塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体
【課題】塗布、現像装置のスループットの低下を抑えると共に、装置の設置面積を抑えることができる技術を提供すること。
【解決手段】処理ブロックは、キャリアブロック側の加熱系のブロックと、液処理系の単位ブロック群と、インターフェイスブロック側の加熱ブロックと、をキャリアブロック側からインターフェイスブロック側にこの順番で配置し、前記液処理系の単位ブロック群は、反射防止膜用の単位ブロックと、レジスト膜用の単位ブロックと、上層膜用の単位ブロックと、をこの順で上側に積層した塗布膜用の単位ブロック群と、この塗布膜用の単位ブロック群に対して互いに上下に積層された現像用の単位ブロックと、から構成され、液処理系の各単位ブロックで液処理モジュールは基板の搬送路の左右両側に配置されるように装置を構成する。
【解決手段】処理ブロックは、キャリアブロック側の加熱系のブロックと、液処理系の単位ブロック群と、インターフェイスブロック側の加熱ブロックと、をキャリアブロック側からインターフェイスブロック側にこの順番で配置し、前記液処理系の単位ブロック群は、反射防止膜用の単位ブロックと、レジスト膜用の単位ブロックと、上層膜用の単位ブロックと、をこの順で上側に積層した塗布膜用の単位ブロック群と、この塗布膜用の単位ブロック群に対して互いに上下に積層された現像用の単位ブロックと、から構成され、液処理系の各単位ブロックで液処理モジュールは基板の搬送路の左右両側に配置されるように装置を構成する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板にレジストを塗布し、現像を行う塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造工程の一つであるフォトレジスト工程においては、半導体ウエハ（以下、ウエハという）の表面にレジストを塗布し、このレジストを所定のパターンで露光した後に現像してレジストパターンを形成している。前記レジストパターンを形成するための塗布、現像装置には、ウエハに各種の処理を行うための処理モジュールを備えた処理ブロックが設けられている。
【０００３】
処理ブロックは、例えば特許文献１に記載されるように、レジスト膜などの各種の塗布膜を形成する単位ブロック及び現像処理を行う単位ブロックを互いに積層することにより構成されている。各単位ブロックにはウエハの搬送機構が設けられ、当該搬送機構によりウエハは順番に各単位ブロックに設けられる処理モジュールに受け渡されて処理を受ける。
【０００４】
ところで、ウエハに形成するパターンの微細化が進んでいることから、前記塗布、現像装置に設けられる処理モジュールは多様化している。ウエハにレジストを供給してレジスト膜を形成するレジスト膜形成モジュールやウエハに現像液を供給して現像を行う現像モジュールなどの他に、例えばレジスト膜の下層に反射防止膜を形成するモジュールや例えばウエハの上層に液浸露光用の保護膜を形成するためのモジュールなどが搭載される場合がある。このように多種のモジュールを搭載した上で、どのように塗布、現像装置の設置面積を小さくするかが検討されている。
【０００５】
また、前記特許文献１の塗布、現像装置では、ウエハは順番に各層のモジュール間を搬送されるため、一つのモジュールについてウエハの処理が行えなくなると、後段のモジュールにウエハを搬送することが出来なくなり、処理効率が低下してしまうおそれがある。このように処理効率の低下を抑え、且つ設置面積を小さくすることができる塗布、現像装置が求められていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−１１５８３１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明はこのような事情の下になされたものであり、塗布、現像装置のスループットの低下を抑えると共に、装置の設置面積を抑えることができる技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の塗布、現像装置は、キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、前記処理ブロックに対してキャリアブロックとは反対側に位置するインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
ａ）前記処理ブロックは、キャリアブロック側の加熱系のブロックと、液処理系の単位ブロック群と、インターフェイスブロック側の加熱ブロックと、をキャリアブロック側からインターフェイスブロック側にこの順番で配置したことと、
ｂ）前記液処理系の単位ブロック群は、
反射防止膜を基板に形成するための反射防止膜用の単位ブロックと、前記反射防止膜の上にレジスト膜を形成するためのレジスト膜用の単位ブロックと、レジスト膜の上に上層膜を形成するための上層膜用の単位ブロックと、をこの順で上側に積層した塗布膜用の単位ブロック群と、
この塗布膜用の単位ブロック群に対して互いに上下に積層され、露光後の基板を現像するための現像用の単位ブロックと、から構成されることと、
ｃ）前記塗布膜用の単位ブロック群の各々は、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側を見る方向を前方とすると、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、各塗布膜に対応する薬液を基板に供給するための液処理モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これら液処理モジュールの間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
ｄ）前記現像用の単位ブロックは、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、現像液を基板に供給するための現像モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これら現像モジュール間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
ｅ）前記キャリアブロック側の加熱系のブロックは、多数の加熱モジュールを上下に積層し、これら加熱モジュールに対して、前記レジスト膜用の単位ブロックにて薬液を塗布した後の基板を加熱する加熱モジュールと、現像用の単位ブロックにて現像液を供給した後の基板を加熱する加熱モジュールと、を割り当てると共に、加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な上下搬送機構と、を備えたことと、
ｆ）前記インターフェイスブロック側の加熱ブロックは、多数の加熱モジュールを上下に積層し、これら加熱モジュールに対して、前記反射防止膜用の単位ブロックにて薬液を塗布した後の基板を加熱する加熱モジュールと、前記上層膜用の単位ブロックにて薬液を塗布した後の基板を加熱する加熱モジュールと、現像用の単位ブロックにて現像液を供給する前の露光後の基板を加熱する加熱モジュールと、を割り当てると共に、加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な上下搬送機構と、を備えたことと、
ｇ）前記塗布膜用の単位ブロック群の各々におけるキャリアブロック側及びインターフェイスブロック側に夫々設けられた受け渡しステージと、
ｈ）前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側及びインターフェイスブロック側に夫々設けられた受け渡しステージと
ｉ）キャリアブロックに置かれたキャリアから取り出された基板を、前記反射防止膜用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージに受け渡し、また前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージから基板を受け取るための受け渡し機構と、
ｊ）前記反射防止膜用の単位ブロックにて薬液が塗布された基板を、インターフェイスブロック側の加熱モジュールに受け渡して加熱処理し、次いでレジスト膜用の単位ブロックに受け渡して薬液を塗布し、続いてキャリアブロック側の加熱モジュールに受け渡して加熱処理し、その後上層膜用の単位ブロックに受け渡して薬液を塗布し、更にインターフェイスブロック側の加熱モジュールに受け渡して加熱処理するように制御信号を出力する制御部と、
を備えたことを特徴とする。
【０００９】
また、本発明の塗布、現像方法は、前記塗布、現像装置を用い、
前記反射防止膜用の単位ブロックにて基板に反射防止膜形成用の薬液を塗布する工程と、
前記薬液が塗布された基板を、インターフェイスブロック側の加熱モジュールに受け渡して加熱処理する工程と、
前記加熱処理された基板をレジスト膜用の単位ブロックに受け渡してレジスト液を塗布する工程と、
前記レジスト液が塗布された基板をキャリアブロック側の加熱モジュールに受け渡して加熱処理する工程と、
前記加熱処理された基板を上層膜用の単位ブロックに受け渡して上層膜形成用の薬液を塗布する工程と、
前記薬液が塗布された基板をインターフェイスブロック側の加熱モジュールに受け渡して加熱処理する工程と、を備えたことを特徴とする。
【００１０】
前記塗布、現像装置の具体的な態様としては例えば次の通りである。
（１）インターフェイスブロック側の加熱系ブロックの上下搬送機構は、反射防止膜用の単位ブロックに対応する受け渡しステージから基板を受け取り、加熱処理後の基板をレジスト膜用の単位ブロックに対応する受け渡しステージに受け渡す上下搬送機構と、上層膜用の単位ブロックに対応する受け渡しステージから基板を受け取る上下搬送機構と、に分割されている。
（２）前記レジスト膜用の単位ブロック及び上層膜用の単位ブロックは、各々に主搬送機構が備えられる構成に代えて、主搬送機構が共通化され、
前記制御部は、上層膜を基板に形成しないときには、レジスト膜用の単位ブロックにて薬液が塗布された基板を上層膜用の単位ブロックに対応する受け渡しステージを介してインターフェイスブロック側の加熱系ブロックに受け渡して加熱処理するように制御する。
【００１１】
本発明の他の塗布、現像装置は、キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、前記処理ブロックに対してキャリアブロックとは反対側に位置するインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
ａ）前記処理ブロックは、キャリアブロック側の加熱系のブロックと、液処理系の単位ブロック群と、インターフェイスブロック側の加熱ブロックと、をキャリアブロック側からインターフェイスブロック側にこの順番で配置したことと、
ｂ）前記液処理系の単位ブロック群は、
反射防止膜を基板に形成するための反射防止膜用の単位ブロックと、前記反射防止膜の上にレジスト膜を形成するためのレジスト膜用の単位ブロックと、をこの順で上側に積層した塗布膜用の単位ブロック群と、
この塗布膜用の単位ブロック群に対して互いに上下に積層され、露光後の基板を現像するための現像用の単位ブロックと、から構成されることと、
ｃ）前記塗布膜用の単位ブロック群の各々は、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側を見る方向を前方とすると、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、各塗布膜に対応する薬液を基板に供給するための液処理モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これら液処理モジュールの間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
ｄ）前記現像用の単位ブロックは、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、現像液を基板に供給するための現像モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これら現像モジュール間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
ｅ）前記キャリアブロック側の加熱系のブロックは、互いに上下に積層され、現像用の単位ブロックにて現像液を供給した後の基板を加熱する複数の加熱モジュールと、これら加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な上下搬送機構と、を備えたことと、
ｆ）前記インターフェイスブロック側の加熱系のブロックは、多数の加熱モジュールを上下に積層し、これら加熱モジュールに対して、前記反射防止膜用の単位ブロックにて薬液を塗布した後の基板を加熱する加熱モジュールと、前記レジスト膜用の単位ブロックにて薬液を塗布した後の基板を加熱する加熱モジュールと、現像用の単位ブロックにて現像液を供給する前の露光後の基板を加熱する加熱モジュールと、を割り当てると共に、加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な上下搬送機構と、を備えたことと、
ｇ）前記反射防止膜用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側及びインターフェイスブロック側に夫々設けられた受け渡しステージと、
ｈ）前記レジスト膜用の単位ブロックにおけるインターフェイスブロック側に夫々設けられた受け渡しステージと、
ｉ）前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側及びインターフェイスブロック側に夫々設けられた受け渡しステージと
ｊ）キャリアブロックに置かれたキャリアから取り出された基板を、前記反射防止膜用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージに受け渡し、また前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージから基板を受け取るための受け渡し機構と、
ｋ）前記反射防止膜用の単位ブロックにて薬液が塗布された基板を、インターフェイスブロック側の加熱モジュールに受け渡して加熱処理し、次いでレジスト膜用の単位ブロックに受け渡して薬液を塗布し、続いてインターフェイスブロック側の加熱モジュールに受け渡して加熱処理するように制御信号を出力する制御部と、
を備えたことを特徴とする。
【００１２】
本発明の他の塗布、現像方法は、前記塗布、現像装置を用い、
反射防止膜用の単位ブロックにて薬液が塗布された基板を、インターフェイスブロック側の加熱モジュールに受け渡して加熱処理する工程と、
次いでレジスト膜用の単位ブロックに受け渡して薬液を塗布し、続いてインターフェイスブロック側の加熱モジュールに受け渡して加熱処理する工程と、
を備えたことを特徴とする。
【００１３】
本発明の記憶媒体は、塗布、現像装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、上記の塗布、現像方法を実施するためのものであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の塗布、現像装置を構成する処理ブロックは、加熱系のブロックと、液処理系の単位ブロック群と、加熱ブロックと、をキャリアブロック側からインターフェイスブロック側にこの順番で配置し、前記液処理係の単位ブロック群は、反射防止膜用の単位ブロックと、レジスト膜用の単位ブロックと、上層膜用の単位ブロックと、をこの順で上側に積層した塗布膜用の単位ブロック群と、現像用の単位ブロックと、を積層してなり、これら各単位ブロックのモジュールは、キャリアブロックからインターフェイスブロックへ向かう搬送路の左右両側に配置されている。このように各ブロック及び各単位ブロックを設けることで、装置の設置面積を抑えることができ、また液処理系の単位ブロックで一方のモジュールが使用不可の際に他方のモジュールで処理を行うことができるので、スループットの低下を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の塗布、現像装置を構成する処理ブロックの概略側面図である。
【図２】前記塗布、現像装置の縦断側面図である。
【図３】前記塗布、現像装置の平面図である。
【図４】前記塗布、現像装置の概略側面図である。
【図５】前記塗布、現像装置に設けられるメインアームの斜視図である。
【図６】液処理モジュールの側面図である。
【図７】前記塗布、現像装置を構成するインターフェイスブロックの縦断正面図である。
【図８】ウエハの搬送経路のフロー図である。
【図９】ウエハの搬送経路のフロー図である。
【図１０】処理ブロックの他の構成例を示す側面図である。
【図１１】処理ブロックの他の構成例を示す側面図である。
【図１２】処理ブロックのさらに他の構成例を示す側面図である。
【図１３】処理ブロックの他の構成の概略を示す側面図である。
【図１４】処理ブロックの他の構成の概略を示す側面図である。
【図１５】処理ブロックの他の構成の概略を示す側面図である。
【図１６】処理ブロックの他の構成の概略を示す側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
（第１の実施形態）
本発明に係る塗布、現像装置１について説明する。図１は、本発明の塗布、現像装置１の概略側面図を示している。この塗布、現像装置１ではキャリアブロックＳ１、処理ブロックＳ２０、洗浄ブロックＳ５、インターフェイスブロックＳ６が直線状に接続されており、インターフェイスブロックＳ６には、液浸露光を行う露光装置Ｓ７が接続されている。処理ブロックＳ２０は、キャリアブロックＳ１側から洗浄ブロックＳ５側に向けて配列された前方側加熱系ブロックＳ２と、液処理ブロックＳ３と、後方側加熱ブロックＳ４とにより構成される。
【００１７】
液処理ブロックＳ３は、ウエハＷに液処理を行う第１〜第５の液処理単位ブロックＢ１〜Ｂ５が上に向かって順に積層されて構成されており、各液処理単位ブロックＢ１〜Ｂ５は区画壁により仕切られている。液処理単位ブロックＢ１〜Ｂ５は夫々基板である半導体ウエハ（以下、ウエハと記載する）Ｗに液処理を行う液処理モジュールを備えており、液処理単位ブロックＢ１は反射防止膜形成モジュールＢＣＴを、液処理単位ブロックＢ２はレジスト膜形成モジュールＣＯＴを、液処理単位ブロックＢ３は保護膜形成モジュールＴＣＴを、夫々備えている。液処理単位ブロックＢ４、Ｂ５は現像モジュールを夫々備えている。
【００１８】
後方側加熱ブロックＳ４は、第１〜第３の加熱処理単位ブロックＣ１〜Ｃ３が上に向かって順に積層されて構成されており、各加熱処理単位ブロックＣ１〜Ｃ３は区画壁により仕切られている。加熱処理単位ブロックＣ１は、液処理単位ブロックＢ１、Ｂ２に隣接している。加熱処理単位ブロックＣ２は、液処理単位ブロックＢ３に隣接し、加熱処理単位ブロックＣ３は液処理単位ブロックＢ４、Ｂ５に夫々隣接している。加熱処理単位ブロックＣ１〜Ｃ３は、夫々ウエハＷを加熱する加熱モジュールを備えている。
【００１９】
図中の矢印は、ウエハＷの搬送経路を示している。前方側加熱系ブロックＳ２でＨＭＤＳガスによる疎水化処理を受けたウエハＷは、第１の液処理単位ブロックＢ１に搬送されて反射防止膜が形成され、第１の加熱処理ブロックＣ１で加熱処理を受けた後、第２の液処理単位ブロックＢ２で前記反射防止膜上にレジスト膜が形成される。レジスト膜が形成されたウエハＷは、前方側加熱系ブロックＳ２に搬送されて加熱処理された後、第３の液処理単位ブロックＢ３へ搬送され、前記レジスト膜の上層に保護膜が形成される。この保護膜は撥水性であり、液浸露光時にレジスト膜や反射防止膜への液の浸透を防ぐ役割を有する。保護膜形成後のウエハＷは、第２の加熱処理単位ブロックＣ２で加熱処理された後、洗浄ブロックＳ５、インターフェイスブロックＳ６に順に搬送されて、露光装置Ｓ７に搬入される。
