【課題】接合剤が薄く、高い熱伝導率を有し、かつ、静電チャックの構成部品にクラックが発生し難い静電チャックを提供する。
【解決手段】電極が表面に形成されたセラミック誘電体と、セラミック誘電体を支持するセラミック基板と、セラミック誘電体とセラミック基板とを接合する第１の接合剤と、を備え、第１の接合剤は、有機材料を含む主剤と、無機材料を含む無定形フィラーと、無機材料を含む球形フィラーと、を有し、第１の主剤中には、第１の無定形フィラーと、第１の球形フィラーと、が分散配合されてなり、第１の主剤、第１の無定形フィラー、および第１の球形フィラーは、電気絶縁性材料からなり、第１の球形フィラーの平均直径は、第１の無定形フィラーの短径の最大値よりも大きく、第１の接合剤の厚さは、第１の球形フィラーの平均直径と同じか、もしくは大きいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】載置台に大きな熱応力が発生することを防止して破損を阻止し、更に載置台の裏面に被処理体の面内温度不均一性の原因となる不要な膜が付着することを防止することができる載置台構造を提供する。
【解決手段】被処理体を載置するための載置台構造において、載置台本体の上に被処理体を載置するための熱拡散板を支持させると共に、両者の境界部分にガス拡散室を設けてなる載置台と、加熱手段と、上端部が載置台の下面に接続されると共にガス拡散室に連通されてパージガスを流す１又は複数の支柱管６０と、載置台本体の側面と下面とを覆うようにして設けられた載置台カバー部材６３と、支柱管の周囲を囲むと共に上端部が載置台カバー部材に連結されて、ガス拡散室から載置台本体と載置台カバー部材との間の隙間に流れたパージガスを下方へ案内してガス出口１９６から排出する支柱管カバー部材６５とを備える。 （もっと読む）

【課題】広範囲の温度領域で使用可能であり、高温で使用する際のウェハ載置面の反りを低減した静電チャックを提供する。
【解決手段】本発明の静電チャックは、双極型の静電チャック用電極と、ヒータ用電極とを備えた静電チャックであって、誘電層の体積固有抵抗率をρ１、静電チャック用電極の双極間の体積固有抵抗率をρ２、静電チャック用電極とヒータ用電極間の体積固有抵抗率をρ３としたときに、ρ１＜ρ２＜ρ３であることを特徴とする。また、前記誘電層内の体積固有抵抗は、静電チャック用電極側からウェハ載置面に向けて順次低くなっていることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 均熱性、信頼性に優れたウェハ加熱用ヒータユニットおよびそれを搭載した半導体製造装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明のウェハ加熱用ヒータユニットは、ウェハ載置面を有する載置台と、該ウェハ載置面の反対側の面に抵抗発熱ユニットを有し、前記載置台と前記抵抗発熱ユニットを支持する支持板とから構成され、前記抵抗発熱ユニットは発熱体と該発熱体と前記載置台の間の絶縁層とからなり、前記発熱体のパターン間に介在物が存在することを特徴とする。前記発熱体と介在物とが同じ材料であることが好ましい。あるいは、前記発熱体と介在物の厚みが略同一であり、前記介在物が絶縁体であることが好ましい。あるいは、前記支持板が導電体であり、前記抵抗発熱ユニットと支持板の間に絶縁層が存在することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】セラミック板のクラック発生を抑制しつつ、被処理基板の急速な加熱冷却が可能な静電チャックを提供する。
【解決手段】主面に凹部が設けられ、内部に電極が設けられたセラミック板と、セラミック板に接合された温調プレートと、セラミック板と温調プレートとの間に設けられた第１の接合剤と、セラミック板の凹部内に設けられたヒータと、を備え、第１の接合剤は、主剤と、無定形フィラーと、球形フィラーと、を有し、球形フィラーの平均直径は、全ての無定形フィラーの短径の最大値よりも大きく、第１の接合剤の厚さは、球形フィラーの平均直径と同じか、もしくは大きく、凹部の幅は、ヒータの幅より広く、凹部の深さは、ヒータの厚さより深く、凹部内にヒータが第２の接合剤により接着され、ヒータの温調プレート側の主面と、温調プレートの主面と、の間の第１の距離が、セラミック板の主面と、温調プレートの主面と、の間の第２の距離よりも長い。 （もっと読む）

