【課題】小型、省エネルギーの除湿機を有するミニエンを提供する。
【解決手段】ミニエンにおいて、ウェーハ搬送を行う搬送室を内部に有するミニエン本体と、ミニエン本体の排気側と吸気側との間に設置され、ミニエン本体の内部を除湿する除湿機とを備えている。そして、除湿機は、吸着式除湿機からなり、水分を吸着する除湿材に供給する空気を冷却するプレクーラー２７、アフタークーラー２８と、水分を吸着する除湿材に供給する空気を加熱する排気ヒーター３３、再生ヒーター２３とを備え、プレクーラー２７、アフタークーラー２８と排気ヒーター３３、再生ヒーター２３との熱源にペルチェ素子４１が使用されている。 （もっと読む）

【課題】小型化及びコスト低減を実現した紫外線照射装置及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板に対する紫外線照射を行う処理室と、少なくとも処理室内の基板を加熱する加熱機構と、処理室内を脱酸素及び脱水分状態に保持するように処理室内に気体を供給する気体供給部と、紫外線照射装置内に基板の搬入を行うための基板搬入口と処理室との間に少なくとも設けられ、処理室に連通されることで処理室内を所定雰囲気に維持する予備室と、を備えた紫外線照射装置に関する。 （もっと読む）

【課題】移動体の駆動部で暖められた気体の漏れ出しを低減する。
【解決手段】移動体の位置決め装置は、固定子３及び可動子５を有する駆動部と、開口部１１と排気口とを有する筐体７と、前記筐体内の気体を前記排気口から排気する排気部と、制御部とを備える。前記可動子５は、前記移動体２に接続部材１０を介して接続されている。前記筐体７は、前記可動子５の駆動範囲に亙って前記可動子５と前記固定子３とを収容する。前記開口部１１は、前記可動子５の駆動に伴う前記接続部材１０の移動を許容する。前記排気口は、前記駆動範囲の第１端部Ｅａ及び第２端部Ｅｂにそれぞれ配置された端部排気口８ａ、８ｂを含む。前記制御部は、前記可動子５が前記駆動範囲の前記第１端部側を前記第１端部Ｅａに向けて駆動されるときに、前記第１端部Ｅａに配置された端部排気口８ａからの排気量を前記可動子５が前記駆動範囲の中央に位置するときよりも増加させる。 （もっと読む）

【課題】輸送時に基板搬送容器格納棚の分解を必要とせず、又再組立てを必要とせず、輸送コストを低減できると共に作業性の向上を図る基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数枚の基板２１が収納される基板搬送容器９と、該基板搬送容器を搬送する基板搬送容器搬送装置１５と、該基板搬送容器搬送装置１５により搬送された複数の基板搬送容器９が格納される基板搬送容器格納棚１１とを具備し、該基板搬送容器格納棚１１を高さ方向に伸縮可能とした。 （もっと読む）

【課題】スループットを低下させることなく、時間のロス無しに基板のアライメントを可能とした基板処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の基板処理装置は、基板２を出し入れする仕込／取出室３と、前記基板に対して所定の真空処理を行う処理室と、前記仕込／取出室と前記処理室との間における前記基板の受け渡しを行う搬送室と、を備えた基板処理装置であって、前記仕込／取出室は、真空排気可能なチャンバ１１と、前記チャンバ内に配され、前記基板が載置される支持部１２と、前記支持部上に載置された前記基板の位置ずれ量を検出する測定部と、前記測定部によって検出された前記基板の位置ずれ量に応じて、前記基板の位置を修正するアライメント部と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高い真空処理装置を提供する。
【解決手段】真空搬送室内をウエハが搬送される第一及び第二の真空搬送容器と、これらの真空搬送容器各々に連結され処理室と前記真空搬送室とが連通された第一及び第二の真空処理容器と、前記第一及び第二の真空搬送容器の間で連結して内部に前記ウエハを収納可能な中間室容器と、前記第一の真空搬送容器に連結され内部が連通されたロック室と、前記第一及び第二の真空搬送容器と前記第一，第二の真空処理容器、前記中間室容器及び前記ロック室の各々との間に配置されて気密に開閉する複数のバルブとを備え、前記第一の真空処理容器の処理室と前記第一の真空搬送容器の真空搬送室との間または第二の真空処理容器の処理室と前記第二の真空搬送容器の真空搬送室との間のバルブを開放する前に前記第一及び第二の真空搬送容器の間に配置された前記バルブのいずれかを閉塞する。 （もっと読む）