【００２０】
露光装置Ｓ５で露光処理を受けたウエハＷは、インターフェイスブロックＳ６、洗浄ブロックＳ５に順に搬送され、その後、第３の加熱処理単位ブロックＣ３へ搬送されて、加熱処理を受ける。然る後、ウエハＷは第４の液処理単位ブロックＢ４または第５の液処理単位ブロックＢ５へ搬送され、現像処理を受けた後、前方側加熱系ブロックＳ２で加熱処理を受けた後、キャリアブロックＳ１へ戻される。
【００２１】
この塗布、現像装置１ではこのように前方側加熱処理ブロックＳ２と後方側加熱処理ブロックＳ４との間で同じ高さにある層を一方向にウエハＷが搬送され、ウエハＷが前方側加熱系ブロックＳ２、後方側加熱ブロックＳ４に夫々搬送されると、これら前方側加熱系ブロックＳ２、後方側加熱ブロックＳ４によりウエハＷが上側の層に搬送される。このように構成することで、各ブロック間でのウエハＷの受け渡し回数を抑えてスループットの向上を図ると共に後述の受け渡しモジュールの数の削減を図っている。
【００２２】
続いて、前記塗布、現像装置１の平面図、縦断側面図である図２、図３を参照しながら、塗布、現像装置１の構成について詳しく説明する。前記キャリアブロックＳ１は、基板であるウエハＷが例えば２５枚密閉収納されたキャリアＣを搬入出するためのブロックである。前記キャリアＣを載置する載置台１１と、この載置台１１から見て前方の壁面に設けられる開閉部１２と、開閉部１２を介してキャリアＣからウエハＷを取り出すための受け渡し機構である受け渡しアーム１３とが設けられている。
【００２３】
受け渡しアーム１３は、上下方向に５つのウエハ保持部１４を備え、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、キャリアＣの配列方向に移動自在に構成されている。受け渡しアーム１３は、キャリアＣから５枚ずつウエハＷを処理ブロックＳ２０の受け渡しモジュールＢＵ１１に一括で受け渡す。なお、ウエハＷを載置できる場所をモジュールと記載し、このモジュールのうちウエハＷに対して加熱、液処理、ガス供給などの処理を行うモジュールを処理モジュールと記載する。また、処理モジュールのうち、ウエハＷに薬液や洗浄液を供給するモジュールを液処理モジュールと記載する。
【００２４】
続いて、前方側加熱系ブロックＳ２について説明する。前方側加熱系ブロックＳ２には複数のモジュールが積層された棚ユニットＵ１、Ｕ２が設けられており、棚ユニットＵ１、Ｕ２はキャリアブロックＳ１からインターフェイスブロックＳ６に向かう方向と直交する方向に沿って配列されている。棚ユニットＵ１、Ｕ２に挟まれるように、上下搬送機構である受け渡しアーム１５、１６、１７が設けられている。図４は、各ブロックのウエハＷの搬送機構の配置を示す概略図であり、この図に示すように受け渡しアーム１５、１６、１７は上下に設けられている。
【００２５】
棚ユニットＵ１の構成について説明すると、第１の液処理単位ブロックＢ１と同じ高さ位置に疎水化処理モジュールＡＤＨが複数段に設けられ、第２〜第５の液処理単位ブロックＢ２〜Ｂ５の高さ位置には多数の加熱モジュールが積層されて設けられている。第２及び第３の液処理単位ブロックＢ２、Ｂ３の高さ位置に設けられた加熱モジュールをＰＡＢとして、第４及び第５の液処理単位ブロックＢ４、Ｂ５の高さ位置に設けられた加熱モジュールをＰＯＳＴとして夫々示している。また、加熱モジュールＰＡＢ群と、疎水化処理モジュールＡＤＨ群との間には受け渡しモジュールＢＵ１１が設けられ、加熱モジュールＰＡＢ群と、加熱モジュールＰＯＳＴ群との間には受け渡しモジュールＢＵ１２が設けられている。受け渡しモジュールＢＵ１１、ＢＵ１２は、受け渡しアーム１３がアクセスできる高さ位置に設けられている。
【００２６】
各モジュールについて説明すると、前記疎水化処理モジュールＡＤＨは、ウエハＷを加熱すると共にウエハＷのベベル部（周端部）を含む表面に処理ガスを供給する処理モジュールであり、前記表面の疎水性を向上させ、液浸露光時に当該周端部から各膜の剥がれを抑える役割を有する。加熱モジュールＰＡＢは、レジスト膜形成後のウエハＷを加熱処理し、加熱モジュールＰＯＳＴは、現像処理後のウエハＷを加熱処理する。これらの加熱モジュールＰＡＢ、ＰＯＳＴ及び後述の加熱モジュールＣＨＰ、ＰＥＢは互いに同様に構成されており、ウエハＷを加熱する熱板１６と、冷却プレート１７とを備えている。冷却プレート１７は、前記熱板１６と受け渡しアームまたはメインアームとの間でウエハＷを搬送すると共に加熱後のウエハＷを冷却する。
【００２７】
前記受け渡しモジュールＢＵ１１、ＢＵ１２は、夫々キャリアＣからウエハＷが受け渡されるモジュール、キャリアＣへウエハＷを戻すためのモジュールである。受け渡しモジュールＢＵ１１は、既述の受け渡しアーム１３から搬送されたウエハＷを一括で受け取るために、ウエハＷが載置されるステージを上下方向に５つ備えている。受け渡しモジュールＢＵ１１に搬送されたウエハＷは、１枚ずつ受け渡しモジュールＢＵ１１から取り出されて処理を受ける。なお、受け渡しモジュールはウエハＷが載置されるステージを備えている。そして、ＢＵと記載した受け渡しモジュールは、複数枚のウエハＷを夫々載置するステージを備え、載置したウエハＷを滞留させることができる。
【００２８】
棚ユニットＵ２は棚ユニットＵ１と同様に構成されているが、これらの受け渡しモジュールＢＵ１１、ＢＵ１２が設けられておらず、受け渡しモジュールＢＵ１２と同じ高さ位置に不図示の検査モジュールが設けられる。この検査モジュールは、例えばレジストパターンの線幅の適否、ウエハＷの表面の異物の有無などを検査する。
【００２９】
前記受け渡しアーム１５〜１７は昇降自在、鉛直軸回りに回動自在且つ進退自在に構成されている。受け渡しアーム１５は、受け渡しモジュールＢＵ１１と疎水化処理モジュールＡＤＨと後述の受け渡しモジュールＣＰＬ１１との間でウエハＷを受け渡す。受け渡しアーム１６は、加熱モジュールＰＡＢ、後述の受け渡しモジュールＣＰＬ１２、１３との間でウエハＷを受け渡す。受け渡しアーム１７は、加熱モジュールＰＯＳＴ、後述の受け渡しモジュールＣＰＬ１５、ＣＰＬ１４、受け渡しモジュールＢＵ１２及び検査モジュールとの間でウエハＷを受け渡す。
【００３０】
続いて、液処理ブロックＳ３について、より詳しく説明する。液処理ブロックＳ３を構成する液処理単位ブロックＢ１〜Ｂ５は、互いに平面視同様のレイアウトで構成されている。図１ではレジスト膜用の単位ブロックである第２の液処理単位ブロックＢ２について示しており、以下、代表してこの第２の液処理単位ブロックＢ２について説明する。キャリアブロックＳ１側を前方側、インターフェイスブロックＳ６側を後方側とすると、この第２の液処理単位ブロックＢ２の中央には、前後方向に直線状の搬送路である搬送領域Ｒ１が形成されており、この搬送領域Ｒ１を左右から挟むようにレジスト膜形成モジュールＣＯＴ１、ＣＯＴ２が互いに対向して設けられている。
【００３１】
前記搬送領域Ｒ１には、メインアーム（主搬送機構）Ａ２が設けられている。図５は、メインアームＡ２の斜視図を示している。メインアームＡ２は、搬送領域Ｒ１を前後に向けて敷設されたガイドレール２１と、ガイドレール２１に沿って移動する水平移動台２２と、水平移動台２２に設けられ、鉛直軸回りに回動自在なフレーム２３と、基台２４と、ウエハ保持部２５、２６と、を備えている。基台２４はフレーム２３に支持され、昇降自在に構成されている。また、ウエハ保持部２５、２６は基台２４に支持されると共に基台２４を独立して進退自在に構成されている。このような構成により、メインアームＡ２は、第２の液処理単位ブロックＢ２の各モジュール間でウエハＷの受け渡しを行うことができる。
【００３２】
レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１について、その縦断側面図である図６も参照しながら説明する。レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１は筐体３１を備えており、筐体３１内には搬送領域Ｒ１に沿って２つのスピンチャック３２が設けられている。スピンチャック３２は、ウエハＷの裏面中央部を吸着保持すると共に鉛直軸回りに回転自在に構成されている。図中３３は処理カップであり、上側が開口している。処理カップ３３は、スピンチャック３２の周囲を囲み、レジストの飛散を抑える。ウエハＷを処理するときには、当該処理カップ３３内にウエハＷが収容され、ウエハＷの裏面中央部はスピンチャック３２に保持される。
【００３３】
また、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１には、各処理カップ３３で共用されるノズル３４が設けられている。図中３５は駆動機構である。駆動機構３５は、アーム３６を介してノズル３４を各処理カップ２３の配列方向に移動させると共にアーム３６を介してノズル３４を昇降させる。駆動機構３５により、ノズル３４は各処理カップ３３間を移動し、各スピンチャック３２に受け渡されたウエハＷの中心にレジスト液を吐出する。吐出されたレジスト液は、前記スピンチャック２２により鉛直軸回りに回転するウエハＷの遠心力により、ウエハＷの周縁へと展伸し、レジスト膜が成膜される。なお、図示は省略しているが、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１は、ウエハＷの周端部に溶剤を供給し、当該周端部の不要な膜を除去するノズルを備えている。レジスト膜形成モジュールＣＯＴ２は、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１と同様に構成されている。
【００３４】
各液処理単位ブロックＢ１、Ｂ３〜Ｂ５について簡単に説明する。図４に示すように液処理単位ブロックＢ１，Ｂ３〜Ｂ５には前記メインアームＡ２に対応するメインアームＡ１，Ａ２〜Ａ５が夫々設けられている。各メインアームＡ１〜Ａ５は、夫々独立してウエハＷを搬送する。
【００３５】
反射防止膜用の単位ブロックである第１の液処理単位ブロックＢ１には、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１、ＣＯＴ２の代わりに、これらのモジュールに対応するモジュールとして反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１，ＢＣＴ２が設けられている。上層膜用の単位ブロックである第３の液処理単位ブロックＢ３には、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１、ＣＯＴ２の代わりに、保護膜形成モジュールＴＣＴ１，ＴＣＴ２が設けられている。現像用の単位ブロックである第４の液処理単位ブロックＢ４には、現像モジュールＤＥＶ１、ＤＥＶ２が設けられ、現像用の単位ブロックである第５の液処理単位ブロックＢ５には、現像モジュールＤＥＶ３，ＤＥＶ４が設けられている。これらの各液処理モジュールは、ＣＯＴ１、ＣＯＴ２と同様に搬送領域Ｒ１の左右両側に対向して配置されている。これらの液処理モジュールであるＢＣＴ、ＴＣＴ、ＤＥＶは、ノズル３４からウエハＷに供給する薬液がレジスト液とは異なることを除いて、レジスト膜形成モジュールＣＯＴと同様に形成されている。反射防止膜形成モジュールＢＣＴは反射防止膜形成用の薬液を、保護膜形成モジュールＴＣＴは保護膜形成用の薬液を、現像モジュールは現像液を夫々ノズル３４からウエハＷに供給する。
【００３６】
液処理ブロックＳ３において、キャリアブロックＳ１側には図２及び図３に示すように、各液処理単位ブロックＢ１〜Ｂ５に跨って棚ユニットＵ３が設けられている。棚ユニットＵ３は多数の積層されたモジュールからなり、メインアームＡ１〜Ａ５がアクセスできる高さ位置に受け渡しモジュールＣＰＬ１１〜ＣＰＬ１５が設けられている。これら棚ユニットＵ３の受け渡しモジュールを介して液処理ブロックＳ３と、前方側加熱系ブロックＳ２との間でウエハＷの受け渡しが行われる。なお、ＣＰＬと記載した受け渡しモジュールは、載置したウエハＷを冷却する冷却ステージを備えている。後述の受け渡しモジュールＴＲＳは、ウエハＷを載置するステージを備えている。
【００３７】
液処理ブロックＳ３において、インターフェイスブロックＳ６側には、図２に示すように、第１〜第５の液処理単位ブロックＢ１〜Ｂ５に跨る棚ユニットＵ４が設けられている。棚ユニットＵ４は、複数の積層されたモジュールからなり、第１〜第５の液処理単位ブロックＢ１〜Ｂ５の各高さ位置には、夫々受け渡しモジュールＴＲＳ１１〜１５が設けられている。これら棚ユニットＵ４の受け渡しモジュールＴＲＳを介して液処理ブロックＳ３と、後方側加熱ブロックＳ４との間でウエハＷの受け渡しが行われる。
【００３８】
次に後方側加熱ブロックＳ４について説明する。後方側加熱ブロックＳ４を構成する第１〜第３の加熱処理単位ブロックＣ１〜Ｃ３は、加熱モジュールと、単位ブロック用の搬送手段であり、上下搬送機構であるメインアームＤ１〜Ｄ３と、ウエハＷの搬送領域Ｒ２と、を備えている。第１〜第３の加熱処理単位ブロックＣ１〜Ｃ３は互いに略同様に構成されており、ここでは代表して図３に示した第１の加熱処理単位ブロックＣ１について説明する。第１の加熱処理単位ブロックＣ１の中央には、前記搬送領域Ｒ２が前後方向に形成されている。そして、この搬送領域Ｒ２に沿って棚ユニットＵ１１〜Ｕ１４が配列されている。棚ユニットＵ１１，Ｕ１３が搬送領域Ｒ２の左右に対向して設けられ、また、棚ユニットＵ１２，Ｕ１４が搬送領域Ｒ２の左右に対向して設けられている。
【００３９】
各棚ユニットＵ１１〜Ｕ１４は、例えば５基積層された加熱モジュールを含んでいる。この加熱モジュールは既述のように反射防止膜形成後のウエハＷを加熱するモジュールであり、図中ＣＨＰとして示している。また、前記搬送領域Ｒ２にはメインアームＤ１が設けられている。このメインアームＤ１は、液処理ブロックＳ３のメインアームＡと同様に構成されており、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在及び前後方向に移動自在に構成されている。
【００４０】
他の加熱処理単位ブロックＣについて簡単に説明する。第２の加熱処理単位ブロックＣ２は、積層される加熱モジュールの数が異なる他は第１の加熱処理単位ブロックＣ１と同様に構成されている。この加熱処理単位ブロックＣ２に設けられる加熱モジュールＣＨＰは、保護膜形成後のウエハＷを加熱するモジュールである。第３の加熱処理単位ブロックＣ３においても積層される加熱モジュールの数が異なる他は第１の加熱処理単位ブロックＣ１と同様に構成されている。この加熱処理単位ブロックＣ３に設けられる加熱モジュールＰＥＢは、露光処理後、現像前のウエハＷを加熱するモジュールである。また、図４に示すように液処理単位ブロックＣ２、Ｃ３には、前記メインアームＤ１に対応するメインアームＤ２，Ｄ３が夫々設けられている。各メインアームＤ１〜Ｄ３は、夫々独立してウエハＷを搬送する。
【００４１】
続いて、洗浄ブロックＳ５について説明する。この洗浄ブロックＳ５は、第１〜第５の洗浄単位ブロックＥ１〜Ｅ５が上に向かって順に積層されて構成されている。各洗浄単位ブロックＥ１〜Ｅ５は、互いに区画壁により区画され、第１、第２の洗浄単位ブロックＥ１、Ｅ２は、前記加熱処理単位ブロックＣ１に隣接している。第３の洗浄単位ブロックＥ３は、第２加熱処理単位ブロックＣ２に隣接しており、第４、第５の洗浄単位ブロックＥ４、Ｅ５は、加熱処理単位ブロックＣ３、Ｃ４に夫々隣接して設けられている。
【００４２】
第１〜第５の洗浄単位ブロックＥ１〜Ｅ５は、互いに略同様に構成されており、代表して図２に示した第２の洗浄単位ブロックＥ２について説明すると、第２の洗浄単位ブロックＥ２の中央にはウエハＷの搬送領域Ｒ３が形成されている。前記搬送領域Ｒ３にはメインアームＦ１が設けられている。この搬送領域Ｒ３を左右から挟むように裏面洗浄モジュールＢＳＴ３、ＢＳＴ４が互いに対向して設けられている。各裏面洗浄モジュールＢＳＴは、反射防止膜形成モジュールＢＣＴと同様に構成されているが、差異点として１つの処理カップ３３及び１つのスピンチャック３２を備えている。また、他の差異点として、ノズル３４が設けられる代わりに、処理カップ３３毎にウエハＷの裏面及びベベル部に洗浄液を供給して洗浄を行う不図示のノズルを備えている。
【００４３】
第１の洗浄単位ブロックＥ１は、裏面洗浄モジュールＢＳＴ３、ＢＳＴ４に夫々相当するＢＳＴ１、ＢＳＴ２を備えている。第３の洗浄単位ブロックＥ３は、裏面洗浄モジュールＢＳＴ３、ＢＳＴ４に夫々相当するＢＳＴ５、ＢＳＴ６を備えている。また、第１〜第３の洗浄単位ブロックＥ１〜Ｅ３の搬送領域Ｒ３は互いに連通し、第１〜第３の洗浄単位ブロックＥ１〜Ｅ３は前記メインアームＦ１を共有している。つまり、メインアームＦ１は、第１〜第３の洗浄単位ブロックＥ１〜Ｅ３の各高さに昇降自在に構成されている。また、メインアームＦ１は、ガイドレール２１が設けられないことを除いてメインアームＡと同様に構成されており、進退自在、鉛直軸回りに回転自在及び前後方向に移動自在に構成されている。なお、既述の受け渡しアーム１５〜１７もこのメインアームＦ１と同様に構成されている。
【００４４】
第４の洗浄単位ブロックＥ４は、裏面洗浄モジュールＢＳＴ３、ＢＳＴ４に代り露光後洗浄モジュールＰＩＲ１、ＰＩＲ２を備えている。露光後洗浄モジュールＰＩＲ１、ＰＩＲ２は、ウエハＷに保護膜除去または洗浄用の処理液を供給するモジュールであり、レジスト膜形成モジュールＣＯＴと同様に構成されているが、差異点として１つの処理カップ２３及びスピンチャック２２が設けられており、この処理カップ２３及びスピンチャック２２に対して１つのノズル２４が設けられている。
【００４５】
第５の洗浄単位ブロックＥ５は、露光後洗浄モジュールＰＩＲ１、ＰＩＲ２に対応する露光後洗浄モジュールＰＩＲ３、ＰＩＲ４を備えている。第４、第５の洗浄単位ブロックＥ４、Ｅ５は、メインアームＦ１に対応するメインアームＦ２を共有しており、メインアームＦ２は、これら第４、第５の洗浄単位ブロックＥ４、Ｅ５の各高さ位置を昇降する。
【００４６】
各層の搬送領域Ｒ３のキャリアブロックＳ１側には、図２及び図３に示すように、第１〜第５の洗浄単位ブロックＥ１〜Ｅ５に跨るように棚ユニットＵ５が設けられている。棚ユニットＵ５には、メインアームＦ１及びメインアームＤ２がアクセス可能な位置に受け渡しモジュールＣＰＬ３１が設けられており、メインアームＦ２及びメインアームＤ３がアクセス可能な位置に受け渡しモジュールＣＰＬ３２が設けられている。また、メインアームＦ２及びメインアームＤ４がアクセス可能な位置に受け渡しモジュールＣＰＬ３３が設けられている。
【００４７】
次にインターフェイスブロックＳ６について、その縦断正面図である図７も参照しながら説明する。インターフェイスブロックＳ６には、複数の積層されたモジュールからなる棚ユニットＵ６が設けられている。棚ユニットＵ６において、前記メインアームＦ２がアクセスできる高さ位置に受け渡しモジュールＴＲＳ２１が設けられ、メインアームＦ１がアクセスすることができる高さ位置に受け渡しモジュールＴＲＳ２２が設けられている。また、棚ユニットＵ６には受け渡しモジュールＢＵ４１、ＢＵ４２、ＣＰＬ４１、ＣＰＬ４２が設けられている。
【００４８】
また、インターフェイスブロックＳ６には、インターフェイスアーム４１、４２が設けられている。インターフェイスアーム４１、４２は回動自在、昇降自在及び進退自在に構成されており、さらにインターフェイスアーム４１は、水平方向に移動自在に構成されている。インターフェイスアーム４１は露光装置Ｓ７及び受け渡しモジュールＣＰＬ４１、ＣＰＬ４２にアクセスし、これらの間でウエハＷを受け渡す。インターフェイスアーム４２は、棚ユニットＵ６を構成する各モジュールにアクセスし、これらのモジュール間でウエハＷを受け渡す。