【課題】高温または低温での検査のスループットが高いプローバの実現。
【解決手段】複数の半導体チップが形成されたウェーハＷを保持するウェーハチャック１８と、プローブ２６を有するプローブカード２５を保持するカードホルダ２４と、を有するプローバであって、ウェーハチャック１８をプローブ２６に対して相対的に移動する移動機構と、該移動機構を制御し、プローブ２６を半導体チップの電極パッドに接触させる接触動作を繰り返すように制御する移動制御部と、を有し、該移動制御部は、ある半導体チップの接触動作の終了後の次の接触動作では、ウェーハＷの中心に対して接触動作が終了した半導体チップの対角付近に位置する半導体チップに、複数のプローブ２６を接触させるように制御する対角移動シーケンスを有する。 （もっと読む）

【課題】 均熱性、信頼性に優れたウェハ加熱用ヒータユニットおよびそれを搭載した半導体製造装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明のウェハ加熱用ヒータユニットは、ウェハ載置面を有する載置台と、該載置台のウェハ載置面とは反対側の面に抵抗発熱ユニットを有し、前記載置台と抵抗発熱ユニットを支持する支持板とから構成され、前記抵抗発熱ユニットが、発熱体と該発熱体を挟み込む複数の絶縁層とからなり、前記絶縁層の少なくとも１層に溝が形成されており、前記発熱体は前記溝に収納されて、他の絶縁層によって挟み込まれており、前記絶縁層同士は互いに接着されていない部分を有することを特徴とする。前記絶縁層同士は、互いに接着されていないことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】酸化膜生成工程等、基板からの熱により高温になった基板保持ハンドからの熱伝導により基板保持ハンド付近に設置された検出手段が故障あるいは破損するのを防止することが可能な基板搬送装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗを把持して搬送する基板保持ハンド１１と、収納容器７内の前記基板Ｗの位置を検出する反射型センサ１４と、前記反射型センサ１４と前記基板保持ハンド１１との間に、断熱部材１３（例えば樹脂）を配置する。 （もっと読む）

【課題】搬送機構自体の過度の昇温を抑制することが可能な処理システムを提供する。
【解決手段】被処理体Ｗに処理を施す処理システムにおいて、被処理体に対して処理を施す複数の処理装置２４Ａ〜２４Ｄと、複数の処理装置がその周辺に連結された共通搬送容器２６と、共通搬送容器内に設けられて、屈伸及び旋回可能になされると共に先端に被処理体を保持するピック部３８Ａ、３８Ｂを有して被処理体を複数の処理装置に対して搬送する搬送機構３４と、共通搬送容器の側壁に冷却用容器を連結させて設けることにより形成された冷却用領域７６と、冷却用領域に設けられてピック部を冷却するためのピック冷却機構７８とを備える。これにより、搬送機構自体の過度の昇温を抑制する。 （もっと読む）

【課題】基板の位置ずれを発生させることなく，基板の裏面のキズやパーティクルの発生を防止する。
【解決手段】 基板載置台１２０の表面から突没自在に設けられ，基板載置台から基板を持ち上げて脱離させる複数のリフトピン２００と，これらリフトピンを昇降させるリフタとを備え，各リフトピンは，その先端が一方向に可動するように構成し，その可動方向が，加熱された基板を各リフトピンで持ち上げたときにその基板が冷えて収縮する方向と一致する向きに配置した。 （もっと読む）