【課題】プラズマにおいて、ガラス基板などの絶縁性基板を短時間で加熱して静電吸着させることが可能な静電吸着方法を提供することである。
【解決手段】静電吸着機構を備えたプラズマ処理装置において、静電吸着機構に絶縁性基板を載置して、高周波電力を印加して絶縁性基板に面した空間にプラズマを形成する。該プラズマによって静電吸着機構を不必要に加熱することなく、被処理基板のみを急速に加熱することが出来る。これにより絶縁性基板の静電吸着を短時間で行うことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】気流制御を通して基板を均一に加熱することが可能な加熱処理装置およびこれを備える塗布現像装置を提供する。
【解決手段】基板を収容可能で、前記基板Ｓが通過する第１の搬入口６２Ｉおよび第１の搬出口６２Ｏを有する筐体と、前記第１の搬入口６２Ｉから前記第１の搬出口６２Ｏへ向かう方向に前記基板Ｓを搬送する第１の搬送機構と、前記第１の搬送機構により前記筐体内を搬送される前記基板Ｓを加熱するヒータ７２と、前記筐体に設けられる排気口であって前記第１の搬入口６２Ｉおよび前記第１の搬出口６２Ｏから前記排気口に至る気流を形成可能な当該排気口と、前記第１の搬入口６２Ｉおよび前記第１の搬出口６２Ｏの一方または双方に臨んで設けられ、吸気により前記気流を調整する当該吸気口とを備える加熱処理装置が開示される。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理されたウエハの異常原因を分析する。
【解決手段】クラスタ型のプラズマ処理システム１０に配置された２以上のプロセスモジュールの少なくともいずれかにおいてプラズマ処理されたウエハＷの異常原因分析方法であって、ウエハＷがフープ１１５ａ〜１１５ｃから搬出され、前記２以上のプロセスモジュールの少なくともいずれかに搬送された後、前記フープ１１５ａ〜１１５ｃに戻るまでの搬送経路の情報を前記ウエハＷ毎に該ウエハの識別情報に関連付けて記憶する記憶工程と、処理済のウエハＷの状態を検査する検査工程と、前記検査工程の結果、異常と判定されたウエハＷの前記記憶された搬送経路の情報と、正常と判定されたウエハＷの前記記憶された搬送経路の情報とを比較し、比較の結果に基づき異常原因の分析を行う異常分析工程と、を含む異常原因分析方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】処理ユニットの設置スペースを小さくして、装置の小型化を図ると共に、基板の処理時間の短縮化及び搬送時間の短縮化によりスループットの向上を図れるようにすること。
【解決手段】ウエハＷを加熱するための加熱部５０を形成する熱板５１と、熱板５１の下方に配設され、ウエハを冷却するための冷却部４０を形成する冷却プレート４１と、上下に配設された加熱部５０及び冷却部４０と対向する位置に配設され、ウエハＷに対して処理液の液膜を形成する複数の現像処理部６０と、冷却部４０及び現像処理部６０に対してウエハＷを搬入又は搬出するためのメインアームＡ１と、メインアームＡ１から受け取ったウエハＷを冷却部４０に受け渡すと共に、加熱部５０に近接する位置に移動する昇降可能な支持ピン８０とを具備する。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクへの塵の付着を抑制しつつ、フォトマスク表面に付着した有機化合物を除去可能なマスクケースを提供する。
【解決手段】内部空間にフォトマスクが収納されるケースである。前記フォトマスクに対向する底面に真空紫外光透過部（５）を有し、前記内部空間と連通したガス流入孔（７）およびガス流出孔（８）が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複雑な機構及び置換ガスが必要となるロードロック方式を採用しなくても、所定の雰囲気を維持したまま、ワークの搬送を行うこと。
【解決手段】互いに開口部３１，４２側を対向させて配置された処理室１２と搬送箱４１との間でワークＷを気密状態を維持しながら受け渡すワーク搬送部４０において、処理室１２の開口部３１を開閉自在、かつ、気密に蓋するとともに、搬送箱４１側に凹部３２ａを有する処理室蓋部３３と、処理室蓋部３３を処理室１２の内部側に案内するガイド機構３４と、処理室１２内に設けられた支持台１３と、搬送箱４１の開口部４２を開閉自在、かつ、気密に蓋するとともに、凹部３２ａに気密に嵌入される搬送箱蓋部４３と、処理室１２の開口部３１の周囲の前面部３１ａと搬送箱４１の開口部４２の周囲の前面部４２ａとを気密に結合する結合部５０とを備えた。 （もっと読む）

