【課題】パーティクルを発生させるネジを用いず、熱効率にも優れた新規な構造のウェハ支持装置を提供する。
【解決手段】静電チャック１１と薄板部材１５と固定部材１７とを備えて構成されるウェハ支持装置１０であり、固定部材１７の脚部１８は、ウェハ載置領域を囲むように薄板部材に配置された開口１６を貫通してその上面より上方にまで突出し、その上端から係合部１９が内方に突出している。薄板部材および固定部材が静電チャックの静電吸着面に吸着固定されることにより、該薄板部材と該固定部材の係合部との間にウェハの周縁部を挟んでウェハを固定する。ウェハを上下から挟んだ状態で固定するので、通常の上向き使用だけでなく、下向きや垂直にして使用してもウェハが脱落しない。 （もっと読む）

【課題】原版に対する熱および振動の影響を抑えるのに有利な露光装置を提供する。
【解決手段】この露光装置は、原版Ｍの外周部を引き付けて保持する保持枠２０と、パターン２４に対する光の照射領域を変更しつつ保持枠２０を移動可能とする駆動部２２とを含む原版保持部５を有する。ここで、保持枠２０は、移動方向に対して前後となる両方の側面に、原版Ｍと保持枠２０とに囲まれた空間２５に存在する気体を空間から排出可能とする貫通部２６を有する。 （もっと読む）

【課題】 低温から高温に至る広い温度範囲に亘って高い耐久性を有しており、信頼性の高い電極構造を提供する。
【解決手段】 ウエハ保持体用のセラミックス基体１内に埋設されたヒータ回路や高周波電極回路などの電気回路２に接続される電極構造であって、一端が電気回路２に電気的に接続されると共に他端が接地または外部電源に接続された例えば棒状のセラミックス電極４を有しており、該セラミックス電極４の表面にはメタライズ層４ａが形成されている。 （もっと読む）

【課題】高温状態のワークからの輻射熱による前記ワークの周辺部品に対する影響を減少させることができ、且つ冷却媒体が漏れたり真空リークが発生したりすることがなく、また、コストの減少させることができ、また、ワーク搬送機構の旋回角度を規制することがない冷却ユニットを提供する。
【解決手段】冷却ユニット１００は、その外壁部１２２がワーク搬送機構２０の被冷却面Ｐに密着した状態でワーク搬送機構２０に取り付けられ、被冷却面Ｐから外壁部１２２を介して伝導された熱によって下側空間Ｓ１に収容された冷却媒体を蒸発させ、冷却媒体が蒸発する際に奪われる気化熱によって外壁部１２２を介して被冷却面Ｐを冷却し、下側空間Ｓ１の内部の蒸気圧が一定以上になると蒸気放出ユニット１３０によって下側空間Ｓ１の内部の蒸気を真空室に放出する。 （もっと読む）

【課題】静電チャックと半導体製造装置において、ウェハの温度を均一にすること。
【解決手段】表面に、ガス孔２０と、該ガス孔２０に連通する溝３０とが形成され、溝３０の開口端の幅Ｗ１が、前記開口端よりも下の前記溝３０の幅ＷＸよりも狭いことを特徴とする静電チャックによる。 （もっと読む）

【課題】基板の面内の各部における風向のデータを取得することができる技術を提供すること。
【解決手段】気流のベクトルのデータを取得するための第１のセンサと、第２のセンサとからなる複数のセンサ対がその表面に設けられたセンサ用基板を載置部に載置する工程と、各第１のセンサにより、前記センサ用基板の表面に沿って設定された第１の直線方向における気流のベクトルのデータを取得する工程と、各第２のセンサにより、センサ用基板の表面に沿い、且つ前記第１の直線方向とは傾いて設定された第２の直線方向における気流のベクトルのデータを取得する工程と、同じセンサ対をなす第１のセンサ及び第２のセンサにより各々取得された気流のベクトルをセンサ対毎に予め設定された基点に基づいて合成し、各基点からの風向を演算する工程とを実施し、基板の面内の風向の分布を求める。 （もっと読む）

