【課題】ウェハの均一な温度分布を実現するのに有効なサセプタと、スリップの発生を低減しつつ、均一な膜厚の膜を成膜することのできる成膜装置とを提供する。
【解決手段】サセプタ１０２は、シリコンウェハ１０１の外周部を支持するリング状の第１のサセプタ部１０２ａと、第１のサセプタ部１０２ａの外周部に接して設けられ、第１のサセプタ部１０２ａの開口部分を遮蔽する第２のサセプタ部１０２ｂとを有する。第２のサセプタ部１０２ｂは、シリコンウェハ１０１が第１のサセプタ部１０２ａに支持された状態でシリコンウェハ１０１との間に所定の間隔Ｈの隙間２０１が形成されるように配置されるとともに、第１のサセプタ部１０２ａとの間にも隙間２０１に連続し且つ所定の間隔Ｈと実質的に等しい間隔Ｈ’の隙間２０２が形成されるように配置される。 （もっと読む）

【課題】簡易な構造に構成され、かつ高い吸着力を発揮する静電チャックを提供する。
【解決手段】静電チャックＺは、シリカガラスからなる基材１と、基材１の一方の主表面上に形成されるシリカガラスからなる誘電体層３と、誘電体層３と基材１との間に埋設されている、帯状の電極２ａを所定の電極パターンに配列した電極部２とを備えている。また、電極２ａは、厚さ寸法ａが０．２μｍ以上１．０μｍ以下になされ、誘電体層３は、厚さ寸法ｄが４０μｍ以上１００μｍ以下になされている。また、電極２ａの幅寸法ｂは、誘電体層３の厚さ寸法ｄが４０μｍ以上７５μｍ未満の場合に１００μｍ以上３３０μｍ以下になされ、誘電体層３の厚さ寸法ｄが７５μｍ以上１００μｍ以下の場合に２００μｍ以上４３０μｍ以下になされ、隣接する前記電極２ａ同士の間隔ｃは、８０μｍ以上３００μｍ以下になされている。 （もっと読む）

【目的】加熱された半導体ウェハを確実に且つ迅速に搬送させることが可能な半導体製造装置及び半導体製造方法を提供することを目的とする。
【構成】ヒータ内蔵のサセプタに保持されている処理済みの半導体ウェハを、搬送アームによって吸着して外部に搬送するにあたり、先ず、サセプタを、ウェハ待機ステージの真上の位置に移動して、このサセプタに保持されている半導体ウェハをウェハ待機ステージ上に移す。そして、ウェハ待機ステージの真上に位置しているサセプタを水平方向に移動し、所定の冷却期間経過後に、搬送アームにより、ウェハ待機ステージ上の半導体ウェハを吸着して外部に搬送する。 （もっと読む）

【課題】基板貼り合わせ装置のスループットを向上させる。
【解決手段】素子を形成された基板を貼り合わせる基板貼り合わせ装置であって、前記基板に対して処理を実行する３以上の処理部と、前記３以上の処理部の夫々に対して前記基板を搬送する搬送部とを備え、前記３以上の処理部のいずれかは、前記基板を互いに位置合わせして重ね合わせる位置合わせ装置であり、前記３以上の処理部の夫々は前記搬送部の回動中心に対する円周上に配される。 （もっと読む）

連続補給ＣＶＤシステムは、ＣＶＤ処理の際、堆積チャンバを通して、ウエハを搬送する、ウエハ搬送機構を含む。堆積チャンバは、ウエハ搬送機構によって搬送される間、ウエハを通過させるための通路を画定する。堆積チャンバは、複数の処理チャンバのそれぞれ内に別個の処理化学物質を維持する、障壁によって隔離される、複数の処理チャンバを含む。複数の処理チャンバはそれぞれ、ガス流入ポートおよびガス排出ポートと、複数のＣＶＤガス源と、を含む。複数のＣＶＤガス源のうちの少なくとも２つは、複数の処理チャンバのそれぞれのガス流入ポートに連結される。
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【課題】支持台の上に基板を置き、基板を支持台から加熱するのでなく基板より高温のガスを吹き付けることにより基板上の膜を焼成して膜を形成するとき、焼成した膜のストレスにより基板が変形したり、膜にクラックが入る。
【解決手段】基板の支持台より高温のガスの吹き付けを、一定の熱量で行った後に、その一定熱量以上の吹き付けを行う焼成熱処理を行う。熱量の差をガス温度、ガス流量、基板の移動速度、基板とガス吹き付け装置との距離の差でつけることを特徴とする。屈曲可能なシート状の樹脂基板上の膜でも熱焼成処理が可能となった。 （もっと読む）