【００４９】
続いて、塗布、現像装置１に設けられた制御部５１について説明する。制御部５１はプログラム、メモリ、ＣＰＵなどを備えている。前記プログラムには制御部５１から塗布、現像装置１の各モジュール及びウエハＷの搬送手段に制御信号を送り、後述のウエハＷの搬送及び処理を進行させるように命令（各ステップ）が組み込まれている。このプログラム（処理パラメータの入力操作や表示に関するプログラムも含む）は、コンピュータ記憶媒体例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、ＭＯ（光磁気ディスク）、メモリーカードなどの記憶媒体に格納されて制御部５１にインストールされる。また、前記メモリにはキャリアＣの各ウエハＷのＩＤと、ウエハＷが搬送されるモジュールとが対応付けられた搬送スケジュールが記憶されている。
【００５０】
塗布、現像装置１におけるウエハＷの搬送経路について、モジュール単位で図２を参照しながら詳しく説明すると、キャリアＣから受け渡しアーム１３により棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＢＵ１１に受け渡されたウエハＷは、受け渡しアーム１５→棚ユニットＵ１、Ｕ２の疎水化処理モジュールＡＤＨの順で搬送され、疎水化処理される。疎水化処理後、ウエハＷは受け渡しアーム１５→棚ユニットＵ３の受け渡しモジュールＣＰＬ１１→第１の液処理単位ブロックＢ１のメインアームＡ１→反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１、ＢＣＴ２の順で搬送されて、当該ウエハＷに反射防止膜が形成される。
【００５１】
反射防止膜形成後のウエハＷは、メインアームＡ１→棚ユニットＵ４の受け渡しモジュールＴＲＳ１１→第１の加熱処理単位ブロックＣ１のメインアームＤ１→加熱モジュールＣＨＰ→メインアームＤ１→棚ユニットＵ４の受け渡しモジュールＴＲＳ１２→第２の液処理単位ブロックＢ２のメインアームＡ２→レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１、ＣＯＴ２の順に搬送され、ウエハＷにレジスト膜が形成される。
【００５２】
続いて、前記ウエハＷは、メインアームＡ２→棚ユニットＵ３の受け渡しモジュールＣＰＬ１２→受け渡しアーム１６→加熱モジュールＰＡＢ→受け渡しアーム１６→棚ユニットＵ３の受け渡しモジュールＣＰＬ１３→第３の液処理単位ブロックＢ３のメインアームＡ３→保護膜形成モジュールＴＣＴ１、ＴＣＴ２の順に搬送され、レジスト膜の上層に保護膜が形成される。
【００５３】
次に、ウエハＷはメインアームＡ３→棚ユニットＵ４の受け渡しモジュールＴＲＳ１３→第２の加熱処理単位ブロックＣ２のメインアームＤ２→加熱モジュールＣＨＰ→メインアームＤ２→棚ユニットＵ５の受け渡しモジュールＣＰＬ３１→第１〜第３の洗浄単位ブロックＥ１〜Ｅ３のメインアームＦ１→裏面洗浄モジュールＢＳＴ１〜ＢＳＴ６の順で搬送されて、裏面洗浄処理を受ける。裏面洗浄処理後、ウエハＷはメインアームＦ１→棚ユニットＵ６のＴＲＳ２２→インターフェイスアーム４２→受け渡しモジュールＢＵ４１→インターフェイスアーム４２→受け渡しモジュールＣＰＬ４１→インターフェイスアーム４１→露光装置Ｓ７の順で搬送されて、液浸露光される。
【００５４】
液浸露光後のウエハＷは、インターフェイスアーム４１→受け渡しモジュールＣＰＬ４２→インターフェイスアーム４２→受け渡しモジュールＢＵ４２→インターフェイスアーム４２→受け渡しモジュールＴＲＳ２１→第４〜第５の洗浄単位ブロックＥ４〜Ｅ５のメインアームＦ２→第４または第５の洗浄単位ブロックＥ４またはＥ５の露光後洗浄モジュールＰＩＲ１〜ＰＩＲ４に搬送されて、保護膜の除去及び洗浄処理を受ける。
【００５５】
然る後、ウエハＷは、メインアームＦ２→棚ユニットＵ５の受け渡しモジュールＣＰＬ３２またはＣＰＬ３３→第３の加熱処理単位ブロックＣ３のメインアームＤ３→加熱モジュールＰＥＢ→メインアームＤ３→棚ユニットＵ４の受け渡しモジュールＴＲＳ１４またはＴＲＳ１５に搬送される。受け渡しモジュールＴＲＳ１４に搬送されたウエハＷは、第４の液処理単位ブロックＢ４のメインアームＡ４→現像モジュールＤＥＶ１，ＤＥＶ２の順で搬送され、現像処理を受けた後、メインアームＡ４により棚ユニットＵ３の受け渡しモジュールＣＰＬ１４に搬送される。受け渡しモジュールＴＲＳ１５に搬送されたウエハＷは、第４の液処理単位ブロックＢ５のメインアームＡ５→現像モジュールＤＥＶ３，ＤＥＶ４の順で搬送され、現像処理を受けた後、メインアームＡ５により棚ユニットＵ３の受け渡しモジュールＣＰＬ１５に搬送される。
【００５６】
各受け渡しモジュールＣＰＬ１４、ＣＰＬ１５に搬送されたウエハＷは、受け渡しアーム１７→棚ユニットＵ１、Ｕ２の加熱モジュールＰＯＳＴ→受け渡しアーム１７→棚ユニットＵ２の検査モジュールに搬送されて検査される。検査後のウエハＷは受け渡しアーム１７→棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＢＵ１２→受け渡しアーム１３の順で搬送され、受け渡しアーム１３がウエハＷをキャリアＣに戻す。
【００５７】
上記のようにウエハＷの搬送及び処理される間に液処理ブロックＳ３の各層の液処理モジュールのうち一方が使用不可になった場合には、当該液処理モジュールに対向した他方の液処理モジュールへ後続のウエハＷを搬送するように搬送スケジュールが変更される。図８には上記した通常の搬送時におけるウエハＷの搬送経路の概略を示しており、図９には例えばレジスト膜形成モジュールＣＯＴ２及び現像モジュールＤＥＶ２が使用不可になった場合の搬送経路の概略を示している。
【００５８】
図９のフローに示すように、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ２が使用不可になった場合には、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ２に搬入されるように設定されていたウエハＷは、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１に搬送されて処理を受けるように搬送スケジュールが変更される。また、現像モジュールＤＥＶ１に搬入されるように設定されていたウエハＷは、現像モジュールＤＥＶ１に搬送されて処理を受けるように搬送スケジュールが変更される。ＴＣＴ、ＢＣＴについても、これらのモジュールが使用不可になった場合は同様に、対向する同種の液処理モジュールにウエハＷが搬送される。これらの液処理モジュールが使用不可になる場合としては、例えばモジュールの故障時やメンテナンス時などがあり、故障時には制御部５１が自動で上記のように搬送スケジュールの変更を行う。メンテナンス時には、ユーザがメンテナンスを行う液処理モジュールを制御部５１から設定すると、当該制御部５１が上記のように搬送スケジュールの変更を行う。
【００５９】
この塗布、現像装置１を構成する処理ブロックＳ２０は、前方側加熱系ブロックＳ２と、液処理ブロックＳ４と、後方側加熱ブロックＳ３と、をキャリアブロックＳ１側からインターフェイスブロックＳ６側にこの順番で配置し、液処理ブロックＳ３は、反射防止膜形成用の単位ブロックＢ１と、レジスト膜形成用の単位ブロックＢ２と、保護層膜形成用の単位ブロックＢ３と、現像用の単位ブロックＢ４、Ｂ５とを積層してなり、これら各単位ブロックＢ１〜Ｂ５の液処理モジュールは、キャリアブロックＳ１からインターフェイスブロックＳ６へ向かうウエハＷの搬送領域Ｒ１の左右両側に配置されている。このように各ブロック及び各単位ブロックを配置することで、塗布、現像装置１の設置面積を抑えることができる。また、各第１〜第５の液処理単位ブロックＢ１〜Ｂ５に設けられる２つの同種の液処理モジュールのうち、一方のモジュールが使用不可の際に他方のモジュールで処理を行うことができるので、ウエハＷを使用不可となったモジュールの後段へと搬送することができる。これによってスループットの低下を抑えることができる。
【００６０】
また、後方側加熱ブロックＳ４では、第１の液処理単位ブロックＢ１の受け渡しモジュールＴＲＳ１１から第２の液処理単位ブロックＢ２の受け渡しモジュールＴＲＳ１２にウエハＷを搬送するメインアームＤ１と、第３の液処理単位ブロックＢ３の受け渡しモジュールＴＲＳ１３から洗浄ブロックＳ５へウエハＷを搬送するメインアームＤ２とが夫々別体として設けられている。これによって、前記液処理単位ブロックＢ１、Ｂ２間と、液処理単位ブロックＢ３と洗浄ブロックＳ５との間とで速やかにウエハＷを搬送することができ、スループットの向上を図ることができる。なお、この実施形態や他の実施形態で、第３の液処理単位ブロックＢ３でレジスト膜の上層に形成される膜は保護膜に限られず、例えばレジストの上層側に形成される反射防止膜であってもよい。
【００６１】
（第２の実施形態）
続いて図１０を参照しながら塗布、現像装置１の処理ブロックの第２の実施形態について、第１の実施形態との差異点を中心に説明する。図１０の処理ブロックＳ３０の第２の液処理単位ブロックＢ２の搬送領域Ｒ１と、第３の液処理単位ブロックＢ３の搬送領域Ｒ１とは仕切られておらず、互いに開放されている。そしてメインアームＡ２が第２の液処理単位ブロックＢ２と第３の液処理単位ブロックＢ３とで共有されており、第２の液処理単位ブロックＢ２と第３の液処理単位ブロックＢ３との間を昇降できるように構成されている。これらのような構成を除いて処理ブロックＳ３０は、既述の処理ブロックＳ２０と同様に構成されている。
【００６２】
この塗布、現像装置１の制御部６１は、制御部５１との差異点としてモード選択部６２を備えている。モード選択部６２は、マウスやキーボードまたはタッチパネルなどにより構成されており、ユーザがウエハＷの搬送モード１、搬送モード２のいずれかを選択することができる。前記搬送モード１が選択された場合では第１の実施形態と同様にウエハＷが搬送され、ウエハＷに反射防止膜、レジスト膜、保護膜が順に形成された後、現像処理が行われる。ただし、この塗布、現像装置１ではメインアームＡ３が設けられていないため、第１の実施形態においてメインアームＡ３により行われる搬送は、当該メインアームＡ３に代わりメインアームＡ２により行われる。
【００６３】
搬送モード２が選択された場合には、レジスト膜が形成されたウエハＷは保護膜が形成されずに洗浄ブロックＳ５へと搬送される。図１０中の矢印は、この搬送モード２実行時のウエハＷの流れを示しており、具体的に説明すると、ウエハＷは、第１の実施形態と同様の経路でレジスト膜形成モジュールＣＯＴ１，ＣＯＴ２に搬送される。そして、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１、ＣＯＴ２でレジスト膜が形成された後にメインアームＡ２に受け渡され、メインアームＡ２は、当該ウエハＷを第３の液処理単位ブロックＢ３の高さ位置に設けられた受け渡しモジュールＴＲＳ１３に搬送する。受け渡しモジュールＴＲＳ１３のウエハＷは、第２の加熱処理単位ブロックＣ２のメインアームＤ２により、加熱モジュールＣＨＰに搬送されて加熱処理された後、洗浄ブロックＳ５へ搬送される。これ以降、ウエハＷは第１の実施形態と同様の搬送経路で搬送される。
【００６４】
この第２の実施形態においても、第１の実施形態と同様に装置の設置面積を抑えることができると共にスループットの低下を抑えることができる。また、保護膜を形成しない場合には、ウエハＷは第２の液処理単位ブロックＢ２から前方側加熱系ブロックＳ２にウエハＷが戻されずに後方側加熱処理ブロックＳ４へと搬入されるので、スループットをより高めることができる。
【００６５】
（第３の実施形態）
第３の実施形態の塗布、現像装置１に設けられる処理ブロックＳ４０は、図１１に示されるように、液処理単位ブロックＢ３と加熱処理単位ブロックＣ２とを備えていない。このような違いを除いて処理ブロックＳ４０は第１の実施形態の処理ブロックＳ２０と同様に構成されている。ウエハＷは第１の実施形態と同様の経路で反射防止膜形成モジュール→受け渡しモジュールＴＲＳ１１→加熱モジュールＣＨＰ→受け渡しモジュールＴＲＳ１２の順で搬送された後、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１、ＣＯＴ２でレジスト膜が形成される。然る後、ウエハＷはメインアームＡ２により受け渡しモジュールＴＲＳ１２へ搬送され、さらに第１の加熱処理単位ブロックＣ１のメインアームＤ１に受け渡される。その後、加熱モジュールＣＨＰに搬送されて加熱処理された後、洗浄ブロックＳ５へ搬送される。これ以降、ウエハＷは第１の実施形態と同様の搬送経路で搬送される。処理ブロックをこのような構成としても第１の実施形態と同様の効果がある。
【００６６】
図１２に示す処理ブロックＳ５０は第３の実施形態の変形例である。処理ブロックＳ５０は、第１の実施形態と同様に第１〜第３の加熱処理単位ブロックＣ１〜Ｃ３を備えている。ただし、第１の実施形態とは異なり、第１の加熱処理単位ブロックＣ１は第１の液処理単位ブロックＢ１及び第２の液処理単位ブロックＢ２の下側に隣接し、第２の加熱処理単位ブロックＣ２は第２の液処理単位ブロックＢ２の上側に隣接している。そして、液処理ブロックＳ４の棚ユニットＵ４の受け渡しモジュールＴＲＳ１２、ＴＲＳ１３は、第１の加熱処理単位ブロックＣ１の高さ位置、第２の加熱処理単位ブロックＣ２の高さ位置に夫々設けられている。
【００６７】
処理ブロックＳ５０において、他の実施形態と同様に反射防止膜形成後、受け渡しモジュールＴＲＳ１１に搬入されたウエハＷは、メインアームＤ１により第１の加熱処理単位ブロックＣ１の加熱モジュールＣＨＰに搬入されて加熱処理された後、受け渡しモジュールＴＲＳ１２に搬送される。そして、第２の液処理単位ブロックＢ２でレジスト膜が形成されたウエハＷは、受け渡しモジュールＴＲＳ１３に搬送され、第２の加熱処理単位ブロックＣ２のメインアームＤ２により、当該第２の加熱処理単位ブロックＣ２の加熱モジュールＣＨＰに搬送されて加熱処理を受ける。然る後、ウエハＷはメインアームＤ２により洗浄ブロックＳ５に搬送される。これ以降、ウエハＷは第１の実施形態と同様の経路で搬送される。この実施形態においても第１の実施形態と同様の効果が得られる。各実施形態において液処理単位ブロックＢ４、Ｂ５でメインアームは共有されていてもよい。つまり、メインアームＡ５が設けられておらず、メインアームＡ４が液処理単位ブロックＢ４、Ｂ５間を昇降し、これらの高さ位置にある各モジュールにウエハＷを受け渡すことができるようになっていてもよい。
【００６８】
上記の各実施形態で現像用の単位ブロックは２層設けられているが、３層以上の複数層であってもよく、また１層のみ設けられていてもよい。なお、現像用の単位ブロックＢ４、Ｂ５で１つのメインアームＡを共有し、当該メインアームが単位ブロックＢ４、Ｂ５の各モジュールにアクセスできるようにしてもよい。このようにメインアームＡが共有化されていても、他の単位ブロックＢの高さの２つ分の高さを有していれば、その単位ブロックＢは２層であるものと見ることができる。
【００６９】
次に本発明の変形例を以下に示しておく。
（１）液処理系の単位ブロック群は、反射防止膜用の単位ブロックと、レジスト膜用の単位ブロックと、上層膜用の単位ブロックと、を下からこの順に積層することに限らず、上からこの順に積層するようにしてもよい。
（２）既述の図１の実施形態は、加熱系のブロックを、液処理系の単位ブロック群のキャリアブロックＳ１側及びインターフェイスブロックＳ６側に分散させた構成であるが、図１３に示すように加熱系のブロックを、液処理系の単位ブロック群のキャリアブロックＳ１側だけに設けてもよいし、あるいは図１４に示すように液処理系の単位ブロック群のインターフェイスブロックＳ６側だけに設けてもよい。図１３、図１４に記載されている鎖線７１は、ウエハＷの流れを示している。
【００７０】
加熱系のブロックは、前記塗布膜用の単位ブロック群の各々で形成された塗布膜を加熱処理するための複数の加熱モジュールＰＡＢ及びＣＨＰが積層されているが、加熱系のブロックが液処理系の単位ブロック群のキャリアブロックＳ１側（前方側）及びインターフェイスブロックＳ６側（後方側）に分散されている場合には、各塗布膜を加熱処理する加熱モジュールＰＡＢ及びＣＨＰが前方側の加熱ブロックＳ２及び後方側の加熱ブロックＳ４のいずれかに配置されることになる。
【００７１】
また現像処理の前後において加熱処理するための加熱モジュールについても、複数積層して加熱系のブロックとして構成しているが、この場合、露光後現像前のウエハＷに対して加熱を行うための加熱モジュールＰＥＢと現像後のウエハＷに対して加熱を行うための加熱モジュールＰＯＳＴとを、現像用の単位ブロックのインターフェイスブロックＳ６側に集約して設けてもよいし、あるいは現像用の単位ブロックのキャリアブロックＳ１側に集約して設けてもよい。
従って本発明は、これらの変形例までも含めてその特徴を表現するならば、
イ）処理ブロックは、液処理系の単位ブロック群のキャリアブロック側及びインターフェイスブロック側のうちの少なくとも一方に加熱系のブロックを配置したことと、
ロ）加熱系のブロックは、互いに上下に積層した複数の加熱モジュールと、これら複数の加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な上下搬送機構と、を備えたことと、
ハ）反射防止膜用の単位ブロック、レジスト膜用の単位ブロック及び上層膜用の単位ブロックごとに設けられ、各単位ブロックの主搬送機構と前記上下搬送機構との間で基板の受け渡しを行うための受け渡しステージと、
ニ）反射防止膜用の単位ブロック、レジスト膜用の単位ブロック及び上層膜用の単位ブロック間の基板の搬送は、前記ハ）に記載した受け渡しステージを介して前記上下搬送機構により行われること、
ホ）前記加熱モジュールは塗布膜用の単位ブロック群の各単位ブロックにて塗布された塗布膜を加熱処理するためのものであること、
を備えているということができる。
【００７２】
なおウエハ上のレジスト膜の上に上層膜を形成しない場合には、図１５のように反射防止膜用の単位ブロック及びレジスト膜用の単位ブロックからなる塗布膜用の単位ブロック群（この例では２つの単位ブロックを「群」と呼んでいる）の後方側に設けてもよいし、あるいは図１６のように塗布膜用の単位ブロック群の前方側に設けてもよい。このように塗布膜用の単位ブロック群及び現像用の単位ブロックと、加熱モジュールと、を分離し、加熱モジュールを積層して加熱系のブロックとして集約すると共に加熱系のブロックを、液処理系の単位ブロック群のキャリアブロック側やインターフェイスブロック側に配置することにより、コンパクトな装置を構築することができ、特にキャリアブロック側から見た前後方向の寸法を小さくできる利点がある。また塗布膜用の単位ブロック間のウエハの搬送を加熱系のブロックの上下搬送機構を利用して行うことができるので、搬送効率がよく、また搬送系をハード面から見ても全体として無駄のない設計ができる。
【符号の説明】
【００７３】
Ａ１〜Ａ５ メインアーム
ＢＣＴ 反射防止膜形成モジュール
Ｂ１〜Ｂ５ 液処理単位ブロック
ＣＯＴ レジスト膜形成モジュール
ＤＥＶ 現像モジュール
Ｄ１〜Ｄ３ メインアーム
Ｆ１、Ｆ２ メインアーム
ＴＣＴ 保護膜形成モジュール
Ｓ１ キャリアブロック
Ｓ２ 前方側加熱ブロック
Ｓ３ 液処理ブロック
Ｓ４ 後方側加熱ブロック
Ｓ５ 洗浄ブロック
Ｓ６ インターフェイスブロック
Ｓ７ 露光装置
Ｗ ウエハ
１ 塗布、現像装置
