【課題】高強度かつ高耐食性であり、アルカリ金属含有量が５００ｐｐｍ以下のフッ化マグネシウム焼結体を提供する。
【解決手段】本発明のフッ化マグネシウム焼結体は、フッ化マグネシウムを主相とする焼結体であって、平均線熱膨張係数がフッ化マグネシウムよりも低い少なくとも１種の分散粒子を含み、焼結体中の分散粒子の平均粒径とフッ化マグネシウム粒子の平均粒径が５μｍ以下でかつ開気孔率が１％以下であり、アルカリ金属元素含有量が５００ｐｐｍ以下のものである。 （もっと読む）

【課題】ウエハの温度を精度良く制御する方法を提供する。
【解決手段】ウエハの裏面膜の種類の測定結果を取得する取得ステップと、チャンバ内に投入されるパワーと裏面膜の種類とウエハの温度とを対応付けて記憶した第１のデータベース３３０から、前記測定結果であるウエハの裏面膜の種類と、前記ウエハを処理するために投入されるパワーとに対応したウエハの温度を選択する選択ステップと、前記選択されたウエハの温度に基づき、前記ウエハの温度を調整する調整ステップと、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板を格段に薄くして温度変更を高速化した場合でも、球体の位置を安定させてウェハを適正位置に支持させておくことができる加熱装置を提供すること。
【解決手段】加熱装置は、ベースプレートと、ベースプレートの上方に位置してウェハが載置されるフェイスプレート３とを備え、フェイスプレート３は、アルミ基板３１と、アルミ基板３１に設けられたウェハＷを加熱するフィルムヒータ３２Ｂと、アルミ基板３１に設けられてウェハＷとの間に介装されるギャップボール６とを備え、アルミ基板３１には、ギャップボール６が圧入される第２取付孔３Ｂが設けられ、ギャップボール６は、圧入により第２取付孔３Ｂ内の内壁面でのみ保持されている。 （もっと読む）

【課題】大型のフィルム基板を露光チャックに平坦に搭載して、露光品質を向上させる。
【解決手段】各フィルム基板搬送装置３０，４０のアーム３１，４１を上昇させて、フィルム基板１を露光チャック１０、補助チャック１１及び補助チャック１２から持ち上げる。露光チャック１０、補助チャック１１及び補助チャック１２の表面にそれぞれ設けた複数の気体吹き出し孔１４から気体を吹き出して、フィルム基板１を浮上させながら、各フィルム基板搬送装置３０，４０のアーム３１，４１を移動して、フィルム基板１を補助チャック１１から露光チャック１０へ搬送し、またフィルム基板１を露光チャック１０から補助チャック１２へ搬送する。そして、各フィルム基板搬送装置３０，４０のアーム３１，４１を下降させて、フィルム基板１を露光チャック１０、補助チャック１１及び補助チャック１２に搭載する。 （もっと読む）

【課題】基板の自重での撓みや熱による反りを確実に防止でき、基板を格段に薄くして温度変更を短時間でできる加熱装置を提供すること。
【解決手段】加熱装置は、ベースプレート２の上方に位置してウェハＷが載置されるとともに、ウェハＷを加熱するフィルムヒータが設けられた基板としてのフェイスプレート３と、ベースプレート２およびフェイスプレート３間に立設されてフェイスプレート３を支持する支柱５と、フェイスプレート３をベースプレート側に引っ張る引張部材７とを備え、支柱５および引張部材７は、フェイスプレート３の少なくともウェハＷの載置領域に対応した部位を支持および引っ張る位置に設けられ、引張部材７は、上端がフェイスプレート３に係止されて下端がベースプレート２を貫通するシャフト７１と、ベースプレート２側に位置してシャフト７１の下端側を下方に付勢するコイルばね７３とを有する。 （もっと読む）

【課題】処理作業の異常時にパネルをバックアップから退避しパネルの変形を防止することが可能なＦＰＤモジュールの組立装置を提供する。
【解決手段】 パネルの作業辺に対して各種処理作業を行う処理ヘッドを有する複数の処理ユニットと、複数の処理ユニットの作業位置にパネルを搬送する搬送ステージと、処理ユニットに配設され、パネルの作業辺を含む少なくとも２つの周縁辺を吸着することによりパネルを保持するパネル保持部と、を備える。そして、パネル保持部に設けられ、各種処理作業またはパネルの搬送の異常時に、パネルを作業位置よりも上昇可能に支持すると共に、異常の解除時に、パネルを作業位置に下降可能に支持するパネル昇降機構を備えた。 （もっと読む）

【課題】基板を格段に薄くして温度変更を高速化した場合でも、基板の撓みを生じ難くできる加熱装置を提供すること。
【解決手段】加熱装置は、ベースプレート２と、ベースプレート２の上方に位置してウェハが載置されるフェイスプレートとを備え、フェイスプレートは、アルミ基板と、アルミ基板に設けられてウェハを加熱するフィルムヒータとを備え、フィルムヒータの外周には、ターミナルブロック９に結線される給電用の端子３３が設けられ、端子３３は、長手方向の途中に折曲部３３Ａ，３３Ｂを有したチャンネル形状に形成され、ターミナルブロック９は、ベースプレート２の下面に取り付けられている。 （もっと読む）