【課題】高動作速度がロードロックのために使用されるときの温度効果を制限することができる装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、真空室と気体除去のためのロードロックを有する。ロードロックは、基板を支持するために支持テーブルを有する。カバープレートは、ロードロック内に設けられ、カバープレートは、支持テーブルの上方表面に面する下方表面を有する。開口が、カバープレートの下方表面に設けられ、下方表面に対して実質的に垂直な方向に基板上方から気体の除去を可能にする。一実施形態において、支持テーブルの上方表面内の開口を有する気体除去構成が設けられ、支持テーブルの上方表面と基板との間の気体圧力を、初期的に開口を介してロードロックの残り内の同時ロードロック圧力より低い所定圧力に低減する。ロードロックの残り内のロードロック圧力が所定より低く低下されるとき、支持テーブルの上方表面と基板との間の気体圧力はロードロックの残り内のロードロック圧力とともに低減される。 （もっと読む）

【課題】基板間での熱処理温度のばらつきを抑制し、基板間並びに基板面内における配線パターンの線幅を均一化する。
【解決手段】基板搬送手段２０と、基板搬送路を搬送される被処理基板Ｇに対する熱処理空間を形成する第一のチャンバ８と、加熱または冷却温度の設定温度を変更可能であって、前記第一のチャンバ内を加熱または冷却可能な第一の加熱・冷却手段１７，１８と、前記第一のチャンバの前段に設けられ、前記基板搬送路を搬送される前記被処理基板を検出する基板検出手段４５と、前記基板検出手段の検出信号が供給されると共に、前記第一の加熱・冷却手段の制御を行う制御手段４０とを備え、前記制御手段は、前記第一のチャンバに向けて搬送される複数の被処理基板のうち、先頭の被処理基板が前記基板検出手段によって検出されると、前記第一の加熱・冷却手段の設定温度を第一の温度から第二の温度に変更する。 （もっと読む）

【課題】基板処理システムの加熱装置を昇温するにあたり、三相交流電源の各相の線間電流の平衡を維持しつつ、基板処理システムの起動時間が長くなることを防止する。
【解決手段】ウェハを処理する塗布現像処理システムは、所定の処理レシピに設定されたウェハの処理順序にしたがって複数の加熱装置４０ａ〜４０ｄを昇温する際に、各加熱装置４０ａ〜４０ｄが接続された各相の線間電流値を監視し、加熱装置４０ａ〜４０ｄの昇温中に線間電流値が制限値を上回り加熱装置の昇温が制限された相が生じた際に、昇温が制限された相以外の相における、所定の処理レシピに設定されたウェハの処理順序において次順以降に昇温される加熱装置の昇温の可否を判断し、昇温が制限された相に接続された加熱装置を飛ばして、昇温が制限された相以外の相に接続された昇温可能な加熱装置の昇温を行う。 （もっと読む）

