【課題】塗布、現像装置のスループットの低下を抑えると共に、装置の設置面積を抑えることができる技術を提供すること。
【解決手段】処理ブロックは、キャリアブロック側の加熱系のブロックと、液処理系の単位ブロック群と、インターフェイスブロック側の加熱ブロックと、をキャリアブロック側からインターフェイスブロック側にこの順番で配置し、前記液処理系の単位ブロック群は、反射防止膜用の単位ブロックと、レジスト膜用の単位ブロックと、上層膜用の単位ブロックと、をこの順で上側に積層した塗布膜用の単位ブロック群と、この塗布膜用の単位ブロック群に対して互いに上下に積層された現像用の単位ブロックと、から構成され、液処理系の各単位ブロックで液処理モジュールは基板の搬送路の左右両側に配置されるように装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】塗布、現像装置のスループットの低下を抑えると共に装置の設置面積を抑えること。
【解決手段】処理ブロックは、キャリアブロック側に配置される液処理系の単位ブロック群と、この液処理系の単位ブロック群のインターフェイスブロック側に配置された加熱系のブロックと、を備え、液処理系の単位ブロック群は、第１の単位ブロックと第２の単位ブロックとをこの順で上側に積層した積層体と、この積層体に対して互いに上下に積層され、露光後の基板を現像するための現像用の単位ブロックを互いに上下に積層した積層体と、から構成され、前記第１の単位ブロックは、反射防止膜モジュールと、レジストモジュールと、を基板の搬送路の左右に備え、前記第２の単位ブロックは、上層膜モジュールと、硬化モジュールと、を基板の搬送路の左右に備える。 （もっと読む）

【課題】角形の基板に形成される塗布膜の基板縁部に生じるフリンジを抑制すると共に、フリンジの除去を容易にし、基板の使用領域の拡大を図れるようにすること。
【解決手段】角形の基板Ｇの表面に処理液を供給して所定の処理を施す液処理装置において、基板を水平に保持すると共に、基板を鉛直軸回りに回転させるスピンチャック１１と、スピンチャックに保持された基板の表面に処理液を供給する供給ノズル２０と、スピンチャックに保持された基板の各辺の外方近傍に設けられると共に、上面平坦部３１ａを有する下部整流部材３１と、下部整流部材の上方に位置し、下部整流部材の上面平坦部と協働して平行な流路空間３４を形成する下面平坦部３２ａを有する上部整流部材３２とを具備する気流調整部３０と、スピンチャックの周縁の外側を包囲すると共に、気流調整部に形成される流路空間の外側近傍に吸引口４７が開口する吸引流路４６を有するカップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】ワークへの保護膜形成やワークからの保護膜除去の際に、当該処理に伴い発生する保護膜成分を含む液滴のワーク搬送機構等の可動部への飛散を抑え、可動部の固着を防止すること。
【解決手段】レーザー加工装置１は、上面に開口部２７を有する筐体２８と、ウェーハＷを保持すると共に筐体２８内部に収容可能な保護膜形成・除去用テーブル２６と、筐体２８内部に設けられたウェーハＷの被加工面を洗浄する洗浄用ノズル３２と、ウェーハＷの洗浄の際に開口部２７を覆うシャッター機構３０とを備える。シャッター機構３０は、開口部２７を被覆可能なシート部材３３と、シート部材３３が巻回される巻回ローラ３４と、シート部材３３の先端部を保持し、筐体２８上面に設けられた一対のガイドレール３５、３５上を、開口部２７を開放する開放位置と開口部２７を閉塞する閉塞位置との間でスライド可能なシート部材保持部３６と、を有する。 （もっと読む）

【課題】基板に塗布される液状体の厚さをより均一にすること。
【解決手段】所定の吐出領域に液状体を吐出するノズルを有する塗布部と、前記吐出領域を通過するように前記基板を浮上させて搬送する基板搬送部と、前記基板搬送部に設けられ、前記吐出領域での前記基板の浮上量を検出する検出部とを備える。 （もっと読む）