５１ 制御部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板にレジストを塗布し、現像を行う塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造工程の一つであるフォトレジスト工程においては、半導体ウエハ（以下、ウエハという）の表面にレジストを塗布し、このレジストを所定のパターンで露光した後に現像してレジストパターンを形成している。前記レジストパターンを形成するための塗布、現像装置には、ウエハに各種の処理を行うための処理モジュールを備えた処理ブロックが設けられている。
【０００３】
処理ブロックは、例えば特許文献１に記載されるように、レジスト膜などの各種の塗布膜を形成する単位ブロック及び現像処理を行う単位ブロックを互いに積層することにより構成されている。各単位ブロックにはウエハの搬送機構が設けられ、当該搬送機構によりウエハは順番に各単位ブロックに設けられる処理モジュールに受け渡されて処理を受ける。
【０００４】
ところで、ウエハに形成するパターンの微細化が進んでいることから、前記塗布、現像装置に設けられる処理モジュールは多様化している。ウエハにレジストを供給してレジスト膜を形成するレジスト膜形成モジュールやウエハに現像液を供給して現像を行う現像モジュールなどの他に、例えばレジスト膜の下層に反射防止膜を形成するモジュールや例えばウエハの上層に液浸露光用の保護膜を形成するためのモジュールなどが搭載される場合がある。このように多種のモジュールを搭載した上で、どのように塗布、現像装置の設置面積を小さくするかが検討されている。
【０００５】
また、前記特許文献１の塗布、現像装置では、ウエハは順番に各層のモジュール間を搬送されるため、一つのモジュールについてウエハの処理が行えなくなると、後段のモジュールにウエハを搬送することが出来なくなり、処理効率が低下してしまうおそれがある。このように処理効率の低下を抑え、且つ設置面積を小さくすることができる塗布、現像装置が求められていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−１１５８３１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明はこのような事情の下になされたものであり、塗布、現像装置のスループットの低下を抑えると共に、装置の設置面積を抑えることができる技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の塗布、現像装置は、キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、前記処理ブロックに対してキャリアブロックとは反対側に位置するインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
ａ）前記処理ブロックは、キャリアブロック側の加熱系のブロックと、液処理系の単位ブロック群と、インターフェイスブロック側の加熱ブロックと、をキャリアブロック側からインターフェイスブロック側にこの順番で配置したことと、
ｂ）前記液処理系の単位ブロック群は、
反射防止膜を基板に形成するための反射防止膜用の単位ブロックと、前記反射防止膜の上にレジスト膜を形成するためのレジスト膜用の単位ブロックと、レジスト膜の上に上層膜を形成するための上層膜用の単位ブロックと、をこの順で上側に積層した塗布膜用の単位ブロック群と、
この塗布膜用の単位ブロック群に対して互いに上下に積層され、露光後の基板を現像するための現像用の単位ブロックと、から構成されることと、
ｃ）前記塗布膜用の単位ブロック群の各々は、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側を見る方向を前方とすると、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、各塗布膜に対応する薬液を基板に供給するための液処理モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これら液処理モジュールの間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
ｄ）前記現像用の単位ブロックは、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、現像液を基板に供給するための現像モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これら現像モジュール間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
ｅ）前記キャリアブロック側の加熱系のブロックは、多数の加熱モジュールを上下に積層し、これら加熱モジュールに対して、前記レジスト膜用の単位ブロックにて薬液を塗布した後の基板を加熱する加熱モジュールと、現像用の単位ブロックにて現像液を供給した後の基板を加熱する加熱モジュールと、を割り当てると共に、加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な上下搬送機構と、を備えたことと、
ｆ）前記インターフェイスブロック側の加熱ブロックは、多数の加熱モジュールを上下に積層し、これら加熱モジュールに対して、前記反射防止膜用の単位ブロックにて薬液を塗布した後の基板を加熱する加熱モジュールと、前記上層膜用の単位ブロックにて薬液を塗布した後の基板を加熱する加熱モジュールと、現像用の単位ブロックにて現像液を供給する前の露光後の基板を加熱する加熱モジュールと、を割り当てると共に、加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な上下搬送機構と、を備えたことと、
ｇ）前記塗布膜用の単位ブロック群の各々におけるキャリアブロック側及びインターフェイスブロック側に夫々設けられた受け渡しステージと、
ｈ）前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側及びインターフェイスブロック側に夫々設けられた受け渡しステージと
ｉ）キャリアブロックに置かれたキャリアから取り出された基板を、前記反射防止膜用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージに受け渡し、また前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージから基板を受け取るための受け渡し機構と、
ｊ）前記反射防止膜用の単位ブロックにて薬液が塗布された基板を、インターフェイスブロック側の加熱モジュールに受け渡して加熱処理し、次いでレジスト膜用の単位ブロックに受け渡して薬液を塗布し、続いてキャリアブロック側の加熱モジュールに受け渡して加熱処理し、その後上層膜用の単位ブロックに受け渡して薬液を塗布し、更にインターフェイスブロック側の加熱モジュールに受け渡して加熱処理するように制御信号を出力する制御部と、
を備えたことを特徴とする。
【０００９】
また、本発明の塗布、現像方法は、前記塗布、現像装置を用い、
前記反射防止膜用の単位ブロックにて基板に反射防止膜形成用の薬液を塗布する工程と、
前記薬液が塗布された基板を、インターフェイスブロック側の加熱モジュールに受け渡して加熱処理する工程と、
前記加熱処理された基板をレジスト膜用の単位ブロックに受け渡してレジスト液を塗布する工程と、
前記レジスト液が塗布された基板をキャリアブロック側の加熱モジュールに受け渡して加熱処理する工程と、
前記加熱処理された基板を上層膜用の単位ブロックに受け渡して上層膜形成用の薬液を塗布する工程と、
前記薬液が塗布された基板をインターフェイスブロック側の加熱モジュールに受け渡して加熱処理する工程と、を備えたことを特徴とする。
【００１０】
前記塗布、現像装置の具体的な態様としては例えば次の通りである。
（１）インターフェイスブロック側の加熱系ブロックの上下搬送機構は、反射防止膜用の単位ブロックに対応する受け渡しステージから基板を受け取り、加熱処理後の基板をレジスト膜用の単位ブロックに対応する受け渡しステージに受け渡す上下搬送機構と、上層膜用の単位ブロックに対応する受け渡しステージから基板を受け取る上下搬送機構と、に分割されている。
（２）前記レジスト膜用の単位ブロック及び上層膜用の単位ブロックは、各々に主搬送機構が備えられる構成に代えて、主搬送機構が共通化され、
前記制御部は、上層膜を基板に形成しないときには、レジスト膜用の単位ブロックにて薬液が塗布された基板を上層膜用の単位ブロックに対応する受け渡しステージを介してインターフェイスブロック側の加熱系ブロックに受け渡して加熱処理するように制御する。
【００１１】
本発明の他の塗布、現像装置は、キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、前記処理ブロックに対してキャリアブロックとは反対側に位置するインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
ａ）前記処理ブロックは、キャリアブロック側の加熱系のブロックと、液処理系の単位ブロック群と、インターフェイスブロック側の加熱ブロックと、をキャリアブロック側からインターフェイスブロック側にこの順番で配置したことと、
ｂ）前記液処理系の単位ブロック群は、
反射防止膜を基板に形成するための反射防止膜用の単位ブロックと、前記反射防止膜の上にレジスト膜を形成するためのレジスト膜用の単位ブロックと、をこの順で上側に積層した塗布膜用の単位ブロック群と、
この塗布膜用の単位ブロック群に対して互いに上下に積層され、露光後の基板を現像するための現像用の単位ブロックと、から構成されることと、
ｃ）前記塗布膜用の単位ブロック群の各々は、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側を見る方向を前方とすると、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、各塗布膜に対応する薬液を基板に供給するための液処理モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これら液処理モジュールの間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
ｄ）前記現像用の単位ブロックは、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、現像液を基板に供給するための現像モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これら現像モジュール間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
ｅ）前記キャリアブロック側の加熱系のブロックは、互いに上下に積層され、現像用の単位ブロックにて現像液を供給した後の基板を加熱する複数の加熱モジュールと、これら加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な上下搬送機構と、を備えたことと、
ｆ）前記インターフェイスブロック側の加熱系のブロックは、多数の加熱モジュールを上下に積層し、これら加熱モジュールに対して、前記反射防止膜用の単位ブロックにて薬液を塗布した後の基板を加熱する加熱モジュールと、前記レジスト膜用の単位ブロックにて薬液を塗布した後の基板を加熱する加熱モジュールと、現像用の単位ブロックにて現像液を供給する前の露光後の基板を加熱する加熱モジュールと、を割り当てると共に、加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な上下搬送機構と、を備えたことと、
ｇ）前記反射防止膜用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側及びインターフェイスブロック側に夫々設けられた受け渡しステージと、
ｈ）前記レジスト膜用の単位ブロックにおけるインターフェイスブロック側に夫々設けられた受け渡しステージと、
ｉ）前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側及びインターフェイスブロック側に夫々設けられた受け渡しステージと
ｊ）キャリアブロックに置かれたキャリアから取り出された基板を、前記反射防止膜用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージに受け渡し、また前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージから基板を受け取るための受け渡し機構と、
ｋ）前記反射防止膜用の単位ブロックにて薬液が塗布された基板を、インターフェイスブロック側の加熱モジュールに受け渡して加熱処理し、次いでレジスト膜用の単位ブロックに受け渡して薬液を塗布し、続いてインターフェイスブロック側の加熱モジュールに受け渡して加熱処理するように制御信号を出力する制御部と、
を備えたことを特徴とする。
【００１２】
本発明の他の塗布、現像方法は、前記塗布、現像装置を用い、
反射防止膜用の単位ブロックにて薬液が塗布された基板を、インターフェイスブロック側の加熱モジュールに受け渡して加熱処理する工程と、
次いでレジスト膜用の単位ブロックに受け渡して薬液を塗布し、続いてインターフェイスブロック側の加熱モジュールに受け渡して加熱処理する工程と、
を備えたことを特徴とする。
【００１３】
本発明の記憶媒体は、塗布、現像装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、上記の塗布、現像方法を実施するためのものであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の塗布、現像装置を構成する処理ブロックは、加熱系のブロックと、液処理系の単位ブロック群と、加熱ブロックと、をキャリアブロック側からインターフェイスブロック側にこの順番で配置し、前記液処理係の単位ブロック群は、反射防止膜用の単位ブロックと、レジスト膜用の単位ブロックと、上層膜用の単位ブロックと、をこの順で上側に積層した塗布膜用の単位ブロック群と、現像用の単位ブロックと、を積層してなり、これら各単位ブロックのモジュールは、キャリアブロックからインターフェイスブロックへ向かう搬送路の左右両側に配置されている。このように各ブロック及び各単位ブロックを設けることで、装置の設置面積を抑えることができ、また液処理系の単位ブロックで一方のモジュールが使用不可の際に他方のモジュールで処理を行うことができるので、スループットの低下を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の塗布、現像装置を構成する処理ブロックの概略側面図である。
【図２】前記塗布、現像装置の縦断側面図である。
【図３】前記塗布、現像装置の平面図である。
【図４】前記塗布、現像装置の概略側面図である。
【図５】前記塗布、現像装置に設けられるメインアームの斜視図である。
【図６】液処理モジュールの側面図である。
【図７】前記塗布、現像装置を構成するインターフェイスブロックの縦断正面図である。
【図８】ウエハの搬送経路のフロー図である。
【図９】ウエハの搬送経路のフロー図である。
【図１０】処理ブロックの他の構成例を示す側面図である。
【図１１】処理ブロックの他の構成例を示す側面図である。
【図１２】処理ブロックのさらに他の構成例を示す側面図である。
【図１３】処理ブロックの他の構成の概略を示す側面図である。
【図１４】処理ブロックの他の構成の概略を示す側面図である。
【図１５】処理ブロックの他の構成の概略を示す側面図である。
【図１６】処理ブロックの他の構成の概略を示す側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
（第１の実施形態）
本発明に係る塗布、現像装置１について説明する。図１は、本発明の塗布、現像装置１の概略側面図を示している。この塗布、現像装置１ではキャリアブロックＳ１、処理ブロックＳ２０、洗浄ブロックＳ５、インターフェイスブロックＳ６が直線状に接続されており、インターフェイスブロックＳ６には、液浸露光を行う露光装置Ｓ７が接続されている。処理ブロックＳ２０は、キャリアブロックＳ１側から洗浄ブロックＳ５側に向けて配列された前方側加熱系ブロックＳ２と、液処理ブロックＳ３と、後方側加熱ブロックＳ４とにより構成される。
【００１７】
液処理ブロックＳ３は、ウエハＷに液処理を行う第１〜第５の液処理単位ブロックＢ１〜Ｂ５が上に向かって順に積層されて構成されており、各液処理単位ブロックＢ１〜Ｂ５は区画壁により仕切られている。液処理単位ブロックＢ１〜Ｂ５は夫々基板である半導体ウエハ（以下、ウエハと記載する）Ｗに液処理を行う液処理モジュールを備えており、液処理単位ブロックＢ１は反射防止膜形成モジュールＢＣＴを、液処理単位ブロックＢ２はレジスト膜形成モジュールＣＯＴを、液処理単位ブロックＢ３は保護膜形成モジュールＴＣＴを、夫々備えている。液処理単位ブロックＢ４、Ｂ５は現像モジュールを夫々備えている。
【００１８】
後方側加熱ブロックＳ４は、第１〜第３の加熱処理単位ブロックＣ１〜Ｃ３が上に向かって順に積層されて構成されており、各加熱処理単位ブロックＣ１〜Ｃ３は区画壁により仕切られている。加熱処理単位ブロックＣ１は、液処理単位ブロックＢ１、Ｂ２に隣接している。加熱処理単位ブロックＣ２は、液処理単位ブロックＢ３に隣接し、加熱処理単位ブロックＣ３は液処理単位ブロックＢ４、Ｂ５に夫々隣接している。加熱処理単位ブロックＣ１〜Ｃ３は、夫々ウエハＷを加熱する加熱モジュールを備えている。
【００１９】
図中の矢印は、ウエハＷの搬送経路を示している。前方側加熱系ブロックＳ２でＨＭＤＳガスによる疎水化処理を受けたウエハＷは、第１の液処理単位ブロックＢ１に搬送されて反射防止膜が形成され、第１の加熱処理ブロックＣ１で加熱処理を受けた後、第２の液処理単位ブロックＢ２で前記反射防止膜上にレジスト膜が形成される。レジスト膜が形成されたウエハＷは、前方側加熱系ブロックＳ２に搬送されて加熱処理された後、第３の液処理単位ブロックＢ３へ搬送され、前記レジスト膜の上層に保護膜が形成される。この保護膜は撥水性であり、液浸露光時にレジスト膜や反射防止膜への液の浸透を防ぐ役割を有する。保護膜形成後のウエハＷは、第２の加熱処理単位ブロックＣ２で加熱処理された後、洗浄ブロックＳ５、インターフェイスブロックＳ６に順に搬送されて、露光装置Ｓ７に搬入される。
【００２０】
露光装置Ｓ５で露光処理を受けたウエハＷは、インターフェイスブロックＳ６、洗浄ブロックＳ５に順に搬送され、その後、第３の加熱処理単位ブロックＣ３へ搬送されて、加熱処理を受ける。然る後、ウエハＷは第４の液処理単位ブロックＢ４または第５の液処理単位ブロックＢ５へ搬送され、現像処理を受けた後、前方側加熱系ブロックＳ２で加熱処理を受けた後、キャリアブロックＳ１へ戻される。
【００２１】
この塗布、現像装置１ではこのように前方側加熱処理ブロックＳ２と後方側加熱処理ブロックＳ４との間で同じ高さにある層を一方向にウエハＷが搬送され、ウエハＷが前方側加熱系ブロックＳ２、後方側加熱ブロックＳ４に夫々搬送されると、これら前方側加熱系ブロックＳ２、後方側加熱ブロックＳ４によりウエハＷが上側の層に搬送される。このように構成することで、各ブロック間でのウエハＷの受け渡し回数を抑えてスループットの向上を図ると共に後述の受け渡しモジュールの数の削減を図っている。
【００２２】
