【課題】ウェーハの熱処理時において、スリップの発生を抑制すること。
【解決手段】ウェーハ３を熱処理炉内で熱処理するときに該ウェーハ３の下面と一端が当接して該ウェーハを下から支持する石英材を主材とする軸状部材１１を備え、軸状の第１の部材２５の外周面を該第１の部材２５よりも屈折率が小さい第２の部材２７で包囲するととともに両端面から第１の部材２５が露出してなること。 （もっと読む）

【課題】本発明は、複数の基板に同時に薄膜を形成したり熱処理するための基板加工装置に関し、加工工程のために加工チャンバーに搬入されるボートに積載された複数の基板が均一に加熱されるようにすることによって、複数の前記基板を均一に加工することができる基板加工装置に関する。
【解決手段】本発明は、基板を支持するための基板支持台および一つまたは複数の噴射口が形成された第１ガス配管を含む基板ホルダーと、複数の基板ホルダーが積載され、前記第１ガス配管に連結される第２ガス配管を含むボートと、前記ボートに積載された複数の基板を加工するための空間を提供する加工チャンバーと、前記ボートを前記加工チャンバーの内部に搬入および搬出させるための移送部と、前記加工チャンバーの外側に位置する第１加熱手段と、前記第２ガス配管に連結される第３ガス配管を含み、前記第２ガス配管へ加熱または冷却されたガスを供給するためのガス供給部と、を含む。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィ装置の処理能力を大きく損なうことなく、重ね合わせ精度を向上させる方法及び装置を提供する。
【解決手段】露光条件を最適化するために基板の露光時に基板上の位置合わせ標識を検査する。基板１０が露光及び位置合わせユニット１５の真下で走査を受けるとき、基板のそれぞれの部分が最初に検出器ユニット１６の下方を通過し、次いで露光ユニット１７の下方を通過する。したがって、基板１０のそれぞれの部分に関して検査器ユニット１６によって測定された、直線位置、配向、及び膨張に関する情報が露光ユニット１７に伝達可能であり、基板が露光ユニット１７の真下を通過しながら基板が露光されるとき、基板の当該部分に関する露光条件を最適化することができる。 （もっと読む）

【課題】基板の周縁部と中心部の温度管理・温度制御をそれぞれ独立して精密に行うことが可能な基板載置台、基板処理装置および基板処理システムを提供する。
【解決手段】基板を載置する基板載置台であって、前記基板の周縁部を載置して温度制御を行う周縁載置部材と、前記基板の中央部を載置して温度制御を行う中央載置部材と、前記周縁載置部材および前記中央載置部材を支持する支持台と、を備え、前記周縁載置部材と前記中央載置部材の間には隙間が形成され、前記周縁載置部材と前記中央載置部材は互いに非接触である、基板載置台が提供される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、不感帯等の存在に依らず、高速且つ安定した位置決めを行う試料ステージの提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、試料ステージのテーブルと駆動機構との間の結合を機械的に分離可能な結合部と、当該結合部を駆動機構によるテーブルの移動停止の前に分離するように制御する制御装置と、テーブル位置の位置を検出する位置検出器を備え、制御装置は、テーブルの粗動時には位置検出器によるテーブルの位置情報に基づいて、フィードバック制御を実施し、微動時には予め設定した速度変位パターンを用いて前記駆動機構をオープン制御するシーケンス制御を実施する試料ステージを提案する。 （もっと読む）

【課題】高動作速度がロードロックのために使用されるときの温度効果を制限することができる装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、真空室と気体除去のためのロードロックを有する。ロードロックは、基板を支持するために支持テーブルを有する。カバープレートは、ロードロック内に設けられ、カバープレートは、支持テーブルの上方表面に面する下方表面を有する。開口が、カバープレートの下方表面に設けられ、下方表面に対して実質的に垂直な方向に基板上方から気体の除去を可能にする。一実施形態において、支持テーブルの上方表面内の開口を有する気体除去構成が設けられ、支持テーブルの上方表面と基板との間の気体圧力を、初期的に開口を介してロードロックの残り内の同時ロードロック圧力より低い所定圧力に低減する。ロードロックの残り内のロードロック圧力が所定より低く低下されるとき、支持テーブルの上方表面と基板との間の気体圧力はロードロックの残り内のロードロック圧力とともに低減される。 （もっと読む）

【課題】ワークや接着フィルムの特性を低下させることなく、拡張テープの拡張された箇所を収縮させることができる拡張テープ収縮装置を提供すること。
【解決手段】拡張テープ収縮装置５は、ワークと環状フレームとの間の拡張テープの拡張された箇所へ熱風を噴射する熱風噴射部５４１と、熱風噴射部５４１が熱風を噴射する際に、熱風が噴射される拡張テープの拡張された箇所とワーク１との境界領域へ冷風を吹き付ける冷風噴射部５４２と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板を炉内で加熱する際、金属製の搬送トレイに搭載していたため、そのガラス端面と周辺部の輻射率の差から、ガラス基板外周端部に急激な温度勾配が発生し、その勾配によるひずみから、ガラス基板が割れる等の問題が発生していた。
【解決手段】発明の基板の熱処理装置は、熱処理の際に用いる搬送トレイ２に、ガラス基板１の周辺にガラスと輻射率の近いセラミックプレート１０および基板受け９を配置することにより、ガラス基板外周端部の温度勾配を低減させ、加熱プロセスにおけるガラス基板の割れ防止を行う。 （もっと読む）

