【課題】 簡易な構成で、熱負荷によるガラス基板の割れなどを誘発することなく、１枚のガラス基板から複数枚のパネルを省エネルギーのもとに調製することを可能にする、基板への蒸着被膜の形成方法および当該方法を実施するための搬送トレイを提供すること。
【解決手段】 搬送トレイを、四角形状の枠体と、枠体の対向する枠辺と枠辺の間に、その両端を枠体の各枠辺と弾性部材を介して連結することでテンションを付加して架設した薄体状部材とから構成し、複数本の薄体状部材を、基板が搬送トレイに載置されている状態を形成するための保持部材として機能させるとともに、基板における２つ以上の蒸着被膜形成領域を画定するためのマスク部材として機能させる。 （もっと読む）

【課題】有効領域の面付けが異なる基板であっても、有効領域におけるゆがみの発生を抑制することができる基板吸着方法および基板吸着装置を提供する。
【解決手段】ステージ１０１に複数設けられた吸着穴１１０，１２０から、有効領域５０１を有する基板を吸引し、ステージ１０１に基板を吸着する方法であって、少なくとも一つの吸着穴１１０，１２０を含む吸着穴の群１５１〜１５５、１６１〜１６５毎に、吸着穴１１０，１２０からの吸引動作を互いに独立して制御することにより、有効領域５０１を避けて基板を吸引し、ステージ１０１に基板を吸着する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】セラミックス基体中に埋設された導電体に給電するための電極部材の腐蝕をなくし、長期に使用しても信頼性の高いウェハ保持体を提供する。
【解決手段】 本発明のウェハ保持体は、セラミックス基体中に埋設された導電体に接続された導電端子と、導電端子に接続された変形能を有する電極接続導電体が、ウェハ保持体に接続された筒状セラミックス部材に包囲され、該筒状セラミックス部材の内部が非酸化性雰囲気に封止された構造である。 （もっと読む）

【課題】プラスチックディスク、特に成型ウエハを熱処理する方法及び装置を提供するものである。
【解決手段】当該方法は、成型ウエハ１５における樹脂硬化温度以下の第１の温度Ｔ１で、第１の保持手段５に保持し、第１の保持手段上に保持された成型ウエハを第１の温度より高く硬化温度以上である第２の温度Ｔ２に加熱し、第１の保持手段の保持を終了し、第２の温度Ｔ２に加熱された成型ウエハを第１の保持手段から第２の保持手段９に実質的に非接触で搬送し、成型ウエハを第２の保持手段上に保持し、第２の保持手段上に保持された成型ウエハを第２の温度より低く前記硬化温度以下である第３の温度Ｔ４まで冷却し、第２の保持手段による保持を終了するステップを有する。 （もっと読む）

【課題】マルチモジュールを構成するモジュールが使用不可モジュールとなったときにおいて、基板の搬送を速やかに行ない、製品不良の発生を抑えること。
【解決手段】基板を搬送先モジュールに搬送する前に、当該搬送先モジュールが使用不可となったときには、基板の搬送先を、当該基板の次の基板が搬入されるべきモジュールに変更する。使用不可モジュールが発生したときに、前記搬送手段が例えば搬送サイクルの上流端のモジュールに対してアクセスする前であるときには、変更後の搬送先モジュール内にて前の基板が搬出できる状態となるまで搬送サイクルを進めるように制御を行う。また使用不可モュールが発生したときに、前記搬送手段が搬送サイクルにおいて前記使用不可モジュールよりも上流側に位置しているときには、変更後の搬送先モジュール内にて前の基板が搬出できる状態となるまで、搬送手段の搬送動作を待機するように制御を行う。 （もっと読む）

【課題】熱応力による割れを抑制することができる炭化ケイ素セラミックス、および、該炭化ケイ素セラミックスを用いた半導体プロセス用治具を提供する。
【解決手段】本発明による炭化ケイ素セラミックスは、炭化ケイ素の純度が９９．９９９９重量％以上で、かつ、密度が２．０〜３．０ｇ／ｃｍ^３である。また、本発明による半導体プロセス用治具は前記炭化ケイ素セラミックスからなる。 （もっと読む）

【課題】貼り合せた基板の温度を高精度に調整する。
【解決手段】大気中で複数の基板を搬送する搬送部と、真空中で複数の基板を加圧して貼り合せる加圧部と、搬送部と加圧部とを連結するロードロック室と、ロードロック室に搬入された複数の基板を温調する温調部とを備える基板貼り合せ装置が提供される。温調部は、ロードロック室を真空中から大気中にする場合に導入される気体の温度を調整して複数の基板に吹き付けることにより、ロードロック室に搬入された複数の基板を温調する （もっと読む）