続いて、前記塗布、現像装置１の平面図、縦断側面図である図２、図３を参照しながら、塗布、現像装置１の構成について詳しく説明する。前記キャリアブロックＳ１は、基板であるウエハＷが例えば２５枚密閉収納されたキャリアＣを搬入出するためのブロックである。前記キャリアＣを載置する載置台１１と、この載置台１１から見て前方の壁面に設けられる開閉部１２と、開閉部１２を介してキャリアＣからウエハＷを取り出すための受け渡し機構である受け渡しアーム１３とが設けられている。
【００２３】
受け渡しアーム１３は、上下方向に５つのウエハ保持部１４を備え、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、キャリアＣの配列方向に移動自在に構成されている。受け渡しアーム１３は、キャリアＣから５枚ずつウエハＷを処理ブロックＳ２０の受け渡しモジュールＢＵ１１に一括で受け渡す。なお、ウエハＷを載置できる場所をモジュールと記載し、このモジュールのうちウエハＷに対して加熱、液処理、ガス供給などの処理を行うモジュールを処理モジュールと記載する。また、処理モジュールのうち、ウエハＷに薬液や洗浄液を供給するモジュールを液処理モジュールと記載する。
【００２４】
続いて、前方側加熱系ブロックＳ２について説明する。前方側加熱系ブロックＳ２には複数のモジュールが積層された棚ユニットＵ１、Ｕ２が設けられており、棚ユニットＵ１、Ｕ２はキャリアブロックＳ１からインターフェイスブロックＳ６に向かう方向と直交する方向に沿って配列されている。棚ユニットＵ１、Ｕ２に挟まれるように、上下搬送機構である受け渡しアーム１５、１６、１７が設けられている。図４は、各ブロックのウエハＷの搬送機構の配置を示す概略図であり、この図に示すように受け渡しアーム１５、１６、１７は上下に設けられている。
【００２５】
棚ユニットＵ１の構成について説明すると、第１の液処理単位ブロックＢ１と同じ高さ位置に疎水化処理モジュールＡＤＨが複数段に設けられ、第２〜第５の液処理単位ブロックＢ２〜Ｂ５の高さ位置には多数の加熱モジュールが積層されて設けられている。第２及び第３の液処理単位ブロックＢ２、Ｂ３の高さ位置に設けられた加熱モジュールをＰＡＢとして、第４及び第５の液処理単位ブロックＢ４、Ｂ５の高さ位置に設けられた加熱モジュールをＰＯＳＴとして夫々示している。また、加熱モジュールＰＡＢ群と、疎水化処理モジュールＡＤＨ群との間には受け渡しモジュールＢＵ１１が設けられ、加熱モジュールＰＡＢ群と、加熱モジュールＰＯＳＴ群との間には受け渡しモジュールＢＵ１２が設けられている。受け渡しモジュールＢＵ１１、ＢＵ１２は、受け渡しアーム１３がアクセスできる高さ位置に設けられている。
【００２６】
各モジュールについて説明すると、前記疎水化処理モジュールＡＤＨは、ウエハＷを加熱すると共にウエハＷのベベル部（周端部）を含む表面に処理ガスを供給する処理モジュールであり、前記表面の疎水性を向上させ、液浸露光時に当該周端部から各膜の剥がれを抑える役割を有する。加熱モジュールＰＡＢは、レジスト膜形成後のウエハＷを加熱処理し、加熱モジュールＰＯＳＴは、現像処理後のウエハＷを加熱処理する。これらの加熱モジュールＰＡＢ、ＰＯＳＴ及び後述の加熱モジュールＣＨＰ、ＰＥＢは互いに同様に構成されており、ウエハＷを加熱する熱板１６と、冷却プレート１７とを備えている。冷却プレート１７は、前記熱板１６と受け渡しアームまたはメインアームとの間でウエハＷを搬送すると共に加熱後のウエハＷを冷却する。
【００２７】
前記受け渡しモジュールＢＵ１１、ＢＵ１２は、夫々キャリアＣからウエハＷが受け渡されるモジュール、キャリアＣへウエハＷを戻すためのモジュールである。受け渡しモジュールＢＵ１１は、既述の受け渡しアーム１３から搬送されたウエハＷを一括で受け取るために、ウエハＷが載置されるステージを上下方向に５つ備えている。受け渡しモジュールＢＵ１１に搬送されたウエハＷは、１枚ずつ受け渡しモジュールＢＵ１１から取り出されて処理を受ける。なお、受け渡しモジュールはウエハＷが載置されるステージを備えている。そして、ＢＵと記載した受け渡しモジュールは、複数枚のウエハＷを夫々載置するステージを備え、載置したウエハＷを滞留させることができる。
【００２８】
棚ユニットＵ２は棚ユニットＵ１と同様に構成されているが、これらの受け渡しモジュールＢＵ１１、ＢＵ１２が設けられておらず、受け渡しモジュールＢＵ１２と同じ高さ位置に不図示の検査モジュールが設けられる。この検査モジュールは、例えばレジストパターンの線幅の適否、ウエハＷの表面の異物の有無などを検査する。
【００２９】
前記受け渡しアーム１５〜１７は昇降自在、鉛直軸回りに回動自在且つ進退自在に構成されている。受け渡しアーム１５は、受け渡しモジュールＢＵ１１と疎水化処理モジュールＡＤＨと後述の受け渡しモジュールＣＰＬ１１との間でウエハＷを受け渡す。受け渡しアーム１６は、加熱モジュールＰＡＢ、後述の受け渡しモジュールＣＰＬ１２、１３との間でウエハＷを受け渡す。受け渡しアーム１７は、加熱モジュールＰＯＳＴ、後述の受け渡しモジュールＣＰＬ１５、ＣＰＬ１４、受け渡しモジュールＢＵ１２及び検査モジュールとの間でウエハＷを受け渡す。
【００３０】
続いて、液処理ブロックＳ３について、より詳しく説明する。液処理ブロックＳ３を構成する液処理単位ブロックＢ１〜Ｂ５は、互いに平面視同様のレイアウトで構成されている。図１ではレジスト膜用の単位ブロックである第２の液処理単位ブロックＢ２について示しており、以下、代表してこの第２の液処理単位ブロックＢ２について説明する。キャリアブロックＳ１側を前方側、インターフェイスブロックＳ６側を後方側とすると、この第２の液処理単位ブロックＢ２の中央には、前後方向に直線状の搬送路である搬送領域Ｒ１が形成されており、この搬送領域Ｒ１を左右から挟むようにレジスト膜形成モジュールＣＯＴ１、ＣＯＴ２が互いに対向して設けられている。
【００３１】
前記搬送領域Ｒ１には、メインアーム（主搬送機構）Ａ２が設けられている。図５は、メインアームＡ２の斜視図を示している。メインアームＡ２は、搬送領域Ｒ１を前後に向けて敷設されたガイドレール２１と、ガイドレール２１に沿って移動する水平移動台２２と、水平移動台２２に設けられ、鉛直軸回りに回動自在なフレーム２３と、基台２４と、ウエハ保持部２５、２６と、を備えている。基台２４はフレーム２３に支持され、昇降自在に構成されている。また、ウエハ保持部２５、２６は基台２４に支持されると共に基台２４を独立して進退自在に構成されている。このような構成により、メインアームＡ２は、第２の液処理単位ブロックＢ２の各モジュール間でウエハＷの受け渡しを行うことができる。
【００３２】
レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１について、その縦断側面図である図６も参照しながら説明する。レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１は筐体３１を備えており、筐体３１内には搬送領域Ｒ１に沿って２つのスピンチャック３２が設けられている。スピンチャック３２は、ウエハＷの裏面中央部を吸着保持すると共に鉛直軸回りに回転自在に構成されている。図中３３は処理カップであり、上側が開口している。処理カップ３３は、スピンチャック３２の周囲を囲み、レジストの飛散を抑える。ウエハＷを処理するときには、当該処理カップ３３内にウエハＷが収容され、ウエハＷの裏面中央部はスピンチャック３２に保持される。
【００３３】
また、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１には、各処理カップ３３で共用されるノズル３４が設けられている。図中３５は駆動機構である。駆動機構３５は、アーム３６を介してノズル３４を各処理カップ２３の配列方向に移動させると共にアーム３６を介してノズル３４を昇降させる。駆動機構３５により、ノズル３４は各処理カップ３３間を移動し、各スピンチャック３２に受け渡されたウエハＷの中心にレジスト液を吐出する。吐出されたレジスト液は、前記スピンチャック２２により鉛直軸回りに回転するウエハＷの遠心力により、ウエハＷの周縁へと展伸し、レジスト膜が成膜される。なお、図示は省略しているが、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１は、ウエハＷの周端部に溶剤を供給し、当該周端部の不要な膜を除去するノズルを備えている。レジスト膜形成モジュールＣＯＴ２は、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１と同様に構成されている。
【００３４】
各液処理単位ブロックＢ１、Ｂ３〜Ｂ５について簡単に説明する。図４に示すように液処理単位ブロックＢ１，Ｂ３〜Ｂ５には前記メインアームＡ２に対応するメインアームＡ１，Ａ２〜Ａ５が夫々設けられている。各メインアームＡ１〜Ａ５は、夫々独立してウエハＷを搬送する。
【００３５】
反射防止膜用の単位ブロックである第１の液処理単位ブロックＢ１には、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１、ＣＯＴ２の代わりに、これらのモジュールに対応するモジュールとして反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１，ＢＣＴ２が設けられている。上層膜用の単位ブロックである第３の液処理単位ブロックＢ３には、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１、ＣＯＴ２の代わりに、保護膜形成モジュールＴＣＴ１，ＴＣＴ２が設けられている。現像用の単位ブロックである第４の液処理単位ブロックＢ４には、現像モジュールＤＥＶ１、ＤＥＶ２が設けられ、現像用の単位ブロックである第５の液処理単位ブロックＢ５には、現像モジュールＤＥＶ３，ＤＥＶ４が設けられている。これらの各液処理モジュールは、ＣＯＴ１、ＣＯＴ２と同様に搬送領域Ｒ１の左右両側に対向して配置されている。これらの液処理モジュールであるＢＣＴ、ＴＣＴ、ＤＥＶは、ノズル３４からウエハＷに供給する薬液がレジスト液とは異なることを除いて、レジスト膜形成モジュールＣＯＴと同様に形成されている。反射防止膜形成モジュールＢＣＴは反射防止膜形成用の薬液を、保護膜形成モジュールＴＣＴは保護膜形成用の薬液を、現像モジュールは現像液を夫々ノズル３４からウエハＷに供給する。
【００３６】
液処理ブロックＳ３において、キャリアブロックＳ１側には図２及び図３に示すように、各液処理単位ブロックＢ１〜Ｂ５に跨って棚ユニットＵ３が設けられている。棚ユニットＵ３は多数の積層されたモジュールからなり、メインアームＡ１〜Ａ５がアクセスできる高さ位置に受け渡しモジュールＣＰＬ１１〜ＣＰＬ１５が設けられている。これら棚ユニットＵ３の受け渡しモジュールを介して液処理ブロックＳ３と、前方側加熱系ブロックＳ２との間でウエハＷの受け渡しが行われる。なお、ＣＰＬと記載した受け渡しモジュールは、載置したウエハＷを冷却する冷却ステージを備えている。後述の受け渡しモジュールＴＲＳは、ウエハＷを載置するステージを備えている。
【００３７】
液処理ブロックＳ３において、インターフェイスブロックＳ６側には、図２に示すように、第１〜第５の液処理単位ブロックＢ１〜Ｂ５に跨る棚ユニットＵ４が設けられている。棚ユニットＵ４は、複数の積層されたモジュールからなり、第１〜第５の液処理単位ブロックＢ１〜Ｂ５の各高さ位置には、夫々受け渡しモジュールＴＲＳ１１〜１５が設けられている。これら棚ユニットＵ４の受け渡しモジュールＴＲＳを介して液処理ブロックＳ３と、後方側加熱ブロックＳ４との間でウエハＷの受け渡しが行われる。
【００３８】
次に後方側加熱ブロックＳ４について説明する。後方側加熱ブロックＳ４を構成する第１〜第３の加熱処理単位ブロックＣ１〜Ｃ３は、加熱モジュールと、単位ブロック用の搬送手段であり、上下搬送機構であるメインアームＤ１〜Ｄ３と、ウエハＷの搬送領域Ｒ２と、を備えている。第１〜第３の加熱処理単位ブロックＣ１〜Ｃ３は互いに略同様に構成されており、ここでは代表して図３に示した第１の加熱処理単位ブロックＣ１について説明する。第１の加熱処理単位ブロックＣ１の中央には、前記搬送領域Ｒ２が前後方向に形成されている。そして、この搬送領域Ｒ２に沿って棚ユニットＵ１１〜Ｕ１４が配列されている。棚ユニットＵ１１，Ｕ１３が搬送領域Ｒ２の左右に対向して設けられ、また、棚ユニットＵ１２，Ｕ１４が搬送領域Ｒ２の左右に対向して設けられている。
【００３９】
各棚ユニットＵ１１〜Ｕ１４は、例えば５基積層された加熱モジュールを含んでいる。この加熱モジュールは既述のように反射防止膜形成後のウエハＷを加熱するモジュールであり、図中ＣＨＰとして示している。また、前記搬送領域Ｒ２にはメインアームＤ１が設けられている。このメインアームＤ１は、液処理ブロックＳ３のメインアームＡと同様に構成されており、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在及び前後方向に移動自在に構成されている。
【００４０】
他の加熱処理単位ブロックＣについて簡単に説明する。第２の加熱処理単位ブロックＣ２は、積層される加熱モジュールの数が異なる他は第１の加熱処理単位ブロックＣ１と同様に構成されている。この加熱処理単位ブロックＣ２に設けられる加熱モジュールＣＨＰは、保護膜形成後のウエハＷを加熱するモジュールである。第３の加熱処理単位ブロックＣ３においても積層される加熱モジュールの数が異なる他は第１の加熱処理単位ブロックＣ１と同様に構成されている。この加熱処理単位ブロックＣ３に設けられる加熱モジュールＰＥＢは、露光処理後、現像前のウエハＷを加熱するモジュールである。また、図４に示すように液処理単位ブロックＣ２、Ｃ３には、前記メインアームＤ１に対応するメインアームＤ２，Ｄ３が夫々設けられている。各メインアームＤ１〜Ｄ３は、夫々独立してウエハＷを搬送する。
【００４１】
続いて、洗浄ブロックＳ５について説明する。この洗浄ブロックＳ５は、第１〜第５の洗浄単位ブロックＥ１〜Ｅ５が上に向かって順に積層されて構成されている。各洗浄単位ブロックＥ１〜Ｅ５は、互いに区画壁により区画され、第１、第２の洗浄単位ブロックＥ１、Ｅ２は、前記加熱処理単位ブロックＣ１に隣接している。第３の洗浄単位ブロックＥ３は、第２加熱処理単位ブロックＣ２に隣接しており、第４、第５の洗浄単位ブロックＥ４、Ｅ５は、加熱処理単位ブロックＣ３、Ｃ４に夫々隣接して設けられている。
【００４２】
第１〜第５の洗浄単位ブロックＥ１〜Ｅ５は、互いに略同様に構成されており、代表して図２に示した第２の洗浄単位ブロックＥ２について説明すると、第２の洗浄単位ブロックＥ２の中央にはウエハＷの搬送領域Ｒ３が形成されている。前記搬送領域Ｒ３にはメインアームＦ１が設けられている。この搬送領域Ｒ３を左右から挟むように裏面洗浄モジュールＢＳＴ３、ＢＳＴ４が互いに対向して設けられている。各裏面洗浄モジュールＢＳＴは、反射防止膜形成モジュールＢＣＴと同様に構成されているが、差異点として１つの処理カップ３３及び１つのスピンチャック３２を備えている。また、他の差異点として、ノズル３４が設けられる代わりに、処理カップ３３毎にウエハＷの裏面及びベベル部に洗浄液を供給して洗浄を行う不図示のノズルを備えている。
【００４３】
第１の洗浄単位ブロックＥ１は、裏面洗浄モジュールＢＳＴ３、ＢＳＴ４に夫々相当するＢＳＴ１、ＢＳＴ２を備えている。第３の洗浄単位ブロックＥ３は、裏面洗浄モジュールＢＳＴ３、ＢＳＴ４に夫々相当するＢＳＴ５、ＢＳＴ６を備えている。また、第１〜第３の洗浄単位ブロックＥ１〜Ｅ３の搬送領域Ｒ３は互いに連通し、第１〜第３の洗浄単位ブロックＥ１〜Ｅ３は前記メインアームＦ１を共有している。つまり、メインアームＦ１は、第１〜第３の洗浄単位ブロックＥ１〜Ｅ３の各高さに昇降自在に構成されている。また、メインアームＦ１は、ガイドレール２１が設けられないことを除いてメインアームＡと同様に構成されており、進退自在、鉛直軸回りに回転自在及び前後方向に移動自在に構成されている。なお、既述の受け渡しアーム１５〜１７もこのメインアームＦ１と同様に構成されている。
【００４４】
第４の洗浄単位ブロックＥ４は、裏面洗浄モジュールＢＳＴ３、ＢＳＴ４に代り露光後洗浄モジュールＰＩＲ１、ＰＩＲ２を備えている。露光後洗浄モジュールＰＩＲ１、ＰＩＲ２は、ウエハＷに保護膜除去または洗浄用の処理液を供給するモジュールであり、レジスト膜形成モジュールＣＯＴと同様に構成されているが、差異点として１つの処理カップ２３及びスピンチャック２２が設けられており、この処理カップ２３及びスピンチャック２２に対して１つのノズル２４が設けられている。
【００４５】
第５の洗浄単位ブロックＥ５は、露光後洗浄モジュールＰＩＲ１、ＰＩＲ２に対応する露光後洗浄モジュールＰＩＲ３、ＰＩＲ４を備えている。第４、第５の洗浄単位ブロックＥ４、Ｅ５は、メインアームＦ１に対応するメインアームＦ２を共有しており、メインアームＦ２は、これら第４、第５の洗浄単位ブロックＥ４、Ｅ５の各高さ位置を昇降する。
【００４６】
各層の搬送領域Ｒ３のキャリアブロックＳ１側には、図２及び図３に示すように、第１〜第５の洗浄単位ブロックＥ１〜Ｅ５に跨るように棚ユニットＵ５が設けられている。棚ユニットＵ５には、メインアームＦ１及びメインアームＤ２がアクセス可能な位置に受け渡しモジュールＣＰＬ３１が設けられており、メインアームＦ２及びメインアームＤ３がアクセス可能な位置に受け渡しモジュールＣＰＬ３２が設けられている。また、メインアームＦ２及びメインアームＤ４がアクセス可能な位置に受け渡しモジュールＣＰＬ３３が設けられている。
【００４７】
次にインターフェイスブロックＳ６について、その縦断正面図である図７も参照しながら説明する。インターフェイスブロックＳ６には、複数の積層されたモジュールからなる棚ユニットＵ６が設けられている。棚ユニットＵ６において、前記メインアームＦ２がアクセスできる高さ位置に受け渡しモジュールＴＲＳ２１が設けられ、メインアームＦ１がアクセスすることができる高さ位置に受け渡しモジュールＴＲＳ２２が設けられている。また、棚ユニットＵ６には受け渡しモジュールＢＵ４１、ＢＵ４２、ＣＰＬ４１、ＣＰＬ４２が設けられている。
【００４８】
また、インターフェイスブロックＳ６には、インターフェイスアーム４１、４２が設けられている。インターフェイスアーム４１、４２は回動自在、昇降自在及び進退自在に構成されており、さらにインターフェイスアーム４１は、水平方向に移動自在に構成されている。インターフェイスアーム４１は露光装置Ｓ７及び受け渡しモジュールＣＰＬ４１、ＣＰＬ４２にアクセスし、これらの間でウエハＷを受け渡す。インターフェイスアーム４２は、棚ユニットＵ６を構成する各モジュールにアクセスし、これらのモジュール間でウエハＷを受け渡す。
【００４９】
続いて、塗布、現像装置１に設けられた制御部５１について説明する。制御部５１はプログラム、メモリ、ＣＰＵなどを備えている。前記プログラムには制御部５１から塗布、現像装置１の各モジュール及びウエハＷの搬送手段に制御信号を送り、後述のウエハＷの搬送及び処理を進行させるように命令（各ステップ）が組み込まれている。このプログラム（処理パラメータの入力操作や表示に関するプログラムも含む）は、コンピュータ記憶媒体例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、ＭＯ（光磁気ディスク）、メモリーカードなどの記憶媒体に格納されて制御部５１にインストールされる。また、前記メモリにはキャリアＣの各ウエハＷのＩＤと、ウエハＷが搬送されるモジュールとが対応付けられた搬送スケジュールが記憶されている。
【００５０】
塗布、現像装置１におけるウエハＷの搬送経路について、モジュール単位で図２を参照しながら詳しく説明すると、キャリアＣから受け渡しアーム１３により棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＢＵ１１に受け渡されたウエハＷは、受け渡しアーム１５→棚ユニットＵ１、Ｕ２の疎水化処理モジュールＡＤＨの順で搬送され、疎水化処理される。疎水化処理後、ウエハＷは受け渡しアーム１５→棚ユニットＵ３の受け渡しモジュールＣＰＬ１１→第１の液処理単位ブロックＢ１のメインアームＡ１→反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１、ＢＣＴ２の順で搬送されて、当該ウエハＷに反射防止膜が形成される。
