【課題】単結晶シリコンで構成された半導体ウェハを熱処理中に支持するための支持リング、該半導体ウェハの熱処理のための方法、および単結晶シリコンで構成された熱処理された半導体ウェハを提供する。
【解決手段】単結晶シリコンで構成された半導体ウェハを、半導体ウェハの熱処理中に支持するための支持リングであって、外部側面および内部側面と、外部側面から内部側面に延在し、半導体ウェハの配置に役立つ湾曲面とを含み、湾曲面は、直径３００ｍｍの半導体ウェハの配置用に設計されている場合には６０００ｍｍ以上９０００ｍｍ以下の曲率半径を有し、直径４５０ｍｍの半導体ウェハの配置用に設計されている場合には９０００ｍｍ以上１４０００ｍｍ以下の曲率半径を有する、支持リング、該半導体ウェハの熱処理のための方法、および単結晶シリコンで構成された熱処理された半導体ウェハである。 （もっと読む）

【課題】成膜時に半導体ウエハの内周部の温度分布をより均一化することができるとともに、可動部材上への膜の成長を防止することができる支持台を提供する。
【解決手段】成膜時にウエハ７０が載置される支持台であって、載置部材４０と可動部材３０を備えている。載置部材４０は、ウエハ７０が載置されるときに、ウエハ７０の裏面の外周部を支持する第１支持面４４を備えている。可動部材３０は、ウエハ７０を搬送するときに、ウエハ７０の裏面の外周部を支持する第２支持面３４を備えている。第２支持面３４は、第１支持面４４の内周端４４ａよりも外周側に位置している。可動部材３０は、上部位置と下部位置との間を移動可能である。第１支持面４４に支持されたウエハ７０を平面視したときに、可動部材３０全体がウエハ７０と重なる範囲内に位置する。 （もっと読む）

【課題】ウエハを均一に加熱することができるとともに、低コストで大量生産が可能である支持体、及びこの支持体を用いたウエハ成膜処理方法を提供する。
【解決手段】半導体デバイス製造工程において用いられ、ウエハＷを載置する凹部１０が設けられている上面１ａを有する支持体であって、該支持体は、炭化ケイ素によって形成されており、凹部１０は、平面視において略円形状であるとともに、平面視における前記凹部１０の中心部を中心とした同心円状に設けられた複数の円環状の段によって形成されている底部１０Ｂを有する。 （もっと読む）

【課題】搬送チャンバー内にシリコン基板を搬送したときに、シリコン基板が面内温度分布に起因して反ることがない真空処理装置の提供。
【解決手段】真空雰囲気でシリコン基板２６に回路を形成する複数の処理を、それぞれ順次実行する為の複数のプロセスチャンバー２〜５と、複数のプロセスチャンバー２〜５に隣接し、シリコン基板２６をプロセスチャンバー２〜５内へ搬入しプロセスチャンバー２〜５内から搬出する搬送機構１９を有する搬送チャンバー１とを備える真空処理装置。ガスを吹き出す吹出口２２〜２５と、搬送チャンバー１内のガスを外部へ排気する排気口３１とを搬送チャンバー１内に備え、搬送機構１９がプロセスチャンバー２２〜２５から搬出し停止させたシリコン基板２６へ吹出口２２〜２５からガスを吹出させる構成である。 （もっと読む）

【課題】ワークチャックの経路出口における熱媒体の温度が所定になるように冷却水の流量を制御し、ワークチャック各部の温度を均一にして、分割逐次露光においても高精度で基板を露光することができる露光装置を提供する。
【解決手段】蓄圧器８０を接続したワークチャック２０に設けられ、並列接続されて熱媒体Ｗを通過させる複数の熱媒体流路２１，２２，２３と、これらの熱媒体流路の出口側にそれぞれ設けられ、熱媒体Ｗの出口温度Ｔｗｏ１，Ｔｗｏ２，Ｔｗｏ３を測定する温度センサ３１，３２，３３と、複数の熱媒体流路２１，２２，２３にそれぞれ設けられ、これらの熱媒体流路を通過する熱媒体Ｗの流量Ｇｗ１，Ｇｗ２，Ｇｗ３を制御する流量調整機構４１，４２，４３と、を備え、これらの温度センサにより測定される熱媒体Ｗの各々の出口温度に基づいて、流量調整機構が熱媒体Ｗの流量を制御し、ワークチャック２０の温度を所定の温度に調整する。 （もっと読む）

【課題】処理室から搬出される基板保持具から基板を搬送する搬送機構の電装部が高温になるのを抑制することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハを保持するボートと、このボートに保持されたウエハを処理する処理室と、この処理室からボートが搬出される移載室と、この移載室に設けられ、ボートに保持されたウエハを搬送するウエハ搬送機構と、を有し、ウエハ搬送機構は、ウエハを搬送するウエハ移載装置を昇降させる昇降部に動力を伝える動力部と、この動力部の電気的回路を形成する電装部と、この電装部を冷却する冷却装置と、を有する。 （もっと読む）