【課題】ウエハ処理装置において、処理室減圧時のウエハの移動を抑制する。
【解決手段】真空処理室１０１に処理ガスを供給するガス供給装置１０９，１１０，１１１と、前記真空処理室内で試料を載置して保持する試料台１０４と、前記真空処理室内を排気する排気装置１０６と、前記真空処理室に高周波エネルギを供給してプラズマを生成するプラズマ生成装置１０７，１０８とを備え、前記試料台上に配置した試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記試料台は載置した試料を上方に押し上げるプッシャーピンを備え、プラズマ処理の終了後、前記プッシャーピンを操作して試料を試料台から押し上げた状態で真空排気する。 （もっと読む）

【課題】ウエーハなどの保管対象物をより良い条件で保管可能なシステムおよび方法を提供すること。不活性ガスの消費量を削減可能なシステムおよび方法を提供すること。
【解決手段】保管対象物２を密閉状に収納可能で、内部から外部への気体の移動と外部から内部への気体の移動とを許す制御ポート４ａ，４ｂを備えた保管容器４と、保管容器４を収納する真空チャンバーＣｎと、真空チャンバーＣｎと真空減圧装置Ｐ，５とを接続する排気経路Ｒｄｎと、真空チャンバーＣｎと不活性ガス供給手段７とを接続する不活性ガス供給経路Ｒｐｎとを備え、真空チャンバーＣｎ内を真空に保持する真空保管モードと、保管容器の出庫に際して、真空チャンバーＣｎと保管容器４とを不活性ガスで満たすべく対応する不活性ガス供給経路Ｒｐｎを開放状態にする出庫準備モードとを有する保管システム。 （もっと読む）

【課題】薄板蓋部を用いる微小変位出力装置において、大気圧以外の気圧雰囲気でも使用可能とすることである。
【解決手段】微小変位出力装置１０は、筐体部１２と上蓋部３０と下蓋部３４を含んで構成され、その内部の収納空間１４には、中心軸４０の軸方向に沿って、複数の平板状可動子６０と薄板状可動子８０とが交互に整列配置される。平板状可動子６０の表面と裏面には、それぞれ中央部から外周部に延びる複数の細溝が設けられる。薄板メンブレムで構成される上蓋部３０と下蓋部３４は、中心軸４０の両端で固定される。筐体部１２の底面部１６には気体連通穴２０が設けられ、底面部１６の裏側で下蓋部３４と向かい合うくぼみ１８は、収納空間１４と同じ気圧とされる。 （もっと読む）

【課題】パターン倒れや汚染の発生を抑えつつ被処理基板を乾燥することの可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】載置部４２には、パターンの形成された面を上面として、当該上面が液体により濡れた状態で被処理基板Ｗが横向きに載置され、基板搬送機構４１は、載置台４２からこの被処理基板Ｗを受け取って、液槽３２内の液体中に浸漬するにあたり、前記パターンの形成領域の上端が当該液体に接触した時点において、このパターン形成領域の上端の板面に液体が残るように当該被処理基板Ｗを縦向きの状態に変換してから液体に浸漬する。処理容器３１では、この液槽３２を内部に格納した状態で、当該液槽３２内の液体を超臨界状態の流体に置換することにより、被処理基板Ｗを乾燥する処理が行われる。 （もっと読む）

【課題】テープを貼り付ける際のウェハへの負荷を低減し、ウェハの破損や損傷を防止する。
【解決手段】内部に気密空間５を有するチャンバ６と、気密空間５を第１及び第２の気密空間７、８に仕切り、上面にウェハ９が載置されるゴムシート１０と、ゴムシート１０の上方でテープ１１を保持するテープフレーム１２と、第１及び第２の気密空間７、８の加圧及び減圧を切り替える第１及び第２の給排気管１３、１４とを備え、第１及び第２の気密空間７、８を真空状態とした後、第２の気密空間８を加圧してゴムシート１０を膨張させ、ウェハ９を押し上げてテープ１１に貼り付けるテープ貼付装置であって、ウェハ９の押し上げに際し、第２の気密空間８の加圧量を制御してゴムシート１０の膨張速度を低速から高速に向けて段階的に変化させながら、ウェハ９をテープ１１に貼り付けるテープ貼付装置１。 （もっと読む）