【課題】加熱された基板を、より均一かつ迅速に冷却する冷却方法、および真空処理装置を提供する。
【解決手段】実施形態の基板冷却方法は、減圧状態が維持可能な処理室において加熱された基板を、前記処理室から減圧状態が維持可能なロードロック室内に搬送するステップと、前記ロードロック室内に搬送された前記基板の外周を前記ロードロック室内に設けられたガイド機構に支持させるステップと、前記ガイド機構に支持された前記基板の主面に冷却体を接触させずに接近させて、前記基板の温度が前記ロードロック室内に搬送された直後の温度Ｔ_１よりも低い温度Ｔ_２になるまで前記基板を冷却するステップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板をそれぞれ搭載する複数のサセプタに高周波電力を印加して、誘導加熱により当該複数のサセプタを加熱して基板を処理する基板処理装置であって、積層方向において均熱領域をより長く確保することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数のサセプタ１５０を積層して保持するサセプタ保持部材２１７と、複数のサセプタを収容する容器２０３と、容器の外側に配置された誘導コイル２０７と、容器２０３の外側に配置された保温材３６０と、を備え、容器２０３は上側の閉塞部２７０と、側壁部２７２とを有し、保温材３６０は、容器２０３の閉塞部２７０を覆うと共に、閉塞部２７０から側壁部２７２の一部までを覆って側壁部２７２と誘導コイル２０７との間を延在して設けられている。 （もっと読む）

【課題】加熱したチップの温度低下を抑制して温度バラツキを最小限に抑えることにより、接合不良なくチップを基板に実装することができるチップ加熱ヘッドを提供する。
【解決手段】チップ加熱ヒータ部５を、チップ７を加熱する熱源となるヒータ本体１０と、ヒータ本体１０により加熱されて真空吸着等でチップ７を把持するコレット１１とから構成する。ヒータ本体１０からチップ７への伝熱方向において、チップ７のチップ中央部とチップ外周部とでコレット１１とチップ７との接触密度が異なるように構成されている。具体的には、チップ７の中央部にコレット１１がチップ７と接触する接触部を設け、チップ７の外周部にコレット１１がチップと接触しない非接触部を設ける。これによって、チップ７の温度分布を均一にして、半田未溶融やボイド残留などの接合不良を発生させることなく、チップ７を基板へ実装することができる。 （もっと読む）

【課題】基板を搬送しつつ加熱する基板処理装置および基板処理方法において、基板の熱均一性を向上させる技術を提供する。
【解決手段】基板９を加熱処理するチャンバ４内の気流を、基板９の位置に応じて変化させる。基板９の搬入時には搬入口４１からチャンバ内に流入する気流を形成する。基板９がチャンバ４内にて加熱される際は、排気口５１ａおよび５１ｂから排出される気体の量を制御することにより、基板９の中央部から端部方向に向かう気流を形成する。これにより、基板９の前端面および後端面は、加熱プレート２により加熱された気体による熱の影響を受けにくい状態で搬送される。その結果、基板９の加熱均一性が向上する。 （もっと読む）

【課題】熱応力によって割れの危険がなく、かつ自動搬送に適したサセプタカバー、及び該サセプタカバーを備えた気相成長装置を得る。
【解決手段】本発明に係るサセプタカバーは、チャンバー２３内に公転可能に設置されると共に、薄膜を堆積させる基板２５が自転可能に載置される複数の基板載置部４７を有するサセプタ２７を備えた気相成長装置１７におけるサセプタ２７に設置されるサセプタカバー１であって、サセプタカバー１は、外形が円形であって、基板載置部４７に対応する部位に開口部５が周方向に連続して設けられてなり、隣接する開口部５の間の部位において内周側１ａと外周側１ｂに２分割されてなり、内周側１ａと外周側１ｂとが、内周部１ａ側又は外周部１ｂ側のいずれか一方を持ち上げると、他方も持ち上げられるような係合部７によって係合されてなることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】基板内の温度差を抑制し、基板に生じる応力を緩和することが可能な成膜装置、及び成膜基板製造方法を提供すること。
【解決手段】基板と接触して基板を搬送する回転自在の搬送ローラーの回転を正回転と逆回転とで切り替えて、基板を加熱または冷却しながら基板を往復動させる。これにより、基板と搬送ローラーとの接点の位置を変化させ、特定部位のみが搬送ローラーと接触すること回避し、基板内の温度差を抑制する。また、基板を往復動させることで、加熱／冷却手段の設置範囲を拡大せずに、基板の加熱／冷却を行うことができる。また、搬送ローラーを回転させながら、基板を加熱／冷却するため、基板と搬送ローラーとの摩擦係数を低減することができ、基板と搬送ローラーとの接点をずらし、基板の伸縮を許容する。 （もっと読む）