【課題】 大型の基板保持体であっても、所定の温度まで加熱することができ、かつ大型化した基板載置面の温度均一性を確保することが可能な基板保持体を提供する。
【解決手段】 本発明の基板保持体は、被処理物である基板を載置する基板載置面と、基板載置面の反対側の面あるいは内部に抵抗発熱体回路を有しており、該抵抗発熱体回路は、発熱部、および発熱部に電力を供給する非発熱部とからなり、前記発熱部と前記非発熱部との境界部分が、前記基板保持体の中心に対して略対称な位置に１組または２組以上の対となって存在しており、前記抵抗発熱体回路は、前記境界部分それぞれにおいて２個の回路に分岐することにより、対となる境界部分同士の間で並列回路をなし、前記並列回路それぞれにおいて、並列をなす２個の回路の抵抗値が、該２個の回路の抵抗値の平均値に対して、±１０％の範囲内で略等しい抵抗値を持つことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】互いに温度の異なる基板を搬送する場合において、搬送アーム上における位置ずれを抑えながら高い効率で基板を搬送すること。
【解決手段】第１の搬送アーム１１の突起１５の材質として第２の搬送アーム１２の突起１５よりも摩擦係数の大きい樹脂またはゴムを用いると共に、第２の搬送アーム１２の突起１５の材質として第１の搬送アーム１１の突起１５よりも耐熱温度の高いセラミックスを用いる。そして、第１の搬送アーム１１の突起１５の耐熱温度以下の温度のウエハＷを搬送する場合には第１の搬送アーム１１を用い、また第１の搬送アーム１１の突起１５の耐熱温度よりも高い温度のウエハＷを搬送する場合には、第２の搬送アーム１２により当該第１の搬送アーム１１の搬送速度よりも遅い速度で搬送する （もっと読む）

【課題】構成を複雑化させることなく基板の温度変化を促進することができる基板の載置台を提供する。
【解決手段】ウエハＷを載置するサセプタ１２に設けられ、且つ断面が矩形の媒体流路２６において、載置されたウエハＷから再遠方の内面である底面２６ａの全部、並びに、該底面２６ａに隣接する２つの内面である側面２６ｂ，２６ｃのそれぞれにおける略下半分が樹脂からなる低熱伝導層３５で覆われ、該低熱伝導層３５の厚さは、例えば、１ｍｍ乃至２ｍｍである。 （もっと読む）

【課題】紫外線ランプを用いて粘着テープに紫外線を照射しても、粘着層の一部がテープから剥がれてゴミとしてワークに付着せずに粘着テープからのワークの剥離を容易に行うことができる露光器を提供する。
【解決手段】紫外線ランプ１２が収納される内部空間１１Ａを有する本体１１と、この本体１１の内部空間１１Ａに配置されワークＷが貼付された粘着テープＴをセットするフレーム１３Ａと、本体１１の内部空間１１Ａを冷却する冷却装置であるファン１４及びペルチェ素子１８とを備え、粘着テープＴの粘着力を瞬時に低下させるために紫外線を粘着テープＴに照射するとともに、紫外線ランプ１２から発生する熱を、ファン１４及びペルチェ素子１８で冷却することにより粘着テープＴへの熱伝達を妨げる構成とする。 （もっと読む）

