法とする。ガスクラスターイオンビームのドーズ量をｎ、クラスター保護層のエッチング効率を１クラスターあたりのエッチング体積Ｙとした場合に（但しａ及びｂは定数）、クラスター保護層の厚さＴは、


を満たす。 （もっと読む）

【課題】所定の層が水分などに一切曝されることない半導体装置の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】第１の膜、第２の膜及び第３の膜をこの順に積層して形成し、第３の膜上にレジストマスクを形成し、レジストマスクを用いて第３の膜をエッチングすることでマスク層を形成し、レジストマスクを薬液により除去し、マスク層を用いて第２の膜と第１の膜をドライエッチングすることで、第２の層と第１の層を形成し、少なくとも第２の層と第１の層を覆って第４の膜を形成し、第４の膜をエッチバックすることで、少なくとも第１の層の側面のすべてを覆ってサイドウォール層を形成することで薄膜素子を作製する。 （もっと読む）

【課題】２００〜５００ｎｍの厚さの磁性膜を高速エッチングし、良好な微細加工が可能なドライエッチング方法を提供することである。
【解決手段】本発明は厚さが２００ｎｍから５００ｎｍの磁性膜をドライエッチングするプラズマ処理方法において、レジスト膜と、前記レジスト膜の下層膜である非有機系の膜と、前記非有機系の膜の下層膜であるＣｒ膜と、前記Ｃｒ膜の下層膜であるＡｌ₂Ｏ₃膜とを含む積層膜を前記磁性膜の上に成膜した試料をドライエッチングすることを特徴とするプラズマ処理方法である。 （もっと読む）

【課題】高い光出力を保ちつつ、信頼性が改善された発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子は、発光層と、クラッド層と、電流拡散層と、第２の層と、電極と、を有する。クラッド層は、第１の導電形を有する。電流拡散層は、島状または網状の凸部および前記凸部に隣接して設けられた底部を含む表面を有する加工層と、前記加工層と前記クラッド層との間に設けられた第１の層と、を含む。電流拡散層は、第１の導電形の不純物濃度を有する。第２の層は、前記加工層と前記クラッド層との間に設けられ、前記電流拡散層の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有する領域、および前記電流拡散層のドーパントとは異なるドーパントを有する領域、のいずれかからなる第１の導電形を有する。電極は、前記加工層の前記表面のうち前記凸部および前記底部が設けられていない領域に設けられる。 （もっと読む）

【課題】本発明は光電素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による光電素子であって、表面及び表面と垂直する法線方向を有する基板と、基板の表面に位置して表面と接触する第一半導体層と、第一半導体層と基板の表面の間に位置する少なくとも一つの空洞構造とを有し、少なくとも一つの空洞構造は幅と高さを有し、幅は空洞構造における表面に平行する方向の最大寸法であり、高さは空洞構造における法線方向に平行する方向の最大寸法であり、高さは幅より小さい。 （もっと読む）

【課題】可能な限り従来の設備及び加工プロセスを継承してコストの上昇を抑制するも、Ｔａ含有の導電材料を難除去性の残留付着物を発生せしめることなく所望に加工し、容易且つ確実に信頼性の高い半導体装置を実現する。
【解決手段】半導体基板上に、Ｔａ含有層、ＴｉＮ層、及び多結晶シリコン膜等のドライエッチング可能な層を順次積層し、ＴｉＮ層をエッチングストッパーとして多結晶シリコン膜をドライエッチングして所定形状に残し、ＴｉＮ層及びＴａ含有層をＳＰＭ、ＡＰＭ等を用いてウェットエッチングして多結晶シリコン膜下で所定形状に残す。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板に設けられた穴の内部に導電体と誘電体を配置することにより、キャパシタを構成してなるキャパシタ構造体において、穴をより深くしたり、穴の平面形状を複雑な形状とすることなく、導電体間の対向面積を増加させて容量値の増大が実現できるようにする。
【解決手段】穴２０は、シリコン基板１０の一方の主面に開口する有底穴であり、穴２０の内部にはシリコン基板１０よりなる突起２１が設けられ、穴２０の底面は、突起２１による凹凸面とされており、穴２０の内部では、穴２０の底面および側面に、これらの面側から第１の導電体３１、誘電体４０、第２の導電体３２が順次積層されているとともに、第１の導電体３１および誘電体４０は、突起２１による凹凸面の形状を承継した層形状とされている。 （もっと読む）