【課題】基板を基板保持具に搭載して縦型熱処理炉に搬入し、熱処理を行う熱処理装置において、縦型熱処理炉からアンロードされた基板保持具に搭載された基板を速やかに降温させること。
【解決手段】前面から、当該前面に対向する後面の気流形成用の排気口６３ａに向って横方向の気流が形成されたローディングエリアＳ２内にて、熱処理炉２の下方側のアンロード位置におけるウエハボート３Ａと前記排気口６３ａとの間に、アンロードにより高温に加熱された雰囲気を吸引排気するための熱排気用の排気口７１が形成された排気ダクト７Ｂ，７Ｃを設ける。アンロードされた高温状態のウエハボート３Ａ近傍の雰囲気は排気ダクト７Ｂ，７Ｃから排気されるので、上方側への熱拡散が抑えられ、横方向の気流がウエハボート３Ａ及びウエハ群に供給されて、熱処理後のウエハを速やかに降温させることができる。 （もっと読む）

【課題】
多品種の成長基板上の成膜における反り量に対応可能なサセプタ装置を提供する。
【解決手段】
成長基板が載置される搭載領域を有するサセプタ装置は、搭載領域を分割して得られた区分領域の各々に配されかつ各々が成長基板に対向する熱輻射面を有し、成長基板の厚さ方向に可動である複数の熱輻射部からなる搭載部を有する。 （もっと読む）

【課題】ミラー表面の外乱を補償する。
【解決手段】リソグラフィ装置は、基板テーブルＷＴ内で横ミラー６６、６８を使用して、基板テーブルＷＴの位置測定に対する基板テーブルＷＴの熱歪みの影響を補償するシステムを備えている。様々な基板テーブルスキャン軌跡、および基板テーブルＷＴ内の横ミラー６６、６８の局所位置および回転の測定を使用してリソグラフィ装置をキャリブレーションする方法が、提示されている。基板テーブルＷＴが測定ステーションにある場合に、横ミラー６６、６８の幾何形状を測定するように露光ステーションでのみ使用される横ミラー６６、６８の幾何形状を規定するアライメントマークを備えたデュアルステージリソグラフィ装置。 （もっと読む）

【課題】熱膨張に起因するアライメントへの悪影響を抑制することが可能な接合技術を提供する。
【解決手段】この接合技術においては、第１の被接合物と第２の被接合物との両被接合物が加熱された状態で、第１の被接合物と第２の被接合物とを水平方向において相対的に移動して第１の被接合物と第２の被接合物とが位置合わせされる（ステップＳ１０，Ｓ１１，Ｓ１２）。その後、第１の被接合物と第２の被接合物との接触状態において、両被接合物が接合される（ステップＳ１３，Ｓ１９）。 （もっと読む）

【課題】真空処理室において高温で処理された後に搬送されるウェハを微小異物や汚染が問題にならない温度に効率良く冷却できる真空処理装置を提供する。
【解決手段】試料を収納するカセットが設置されるカセット台と、大気搬送室と、該大気搬送室から搬送された試料を収納し大気圧雰囲気もしくは真空に切り替え可能なロードロック室と、該ロードロック室に連結された真空搬送室と、真空搬送された試料を処理する真空処理室と、を備える真空処理装置において、前記大気搬送室内に配置され、前記真空処理室で処理された後の高温の試料８を冷却する冷却部を備え、該冷却部は、試料８を載置し冷却液１７の流路が設けられた試料台１５と、試料８の搬入口側に配置され試料台１５に向かって冷却用ガス１０を吹き付けるガス吹き付け管１１と、試料台１５を境に前記搬入口の反対側に配置され、吹き付けられた冷却用ガス１０を排気する排気口１２と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】例えば、リソグラフィ装置において物体を熱的に調整するための装置を提供する。
【解決手段】リソグラフィ装置は、パターニングデバイスから基板にパターンを転写するよう構成されている。リソグラフィ装置は、第１の物体と、第２の物体への又は第２の物体からの熱移動を改善するために第１の物体に搭載されている平面部材と、を有する。 （もっと読む）

【課題】サセプタ及び化学気相蒸着装置に関する。
【解決手段】化学気相蒸着装置用サセプタ１００は、光透過性物質からなり基板１０１を収容するポケットを少なくとも一つ備えるサセプタ本体部１０４と、サセプタ本体部の上面に形成され、光吸収性物質になって前記サセプタ本体部を通過した光を吸収する光吸収部１０７とを含む。ポケットは、底部と、底部から上昇した位置に基板の周囲部を載せるように形成された係止段差部とを備え、係止段差部は、サセプタ本体部に形成されるか、または、ポケットまで延長されて形成された光吸収部の端部に形成される。 （もっと読む）