【課題】大入熱エッチング処理時における半導体ウエハの温度を、高速かつ面内均一に制御するための手段を提供する。
【解決手段】試料台１に環状の冷媒流路２が形成されている。冷媒の熱伝達率は冷媒供給口３から冷媒排出口４に向けて大きく変化することから、冷媒の熱伝達率を冷媒流路２内で一定にするために、冷媒流路２の断面積は断面積の異なる複数の流路領域で構成されている。これにより、冷媒の熱伝達率が上昇する乾き度領域において冷媒の流速を下げることで、冷媒の熱伝達率の上昇を抑制した。また、冷媒流路の断面積を減少することで、冷媒の熱伝達率の低下を抑制した。これにより、冷媒流路２内で冷媒の熱伝達率の均一化を図った。 （もっと読む）

【課題】移動体の傾斜によって生じる計測システムの計測誤差の影響を受けることがない、高精度な移動体の駆動を実現する。
【解決手段】 制御装置により、計測システム７０によって計測される微動ステージＷＦＳの計測方向に関する位置情報と、該位置情報に含まれる微動ステージＷＦＳの傾斜に起因する計測誤差の補正情報とに基づいて、微動ステージＷＦＳが駆動される。従って、微動ステージＷＦＳの傾斜によって生じる計測システムの計測方向に関する位置情報に含まれる計測誤差の影響を受けることがない、高精度な微動ステージＷＦＳの駆動が可能になる。 （もっと読む）

【課題】処理精度の低下を抑制することが可能な基板処理装置及びデバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】基板に対し所定の処理を行う処理装置を有する基板処理装置であって、前記処理装置に接続され、前記処理装置に流体を供給する第一配管と、前記第一配管を内包し、前記処理装置から前記流体を排出する第二配管とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板吸着時の基板振動が抑制され、安定して基板を吸着保持することができる基板吸着装置の提供。
【解決手段】基板吸着装置は、高速流体を流出口Ｅから流出してベルヌーイ効果により吸着対象基板７を吸引する吸着部１と、流出口Ｅから吸着対象基板方向に所定距離を空けて流出口Ｅを囲むように配置され、吸着部１により吸引された吸着対象基板７に当接するパッド４とを備える。パッド４が流出口Ｅを囲むように配置されているので、吸着対象基板７がパッド４の当接したときの振動の発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】
試料温度を面内で均一にすることのできる真空処理装置および真空処理方法を提供する。
【解決手段】
真空処理室内で試料を吸着保持するとともに試料温度を制御して試料を処理する真空処理装置および真空処理方法において、試料載置面に試料１を支持する凸部を外周部とその内側に離間して設け、押上げピン穴２０６を前記凸部の面内に設け、伝熱ガス供給穴２０５を前記凸部以外に設けて、押上げピン穴部に前記凸部以外に供給される伝熱ガス圧力よりも高い圧力の伝熱ガスを供給して試料を処理する。 （もっと読む）

【課題】１次温度調整を固定の目標温度に従って実行することによる不利益を低減する。
【解決手段】制御対象の駆動の際に熱を発生する駆動部を含むウェハステージ機構１０と、駆動部が発生した熱を回収するための冷媒が流れる管路３２と、管路３２を流れる冷媒３０を冷却する熱交換器（冷却器）２４と、熱交換器２４と駆動部との間に配置されて熱交換器２４によって冷却された冷媒３０を加熱する加熱器２８と、駆動部を制御するための制御情報に応じて熱交換器２４による冷却を制御するステージ制御装置１３とを備える。 （もっと読む）

薄いガラスシート（７）用の担体（３１）が開示される。担体は、第１（１５）および第２（１７）の対向表面を有するエラストマー（９）と、前記エラストマー（９）の第１の表面（１５）に接着した支持体（１１）とを備えている。使用中、薄いガラスシート（７）がエラストマーの第２の表面（１７）に直接接触し、かつ、取り外し可能に接着する。薄いガラスシート（７）に、強いが、取り外し可能な接着を提供するため、エラストマーの第２の表面（１７）は１０〜９０の範囲のショアＡ硬さおよび１８５ナノメートル以下の粗さを有する。このようにして、担体／ガラスシート組立体（１３）は、薄いガラスシート（７）の露出面（２３）における電子部品の製造の間に遭遇する状況に耐えることができる。
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【課題】 成膜装置により高温に加熱された基板を搬送中に十分冷却することができる基板搬送機構を提供する。
【解決手段】 吸盤からなる第１基板保持部６２ａの列とベルヌーイチャックからなる第２基板保持部６２ｂの列とを有し基板の着脱が可能な保持体６２を備えており、搬入コンベア７０上の成膜前の基板６ａの列を第１基板保持部６２ａにより保持した状態で、トレイ４上の成膜後の基板６ｂの列を第２基板保持部６２ｂにより保持し、ついで、第１基板保持部６２ａに保持されていた成膜前の基板６ａをトレイ４上に搭載した後、搬入コンベア７０上の成膜前の基板６ａの列を第１基板保持部６２ａにより保持し、次に、第２基板保持部６２ｂに保持されていた成膜後の基板６ｂを搬出コンベア７２上に搭載する基板搬送機構。 （もっと読む）