【００５１】
反射防止膜形成後のウエハＷは、メインアームＡ１→棚ユニットＵ４の受け渡しモジュールＴＲＳ１１→第１の加熱処理単位ブロックＣ１のメインアームＤ１→加熱モジュールＣＨＰ→メインアームＤ１→棚ユニットＵ４の受け渡しモジュールＴＲＳ１２→第２の液処理単位ブロックＢ２のメインアームＡ２→レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１、ＣＯＴ２の順に搬送され、ウエハＷにレジスト膜が形成される。
【００５２】
続いて、前記ウエハＷは、メインアームＡ２→棚ユニットＵ３の受け渡しモジュールＣＰＬ１２→受け渡しアーム１６→加熱モジュールＰＡＢ→受け渡しアーム１６→棚ユニットＵ３の受け渡しモジュールＣＰＬ１３→第３の液処理単位ブロックＢ３のメインアームＡ３→保護膜形成モジュールＴＣＴ１、ＴＣＴ２の順に搬送され、レジスト膜の上層に保護膜が形成される。
【００５３】
次に、ウエハＷはメインアームＡ３→棚ユニットＵ４の受け渡しモジュールＴＲＳ１３→第２の加熱処理単位ブロックＣ２のメインアームＤ２→加熱モジュールＣＨＰ→メインアームＤ２→棚ユニットＵ５の受け渡しモジュールＣＰＬ３１→第１〜第３の洗浄単位ブロックＥ１〜Ｅ３のメインアームＦ１→裏面洗浄モジュールＢＳＴ１〜ＢＳＴ６の順で搬送されて、裏面洗浄処理を受ける。裏面洗浄処理後、ウエハＷはメインアームＦ１→棚ユニットＵ６のＴＲＳ２２→インターフェイスアーム４２→受け渡しモジュールＢＵ４１→インターフェイスアーム４２→受け渡しモジュールＣＰＬ４１→インターフェイスアーム４１→露光装置Ｓ７の順で搬送されて、液浸露光される。
【００５４】
液浸露光後のウエハＷは、インターフェイスアーム４１→受け渡しモジュールＣＰＬ４２→インターフェイスアーム４２→受け渡しモジュールＢＵ４２→インターフェイスアーム４２→受け渡しモジュールＴＲＳ２１→第４〜第５の洗浄単位ブロックＥ４〜Ｅ５のメインアームＦ２→第４または第５の洗浄単位ブロックＥ４またはＥ５の露光後洗浄モジュールＰＩＲ１〜ＰＩＲ４に搬送されて、保護膜の除去及び洗浄処理を受ける。
【００５５】
然る後、ウエハＷは、メインアームＦ２→棚ユニットＵ５の受け渡しモジュールＣＰＬ３２またはＣＰＬ３３→第３の加熱処理単位ブロックＣ３のメインアームＤ３→加熱モジュールＰＥＢ→メインアームＤ３→棚ユニットＵ４の受け渡しモジュールＴＲＳ１４またはＴＲＳ１５に搬送される。受け渡しモジュールＴＲＳ１４に搬送されたウエハＷは、第４の液処理単位ブロックＢ４のメインアームＡ４→現像モジュールＤＥＶ１，ＤＥＶ２の順で搬送され、現像処理を受けた後、メインアームＡ４により棚ユニットＵ３の受け渡しモジュールＣＰＬ１４に搬送される。受け渡しモジュールＴＲＳ１５に搬送されたウエハＷは、第４の液処理単位ブロックＢ５のメインアームＡ５→現像モジュールＤＥＶ３，ＤＥＶ４の順で搬送され、現像処理を受けた後、メインアームＡ５により棚ユニットＵ３の受け渡しモジュールＣＰＬ１５に搬送される。
【００５６】
各受け渡しモジュールＣＰＬ１４、ＣＰＬ１５に搬送されたウエハＷは、受け渡しアーム１７→棚ユニットＵ１、Ｕ２の加熱モジュールＰＯＳＴ→受け渡しアーム１７→棚ユニットＵ２の検査モジュールに搬送されて検査される。検査後のウエハＷは受け渡しアーム１７→棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＢＵ１２→受け渡しアーム１３の順で搬送され、受け渡しアーム１３がウエハＷをキャリアＣに戻す。
【００５７】
上記のようにウエハＷの搬送及び処理される間に液処理ブロックＳ３の各層の液処理モジュールのうち一方が使用不可になった場合には、当該液処理モジュールに対向した他方の液処理モジュールへ後続のウエハＷを搬送するように搬送スケジュールが変更される。図８には上記した通常の搬送時におけるウエハＷの搬送経路の概略を示しており、図９には例えばレジスト膜形成モジュールＣＯＴ２及び現像モジュールＤＥＶ２が使用不可になった場合の搬送経路の概略を示している。
【００５８】
図９のフローに示すように、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ２が使用不可になった場合には、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ２に搬入されるように設定されていたウエハＷは、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１に搬送されて処理を受けるように搬送スケジュールが変更される。また、現像モジュールＤＥＶ１に搬入されるように設定されていたウエハＷは、現像モジュールＤＥＶ１に搬送されて処理を受けるように搬送スケジュールが変更される。ＴＣＴ、ＢＣＴについても、これらのモジュールが使用不可になった場合は同様に、対向する同種の液処理モジュールにウエハＷが搬送される。これらの液処理モジュールが使用不可になる場合としては、例えばモジュールの故障時やメンテナンス時などがあり、故障時には制御部５１が自動で上記のように搬送スケジュールの変更を行う。メンテナンス時には、ユーザがメンテナンスを行う液処理モジュールを制御部５１から設定すると、当該制御部５１が上記のように搬送スケジュールの変更を行う。
【００５９】
この塗布、現像装置１を構成する処理ブロックＳ２０は、前方側加熱系ブロックＳ２と、液処理ブロックＳ４と、後方側加熱ブロックＳ３と、をキャリアブロックＳ１側からインターフェイスブロックＳ６側にこの順番で配置し、液処理ブロックＳ３は、反射防止膜形成用の単位ブロックＢ１と、レジスト膜形成用の単位ブロックＢ２と、保護層膜形成用の単位ブロックＢ３と、現像用の単位ブロックＢ４、Ｂ５とを積層してなり、これら各単位ブロックＢ１〜Ｂ５の液処理モジュールは、キャリアブロックＳ１からインターフェイスブロックＳ６へ向かうウエハＷの搬送領域Ｒ１の左右両側に配置されている。このように各ブロック及び各単位ブロックを配置することで、塗布、現像装置１の設置面積を抑えることができる。また、各第１〜第５の液処理単位ブロックＢ１〜Ｂ５に設けられる２つの同種の液処理モジュールのうち、一方のモジュールが使用不可の際に他方のモジュールで処理を行うことができるので、ウエハＷを使用不可となったモジュールの後段へと搬送することができる。これによってスループットの低下を抑えることができる。
【００６０】
また、後方側加熱ブロックＳ４では、第１の液処理単位ブロックＢ１の受け渡しモジュールＴＲＳ１１から第２の液処理単位ブロックＢ２の受け渡しモジュールＴＲＳ１２にウエハＷを搬送するメインアームＤ１と、第３の液処理単位ブロックＢ３の受け渡しモジュールＴＲＳ１３から洗浄ブロックＳ５へウエハＷを搬送するメインアームＤ２とが夫々別体として設けられている。これによって、前記液処理単位ブロックＢ１、Ｂ２間と、液処理単位ブロックＢ３と洗浄ブロックＳ５との間とで速やかにウエハＷを搬送することができ、スループットの向上を図ることができる。なお、この実施形態や他の実施形態で、第３の液処理単位ブロックＢ３でレジスト膜の上層に形成される膜は保護膜に限られず、例えばレジストの上層側に形成される反射防止膜であってもよい。
【００６１】
（第２の実施形態）
続いて図１０を参照しながら塗布、現像装置１の処理ブロックの第２の実施形態について、第１の実施形態との差異点を中心に説明する。図１０の処理ブロックＳ３０の第２の液処理単位ブロックＢ２の搬送領域Ｒ１と、第３の液処理単位ブロックＢ３の搬送領域Ｒ１とは仕切られておらず、互いに開放されている。そしてメインアームＡ２が第２の液処理単位ブロックＢ２と第３の液処理単位ブロックＢ３とで共有されており、第２の液処理単位ブロックＢ２と第３の液処理単位ブロックＢ３との間を昇降できるように構成されている。これらのような構成を除いて処理ブロックＳ３０は、既述の処理ブロックＳ２０と同様に構成されている。
【００６２】
この塗布、現像装置１の制御部６１は、制御部５１との差異点としてモード選択部６２を備えている。モード選択部６２は、マウスやキーボードまたはタッチパネルなどにより構成されており、ユーザがウエハＷの搬送モード１、搬送モード２のいずれかを選択することができる。前記搬送モード１が選択された場合では第１の実施形態と同様にウエハＷが搬送され、ウエハＷに反射防止膜、レジスト膜、保護膜が順に形成された後、現像処理が行われる。ただし、この塗布、現像装置１ではメインアームＡ３が設けられていないため、第１の実施形態においてメインアームＡ３により行われる搬送は、当該メインアームＡ３に代わりメインアームＡ２により行われる。
【００６３】
搬送モード２が選択された場合には、レジスト膜が形成されたウエハＷは保護膜が形成されずに洗浄ブロックＳ５へと搬送される。図１０中の矢印は、この搬送モード２実行時のウエハＷの流れを示しており、具体的に説明すると、ウエハＷは、第１の実施形態と同様の経路でレジスト膜形成モジュールＣＯＴ１，ＣＯＴ２に搬送される。そして、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１、ＣＯＴ２でレジスト膜が形成された後にメインアームＡ２に受け渡され、メインアームＡ２は、当該ウエハＷを第３の液処理単位ブロックＢ３の高さ位置に設けられた受け渡しモジュールＴＲＳ１３に搬送する。受け渡しモジュールＴＲＳ１３のウエハＷは、第２の加熱処理単位ブロックＣ２のメインアームＤ２により、加熱モジュールＣＨＰに搬送されて加熱処理された後、洗浄ブロックＳ５へ搬送される。これ以降、ウエハＷは第１の実施形態と同様の搬送経路で搬送される。
【００６４】
この第２の実施形態においても、第１の実施形態と同様に装置の設置面積を抑えることができると共にスループットの低下を抑えることができる。また、保護膜を形成しない場合には、ウエハＷは第２の液処理単位ブロックＢ２から前方側加熱系ブロックＳ２にウエハＷが戻されずに後方側加熱処理ブロックＳ４へと搬入されるので、スループットをより高めることができる。
【００６５】
（第３の実施形態）
第３の実施形態の塗布、現像装置１に設けられる処理ブロックＳ４０は、図１１に示されるように、液処理単位ブロックＢ３と加熱処理単位ブロックＣ２とを備えていない。このような違いを除いて処理ブロックＳ４０は第１の実施形態の処理ブロックＳ２０と同様に構成されている。ウエハＷは第１の実施形態と同様の経路で反射防止膜形成モジュール→受け渡しモジュールＴＲＳ１１→加熱モジュールＣＨＰ→受け渡しモジュールＴＲＳ１２の順で搬送された後、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１、ＣＯＴ２でレジスト膜が形成される。然る後、ウエハＷはメインアームＡ２により受け渡しモジュールＴＲＳ１２へ搬送され、さらに第１の加熱処理単位ブロックＣ１のメインアームＤ１に受け渡される。その後、加熱モジュールＣＨＰに搬送されて加熱処理された後、洗浄ブロックＳ５へ搬送される。これ以降、ウエハＷは第１の実施形態と同様の搬送経路で搬送される。処理ブロックをこのような構成としても第１の実施形態と同様の効果がある。
【００６６】
図１２に示す処理ブロックＳ５０は第３の実施形態の変形例である。処理ブロックＳ５０は、第１の実施形態と同様に第１〜第３の加熱処理単位ブロックＣ１〜Ｃ３を備えている。ただし、第１の実施形態とは異なり、第１の加熱処理単位ブロックＣ１は第１の液処理単位ブロックＢ１及び第２の液処理単位ブロックＢ２の下側に隣接し、第２の加熱処理単位ブロックＣ２は第２の液処理単位ブロックＢ２の上側に隣接している。そして、液処理ブロックＳ４の棚ユニットＵ４の受け渡しモジュールＴＲＳ１２、ＴＲＳ１３は、第１の加熱処理単位ブロックＣ１の高さ位置、第２の加熱処理単位ブロックＣ２の高さ位置に夫々設けられている。
【００６７】
処理ブロックＳ５０において、他の実施形態と同様に反射防止膜形成後、受け渡しモジュールＴＲＳ１１に搬入されたウエハＷは、メインアームＤ１により第１の加熱処理単位ブロックＣ１の加熱モジュールＣＨＰに搬入されて加熱処理された後、受け渡しモジュールＴＲＳ１２に搬送される。そして、第２の液処理単位ブロックＢ２でレジスト膜が形成されたウエハＷは、受け渡しモジュールＴＲＳ１３に搬送され、第２の加熱処理単位ブロックＣ２のメインアームＤ２により、当該第２の加熱処理単位ブロックＣ２の加熱モジュールＣＨＰに搬送されて加熱処理を受ける。然る後、ウエハＷはメインアームＤ２により洗浄ブロックＳ５に搬送される。これ以降、ウエハＷは第１の実施形態と同様の経路で搬送される。この実施形態においても第１の実施形態と同様の効果が得られる。各実施形態において液処理単位ブロックＢ４、Ｂ５でメインアームは共有されていてもよい。つまり、メインアームＡ５が設けられておらず、メインアームＡ４が液処理単位ブロックＢ４、Ｂ５間を昇降し、これらの高さ位置にある各モジュールにウエハＷを受け渡すことができるようになっていてもよい。
【００６８】
上記の各実施形態で現像用の単位ブロックは２層設けられているが、３層以上の複数層であってもよく、また１層のみ設けられていてもよい。なお、現像用の単位ブロックＢ４、Ｂ５で１つのメインアームＡを共有し、当該メインアームが単位ブロックＢ４、Ｂ５の各モジュールにアクセスできるようにしてもよい。このようにメインアームＡが共有化されていても、他の単位ブロックＢの高さの２つ分の高さを有していれば、その単位ブロックＢは２層であるものと見ることができる。
【００６９】
次に本発明の変形例を以下に示しておく。
（１）液処理系の単位ブロック群は、反射防止膜用の単位ブロックと、レジスト膜用の単位ブロックと、上層膜用の単位ブロックと、を下からこの順に積層することに限らず、上からこの順に積層するようにしてもよい。
（２）既述の図１の実施形態は、加熱系のブロックを、液処理系の単位ブロック群のキャリアブロックＳ１側及びインターフェイスブロックＳ６側に分散させた構成であるが、図１３に示すように加熱系のブロックを、液処理系の単位ブロック群のキャリアブロックＳ１側だけに設けてもよいし、あるいは図１４に示すように液処理系の単位ブロック群のインターフェイスブロックＳ６側だけに設けてもよい。図１３、図１４に記載されている鎖線７１は、ウエハＷの流れを示している。
【００７０】
加熱系のブロックは、前記塗布膜用の単位ブロック群の各々で形成された塗布膜を加熱処理するための複数の加熱モジュールＰＡＢ及びＣＨＰが積層されているが、加熱系のブロックが液処理系の単位ブロック群のキャリアブロックＳ１側（前方側）及びインターフェイスブロックＳ６側（後方側）に分散されている場合には、各塗布膜を加熱処理する加熱モジュールＰＡＢ及びＣＨＰが前方側の加熱ブロックＳ２及び後方側の加熱ブロックＳ４のいずれかに配置されることになる。
【００７１】
また現像処理の前後において加熱処理するための加熱モジュールについても、複数積層して加熱系のブロックとして構成しているが、この場合、露光後現像前のウエハＷに対して加熱を行うための加熱モジュールＰＥＢと現像後のウエハＷに対して加熱を行うための加熱モジュールＰＯＳＴとを、現像用の単位ブロックのインターフェイスブロックＳ６側に集約して設けてもよいし、あるいは現像用の単位ブロックのキャリアブロックＳ１側に集約して設けてもよい。
従って本発明は、これらの変形例までも含めてその特徴を表現するならば、
イ）処理ブロックは、液処理系の単位ブロック群のキャリアブロック側及びインターフェイスブロック側のうちの少なくとも一方に加熱系のブロックを配置したことと、
ロ）加熱系のブロックは、互いに上下に積層した複数の加熱モジュールと、これら複数の加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な上下搬送機構と、を備えたことと、
ハ）反射防止膜用の単位ブロック、レジスト膜用の単位ブロック及び上層膜用の単位ブロックごとに設けられ、各単位ブロックの主搬送機構と前記上下搬送機構との間で基板の受け渡しを行うための受け渡しステージと、
ニ）反射防止膜用の単位ブロック、レジスト膜用の単位ブロック及び上層膜用の単位ブロック間の基板の搬送は、前記ハ）に記載した受け渡しステージを介して前記上下搬送機構により行われること、
ホ）前記加熱モジュールは塗布膜用の単位ブロック群の各単位ブロックにて塗布された塗布膜を加熱処理するためのものであること、
を備えているということができる。
【００７２】
なおウエハ上のレジスト膜の上に上層膜を形成しない場合には、図１５のように反射防止膜用の単位ブロック及びレジスト膜用の単位ブロックからなる塗布膜用の単位ブロック群（この例では２つの単位ブロックを「群」と呼んでいる）の後方側に設けてもよいし、あるいは図１６のように塗布膜用の単位ブロック群の前方側に設けてもよい。このように塗布膜用の単位ブロック群及び現像用の単位ブロックと、加熱モジュールと、を分離し、加熱モジュールを積層して加熱系のブロックとして集約すると共に加熱系のブロックを、液処理系の単位ブロック群のキャリアブロック側やインターフェイスブロック側に配置することにより、コンパクトな装置を構築することができ、特にキャリアブロック側から見た前後方向の寸法を小さくできる利点がある。また塗布膜用の単位ブロック間のウエハの搬送を加熱系のブロックの上下搬送機構を利用して行うことができるので、搬送効率がよく、また搬送系をハード面から見ても全体として無駄のない設計ができる。
【符号の説明】
【００７３】
Ａ１〜Ａ５ メインアーム
ＢＣＴ 反射防止膜形成モジュール
Ｂ１〜Ｂ５ 液処理単位ブロック
ＣＯＴ レジスト膜形成モジュール
ＤＥＶ 現像モジュール
Ｄ１〜Ｄ３ メインアーム
Ｆ１、Ｆ２ メインアーム
ＴＣＴ 保護膜形成モジュール
Ｓ１ キャリアブロック
Ｓ２ 前方側加熱ブロック
Ｓ３ 液処理ブロック
Ｓ４ 後方側加熱ブロック
Ｓ５ 洗浄ブロック
Ｓ６ インターフェイスブロック
Ｓ７ 露光装置
Ｗ ウエハ
１ 塗布、現像装置
５１ 制御部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、前記処理ブロックに対してキャリアブロックとは反対側に位置するインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
ａ）前記処理ブロックは、キャリアブロック側の加熱系のブロックと、液処理系の単位ブロック群と、インターフェイスブロック側の加熱ブロックと、をキャリアブロック側からインターフェイスブロック側にこの順番で配置したことと、
ｂ）前記液処理系の単位ブロック群は、
反射防止膜を基板に形成するための反射防止膜用の単位ブロックと、前記反射防止膜の上にレジスト膜を形成するためのレジスト膜用の単位ブロックと、レジスト膜の上に上層膜を形成するための上層膜用の単位ブロックと、をこの順で上側に積層した塗布膜用の単位ブロック群と、
この塗布膜用の単位ブロック群に対して互いに上下に積層され、露光後の基板を現像するための現像用の単位ブロックと、から構成されることと、
ｃ）前記塗布膜用の単位ブロック群の各々は、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側を見る方向を前方とすると、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、各塗布膜に対応する薬液を基板に供給するための液処理モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これら液処理モジュールの間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