【課題】熱板の強度を低下させたり、装置コストを増大させることなく、基板間における塗布膜の特性の変動を防止しつつ、基板を処理する処理時間を短縮することができる、熱処理方法及び熱処理装置を提供する。
【解決手段】熱板の設定温度を第１の温度Ｔ１から第２の温度Ｔ２に変更し、熱板の温度が第２の温度Ｔ２に到達する前に、熱板による基板群の最初の基板の熱処理を開始し、熱処理を開始した後の熱板の温度データを取得し、熱板の温度が第２の温度Ｔ２に到達する際に、取得した熱板の温度データに基づいて、熱板の設定温度を第２の温度Ｔ２から変更し、第２の温度Ｔ２から設定温度が変更された熱板により最初の基板を熱処理する第１の工程Ｓ１４〜Ｓ１６と、最初の基板の熱処理の後、熱板の設定温度を第２の温度Ｔ２に戻し、熱板の温度が第２の温度Ｔ２に保持されている状態で、熱板により基板群の次の基板を熱処理する第２の工程Ｓ１７とを有する。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置の設置面積を増大させることなく、スループットを向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】横方向に並べられる２つの主搬送機構Ｔ_１、Ｔ_２を含む基板処理列と、横方向に並べられる２つの主搬送機構Ｔ_３、Ｔ_４を含む基板処理列とを上下に設けている。各主搬送機構Ｔ_１、Ｔ_２、Ｔ_３、Ｔ_４には基板Ｗを処理する複数の処理ユニットが設けられている。そして、各階層の基板処理列において、主搬送機構Ｔが対応する処理ユニットに基板Ｗを搬送しつつ横方向に隣接する他の主搬送機構Ｔに基板Ｗを受け渡す。これにより、各基板処理列で並行して基板Ｗに一連の処理を行う。よって、基板処理装置の処理能力を向上させることができる。また、基板処理列を上下に設けているので、基板処理装置の設置面積が増大することを回避することができる。 （もっと読む）

【課題】処理雰囲気を適切に制御しつつ、金属混合液を用いて基板上に金属膜を適切に形成する。
【解決手段】塗布処理装置の塗布ノズル７０には、金属錯体と溶媒を供給する液供給装置７１が接続されている。液供給装置７１は、内部に金属錯体を貯留する金属供給源１００と、内部に溶媒を貯留する溶媒供給源１１０と、金属供給源１００と塗布ノズル７０とを接続する金属供給管１０４と、溶媒供給源１１０と塗布ノズル７０とを接続する溶媒供給管１１４と、内部に不活性ガスを貯留するガス供給源１２０と、ガス供給源１２０と金属供給管１０４とを接続する第１のガス供給管１２１と、ガス供給源１２０と溶媒供給管１１４とを接続する第２のガス供給管１２３と、を有している。塗布処理装置の内部を減圧する前に、液供給装置７０から塗布ノズル７０へ不活性ガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】基板の搬送台を用いることなく簡単な構成で基板のロード／アンロードを行うと共に、露光むらを抑制し、かつ、チャックを軽量化する。
【解決手段】チャック１０の表面に、複数の土手１１を設け、複数の土手１１により複数の真空区画１２とチャックの幅に渡る複数の非真空区画１３とを形成する。高さが複数の土手１１より低い複数の細長い基板支持部材３２をチャック１０の幅に渡ってチャック１０の非真空区画１３に配置し、複数の基板支持部材３２の両端をチャック１０の幅より大きな幅を有するフレーム３０に取り付ける。フレーム３０を上昇させ、基板１を複数の基板支持部材３２により支持してチャック１０から持ち上げ、フレーム３０を下降させ、複数の基板支持部材３２により支持された基板１をチャック１０に搭載する。 （もっと読む）

【課題】単位ブロックに異常が発生したり、メンテナンスを行うときに、塗布、現像装置のスループットの低下を抑えると共に処理ブロックの設置面積を抑えること。
【解決手段】積層された前段処理用の単位ブロックと、各々対応する積層された後段処理用の単位ブロックとの間に設けられ、両単位ブロックの搬送機構の間で基板の受け渡しを行うための塗布処理用の受け渡し部と、各段の塗布処理用の受け渡し部の間で基板の搬送を行うために昇降自在に設けられた補助移載機構と、前記前段処理用の単位ブロック、後段処理用の単位ブロック各々に積層された現像処理用の単位ブロックとを備える塗布、現像装置を構成する。各層間で基板を受け渡せるので、使用不可になった単位ブロックを避けて基板を搬送することができる。また、現像用の単位ブロックが、前段処理用及び後段処理用の単位ブロックに積層されているので、設置面積が抑えられる。 （もっと読む）

