【課題】接着剤を用いることなく製造することができる静電吸着装置、露光装置、デバイスの製造方法及び静電吸着装置の製造方法を提供する。
【解決手段】静電吸着装置２２は、レチクルＲを吸着する吸着面６０を有する第１面５９と、第１面５９の裏面に形成された第２面５６とを有する誘電部材５１と、誘電部材５１の第２面５６に対して接合される接合面５４を有する基台５０と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】
被処理基板の温度制御性がよく、基板全体において局所的に抜熱量が急変するような特異点の無い基板載置台を提供する。
【解決手段】
基板載置台表面に、熱伝達用ガスの流入口と流出口を設け、基板載置台表面と基板との間の閉空間を流路とする定常的なガス流を形成させ、この流路に各種の障害物を置くことによってガスの流れやすさ（コンダクタンス）を調整し、ガスの流入口と流出口との間に１０Ｔｏｒｒから４０Ｔｏｒｒの差圧を発生させる。ガスの熱伝達率が圧力に比例することから、この差圧により被処理基板の温度分布を調節することができる。 （もっと読む）

【課題】支持基材上に基材を仮固定して基材を加工する際に、これら支持基材と基材との距離を一定に保持して、精度に優れた基材の加工を行い得る基材の加工方法を提供すること。
【解決手段】本発明の基材の加工方法は、半導体ウエハ（基材）３と、支持基材１と、樹脂成分を含む樹脂組成物で構成される仮固定剤とを用意する工程と、支持基材１の一方の面に、仮固定剤をスピンコート法を用いて供給したのち乾燥させて犠牲層（薄膜）２１を形成するとともに、半導体ウエハ３の一方の面に、仮固定剤をスピンコート法を用いて供給したのち乾燥させて犠牲層（薄膜）２２を形成する工程と、犠牲層２１と犠牲層２２とを接触させることで、半導体ウエハ３と支持基材１とを貼り合わせる工程と、半導体ウエハ３の他方の面を加工する工程と、犠牲層２１、２２を加熱して樹脂成分を熱分解させることで、半導体ウエハ３を支持基材１から脱離させる工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】基材へのダメージを低減させつつ、精度の高い加工が可能であり、加工後の支持基材からの基材の脱離を低い加熱温度で容易に行い得る仮固定剤、およびかかる仮固定剤を用いた基材の加工方法を提供すること。
【解決手段】本発明の仮固定剤は、半導体ウエハ（基材）３を加工するために、この半導体ウエハ３を支持基材１に仮固定し、半導体ウエハ３の加工後に、活性エネルギー線を照射したのち加熱することで半導体ウエハ３を支持基材１から脱離させるために用いられ、前記活性エネルギー線の照射後における１８０℃での溶融粘度が０．０１〜１００ｍＰａ．ｓであるものである。 （もっと読む）

【課題】均熱性の良好なウェハ支持部を提供する。
【解決手段】ウェハ支持部材１０は、基体３と、絶縁体５と、基体と絶縁体とを接合する接合層９０とを具備したウェハ支持部材であって、接合層は、第１の層９１と該第１の層よりも絶縁体側に位置する第２の層９２とを有する複数の層の積層構造であり、第１の層と第２の層との熱伝導率が異なることから、ウエハを載置する面の均熱性を良好にできる。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ処理ツール内のウェーハの移動をスケジューリングするシステムと方法
を提供する。
【解決手段】ウェーハ処理ツール（１００）はロード・モジュール（１０２）と、ウェー
ハ移送ユニット（１０４）と、処理モジュール（１１６）と、スケジューラ（１１８）と
を含む。スケジューラ（１１８）は、ウェーハを処理する際ウェーハ移送ユニット（１０
４）及び処理モジュール（１１６）によって行われる動作の継続時間に基づいてウェーハ
処理ツール（１００）内でのウェーハの移動についてのスケジュールを生成するよう構成
する。 （もっと読む）