ｄ）前記現像用の単位ブロックは、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、現像液を基板に供給するための現像モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これら現像モジュール間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
ｅ）前記キャリアブロック側の加熱系のブロックは、多数の加熱モジュールを上下に積層し、これら加熱モジュールに対して、前記レジスト膜用の単位ブロックにて薬液を塗布した後の基板を加熱する加熱モジュールと、現像用の単位ブロックにて現像液を供給した後の基板を加熱する加熱モジュールと、を割り当てると共に、加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な上下搬送機構と、を備えたことと、
ｆ）前記インターフェイスブロック側の加熱ブロックは、多数の加熱モジュールを上下に積層し、これら加熱モジュールに対して、前記反射防止膜用の単位ブロックにて薬液を塗布した後の基板を加熱する加熱モジュールと、前記上層膜用の単位ブロックにて薬液を塗布した後の基板を加熱する加熱モジュールと、現像用の単位ブロックにて現像液を供給する前の露光後の基板を加熱する加熱モジュールと、を割り当てると共に、加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な上下搬送機構と、を備えたことと、
ｇ）前記塗布膜用の単位ブロック群の各々におけるキャリアブロック側及びインターフェイスブロック側に夫々設けられた受け渡しステージと、
ｈ）前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側及びインターフェイスブロック側に夫々設けられた受け渡しステージと
ｉ）キャリアブロックに置かれたキャリアから取り出された基板を、前記反射防止膜用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージに受け渡し、また前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージから基板を受け取るための受け渡し機構と、
ｊ）前記反射防止膜用の単位ブロックにて薬液が塗布された基板を、インターフェイスブロック側の加熱モジュールに受け渡して加熱処理し、次いでレジスト膜用の単位ブロックに受け渡して薬液を塗布し、続いてキャリアブロック側の加熱モジュールに受け渡して加熱処理し、その後上層膜用の単位ブロックに受け渡して薬液を塗布し、更にインターフェイスブロック側の加熱モジュールに受け渡して加熱処理するように制御信号を出力する制御部と、
を備えたことを特徴とする塗布、現像装置。
【請求項２】
インターフェイスブロック側の加熱系ブロックの上下搬送機構は、反射防止膜用の単位ブロックに対応する受け渡しステージから基板を受け取り、加熱処理後の基板をレジスト膜用の単位ブロックに対応する受け渡しステージに受け渡す上下搬送機構と、上層膜用の単位ブロックに対応する受け渡しステージから基板を受け取る上下搬送機構と、に分割されている請求項１記載の塗布、現像装置。
【請求項３】
前記レジスト膜用の単位ブロック及び上層膜用の単位ブロックは、各々に主搬送機構が備えられる構成に代えて、主搬送機構が共通化され、
前記制御部は、上層膜を基板に形成しないときには、レジスト膜用の単位ブロックにて薬液が塗布された基板を上層膜用の単位ブロックに対応する受け渡しステージを介してインターフェイスブロック側の加熱系ブロックに受け渡して加熱処理するように制御することを特徴とする請求項１または２記載の塗布、現像装置。
【請求項４】
キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、前記処理ブロックに対してキャリアブロックとは反対側に位置するインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
ａ）前記処理ブロックは、キャリアブロック側の加熱系のブロックと、液処理系の単位ブロック群と、インターフェイスブロック側の加熱ブロックと、をキャリアブロック側からインターフェイスブロック側にこの順番で配置したことと、
ｂ）前記液処理系の単位ブロック群は、
反射防止膜を基板に形成するための反射防止膜用の単位ブロックと、前記反射防止膜の上にレジスト膜を形成するためのレジスト膜用の単位ブロックと、をこの順で上側に積層した塗布膜用の単位ブロック群と、
この塗布膜用の単位ブロック群に対して互いに上下に積層され、露光後の基板を現像するための現像用の単位ブロックと、から構成されることと、
ｃ）前記塗布膜用の単位ブロック群の各々は、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側を見る方向を前方とすると、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、各塗布膜に対応する薬液を基板に供給するための液処理モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これら液処理モジュールの間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
ｄ）前記現像用の単位ブロックは、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、現像液を基板に供給するための現像モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これら現像モジュール間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
ｅ）前記キャリアブロック側の加熱系のブロックは、互いに上下に積層され、現像用の単位ブロックにて現像液を供給した後の基板を加熱する複数の加熱モジュールと、これら加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な上下搬送機構と、を備えたことと、
ｆ）前記インターフェイスブロック側の加熱系のブロックは、多数の加熱モジュールを上下に積層し、これら加熱モジュールに対して、前記反射防止膜用の単位ブロックにて薬液を塗布した後の基板を加熱する加熱モジュールと、前記レジスト膜用の単位ブロックにて薬液を塗布した後の基板を加熱する加熱モジュールと、現像用の単位ブロックにて現像液を供給する前の露光後の基板を加熱する加熱モジュールと、を割り当てると共に、加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な上下搬送機構と、を備えたことと、
ｇ）前記反射防止膜用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側及びインターフェイスブロック側に夫々設けられた受け渡しステージと、
ｈ）前記レジスト膜用の単位ブロックにおけるインターフェイスブロック側に夫々設けられた受け渡しステージと、
ｉ）前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側及びインターフェイスブロック側に夫々設けられた受け渡しステージと
ｊ）キャリアブロックに置かれたキャリアから取り出された基板を、前記反射防止膜用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージに受け渡し、また前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージから基板を受け取るための受け渡し機構と、
ｋ）前記反射防止膜用の単位ブロックにて薬液が塗布された基板を、インターフェイスブロック側の加熱モジュールに受け渡して加熱処理し、次いでレジスト膜用の単位ブロックに受け渡して薬液を塗布し、続いてインターフェイスブロック側の加熱モジュールに受け渡して加熱処理するように制御信号を出力する制御部と、
を備えたことを特徴とする塗布、現像装置。
【請求項５】
キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、前記処理ブロックに対してキャリアブロックとは反対側に位置するインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
ａ）前記処理ブロックは、キャリアブロック側の加熱系のブロックと、液処理系の単位ブロック群と、インターフェイスブロック側の加熱ブロックと、をキャリアブロック側からインターフェイスブロック側にこの順番で配置したことと、
ｂ）前記液処理系の単位ブロック群は、
反射防止膜を基板に形成するための反射防止膜用の単位ブロックと、前記反射防止膜の上にレジスト膜を形成するためのレジスト膜用の単位ブロックと、レジスト膜の上に上層膜を形成するための上層膜用の単位ブロックと、をこの順で上側に積層した塗布膜用の単位ブロック群と、
この塗布膜用の単位ブロック群に対して互いに上下に積層され、露光後の基板を現像するための現像用の単位ブロックと、から構成されることと、
ｃ）前記塗布膜用の単位ブロック群の各々は、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側を見る方向を前方とすると、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、各塗布膜に対応する薬液を基板に供給するための液処理モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これら液処理モジュールの間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
ｄ）前記現像用の単位ブロックは、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、現像液を基板に供給するための現像モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これら現像モジュール間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
ｅ）前記キャリアブロック側の加熱系のブロックは、多数の加熱モジュールを上下に積層し、これら加熱モジュールに対して、前記レジスト膜用の単位ブロックにて薬液を塗布した後の基板を加熱する加熱モジュールと、現像用の単位ブロックにて現像液を供給した後の基板を加熱する加熱モジュールと、を割り当てると共に、加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な上下搬送機構と、を備えたことと、
ｆ）前記インターフェイスブロック側の加熱ブロックは、多数の加熱モジュールを上下に積層し、これら加熱モジュールに対して、前記反射防止膜用の単位ブロックにて薬液を塗布した後の基板を加熱する加熱モジュールと、前記上層膜用の単位ブロックにて薬液を塗布した後の基板を加熱する加熱モジュールと、現像用の単位ブロックにて現像液を供給する前の露光後の基板を加熱する加熱モジュールと、を割り当てると共に、加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な上下搬送機構と、を備えたことと、
ｇ）前記塗布膜用の単位ブロック群の各々におけるキャリアブロック側及びインターフェイスブロック側に夫々設けられた受け渡しステージと、
ｈ）前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側及びインターフェイスブロック側に夫々設けられた受け渡しステージと
ｉ）キャリアブロックに置かれたキャリアから取り出された基板を、前記反射防止膜用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージに受け渡し、また前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージから基板を受け取るための受け渡し機構と、
ｊ）前記反射防止膜用の単位ブロックにて薬液が塗布された基板を、インターフェイスブロック側の加熱モジュールに受け渡して加熱処理し、次いでレジスト膜用の単位ブロックに受け渡して薬液を塗布し、続いてキャリアブロック側の加熱モジュールに受け渡して加熱処理し、その後上層膜用の単位ブロックに受け渡して薬液を塗布し、更にインターフェイスブロック側の加熱モジュールに受け渡して加熱処理するように制御信号を出力する制御部と、
を備えた塗布、現像装置を用い、
前記反射防止膜用の単位ブロックにて基板に反射防止膜形成用の薬液を塗布する工程と、
前記薬液が塗布された基板を、インターフェイスブロック側の加熱モジュールに受け渡して加熱処理する工程と、
前記加熱処理された基板をレジスト膜用の単位ブロックに受け渡してレジスト液を塗布する工程と、
前記レジスト液が塗布された基板をキャリアブロック側の加熱モジュールに受け渡して加熱処理する工程と、
前記加熱処理された基板を上層膜用の単位ブロックに受け渡して上層膜形成用の薬液を塗布する工程と、
前記薬液が塗布された基板をインターフェイスブロック側の加熱モジュールに受け渡して加熱処理する工程と、を備えたことを特徴とする塗布、現像方法。
【請求項６】
キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、前記処理ブロックに対してキャリアブロックとは反対側に位置するインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
ａ）前記処理ブロックは、キャリアブロック側の加熱系のブロックと、液処理系の単位ブロック群と、インターフェイスブロック側の加熱ブロックと、をキャリアブロック側からインターフェイスブロック側にこの順番で配置したことと、
ｂ）前記液処理系の単位ブロック群は、
反射防止膜を基板に形成するための反射防止膜用の単位ブロックと、前記反射防止膜の上にレジスト膜を形成するためのレジスト膜用の単位ブロックと、をこの順で上側に積層した塗布膜用の単位ブロック群と、
この塗布膜用の単位ブロック群に対して互いに上下に積層され、露光後の基板を現像するための現像用の単位ブロックと、から構成されることと、
ｃ）前記塗布膜用の単位ブロック群の各々は、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側を見る方向を前方とすると、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、各塗布膜に対応する薬液を基板に供給するための液処理モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これら液処理モジュールの間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
ｄ）前記現像用の単位ブロックは、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、現像液を基板に供給するための現像モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これら現像モジュール間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
ｅ）前記キャリアブロック側の加熱系のブロックは、互いに上下に積層され、現像用の単位ブロックにて現像液を供給した後の基板を加熱する複数の加熱モジュールと、これら加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な上下搬送機構と、を備えたことと、
ｆ）前記インターフェイスブロック側の加熱系のブロックは、多数の加熱モジュールを上下に積層し、これら加熱モジュールに対して、前記反射防止膜用の単位ブロックにて薬液を塗布した後の基板を加熱する加熱モジュールと、前記レジスト膜用の単位ブロックにて薬液を塗布した後の基板を加熱する加熱モジュールと、現像用の単位ブロックにて現像液を供給する前の露光後の基板を加熱する加熱モジュールと、を割り当てると共に、加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な上下搬送機構と、を備えたことと、
ｇ）前記反射防止膜用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側及びインターフェイスブロック側に夫々設けられた受け渡しステージと、
ｈ）前記レジスト膜用の単位ブロックにおけるインターフェイスブロック側に夫々設けられた受け渡しステージと、
ｉ）前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側及びインターフェイスブロック側に夫々設けられた受け渡しステージと
ｊ）キャリアブロックに置かれたキャリアから取り出された基板を、前記反射防止膜用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージに受け渡し、また前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージから基板を受け取るための受け渡し機構と、
ｋ）前記反射防止膜用の単位ブロックにて薬液が塗布された基板を、インターフェイスブロック側の加熱モジュールに受け渡して加熱処理し、次いでレジスト膜用の単位ブロックに受け渡して薬液を塗布し、続いてインターフェイスブロック側の加熱モジュールに受け渡して加熱処理するように制御信号を出力する制御部と、
を備えたことを特徴とする塗布、現像装置。
を用い、
反射防止膜用の単位ブロックにて薬液が塗布された基板を、インターフェイスブロック側の加熱モジュールに受け渡して加熱処理する工程と、
次いでレジスト膜用の単位ブロックに受け渡して薬液を塗布し、続いてインターフェイスブロック側の加熱モジュールに受け渡して加熱処理する工程と、
を備えたことを特徴とする塗布、現像方法。
【請求項７】
塗布、現像装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項５または６記載の塗布、現像方法を実施するためのものであることを特徴とする記憶媒体。
【請求項１】
キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、前記処理ブロックに対してキャリアブロックとは反対側に位置するインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
ａ）前記処理ブロックは、キャリアブロック側の加熱系のブロックと、液処理系の単位ブロック群と、インターフェイスブロック側の加熱ブロックと、をキャリアブロック側からインターフェイスブロック側にこの順番で配置したことと、
ｂ）前記液処理系の単位ブロック群は、
反射防止膜を基板に形成するための反射防止膜用の単位ブロックと、前記反射防止膜の上にレジスト膜を形成するためのレジスト膜用の単位ブロックと、レジスト膜の上に上層膜を形成するための上層膜用の単位ブロックと、をこの順で上側に積層した塗布膜用の単位ブロック群と、
この塗布膜用の単位ブロック群に対して互いに上下に積層され、露光後の基板を現像するための現像用の単位ブロックと、から構成されることと、