【課題】この発明は、フラッシュランプを用いて急速加熱する半導体ウエハが割れることなく、且つ、該半導体ウエハが飛び跳ねることが無い半導体ウエハ急速加熱装置を提供することにある。
【解決手段】発明の半導体ウエハ急速加熱装置は、複数本配列されたフラッシュランプと、該フラッシュランプから放射される光を被加熱物側に反射する反射板と、からなる光源部、半導体ウエハを支持する支持用台を配置した加熱処理チャンバー、を具備し、該フラッシュランプの光によって半導体ウエハを急速加熱処理する半導体ウエハ急速加熱装置において、前記支持用台は、該支持用台上に凹部が設けられ、該凹部の形状が、該半導体ウエハの直径よりやや小さな略円形であって、該半導体ウエハの直径に対する該凹部の直径の比が、４０％乃至９０％で、且つ、その断面は略長方形であって該凹部を覆うように該半導体ウエハを配置した場合に、該支持用台と該半導体ウエハとの間に空間が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プロキシミティ露光装置において、基板を移動するステージをリニアモータにより駆動する際、ステージの温度変化を小さくして、パターンの焼付けを精度良く行う。
【解決手段】ステージの温度を検出し、運転開始時又は運転中に、マスクホルダ２０にマスク２が保持され、かつチャック１０に基板１が搭載されていない状態で、検出したステージの温度が下限値未満であるとき、リニアモータによりステージを駆動して、リニアモータの熱でステージの温度を下限値より高い基準値以上に上げる第１の慣らし運転を行う。運転開始前又は運転中にステージの温度が下限値未満に下がっても、露光処理中のステージの温度変化が小さくなり、パターンの焼付けが精度良く行われる。 （もっと読む）

【課題】ヒータ昇温時に、熱応力に起因する基板載置部の破損を防止することができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】基板を収容し加熱処理を行う基板処理室と、前記基板処理室内に設けられ、その表面に基板を載置する基板載置部と、前記基板載置部内に設けられ、基板を加熱するための第1のヒータと、前記基板載置部内に設けられ、基板を加熱するための第２のヒータと、前記第1のヒータと第２のヒータを加熱制御する制御部であって、前記第1のヒータの加熱制御値に基づいて、第２のヒータの加熱制御値を決定するよう制御する制御部とから半導体製造装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】 組立容易であり、しかも、シェルの積層間に形成される隙間の気密性を維持することの可能な加熱装置及び加熱装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】複数の筒状のシェルユニット５１を積層することにより形成したシェル５０の中に基板を処理する処理室を設ける。このシェル５０の内周に支持されると共に基板を加熱するヒーター２０を備える。これらシェルユニット５１の積層間に形成される隙間５０ｓを変形可能な封止部材５２で封止する。シェルユニット５１の端部近傍にシェル５０の外周側に突出する第一の鍔５３を設ける。シェルユニット５１の端部に対し隙間５０ｓで対向するシェルユニット５１の端部近傍にシェル５０の外周側に突出する第二の鍔５９を設ける。封止部材５２は第一の鍔５３と第二の鍔５９との間に配置される。第一の鍔５３は封止部材５２が筒状の外側へ移動することを規制する規制部５３ｂを備える。 （もっと読む）

【課題】アーム部自体の温度上昇を抑制して搬送精度を高く維持することが可能な搬送機構を提供する。
【解決手段】処理容器５６内で被処理体Ｗに熱処理を施す処理装置に対して被処理体を搬出入させる搬送機構において、複数のアーム９４、９６、９８を有して屈伸及び旋回が可能になされたアーム部３６Ａ、３６Ｂと、アーム部の先端に連結されて被処理体を保持するフォーク部３８Ａ、３８Ｂと、アーム部の内で処理容器内に侵入する部分に設けた熱遮蔽板１０４とを備える。これにより、アーム部自体の温度上昇を抑制して搬送精度を高く維持する。 （もっと読む）

【課題】製品の生産性を低下させることなく熱拡散板の亀裂やひび割れ等の割れを迅速に且つ容易に検出することができる割れ検出装置を提供する。
【解決手段】
処理すべき被処理体Ｗを載置するための熱拡散板６１を有する載置台５８を処理容器２２の底部から支柱６０により起立させて設けてなる載置台構造の割れを検出する割れ検出装置において、処理容器の外部に設けられる振動検出手段２０２と、振動検出手段で得られる信号中から熱拡散板の割れ態様に応じて発生する振動数の信号である割れ振動信号を検出する割れ検出手段２０４とを備える。これにより、製品の生産性を低下させることなく熱拡散板の亀裂やひび割れ等の割れを迅速に且つ容易に検出する。 （もっと読む）