【課題】単位ブロックに異常が発生したり、メンテナンスを行うときに、塗布、現像装置のスループットの低下を抑えると共に処理ブロックの設置面積を抑えること。
【解決手段】積層された前段処理用の単位ブロックと、各々対応する積層された後段処理用の単位ブロックとの間に設けられ、両単位ブロックの搬送機構の間で基板の受け渡しを行うための塗布処理用の受け渡し部と、各段の塗布処理用の受け渡し部の間で基板の搬送を行うために昇降自在に設けられた補助移載機構と、前記前段処理用の単位ブロックに積層された現像処理用の単位ブロックとを備える塗布、現像装置を構成する。各層間で基板を受け渡せるので、使用不可になった単位ブロックを避けて基板を搬送することができる。また、現像用の単位ブロックと前段処理用の単位ブロックとが積層されているので設置面積が抑えられる。 （もっと読む）

【課題】フォトマスク石英基板の現像においてパターン線幅の面内均一性を改善する手段として、現像液の液盛りを形成した初期工程で液の攪拌を行うものであり、円形状の液盛りを保持しながら、スピンチャックが回転する現像装置及びそれを用いた現像方法を提供する。
【解決手段】フォトマスク石英基板のスピンチャックに円形状ガイドを有し、独立して昇降する基板保持プレートとスピンチャックが回転する構造を特徴とし、現像液の液盛りを円形状ガイド上に形成させた後、パドル状態を維持したままスピンチャックが基板を保持して、回転と停止を繰り返す動作を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】処理ブロックの設置面積を抑えると共に装置の稼働効率の低下を抑えることができる技術を提供すること。
【解決手段】検査モジュールによる検査で基板に異常が検出されたときに、記憶部に記憶されたデータに基づいて、後続の基板の搬送モードを、モードＭ１及びＭ２から選択するためのモード選択部を備えるように塗布、現像装置を構成する。前記モードＭ１は、現像処理用の単位ブロックにおける基板が処理されたモジュールを特定し、後続の基板を、特定されたモジュール以外のモジュールに搬送するように単位ブロック用の搬送機構の動作を制御するモードであり、前記モードＭ２は、基板が処理された現像処理用の単位ブロックを特定し、後続の基板を、特定された現像処理用の単位ブロック以外の現像処理用の単位ブロックに搬送するように受け渡し機構の動作を制御するモードである。 （もっと読む）

【課題】流体圧源の消費電力を低減させつつ、適切に駆動部にかかる負荷を低減させることができる処理装置等の技術を提供すること。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置１００は、処理室１０と、処理室１０内で被処理基板１を保持する保持機構４０と、保持機構４０を昇降させる昇降機構５０とを備える。昇降機構５０は、保持機構４０を支持し、保持機構４０を昇降させる昇降台５１と、昇降台５１を昇降させる駆動部６０と、シリンダ７０と、シリンダ７０に圧力油を供給するアキュムレータ８２を含む油圧回路８０とを有する。シリンダ７０は、アキュムレータ８２から圧力油が供給されることで、昇降台５１等の重力や、処理室１０の内外の圧力差等に起因して、昇降台５１からボールネジ軸６２に作用する力に対抗する反力を発生する。これにより、油圧ポンプ８１の消費電力を低減させつつ、適切に駆動部６０にかかる負荷を低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】各製造装置の稼働率が低下することを抑制することができると共にリードタイムが増加することを抑制することができる搬送システムおよびその制御方法を提供する。
【解決手段】複数の製造装置１１〜６３のうち保管庫に保管されている未処理のカセットが最も多い製造装置を特定すると共に、当該カセットの数が閾値以上であるとき、特定した製造装置を特定製造装置に決定する特定製造装置決定部と、複数の搬送台車７１〜７９の中からカセットを搭載していない二台の空搬送台車のうち一方を特定製造装置の回収専用台車とすると共に他方を特定製造装置の搬入専用台車として所定の待機場所に待機させる空搬送台車制御部と、回収専用台車に特定製造装置で処理された処理済のカセットを回収させると共に、搬入専用台車に保管庫に保管されている未処理のカセットを特定製造装置に搬入させる搬送命令部と、を備える搬送システムとする。 （もっと読む）