【課題】高温処理においても、サセプタ変形を抑制することができる基板処理技術を提供する。
【解決手段】基板が載置された載置体と、前記載置体が複数支持された載置体支持具と、前記載置体支持具が収容される反応管と、前記反応管の外側に設けられ、前記反応管内に収容された基板を加熱する加熱部とを備え、前記載置体の、前記基板と接触する面と前記載置体支持具と接触する面が、同じ粗さに表面加工されるように基板処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】 常温のみならず高温においても体積抵抗率を高い値に維持することができる窒化アルミニウム焼結体、及び該窒化アルミニウム焼結体を少なくとも部分的に用いた半導体製造装置用又は検査装置用のウエハ保持体を提供する。
【解決手段】 カーボンナノチューブを内部に含んだ窒化アルミニウム粒子からなる窒化アルミニウム焼結体であって、その常温及び５００℃における体積抵抗率がそれぞれ１.０×１０^１３Ω・ｃｍ以上及び１.０×１０^８Ω・ｃｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、載置する試料を一定の温度に維持する要求に応える載置用部材を提供するものである。
【解決手段】
本発明の一形態に係る載置用部材１は、流路６を有する載置用部材１において、一主面に試料２が載置され、他主面に流路６の内壁を構成する溝部８を有するセラミックスからなる第１基板３と、一主面が該第１基板３の他主面に接続されたセラミックスからなる第２基板４と、第１基板３と第２基板４との間に介在した、第１基板３よりも熱伝導率の低いガラスからなる接合層５とを備え、第２基板４の一主面は、第１基板３の他主面に接合層５を介して接続された第１領域９と、流路６の内壁を構成する第２領域１０とを有し、該第２領域１０は、前記第１領域９と同一平面をなす。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェハ等の板状試料にプラズマを照射した際や、ヒータを加熱した際等において急速に温度が昇降した場合においても、破損や破壊を防止することができ、しかも、腐食性ガスやプラズマによる腐食を防止することができる静電チャック装置を提供する。
【解決手段】一主面を板状試料Ｗを載置する載置面とした耐食性セラミックスからなる載置板１１と、この載置板１１と一体化されて載置板１１を支持し熱伝導率が耐食性セラミックスより大である絶縁性セラミックスからなる支持板１２と、これら載置板１１と支持板１２との間に設けられた静電吸着用内部電極１３とを備えた静電チャック部２と、この静電チャック部２を所望の温度に調整する温度調整用ベース部３とを備えている。 （もっと読む）

【課題】パワー系半導体のメタル電極製造工程に於いて、薄膜化されたウエハの熱処理等の反りによる搬送ミスやウエハクラックを防止する製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエハ１の裏面研削後に、ウエハを予熱した状態でスパッタリング成膜によりメタル膜を成膜するに際して、ウエハを円環状のサセプタに収容して処理するものであって、その円環の放射状垂直断面は、半導体ウエハの表面の周辺部を重力に対して保持する水平に近い第１の上側表面４１と、第１の上側表面に続いて、その外側にあって、半導体ウエハの側面を横ずれに対して保持する垂直に近い第２の上側表面４２を有するものである。 （もっと読む）

【課題】プリント配線板を筐体等の他の部材に接着固定させるための粘着シートにおいて、良好な耐湿性及び耐熱性を有する離型材層を備えることで、粘着シートに寸法変化が生じることを効果的に防止することができる粘着シート、該粘着シートを備えるプリント配線板及び該プリント配線板の製造方法の提供を課題とする。
【解決手段】プリント配線板２０を筐体等の他の部材に接着固定させるための粘着シート１０であって、粘着シート１０は、離型材層１１と、離型材層１１に積層される粘着剤層１２とからなり、離型材層１１は、耐熱性の紙からなる耐熱性離型紙１１ｂと、耐湿性のフィルムからなる耐湿性離型フィルム１１ａとを備えると共に、耐湿性離型フィルム１１ａを、耐熱性離型紙１１ｂの剥離強度よりも小さい剥離強度で耐熱性離型紙１１ｂの上方に積層してある。 （もっと読む）

【課題】 簡単に取り扱うことができ、複数の加熱工程で半導体ウェーハをそのまま取り扱える半導体ウェーハの取り扱い方法を提供する。
【解決手段】 可撓性シート層２とエラストマー層３が一体のサポートシート１を使用し、製造工程で厚さ２００μｍ以下の半導体ウェーハを取り扱う方法であり、可撓性シート層２を５〜２００μｍの厚さにして１２０℃以上の耐熱性を付与し、可撓性シート層２を半導体ウェーハよりも大きく形成して片面にエラストマー層３を形成し、エラストマー層３を５〜２００μｍの厚さにして１２０℃以上の耐熱性を付与し、半導体ウェーハにサポートシート１を粘着する場合、チャックテーブルに吸着固定した半導体ウェーハにエラストマー層３を粘着し、半導体ウェーハの形に沿ってサポートシート１の余剰部を除去し、サポートシート１を剥離する場合、チャックテーブルに吸着固定した半導体ウェーハからサポートシート１を徐々に剥離する。 （もっと読む）