【課題】マスク保持部のフレームの熱変形を抑制して、露光精度を向上することができる露光装置を提供する。
【解決手段】マスクステージベース１１は、複数の中空フレーム９１〜９４によって構成されており、中空フレーム９１〜９４の内部には、サーマルチャンバ８０内に供給されるエアと共に温調されたエアが供給される。 （もっと読む）

【課題】複数の光ファイバを接続した光ファイバケーブルを介してエンコーダヘッドから検出器へ出力ビームを接続損失なく送る。
【解決手段】エンコーダから出力ビームを検出器へ送る一系統の受光用ファイバとして、エンコーダ側に位置する光ファイバＦ１のコアＣＲ１の端面（射出端面）と該射出端面より大きな検出器側に位置する光ファイバＦ２のコアＣＲ２の端面（受光端面）とを対向して継がれた光ファイバケーブルを用いる。これにより、光ファイバの継ぎ部において光の漏れが生じることがなく、エンコーダの高い計測精度を確保することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】基板処理室内に石英部材を用い、高温時よりも低温時の方が石英部材のエッチング速度が大きいクリーニングガスを使用する基板処理装置において、クリーニングガスの加熱を安定して行う加熱機構を用いた基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置を次のように構成する。すなわち、基板を収容し処理を行う基板処理室と、基板処理室内に連通するクリーニングガス供給管を経由して、前記基板処理室内にクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給系と、クリーニングガス供給管内に連通する不活性ガス供給管を経由してクリーニングガス供給管内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給系と、基板処理室外に設けられ、不活性ガス供給管からクリーニングガス供給管内に供給される不活性ガスを加熱する不活性ガス加熱部とを備え、基板処理室内をクリーニングする際は、クリーニングガスと不活性ガス加熱部により加熱された不活性ガスとを混合して基板処理室内に供給する。 （もっと読む）

【課題】平流し搬送される被処理基板に対し所定の処理を施す基板処理装置において、前記基板の被処理面に対し均一な処理を施す。
【解決手段】基板搬送路３に沿って被処理基板Ｇを平流し搬送する基板搬送手段６と、前記基板搬送路の途中に設けられ、前記基板搬送手段により搬送される被処理基板に所定の処理を施す基板処理部１５と、前記基板搬送路の幅方向に延設された短冊状のダミー基板８，９と、前記ダミー基板を前記被処理基板と同じ高さで基板搬送方向に沿って移動させるダミー基板移動手段１０，１１と、前記ダミー基板移動手段の制御を行う制御手段５０とを備え、前記制御手段は、前記基板処理部において搬送される前記被処理基板に所定の処理が施される際、前記被処理基板に前記ダミー基板を近接させた状態で、前記ダミー基板移動手段により前記ダミー基板と前記被処理基板とを同期して移動させる。 （もっと読む）

【課題】ウェハ特性に影響がでたり、ウェハトレイ自体にひび割れが生じたりするのを防ぐため、温度分布が均一となるＣＶＤ装置用ウェハトレイ、ＣＶＤ装置用加熱ユニット及びＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】一面にウェハを載置可能なキャビティが設けられたウェハトレイ本体と、前記ウェハトレイ本体の他面に突出して形成された接続部と、を備え、前記接続部には、ウェハトレイ本体を回転可能な回転軸を着脱自在に接続できる接続用凹部が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高精度に導体が内蔵された薄型のセラミックス部材を提供するものである。
【解決手段】相対密度９９％以上の第１のセラミックス焼結体１１の主面に溝１１１を形成する工程と、溝１１１に導体１２を形成する工程と、第１のセラミックス焼結体１１の主面を導体１２とともに研磨して、主面における溝１１１に形成された導体１２の表面１２１と溝１１１以外の第１のセラミックス焼結体表面１１１とを面一の研磨面とする工程と、相対密度９９％以上の第２のセラミックス焼結体１３の主面を研磨面とする工程と、第１のセラミックス焼結体１１の主面と第２のセラミックス焼結体１３の主面とを密着させてホットプレスする工程とを含む。第１のセラミックス焼結体１１及び第２のセラミックス焼結体１３は、互いに共通する成分を主成分とする。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィ装置のエンコーダ型センサシステムの位置精度を増大させる。
【解決手段】基準構造に対するリソグラフィ装置の基板テーブルの位置を測定するエンコーダ型センサシステムを含むリソグラフィ装置が開示される。エンコーダ型センサシステムは、エンコーダセンサヘッドおよびエンコーダセンサターゲットを含み、リソグラフィ装置は、エンコーダセンサターゲットを収容するための凹所を備える。 （もっと読む）