【課題】真空処理室において高温で処理されたウェハを微小異物や汚染が問題にならない温度に効率良く冷却できる真空処理システムを提供する。
【解決手段】複数の試料が収納されたカセットを設置したカセット台と、前記試料を搬送する大気搬送室と、前記大気搬送室から搬送された前記試料を収納し大気雰囲気もしくは真空雰囲気に切り替え可能なロック室と、前記ロックに連結された真空搬送室と、前記真空搬送室を介して搬送された前記試料を処理する真空処理室とを備える真空処理システムにおいて、少なくとも１つの前記真空処理室で処理された前記試料を第一の温度に冷却する冷却室と、前記冷却室で冷却された前記試料を第二の温度に冷却する冷却部とを備え、前記冷却部は、前記大気搬送室に配置され、前記冷却室で冷却された前記試料を前記第二の温度に冷却する冷却手段を有することを特徴とする真空処理システムである。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィ装置のエンコーダ型センサシステムの位置精度を増大させる。
【解決手段】基準構造に対するリソグラフィ装置の基板テーブルの位置を測定するエンコーダ型センサシステムを含むリソグラフィ装置が開示される。エンコーダ型センサシステムは、エンコーダセンサヘッドおよびエンコーダセンサターゲットを含み、リソグラフィ装置は、エンコーダセンサターゲットを収容するための凹所を備える。 （もっと読む）

【課題】従来よりも小型であり、併せてランニングコストを低減することができる基板搬送装置を提供する。
【解決手段】基板搬送装置１０は、水平かつ上向きの加熱面を有する加熱ユニット１２と、この加熱ユニット１２の加熱面に沿って基板１００を搬送するための３台の昇降可能なチェーン式コンベヤ１８と、を備えている。コンベヤ１８は、上昇状態で基板１００を搬送し、当該基板１００が所定の停止位置に到達すると、下降される。これにより、基板１００は、コンベヤ１８の搬送側キャリア２６の上面と加熱ユニット１２の加熱面とから成る一連の基板載置面上に載置され、当該基板載置面を介して、一様に加熱される。この加熱後、コンベヤ１８は、改めて上昇され、基板１００を搬送する。 （もっと読む）

【課題】高温の基板を冷却する際に、基板と基板支持部との摩擦により生じる傷を抑制することのできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置を、基板に熱処理を施す処理室と、前記処理室に接続され基板を搬送する基板搬送装置を備える搬送室と、前記搬送室に接続され前記処理室で熱処理された基板を冷却する冷却室とを備えるように構成し、さらに、前記冷却室内には、基板を支持するための基板支持部を備え、前記熱処理された基板を基板支持部で支持して冷却する際に、前記基板支持部により基板裏面に形成される傷の長さが０．２５ｍｍ以下となるように、前記基板支持部が基板裏面の３ヶ所以上の位置を支持するように構成する。 （もっと読む）

【課題】基板搬送ロボットの搬送速度を向上させ、処理効率を向上させることが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置が、基板に熱処理を施す処理室と、第１基板支持部を有し該第１基板支持部で基板を支持して搬送する第１搬送ロボットが設けられ、該第１搬送ロボットが、前記処理室から基板を取り出すことのない搬送ロボットである第１搬送室と、第２基板支持部を有し該第２基板支持部で基板を支持して搬送する第２搬送ロボットが設けられ、該第２搬送ロボットが、前記処理室から基板を取り出す搬送ロボットである第２搬送室とを備えるように構成し、前記第１搬送ロボットに設けられた第１基板支持部の摩擦力を、前記第２搬送ロボットに設けられた第２基板支持部の摩擦力よりも大きくする。 （もっと読む）

【課題】高温下での処理に適した半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体ウエハ１０の第１面１１に半導体素子２０の第１構成部２１を作製する第１工程と、第１構成部２１の表面に、シリコーン樹脂層３０のみを介して、支持板４０を貼り付ける第２工程と、支持板４０を貼り付けた状態のまま、半導体ウエハ１０の第１面に対向する第２面１２を研削した後、研削面１３に半導体素子２０の第２構成部２２を作製する第３工程と、第１構成部２１および第２構成部２２が作製された半導体ウエハ１０から、シリコーン樹脂層３０を剥離して、シリコーン樹脂層３０および支持板４０を除去し、また、半導体ウエハ１０をチップ状に切断する第４工程とを備えることを特徴とする半導体素子の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】光学部材と基板との間の露光光の光路空間に満たされた液体の漏出を防止するとともに、基板の温度変化を抑制して基板を精度良く露光できる露光装置を提供する。
【解決手段】露光装置は、基板（Ｐ）上に気流を生成しかつ露光光の光路空間に満たされた液体（ＬＱ）をシールするガスシール機構（３）と、ガスシール機構（３）により生成された気流に起因する基板（Ｐ）の温度変化を補償する補償機構（５）とを備えている。 （もっと読む）