【課題】プラズマにおいて、ガラス基板などの絶縁性基板を短時間で加熱して静電吸着させることが可能な静電吸着方法を提供することである。
【解決手段】静電吸着機構を備えたプラズマ処理装置において、静電吸着機構に絶縁性基板を載置して、高周波電力を印加して絶縁性基板に面した空間にプラズマを形成する。該プラズマによって静電吸着機構を不必要に加熱することなく、被処理基板のみを急速に加熱することが出来る。これにより絶縁性基板の静電吸着を短時間で行うことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】気流制御を通して基板を均一に加熱することが可能な加熱処理装置およびこれを備える塗布現像装置を提供する。
【解決手段】基板を収容可能で、前記基板Ｓが通過する第１の搬入口６２Ｉおよび第１の搬出口６２Ｏを有する筐体と、前記第１の搬入口６２Ｉから前記第１の搬出口６２Ｏへ向かう方向に前記基板Ｓを搬送する第１の搬送機構と、前記第１の搬送機構により前記筐体内を搬送される前記基板Ｓを加熱するヒータ７２と、前記筐体に設けられる排気口であって前記第１の搬入口６２Ｉおよび前記第１の搬出口６２Ｏから前記排気口に至る気流を形成可能な当該排気口と、前記第１の搬入口６２Ｉおよび前記第１の搬出口６２Ｏの一方または双方に臨んで設けられ、吸気により前記気流を調整する当該吸気口とを備える加熱処理装置が開示される。 （もっと読む）

【課題】基板を効率良く冷却して基板処理のスループットを高くすることができるロードロック装置を提供すること。
【解決手段】真空室に対応する圧力と大気圧との間で圧力を変動可能に設けられた容器３１と、容器３１内にパージガスを供給するパージガス供給機構４８と、容器３１内を排気する排気機構４４と、容器３１内が真空室５と連通した際に容器３１内の圧力を真空室５に対応する圧力に調整し、容器３１内が大気雰囲気の空間と連通した際に容器３１内の圧力を大気圧に調整する圧力調整機構４９と、容器３１内に設けられ、基板が近接配置されまたは載置されて基板を冷却する冷却部材３２と、冷却部材３２に近接配置されまたは載置された基板に対向する位置に設けられ、基板の輻射熱を吸収する吸熱層６１とを具備する。 （もっと読む）

【課題】加熱状態にある半導体ウエハを破損させることなく効率よく所定のステージに搬送する半導体ウエハ搬送方法および半導体ウエハ搬送装置を提供する。
【解決手段】加熱剥離性の粘着層を有する両面粘着テープを介して支持板と貼り合わされている半導体ウエハを加熱によって支持板から分離し、保持テーブル１８上で半導体ウエハから両面粘着テープを剥離した後に、ウエハ搬送部１９で半導体ウエハを搬送させる間にエアーノズル４１で所定時間かけて予備冷却する。予備冷却が完了した時点で冷却ステージ２０に半導体ウエハを載置して目標温度まで冷却する。 （もっと読む）

【課題】装置のスループット及びコストへの影響とバランスをとったレチクルなどの局所的歪みの測定法を提供する。
【解決手段】歪みはレチクルの周辺部の複数の基準マーク（２３６）を用いて、周辺マークの相対位置の経時的な偏差を測定することで計算される。周辺マークのペアの測定位置を測定されたマークのペアを接続する線（ｓ，ｓ１，ｓ２）に沿って配置されたセルの膨張に関連付ける式であって各セルの膨張を計算する式の体系を解くことができる。当該位置（３２０）の局所的位置偏差は少なくとも１つの測定された周辺マークと当該位置との間のサブエリアについての膨張計算値を組み合わせることで計算できる。例えばオーバレイエラーを低減するために、計算結果に従って補正を適用できる。パターニングデバイスにエネルギーを印加して（例えば、熱の投入又は機械的なアクチュエータによって）局所的位置偏差の分布を修正して補正を改善することができる。 （もっと読む）

【課題】処理炉内温度補正方法の作業性を向上し、コストを低減する。
【解決手段】処理室内温度補正方法実施前に、温度計測器支持機構１０の位置を定義し記憶する（Ａ１）。温度補正方法実施時、温度計測器支持機構１０を格納状態から突出状態に移行させ、温度計測器支持機構１０をシールキャップ２１９の開口させた挿入口２０の真下に搬送する。温度計測器支持機構１０をウエハ移載装置エレベータ１２５ｂで上昇させて温度計測器１８を挿入口２０に挿入する。シールキャップ２１９をボートエレベータ１５１で上昇させて、処理炉２０２をシールキャップ２１９で閉塞する（Ａ２）。処理炉２０２内温度をヒータ２０６で上昇させる（Ａ３）。同時に、処理炉２０２内温度を温度計測器１８で計測する（Ａ４）。温度補正値を算出し記憶する（Ａ５）。均熱温度が規定値内に入るまで繰り返し（Ａ６−７）、規定値に入ると、温度補正方法を終了する。 （もっと読む）