ｃ）前記塗布膜用の単位ブロック群の各々は、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側を見る方向を前方とすると、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、各塗布膜に対応する薬液を基板に供給するための液処理モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これら液処理モジュールの間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
ｄ）前記現像用の単位ブロックは、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、現像液を基板に供給するための現像モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これら現像モジュール間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
ｅ）前記キャリアブロック側の加熱系のブロックは、多数の加熱モジュールを上下に積層し、これら加熱モジュールに対して、前記レジスト膜用の単位ブロックにて薬液を塗布した後の基板を加熱する加熱モジュールと、現像用の単位ブロックにて現像液を供給した後の基板を加熱する加熱モジュールと、を割り当てると共に、加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な上下搬送機構と、を備えたことと、
ｆ）前記インターフェイスブロック側の加熱ブロックは、多数の加熱モジュールを上下に積層し、これら加熱モジュールに対して、前記反射防止膜用の単位ブロックにて薬液を塗布した後の基板を加熱する加熱モジュールと、前記上層膜用の単位ブロックにて薬液を塗布した後の基板を加熱する加熱モジュールと、現像用の単位ブロックにて現像液を供給する前の露光後の基板を加熱する加熱モジュールと、を割り当てると共に、加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な上下搬送機構と、を備えたことと、
ｇ）前記塗布膜用の単位ブロック群の各々におけるキャリアブロック側及びインターフェイスブロック側に夫々設けられた受け渡しステージと、
ｈ）前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側及びインターフェイスブロック側に夫々設けられた受け渡しステージと
ｉ）キャリアブロックに置かれたキャリアから取り出された基板を、前記反射防止膜用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージに受け渡し、また前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージから基板を受け取るための受け渡し機構と、
ｊ）前記反射防止膜用の単位ブロックにて薬液が塗布された基板を、インターフェイスブロック側の加熱モジュールに受け渡して加熱処理し、次いでレジスト膜用の単位ブロックに受け渡して薬液を塗布し、続いてキャリアブロック側の加熱モジュールに受け渡して加熱処理し、その後上層膜用の単位ブロックに受け渡して薬液を塗布し、更にインターフェイスブロック側の加熱モジュールに受け渡して加熱処理するように制御信号を出力する制御部と、
を備えたことを特徴とする塗布、現像装置。
【請求項２】
インターフェイスブロック側の加熱系ブロックの上下搬送機構は、反射防止膜用の単位ブロックに対応する受け渡しステージから基板を受け取り、加熱処理後の基板をレジスト膜用の単位ブロックに対応する受け渡しステージに受け渡す上下搬送機構と、上層膜用の単位ブロックに対応する受け渡しステージから基板を受け取る上下搬送機構と、に分割されている請求項１記載の塗布、現像装置。
【請求項３】
前記レジスト膜用の単位ブロック及び上層膜用の単位ブロックは、各々に主搬送機構が備えられる構成に代えて、主搬送機構が共通化され、
前記制御部は、上層膜を基板に形成しないときには、レジスト膜用の単位ブロックにて薬液が塗布された基板を上層膜用の単位ブロックに対応する受け渡しステージを介してインターフェイスブロック側の加熱系ブロックに受け渡して加熱処理するように制御することを特徴とする請求項１または２記載の塗布、現像装置。
【請求項４】
キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、前記処理ブロックに対してキャリアブロックとは反対側に位置するインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
ａ）前記処理ブロックは、キャリアブロック側の加熱系のブロックと、液処理系の単位ブロック群と、インターフェイスブロック側の加熱ブロックと、をキャリアブロック側からインターフェイスブロック側にこの順番で配置したことと、
ｂ）前記液処理系の単位ブロック群は、
反射防止膜を基板に形成するための反射防止膜用の単位ブロックと、前記反射防止膜の上にレジスト膜を形成するためのレジスト膜用の単位ブロックと、をこの順で上側に積層した塗布膜用の単位ブロック群と、
この塗布膜用の単位ブロック群に対して互いに上下に積層され、露光後の基板を現像するための現像用の単位ブロックと、から構成されることと、
ｃ）前記塗布膜用の単位ブロック群の各々は、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側を見る方向を前方とすると、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、各塗布膜に対応する薬液を基板に供給するための液処理モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これら液処理モジュールの間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
ｄ）前記現像用の単位ブロックは、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、現像液を基板に供給するための現像モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これら現像モジュール間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
ｅ）前記キャリアブロック側の加熱系のブロックは、互いに上下に積層され、現像用の単位ブロックにて現像液を供給した後の基板を加熱する複数の加熱モジュールと、これら加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な上下搬送機構と、を備えたことと、
ｆ）前記インターフェイスブロック側の加熱系のブロックは、多数の加熱モジュールを上下に積層し、これら加熱モジュールに対して、前記反射防止膜用の単位ブロックにて薬液を塗布した後の基板を加熱する加熱モジュールと、前記レジスト膜用の単位ブロックにて薬液を塗布した後の基板を加熱する加熱モジュールと、現像用の単位ブロックにて現像液を供給する前の露光後の基板を加熱する加熱モジュールと、を割り当てると共に、加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な上下搬送機構と、を備えたことと、
ｇ）前記反射防止膜用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側及びインターフェイスブロック側に夫々設けられた受け渡しステージと、
ｈ）前記レジスト膜用の単位ブロックにおけるインターフェイスブロック側に夫々設けられた受け渡しステージと、
ｉ）前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側及びインターフェイスブロック側に夫々設けられた受け渡しステージと
ｊ）キャリアブロックに置かれたキャリアから取り出された基板を、前記反射防止膜用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージに受け渡し、また前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージから基板を受け取るための受け渡し機構と、
ｋ）前記反射防止膜用の単位ブロックにて薬液が塗布された基板を、インターフェイスブロック側の加熱モジュールに受け渡して加熱処理し、次いでレジスト膜用の単位ブロックに受け渡して薬液を塗布し、続いてインターフェイスブロック側の加熱モジュールに受け渡して加熱処理するように制御信号を出力する制御部と、
を備えたことを特徴とする塗布、現像装置。
【請求項５】
キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、前記処理ブロックに対してキャリアブロックとは反対側に位置するインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
ａ）前記処理ブロックは、キャリアブロック側の加熱系のブロックと、液処理系の単位ブロック群と、インターフェイスブロック側の加熱ブロックと、をキャリアブロック側からインターフェイスブロック側にこの順番で配置したことと、
ｂ）前記液処理系の単位ブロック群は、
反射防止膜を基板に形成するための反射防止膜用の単位ブロックと、前記反射防止膜の上にレジスト膜を形成するためのレジスト膜用の単位ブロックと、レジスト膜の上に上層膜を形成するための上層膜用の単位ブロックと、をこの順で上側に積層した塗布膜用の単位ブロック群と、
この塗布膜用の単位ブロック群に対して互いに上下に積層され、露光後の基板を現像するための現像用の単位ブロックと、から構成されることと、
ｃ）前記塗布膜用の単位ブロック群の各々は、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側を見る方向を前方とすると、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、各塗布膜に対応する薬液を基板に供給するための液処理モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これら液処理モジュールの間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
ｄ）前記現像用の単位ブロックは、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、現像液を基板に供給するための現像モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これら現像モジュール間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
ｅ）前記キャリアブロック側の加熱系のブロックは、多数の加熱モジュールを上下に積層し、これら加熱モジュールに対して、前記レジスト膜用の単位ブロックにて薬液を塗布した後の基板を加熱する加熱モジュールと、現像用の単位ブロックにて現像液を供給した後の基板を加熱する加熱モジュールと、を割り当てると共に、加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な上下搬送機構と、を備えたことと、
ｆ）前記インターフェイスブロック側の加熱ブロックは、多数の加熱モジュールを上下に積層し、これら加熱モジュールに対して、前記反射防止膜用の単位ブロックにて薬液を塗布した後の基板を加熱する加熱モジュールと、前記上層膜用の単位ブロックにて薬液を塗布した後の基板を加熱する加熱モジュールと、現像用の単位ブロックにて現像液を供給する前の露光後の基板を加熱する加熱モジュールと、を割り当てると共に、加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な上下搬送機構と、を備えたことと、
ｇ）前記塗布膜用の単位ブロック群の各々におけるキャリアブロック側及びインターフェイスブロック側に夫々設けられた受け渡しステージと、
ｈ）前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側及びインターフェイスブロック側に夫々設けられた受け渡しステージと
ｉ）キャリアブロックに置かれたキャリアから取り出された基板を、前記反射防止膜用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージに受け渡し、また前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージから基板を受け取るための受け渡し機構と、
ｊ）前記反射防止膜用の単位ブロックにて薬液が塗布された基板を、インターフェイスブロック側の加熱モジュールに受け渡して加熱処理し、次いでレジスト膜用の単位ブロックに受け渡して薬液を塗布し、続いてキャリアブロック側の加熱モジュールに受け渡して加熱処理し、その後上層膜用の単位ブロックに受け渡して薬液を塗布し、更にインターフェイスブロック側の加熱モジュールに受け渡して加熱処理するように制御信号を出力する制御部と、
を備えた塗布、現像装置を用い、
前記反射防止膜用の単位ブロックにて基板に反射防止膜形成用の薬液を塗布する工程と、
前記薬液が塗布された基板を、インターフェイスブロック側の加熱モジュールに受け渡して加熱処理する工程と、
前記加熱処理された基板をレジスト膜用の単位ブロックに受け渡してレジスト液を塗布する工程と、
前記レジスト液が塗布された基板をキャリアブロック側の加熱モジュールに受け渡して加熱処理する工程と、
前記加熱処理された基板を上層膜用の単位ブロックに受け渡して上層膜形成用の薬液を塗布する工程と、
前記薬液が塗布された基板をインターフェイスブロック側の加熱モジュールに受け渡して加熱処理する工程と、を備えたことを特徴とする塗布、現像方法。
【請求項６】
キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、前記処理ブロックに対してキャリアブロックとは反対側に位置するインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
ａ）前記処理ブロックは、キャリアブロック側の加熱系のブロックと、液処理系の単位ブロック群と、インターフェイスブロック側の加熱ブロックと、をキャリアブロック側からインターフェイスブロック側にこの順番で配置したことと、
ｂ）前記液処理系の単位ブロック群は、
反射防止膜を基板に形成するための反射防止膜用の単位ブロックと、前記反射防止膜の上にレジスト膜を形成するためのレジスト膜用の単位ブロックと、をこの順で上側に積層した塗布膜用の単位ブロック群と、
この塗布膜用の単位ブロック群に対して互いに上下に積層され、露光後の基板を現像するための現像用の単位ブロックと、から構成されることと、
ｃ）前記塗布膜用の単位ブロック群の各々は、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側を見る方向を前方とすると、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、各塗布膜に対応する薬液を基板に供給するための液処理モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これら液処理モジュールの間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
ｄ）前記現像用の単位ブロックは、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、現像液を基板に供給するための現像モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これら現像モジュール間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
ｅ）前記キャリアブロック側の加熱系のブロックは、互いに上下に積層され、現像用の単位ブロックにて現像液を供給した後の基板を加熱する複数の加熱モジュールと、これら加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な上下搬送機構と、を備えたことと、
ｆ）前記インターフェイスブロック側の加熱系のブロックは、多数の加熱モジュールを上下に積層し、これら加熱モジュールに対して、前記反射防止膜用の単位ブロックにて薬液を塗布した後の基板を加熱する加熱モジュールと、前記レジスト膜用の単位ブロックにて薬液を塗布した後の基板を加熱する加熱モジュールと、現像用の単位ブロックにて現像液を供給する前の露光後の基板を加熱する加熱モジュールと、を割り当てると共に、加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な上下搬送機構と、を備えたことと、
ｇ）前記反射防止膜用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側及びインターフェイスブロック側に夫々設けられた受け渡しステージと、
ｈ）前記レジスト膜用の単位ブロックにおけるインターフェイスブロック側に夫々設けられた受け渡しステージと、
ｉ）前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側及びインターフェイスブロック側に夫々設けられた受け渡しステージと
ｊ）キャリアブロックに置かれたキャリアから取り出された基板を、前記反射防止膜用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージに受け渡し、また前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージから基板を受け取るための受け渡し機構と、
ｋ）前記反射防止膜用の単位ブロックにて薬液が塗布された基板を、インターフェイスブロック側の加熱モジュールに受け渡して加熱処理し、次いでレジスト膜用の単位ブロックに受け渡して薬液を塗布し、続いてインターフェイスブロック側の加熱モジュールに受け渡して加熱処理するように制御信号を出力する制御部と、
を備えたことを特徴とする塗布、現像装置。
を用い、
反射防止膜用の単位ブロックにて薬液が塗布された基板を、インターフェイスブロック側の加熱モジュールに受け渡して加熱処理する工程と、
次いでレジスト膜用の単位ブロックに受け渡して薬液を塗布し、続いてインターフェイスブロック側の加熱モジュールに受け渡して加熱処理する工程と、
を備えたことを特徴とする塗布、現像方法。
【請求項７】
塗布、現像装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項５または６記載の塗布、現像方法を実施するためのものであることを特徴とする記憶媒体。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【公開番号】特開２０１２−５４４７２（Ｐ２０１２−５４４７２Ａ）
【公開日】平成２４年３月１５日（２０１２．３．１５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１９７０６９（Ｐ２０１０−１９７０６９）
【出願日】平成２２年９月２日（２０１０．９．２）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年３月１５日（２０１２．３．１５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年９月２日（２０１０．９．２）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
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