【課題】表面温度の熱均一性の低下を低減できるシャフトを提供する。
【解決手段】シャフト１００は、ヒータープレートと接合する面において、導体を挿通するための複数の第１貫通孔１１０と、ヒータープレートとシャフト１００とを機械的に固定する固定部材を挿通するための複数の第２貫通孔１２０とを有する。第１貫通孔１１０は、ヒータープレートと接合する面の中央を中心とする第１円環上に間隔を存して配置され、第２貫通孔１２０は、第１円環と同心の第２円環上に間隔を存して配置される。第１貫通孔１１０のそれぞれと、第２貫通孔１２０のそれぞれとは、第１円環及び第２円環の中心から前記シャフトの外側を臨んだ場合に、第１貫通孔１１０の中心と第２貫通孔１２０の中心とが直線上に並ばないように配置される。 （もっと読む）

【課題】 基板処理装置に於ける基板搬送ロボットの過熱を低減し、基板搬送ロボットの信頼性及び寿命の低下を抑制する。
【解決手段】 負圧下で基板が搬送される搬送室と、搬送室に接続され基板に加熱処理を施す処理室と、搬送室内に設けられ処理室内外へ基板を搬送する搬送ロボットと、搬送室の内壁を冷却する冷却部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】露光ラインが停止した際に、ガラス基板の熱変形の影響を排除して、精度よく露光転写することができる露光システム及びその制御方法を提供する。
【解決手段】露光システム１０は、温度調整機構１１、プリアライメント装置１２、及び露光装置１３を有して構成される露光ライン２０と、第１ワークローダ１４と、第２ワークローダ１５と、露光ライン２０の各部を制御する制御装置２１と、を備える。制御装置２１は、露光ライン２０が停止したとき、第１及び第２ワークローダ１４、１５によって基板Ｗを温度調整機構１１へ返送する。 （もっと読む）

【課題】基板を移動するステージをリニアモータにより駆動する際、ステージの温度変化を小さくして、パターンの焼付けを精度良く行う。
【解決手段】ステージの温度を調節する温度調節液が流れる通路５２ａ，５２ｂをＸステージ５，Ｙステージ７に設け、ステージの動作状態に応じて、互いに異なる温度の温度調節液を供給する複数の供給装置５３，５４の内の１つから、温度調節液を通路５２ａ，５２ｂへ供給する。ステージの温度変化が小さくなり、パターンの焼付けが精度良く行われる。 （もっと読む）

【課題】露光装置において、基板をチャックに接触支持する方法では、基板に付着した塵埃、基板保持形状に倣った「裏面転写」が発したり、基板とチャックとの接触の順番などにより基板に皺などが発生し平坦度が損なわれて、露光不良が発生する可能性があった。
【解決手段】基板をチャック上に空気力を利用して基板を浮上させる手段を設けて、非接触で基板を保持することにより、接触状態により発生する可能性がある平坦度の棄損と皺の発生を防ぎ、露光パターンを高精度で基板に露光することができる。また、恒温（定温）手段を設けることにより、浮上させた基板の温度変化（上昇）を防ぐことができるので、基板の浮上露光による遜色はない。 （もっと読む）

【課題】レチクルの膨張変化を減少させるようにレチクルにわたる温度変化を減少させる装置および方法を提供する。
【解決手段】減少した温度変化を実現するための一方法は、レチクル全体にわたって均一なバックフィルガス圧を提供することよりも、分配トレンチおよび壁（例えば、流量制限ダム）を用いて加圧バックフィルガスによって内部空間を充填することである。別の方法では、内部空間の外周は、レチクル材料に対する膨張と温度との機能的関係に基づいてレチクルにわたる膨張変化を減少させるように選択されてよい。任意または代替の方法では、レチクルにわたる減少した温度変化は、流体で冷却されたチャック内の空洞をバックフィルガスによって選択的に充填させることによって得ることができる。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの熱処理時において、スリップの発生を抑制すること。
【解決手段】ウェーハ３を熱処理炉内で熱処理するときに該ウェーハ３の下面と一端が当接して該ウェーハを下から支持する石英材を主材とする軸状部材１１を備え、軸状の第１の部材２５の外周面を該第１の部材２５よりも屈折率が小さい第２の部材２７で包囲するととともに両端面から第１の部材２５が露出してなること。 （もっと読む）