【課題】各部品の破壊や接触不良を検出する安定で信頼性の高い装置を提供する。
【解決手段】 基板を処理する処理室と、基板を加熱するヒータと、ヒータを内包し処理室内に設けられた基板支持台と、基板支持台を支持するシャフトと、シャフト内に挿通された配線と、配線を保持する保持部と、保持部に接続された温度検出部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】基板のハンドリングに際し、速度と信頼性とを改善することによって、処理速度を改善し、機器のコストおよび複雑さを減少させ、および／または、基板が微粒子に曝される可能性を減少させる基板処理システムを提供する。
【解決手段】第１の態様においては、第１の基板処理システム１１が提供され、その第１の基板処理システムは、（１）基板を運搬することができる複数の開口１５ａ〜１５ｄを有するチャンバ１３、（２）複数の開口中の第１の開口に結合された基板キャリアオープナー、（３）複数の開口中の第２の開口に結合された熱処理チャンバ１９ａ、１９ｂ、（４）基板クランプ・ブレードと、高温基板を運搬するように適合されたブレードとを有するチャンバ内に含まれるウエハ・ハンドラー２５を含む。その他の様々な態様が提供され、同様に、これらの、そして、その他の態様に基づいた方法およびコンピュータプログラムプロダクトが提供される。 （もっと読む）

【課題】 ウエハ載置面における均熱性に優れている上に急速昇温および急速冷却が可能であり、且つ高い剛性を備えた加熱冷却デバイスを提供する。
【解決手段】 ヒータ１０と可動式冷却モジュール２０とを備えた加熱冷却デバイス１であって、ヒータ１０は、ウエハ載置面１１ａを有し金属からなる第１均熱板１１と、第１均熱板１１を支持しセラミックスなどからなる第２均熱板１２と、これら均熱板１１、１２の間に設けられた抵抗発熱体１３とを有している。均熱板１１、１２の熱伝導率をＫ１、Ｋ２、ヤング率をＹ１、Ｙ２としたとき、Ｋ１＞Ｋ２、Ｙ２＞Ｙ１であり、均熱板１１、１２の厚みの合計は第１均熱板１１の直径の１／４０以下である。抵抗発熱体１３はポリイミドなどの耐熱性絶縁物１３ｂによって一体化されており、その厚みは０.５ｍｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】シリコンウエハ等の板状試料を囲むように設けられたフォーカスリングの温度を調整することにより、処理中のフォーカスリングの温度を一定に保持することができ、板状試料の外周部の温度を安定化することができ、よって板状試料の面内におけるエッチング特性を均一化することができ、フォーカスリング上に堆積物が堆積するのを防止することができる静電チャック装置を提供する。
【解決手段】静電チャック装置１は、静電チャック部２と、この静電チャック部２を囲むように設けられた環状のフォーカスリング部３と、これら静電チャック部２及びフォーカスリング部３を冷却する冷却ベース部４とにより構成され、フォーカスリング部３は、環状のフォーカスリング２１と、環状の熱伝導シート２２と、環状のセラミックリング２３と、非磁性体のヒータ２５とを重ね合わせたもので、ヒータ２５には給電用端子２６が取り付けられている。 （もっと読む）

【課題】 常温時の高精度なチャックトップ上面の平面度を常温時に限らず昇温時や冷却時にも高精度に維持することができるウェハプローバ用ウェハ保持体を提供する。
【解決手段】 本発明のウェハプローバ用ウェハ保持体は、ウェハ載置面を有するチャックトップと、チャックトップにおいてウェハ載置面とは反対側の面に設置される温度制御手段と、前記チャックトップ及び／又は前記温度制御手段を支持する支持体と、該支持体の下部に設置された底板とを有し、該底板の熱膨張係数が、前記チャックトップの熱膨張係数以上であり、前記チャックトップ、支持体、底板の熱伝導率をそれぞれＫ１、Ｋ２、Ｋ３としたとき、Ｋ１＞Ｋ２かつＫ３＞Ｋ２であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ゴム系材料からなるワークの冷却切削を行う際に、ワークを効率良く冷却する搬送治具を提供する。
【解決手段】
本発明の搬送治具は、ゴム系材料を含んで構成されるワーク１０の冷却切削に用いられる搬送治具１００であって、第１の面においてワーク１０を搭載するように構成され、第１の面とは反対側の第２の面において冷却チャック７０に接触するように構成された固定板２０と、ネジ２５を用いて固定板２０に固定された断熱板３０と、固定板２０に接触することなく、ネジ３５を用いて断熱板３０に固定されたワーク支持枠体４０とを有する。 （もっと読む）