【課題】サセプタの撓みによるエピタキシャル膜面内の抵抗のばらつきを抑制しつつ、パイロメーターによるサセプタ裏面の温度検出の精度も確保して、高品質のエピタキシャル膜を形成できるエピタキシャル成長装置用サセプタサポートシャフトを提供する。
【解決手段】本発明のサセプタサポートシャフト１０３は、エピタキシャル成長装置内でサセプタ１０２を下方から支持するサセプタサポートシャフト１０３であって、前記サセプタ１０２の中心とほぼ同軸上に位置する支柱１０７と、該支柱１０７から前記サセプタ１０２の周縁部下方へ放射状に延びる複数本のアーム１０８と、隣接する該アーム１０８の先端同士を接続するアーム接続部材１０９と、該アーム接続部材１０９から延び、前記サセプタ１０２を支持するｎ本（ｎは４以上の自然数）の支持ピン１１０と、を有し、前記アーム１０８が（ｎ-１）本以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 セラミックス基体中に埋設された導電体に給電するための電極リードの腐蝕をなくし、長期に使用しても信頼性の高いウェハ保持体を提供する。
【解決手段】 本発明のウェハ保持体は、被処理物保持面を有するセラミックス基体中に導電体が埋設されたウェハ保持体であって、被処理物保持面以外の面に露出し前記導電体に接続された導電端子と、該導電端子に接続された電極リードとを有し、該電極リードは、両端が気密に封止された絶縁パイプに覆われており、前記電極リードは前記絶縁パイプ内で分割され、分割された電極リードを電気的に接続する接続部品を有しており、該接続部品は、少なくとも一方端部に筒状部を有する柱状部品であり、該筒状部に前記分割された電極リードの一方が挿入されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 基板を保持する基板ホルダー、該基板ホルダーを回転自在に保持するサセプタ、該サセプタの対面、該基板を加熱するためのヒータ、該サセプタと該サセプタの対面の間隙からなる反応炉、原料ガスを供給する原料ガス導入部、反応ガス排出部、及び基板ホルダー回転駆動器を有するIII族窒化物半導体の気相成長装置であって、サセプタの脱着が容易でメンテナンス性に優れ、基板ホルダー回転駆動器及び基板ホルダー回転駆動軸に対するヒータからの熱伝導を抑制できる構造を有するIII族窒化物半導体の気相成長装置を提供することである。
【解決手段】 基板を保持する複数の基板ホルダーが、基板ホルダー回転駆動器から、基板ホルダー回転駆動軸、該基板ホルダー回転駆動軸に設けられた複数本のツメ、及び反応炉の中心部に設けられ該ツメと脱着可能に噛み合わされた基板ホルダー回転板を介して伝達される回転駆動力により回転する構成とする。 （もっと読む）

【課題】一度に複数の基板を一つのロボットアームで搬送する場合であっても、各基板の温度履歴を同じにすることが可能で、基板同士の間で温度ムラが発生することを防止でき、複数の基板を均一に仕上げることができると共に、搬送を迅速に行うことが可能な基板の搬送装置及びこれを備えた基板の加工装置を提供する。
【解決手段】加熱ステージ１０には、２枚のガラス基板１ａ，１ｂを、ロボットアーム３の移動方向に沿って直列に並べて配置し、加熱ステージには、ガラス基板を、同じ高さに持ち上げるために上昇されかつ下降されてロボットアームに受け渡す昇降手段を設けると共に、ロボットアームの温度上昇過程でガラス基板を同じ温度にてロボットアームに受け渡しするために、ガラス基板のロボットアームへの受け渡しを、当該ロボットアームのフォーク１６の先端１６ａ側で先に行いかつ基端１６ｂ側で後に行うための、昇降手段制御装置を備えた。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥が発生したり、膜厚のばらつきが生じたりすることなく、均一で信頼性の高い薄膜を形成することのできるエピタキシャル成長用サセプタを提供する。
【解決手段】ウエハを載置するウエハ載置面１１に凹部１２を有するエピタキシャル成長用サセプタであって、前記凹部は底面に凸面１３を有し、前記凹部１２は中心軸Ｏ_１を有し、前記ウエハ載置面１１を垂直に分割し、前記凹部１２の前記中心軸を含む断面が、前記中心軸Ｏ_１と前記凸面１３の周縁との中間部で、前記中心軸Ｏ_１上の上端と前記外周縁とをとおる円の外周面よりも外側に突出する領域を有する。 （もっと読む）

【課題】冷却による基板の損傷を防止可能な基板冷却装置、基板キュア装置、並びに基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板冷却装置において、複数の基板８０ａ〜８０ｆは、下側から上側に向かって、基板８０ａ〜８０ｆの順番で間隔Ｄを空けて積層されている。突出片６５は基板８０ｂと略同一線上の位置にあり、突出片６６は基板８０ｄと略同一線上の位置にあり、突出片６７は基板８０ｆと同一線上の位置にある。基板８０ａ〜８０ｆは、突出片６５〜６７によって、Ａ〜Ｃのエリアに区分されている。冷却室７内には、突出片６５〜６７と基板８０ａ〜８０ｆとによって、Ａ〜Ｃのエリアに区分された送風路Ｓが形成されている。送風路Ｓにおいて、各エリアに位置する基板８０ａ〜８０ｆは、略整流板である。 （もっと読む）

【課題】接合時の残留応力を下げ、セラミックス基体にクラックが発生せず、使用温度が２００℃であっても十分な接合強度が得られる。
【解決手段】静電チャックは、電極１４が埋設されたセラミックス基体１２と、セラミックス基体１２の裏面に設けた凹部１６の底面に露出する電極端子１４ａと、電極１４に給電するための給電部材２０と、この給電部材２０とセラミックス基体１２とを接続する接合層２２とを備えている。接合層２２は、ＡｕＧｅ系合金、ＡｕＳｎ系合金、又はＡｕＳｉ系合金を用いて形成されている。セラミックス基体１２と給電部材２０とは、給電部材２０の熱膨張係数からセラミックス基体１２の熱膨張係数を引いた熱膨張係数差Ｄが−２．２≦Ｄ≦６（単位：ｐｐｍ／Ｋ）となるように選択されたものである。 （もっと読む）