【課題】冷却室内で複数枚の基板を冷却する際に、温度の高い基板の輻射熱の影響を温度の低い基板が受けにくくなり、温度の低い基板の冷却速度の低下を抑える。
【解決手段】基板を複数段に収納するロードロック室と、ロードロック室の一方側からロードロック室内外に基板を搬送するエンドエフェクタを備えた第１搬送アームを有する第１搬送機構と、ロードロック室の他方側からロードロック室内外に基板を搬送するエンドエフェクタを備えた第２搬送アームを有する第２搬送機構と、を備え、ロードロック室内の基板支持部に支持される基板の間に基板と離間して基板間の熱を遮る隔壁を設け、基板支持部と隔壁の間であってエンドエフェクタ待機空間と異なる箇所に隔壁上方に収納される基板に接近し基板の輻射熱を吸収する隔壁付帯部を有する。 （もっと読む）

【課題】 基板の被露光面を輻射冷却するのに有利な露光装置の提供。
【解決手段】 鏡面を有する基板ステージと、Ｘ−Ｙ平面に沿って進行するレーザー光をＺ軸方向に折り曲げるミラーと、ミラーを介して鏡面を照射したレーザー光によりＺ軸方向のステージの位置を計測する計測器と、レーザー光が鏡面を照射するように計測器を移動させる第１駆動部と、エネルギーを基板に照射する光学系と、を有し、基板を真空中で露光する露光装置を、Ｚ軸方向において光学系とステージとの間に配置され、エネルギーを通過させる第１開口と計測器の移動範囲にわたってレーザー光を通過させる第２開口とを有する第１輻射板と、第１輻射板を冷却する第１冷却器とを含む第１冷却部と、Ｘ−Ｙ平面に沿って進行するレーザー光を通過させる第３開口を有する第２輻射板と、第２輻射板を冷却する第２冷却器とを含む第２冷却部と、を有するものとする。 （もっと読む）

【課題】耐熱性能の向上が図られた搬送装置を提供する。
【解決手段】基板４２を搬送する搬送ローラ１８を真空容器３１内に配置し、搬送ローラ１８と伝熱可能に固定された回転軸１６を真空容器３１内から真空容器３１外へ延在するように配置する。更に、真空容器３１の貫通孔３１ｆに配置された磁気シール２１によって、回転軸１６を回転可能に支持する。そして、回転軸１６内に、容器３１外から容器３１内にかけて軸線方向に延在する冷却用通路１７を形成し、当該通路に冷却媒体を流通させる。 （もっと読む）

【課題】ウエハの温度の変化を高速化し温度の調節の精度を向上して処理の効率を向上できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器内部の処理室内に配置された試料台上にウエハを載置して前記処理室内に形成したプラズマを用いて前記ウエハを処理するプラズマ処理装置であって、前記試料台の内部に配置された金属製の基材と、この基材上面に配置され溶射により形成された誘電体製の膜と、前記誘電体製の膜内部に配置され溶射で形成された膜状のヒータと、前記誘電体膜上に配置された接着層と、前記接着層によって前記誘電体膜に貼り付けられた厚さ０.２〜０.４mmのセラミック製の焼結板と、前記基材内部に配置され温度を検知するセンサと、このセンサからの出力を受けて前記ヒータの発熱を調節する制御部とを備えた。 （もっと読む）

【課題】高いスループット及び工程内において温度ドリフトの少ない安定した基板温度を得ることが可能なプラズマ処理チャンバに使用するアセンブリを提供する。
【解決手段】プラズマ処理チャンバに使用する基板サポートアセンブリ４４０は、その部品に相当するサポートリング４３０と、熱源に相当するエッジリング４１０と、それらの間のポリマ複合材４２０により構成されており、ポリマ複合材４２０は多工程エッチングプロセスの間、部品の温度を高温又は低温に維持するために、高熱伝導率の相と低熱伝導率の相との間で相転移を示す温度誘発相変化ポリマを使用する。 （もっと読む）