【課題】露光装置の解像限界よりも微細な非周期的な部分を含むパターンを、露光装置を用いて形成する。
【解決手段】パターン形成方法は、ウエハＷ上に第１Ｌ＆Ｓパターン７１を形成し、第１Ｌ＆Ｓパターン７１を覆うように第１保護層４８、周期方向が直交する第２Ｌ＆Ｓパターン７８、及びフォトレジスト層６０を形成し、第２Ｌ＆Ｓパターン７８の一部と重なるように、フォトレジスト層６０に第１開口部６０Ａ，６０Ｂを有する第３パターンを形成し、第１開口部６０Ａ，６０Ｂを介して第１保護層４８に第２開口部４８Ａ，４８Ｂを形成し、第２開口部４８Ａ，４８Ｂを介して第１Ｌ＆Ｓパターン７１の一部を除去する。 （もっと読む）

【課題】反転ＮＩＬ技術を使用した無機化合物膜のエッチング方法および半導体光素子の製造方法において、エッチングマスクのラインエッジラフネスを向上させる。
【解決手段】この方法は、基板生産物３０上に形成された絶縁膜２５上に樹脂層２７を形成したのち、所定パターンを有するモールドを樹脂層２７に押し付ける工程と、Ｓｉを含む樹脂層２８によって樹脂層２７を覆ったのち、ＣＦ_４ガス及び酸素ガスを用いたＲＩＥによって樹脂層２８をエッチングして樹脂層２７を露出させるエッチバック工程と、樹脂層２７を選択的にエッチングして絶縁膜２５を露出させる工程と、樹脂層２８をマスクとして絶縁膜２５をエッチングすることにより、所定パターンを絶縁膜２５に形成する工程とを含む。ＲＩＥは、自己バイアスを印加しながら行うことにより、エッチングにより生じるＳｉ生成物を除去しながら行われる。 （もっと読む）

【課題】高輝度化の半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、第１電極層と、第２電極層と、を備える。第１電極層は、第２半導体層の第１半導体層とは反対側に設けられ、第２半導体層と接する金属部と、第１半導体層から第２半導体層に向かう方向に沿って金属部を貫通し前記方向に沿って見たときの形状の円相当直径が１０ナノメートル以上５マイクロメートル以下である複数の開口部と、を有する。第２電極層は、第１半導体層と導通する。第２半導体層は、金属部に接する凸部と、開口部の底部において凸部よりも前記方向に沿って後退した凹部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】マスクの新規な作製技術を含む半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板上方に、第１の膜を形成する工程と、第１の膜上方に、第１マスク膜を形成する工程と、第１マスク膜をパターニングする工程と、パターニングされた第１マスク膜の側部にプラズマ処理を行って、側部を変質層に変換する工程と、プラズマ処理の後、第１マスク膜の上部及び側部を覆う第２マスク膜を形成する工程と、第２マスク膜をエッチングして、側部に形成された第２マスク膜を残存させつつ、第１マスク膜上部に形成された第２マスク膜を除去する工程と、第２マスク膜のエッチングの後、変質層を除去する工程と、変質層を除去した後、残った部分の第１マスク膜、及び第２マスク膜をマスクとして、第１の膜をエッチングする工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】少なくとも表層が窒化ガリウムから成る被処理基板をドライエッチングする方法であって、平滑なエッチング面が得られ、且つ、良好な再現性をもってエッチングできるドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】本発明は、少なくとも表層が窒化ガリウムで構成された被処理基板を、塩素ガスをプラズマ状態に励起することによりエッチングする際に、前記塩化ガスから発生されたプラズマにより、アルミニウムラジカル及び塩化アルミニウムラジカルを発生する窒化アルミニウム（AlN）を含む物質を存在させた状態でエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法である。 （もっと読む）

【課題】側壁部の形成の基礎となるパターンをレジストにより形成する場合であっても、側壁部の傾きを抑制できる微細パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成されたエッチング対象層の上に有機膜を形成する有機膜形成ステップと、有機膜上にレジスト膜を形成し、このレジスト膜をパターニングするパターニングステップと、パターニングされたレジスト膜から露出する有機膜と、パターニングされたレジスト膜とを覆うように酸化シリコン膜を常温にて堆積する堆積ステップと、基板を加熱して酸化シリコン膜に引っ張り応力を生じさせる加熱ステップと、処理ステップの後に、パターニングされたレジスト膜の側壁に酸化シリコン膜が残るように当該酸化シリコン膜をエッチングする第１のエッチングステップと、パターニングされたレジスト膜を除去する除去ステップとを含む、微細パターンの形成方法が開示される。 （もっと読む）