【課題】稼動速度で基板の載置位置が正常であるか否かを確実に検出すること。
【解決手段】基板を保持して搬送する水平、鉛直方向の移動及び鉛直軸回りに回転自在な搬送アームＡ３と、搬送アームとの間で基板を受け渡しすると共に、基板を載置して処理を施す熱処理装置７０と、歪み量を測定する歪みセンサを同心円上の等間隔の位置に複数個備える、基板と同形状の歪みセンサ付きウエハＷＡと、搬送アーム及び熱処理装置の駆動部を制御すると共に、歪みセンサからの検出データを入力し、入力された検出データと予め記憶された正常動作時の歪みデータ標準データとを比較解析する判別部８０Ａを備える制御部８０と、を具備し、歪みセンサ付きウエハを搬送アームから熱処理装置へ受け渡すとき、又は熱処理装置が歪み測定用基板を載置するときに、判別部によって歪みセンサからの検出データの値が正常であるか否かを判定し、その判定結果を制御部に伝達する。 （もっと読む）

【課題】スループットを向上させ、処理タイミングを管理することができる基板処理システムを提供すること。
【解決手段】処理装置群に対して管理を行うグループコントローラを設ける。グループコントローラは、キャリア内の基板に対し順次複数の処理装置により処理を行ったときに最終の処理装置の処理終了時点が最も早い処理装置の組み合わせを、基板の処理レシピ及び処理状況に基づいて決定するステップと、前記処理装置の組み合わせにおいて、予め決めた一の処理装置によるロットの処理終了時点から、予め決めた下流側の処理装置による処理開始時点までの予測経過時間を、基板の処理レシピ及び処理状況に基づいて決定し、予測経過時間が設定時間内に収まるように前記一の処理装置または上流側の処理装置に基板を払い出すタイミングを決定するステップと、を行う。 （もっと読む）

【課題】基板間での熱処理温度のばらつきを抑制し、基板間並びに基板面内における配線パターンの線幅を均一化する。
【解決手段】基板搬送手段２０と、基板搬送路を搬送される被処理基板Ｇに対する熱処理空間を形成する第一のチャンバ８と、加熱または冷却温度の設定温度を変更可能であって、前記第一のチャンバ内を加熱または冷却可能な第一の加熱・冷却手段１７，１８と、前記第一のチャンバの前段に設けられ、前記基板搬送路を搬送される前記被処理基板を検出する基板検出手段４５と、前記基板検出手段の検出信号が供給されると共に、前記第一の加熱・冷却手段の制御を行う制御手段４０とを備え、前記制御手段は、前記第一のチャンバに向けて搬送される複数の被処理基板のうち、先頭の被処理基板が前記基板検出手段によって検出されると、前記第一の加熱・冷却手段の設定温度を第一の温度から第二の温度に変更する。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置の各処理モジュールのデータを効率よく取得すると共に精度高い検査を行うこと。
【解決手段】処理モジュールの情報を収集するためのセンサ部と、このセンサ部に電力を供給すると共に充電可能な蓄電部を含む第１の電源部とを備えたセンサ用基板を第１の保持部材に保持する工程と、次いで前記第１の保持部材を前進させてセンサ用基板を処理モジュールに受け渡す工程と、その後前記センサ用基板のセンサ部により処理モジュールに関するデータを取得する工程と、前記第１の保持部材が前記処理モジュールから充電された電力が消費された前記センサ用基板を受け取って後退し、前記基台と共に移動する第２の電源部により非接触でセンサ用基板の第１の電源部を充電する工程と、を含むように処理を行う。 （もっと読む）

【課題】基板処理システムの加熱装置を昇温するにあたり、三相交流電源の各相の線間電流の平衡を維持しつつ、基板処理システムの起動時間が長くなることを防止する。
【解決手段】ウェハを処理する塗布現像処理システムは、所定の処理レシピに設定されたウェハの処理順序にしたがって複数の加熱装置４０ａ〜４０ｄを昇温する際に、各加熱装置４０ａ〜４０ｄが接続された各相の線間電流値を監視し、加熱装置４０ａ〜４０ｄの昇温中に線間電流値が制限値を上回り加熱装置の昇温が制限された相が生じた際に、昇温が制限された相以外の相における、所定の処理レシピに設定されたウェハの処理順序において次順以降に昇温される加熱装置の昇温の可否を判断し、昇温が制限された相に接続された加熱装置を飛ばして、昇温が制限された相以外の相に接続された昇温可能な加熱装置の昇温を行う。 （もっと読む）