【課題】 トレイ上の処理済み基板と未処理基板との入れ替えを容易且つ正確に行うことができる基板入替装置を提供する。
【解決手段】 基板を保持して搬送する基板保持体２１３を備えており、基板保持体２１３は、基板の上面に圧縮気体を噴出してベルヌーイの原理により基板を非接触で保持する非接触保持部３１０と、基板の上面に当接して基板を吸着する接触保持部３２０と、非接触保持部３１０および接触保持部３２０を支持する支持体３３０と、非接触保持部３１０または接触保持部３２０のいずれか一方で基板を保持できるように接触保持部３２０に対して非接触保持部３１０を相対的に上下動させる保持部駆動手段３４０とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板間での熱処理温度のばらつきを抑制し、基板間並びに基板面内における配線パターンの線幅を均一化する。
【解決手段】基板搬送手段２０と、基板搬送路を搬送される被処理基板Ｇに対する熱処理空間を形成する第一のチャンバ８と、加熱または冷却温度の設定温度を変更可能であって、前記第一のチャンバ内を加熱または冷却可能な第一の加熱・冷却手段１７，１８と、前記第一のチャンバの前段に設けられ、前記基板搬送路を搬送される前記被処理基板を検出する基板検出手段４５と、前記基板検出手段の検出信号が供給されると共に、前記第一の加熱・冷却手段の制御を行う制御手段４０とを備え、前記制御手段は、前記第一のチャンバに向けて搬送される複数の被処理基板のうち、先頭の被処理基板が前記基板検出手段によって検出されると、前記第一の加熱・冷却手段の設定温度を第一の温度から第二の温度に変更する。 （もっと読む）

【課題】基板の端部近傍から作製する素子、例えば発光素子の発光波長が長波長にならず、基板中心部から作製する発光素子との違いを小さくすることができる、基板中心部と基板周辺部から作製する素子の特性差を小さくすることができる化合物半導体膜の気相成長に好適な化合物半導体膜気相成長用サセプタを提供する。
【解決手段】化合物半導体膜の気相成長の際に基板を支持するサセプタであって、該サセプタは、前記基板が配置されるザグリ部を少なくとも１つ以上備え、該ザグリ部は、底部底面がすり鉢状に湾曲しており、該湾曲部の凹部の最大深さが２５０〜５００μｍとなっているものであることを特徴とする化合物半導体膜気相成長用サセプタ。 （もっと読む）

【課題】導電層内での空洞発生、高抵抗化、及び電気的不導通の発生を防止することができ、かつ接合強度を向上させることができ、かつ装置全体の長期信頼性を向上させることのできる静電チャックを提供する。
【解決手段】イットリアを主成分とするセラミックからなる板状の基体２Ａと、この基体の一主面に開口する凹部３Ａと、前記凹部の底面９Ａに露出した、白金とイットリアを主成分とするセラミックとで形成された導電層４Ａと、前記凹部内に立設して配置され、前記導電層と電気的に接続された電極端子５Ａとを有する静電チャック１Ａ装置であって、前記導電層の表面１０Ａと前記電極端子との間に形成された、９３体積％以上の白金を含む接続中間層６Ａを有することを特徴とする静電チャック。 （もっと読む）

【課題】反応性イオンエッチング及び同様な加工中半導体ウェーハの温度を制御する方法及び装置を提供する。
【解決手段】プラズマ加工装置用のチャックは、温度制御式ベースと、断熱材と、フラット支持体と、加熱器とを含む。温度制御式ベースは、操作中、加工物の望ましい温度以下の温度に制御される。断熱材は、温度制御式ベースの少なくとも一部分に上に配置される。フラット支持体は、加工物を保持し且つ断熱材の上に配置される。加熱器は、フラット支持体内に埋め込まれ及び又はフラット支持体の下側に取り付けられる。加熱器は、複数の対応する加熱ゾーンを加熱する複数の加熱素子を含む。各加熱素子に供給される電力及び又は各々の加熱素子の温度は、独立に制御される。加熱器及びフラット支持体は、毎秒少なくとも１℃の組合せ温度割合変化を有する。 （もっと読む）

【課題】加工が容易で、製造するための作業時間を短縮することができるとともに、製造コストを抑制することが可能となる支持ピンを提供する。
【解決手段】支持ピン１は、半導体製造プロセスにおいて、ウェハあるいはウェハを載置させるサセプタを支持する支持ピン１であって、支持ピン１は、長手方向の端部の間に、長手方向に沿って延び、長手方向に直交する方向に沿って、支持ピン１を貫通するスリット状の孔である第１孔１１及び第２孔１２が形成されている。 （もっと読む）

【課題】処理中に基体を支持するための基体支持組立体を提供する。
【解決手段】一実施の形態においては、支持組立体(136)は、第１の側(216)及び第２の側(232A)を有する上側セラミック板(208)と、第１の側(212)、第２の側(214)及び埋込まれた電極(234)を有する下側セラミック板(210)を含み、前記下側セラミック板の第１の側(212)は前記上側セラミック板の第２の側に接合されてそれらの間にチャンネル(290)を限定している。別の実施の形態においては、支持組立体は、第１の側及び第２の側を有する第１の板を含む。前記第１の側上にはシールリング(258)が設けられている。前記第１の側の、前記リングの半径方向内側には段付き表面(220)が形成されている。第２の板が、前記第１の板の第２の側に接続されている。 （もっと読む）