【課題】 基板を保持するステージを支持する定盤の温度均一性を高める。
【解決手段】 基板の複数のショット領域を順に露光する露光装置であって、基板を保持するステージと、前記ステージを支持する定盤と、前記ステージを前記定盤に対して平行な平面内で駆動する平面モータと、前記定盤を冷却する冷却ユニットと、を備え、前記定盤は、最初のショット領域の露光が開始されてから最後のショット領域の露光が終了されるまでの露光処理期間においてその中に前記ステージの一部が常に存在する領域の外縁を規定する第１境界線と、前記露光処理期間において前記ステージが駆動される領域の外縁を規定する第２境界線と、の間に設定される第３境界線によってその外縁を規定される第１領域と、前記第３境界線によってその内縁を規定され、前記第１領域よりも前記露光処理期間内における温度上昇が小さい第２領域とを含み、前記冷却ユニットは、前記第１領域内で冷媒を流す第１冷却路と前記第２領域内で冷媒を流す第２冷却路とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の搭載のためにホルダーが装着されるバッチ型半導体の製造装置のボートにおいて、製造が簡単な半導体基板ホルダーの製造方法及びこのホルダーを通じてよりコンパクトな半導体基板のボート搭載を遂行してその生産性が向上するバッチ式ボートとそれを用いた半導体基板のローディング／アンローディング方法並びにこれらが含まれた半導体の製造装置を提供する。
【解決手段】半導体基板の底部が安着される外周と内周大きさを有するパイプ形状のホルダー基材１０を成形し、ホルダー基材１０を半導体基板のローディング用ボートで半導体基板の配置間隔に合わせてリング形状に切断してホルダーリング１２を製作する。 （もっと読む）

【課題】アルミナと同等以上の耐食性や体積抵抗率を有しながらアルミナより高い熱伝導率を有する新規な材料を提供する。
【解決手段】本発明の窒化アルミニウム基複合材料は、遷移金属、アルカリ金属、ホウ素の各元素がそれぞれ１０００ｐｐｍ以下であり、熱伝導率が４０〜１５０Ｗ／ｍＫ、熱膨張係数が７．３〜８．４ｐｐｍ／℃、体積抵抗率が１×１０¹⁴Ωｃｍ以上であり、構成相として、ＡｌＮとＭｇＯとを含み、更に、希土類金属酸化物、希土類金属−アルミニウム複合酸化物、アルカリ土類金属−アルミニウム複合酸化物、希土類金属酸フッ化物、酸化カルシウム及びフッ化カルシウムからなる群より選ばれる少なくとも１種を含むものである。 （もっと読む）

【課題】回転自在な複数の回転ロッドの両端の可動ピンで処理対象部材を支持する構造でありながら、櫛歯状の対象支持部材で処理対象部材を外部待機位置と内部処理位置とに円滑に支障なく移動させることができるリフトピン機構を提供する。
【解決手段】リフトピン機構１００は、回転ロッド１１１，１２１の回動により処理対象部材ＧＢを支持する可動ピン１１０，１２０の位置が適宜変位するので、可動ピン１１０，１２０の支持に起因した処理不良を良好に防止できる。部材移動機構１４２が処理対象部材ＧＢを外部待機位置と内部処理位置とに前後移動させるときには、その複数の対象支持アーム１４１の間隙に位置する複数の回転ロッド１１１，１２１を前後方向に位置させる。 （もっと読む）

【課題】 磁石とコイルとの間のギャップが従来と同等であっても、リニアモータから周囲空間への漏れ熱量をより抑制することが可能なリニアモータを提供することを目的とする。言い換えれば、リニアモータからの周囲空間への漏れ熱量を従来と同程度抑制できながら、磁石とコイルとの間のギャップをより小さくでき、駆動効率を従来よりも向上させることが可能なリニアモータを提供することを目的とする。
【解決手段】 磁石を含む第１部材と前記磁石の側から順に断熱部材とコイルと前記コイルを冷却する第１冷却手段とが配置された第２部材とを有し、前記コイルに電流が流れることにより前記第１部材と前記第２部材とが相対的に移動するリニアモータであって、前記第２部材は、前記磁石と前記断熱部材との間に第２冷却手段を有する。 （もっと読む）

【課題】短時間で正確にウェハの位置合わせを行う。
【解決手段】ウェハアライメント装置は、１枚目のウェハの位置を基に２枚目以降のウェハを補正する補正処理と、予め定めた２つの低倍率アライメントパターンと基準位置とのズレ量から前記２枚目以降のウェハに対するＸＹθ方向の補正を行う低倍率補正処理と、予め定めた２つの高倍率アライメントパターンと基準位置とのズレ量から前記２枚目以降のウェハに対するＸＹθ方向の補正を行う高倍率補正処理とを具備する制御部を備える。ウェハアライメント方法は、ウェハアライメント装置の処理と同様の処理機能によって、複数のウェハを連続的に入れ替えて処理する際に当該ウェハの位置決めを行う。 （もっと読む）