【課題】 温度調節機能を持った基板位置合わせ装置の処理速度を向上する。
【解決手段】 基板の外周上の切り欠き位置に基いて第１の位置合わせを行う工程と、前記基板の切り欠きを含む外周形状に基いて第２の位置合わせを行う工程と、前記基板を目標管理温度に調整する温調工程とを含む位置合わせ方法を行う。前記方法において、Ｎ枚目の基板の前記第１位置合わせ工程の期間内にて、Ｎ−１枚目の基板の前記第２位置合わせ工程と、Ｎ−１枚目の基板の前記温調工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】位置決めの再現性、制御応答性及びサーボ剛性を向上できる基板搬送装置を実現する。
【解決手段】基板搬送装置は、基板を保持することが可能な基板保持器と、前記基板保持器を進退動作させるリンク部と、前記リンク部を動作させる駆動力を発生する駆動部と、前記基板保持器及び前記リンク部のいずれか一方に設けられたガイドバーと、前記基板保持器及び前記リンク部のいずれか他方に設けられ、前記リンク部の動作により前記基板保持器が移動する際に前記ガイドバーをスライド可能に支持する支持部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 実装部品の温度変化による干渉計測長誤差を抑制し、ステージの位置決め精度を向上させることを目的とする。
【解決手段】 定盤上を非接触に移動可能なステージ可動部と、前記ステージ可動部の位置を計測する干渉計と、前記ステージ可動部に接続された配管または配線を備えるステージ装置であって、前記ステージ可動部の外部に引き出された配管または配線を保持する補助部材と、前記補助部材を覆う包囲部材と、前記包囲部材の内部空間を排気する排気手段とを含み、前記配管または配線から前記干渉計の計測光が通過する空間に伝わる熱を低減するように配置された熱回収ユニットとを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 数枚の基板を載置できる基板搬送トレイであって、ＣＶＤ成膜装置内で用いた場合に異常放電が発生しにくい基板搬送トレイを提供する。
【解決手段】基板搬送トレイ１は、複数の凹部１１がその一方面１２に形成され、凹部に基板Ｓが載置されて搬送される基板搬送トレイであって、基板搬送トレイの一方面に絶縁膜２１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】リンクアーム機構を有する搬送装置において、特にリンクアーム機構を冷却し、高温状態のワークからの輻射熱の影響を減少させることができる搬送装置を提供する。
【解決手段】搬送装置１００は、真空空間内においてワーク２００を搬送するためのリンクアーム機構２と、リンクアーム機構２を鉛直軸周りに回転可能に軸支する旋回軸３と、を備える搬送装置であって、リンクアーム機構２は、下段アーム３１Ｌ・３１Ｒと、下段アーム３１Ｌ・３１Ｒと連結される上段アーム３３Ｌ・３３Ｒと、上段アーム３３Ｌ・３３Ｒの他端と連結されるワーク２００を支持する水平移動部材２２Ｌ・２２Ｒと、を有し、上段アーム３３Ｌ・３３Ｒと水平移動部材２２Ｌ・２２Ｒとの間に冷却板２５Ｌ・２５Ｒを配置した。 （もっと読む）

【課題】処理ユニットの設置スペースを小さくして、装置の小型化を図ると共に、基板の処理時間の短縮化及び搬送時間の短縮化によりスループットの向上を図れるようにすること。
【解決手段】ウエハＷを加熱するための加熱部５０を形成する熱板５１と、熱板５１の下方に配設され、ウエハを冷却するための冷却部４０を形成する冷却プレート４１と、上下に配設された加熱部５０及び冷却部４０と対向する位置に配設され、ウエハＷに対して処理液の液膜を形成する複数の現像処理部６０と、冷却部４０及び現像処理部６０に対してウエハＷを搬入又は搬出するためのメインアームＡ１と、メインアームＡ１から受け取ったウエハＷを冷却部４０に受け渡すと共に、加熱部５０に近接する位置に移動する昇降可能な支持ピン８０とを具備する。 （もっと読む）

【課題】コールドウォール型加熱装置であっても、被加熱物における端部温度低下を抑制し、面内温度分布の均等化を図ることのできるサセプタを提供する。
【解決手段】課題を解決するためのサセプタは、垂直方向に複数、積層配置された上で誘導加熱されるサセプタ１４（１４ａ〜１４ｆ）であって、熱伝導により加熱を行なう被加熱物載置面１５ａと、被加熱物載置面１５ａの裏面側に位置し、被加熱物載置面１５ａに載置されるウエハ３０よりも大きな開口と、ウエハ３０の外縁部３０ａに向けて傾けられた側壁１５ｃとを有する凹部からなる輻射加熱面１５ｂとを備えることを特徴とする。また、このような特徴を有するサセプタ１４における前記凹部は、サセプタ１４の中心に近づくにつれて深さが深くなるように形成すると良い。 （もっと読む）

【課題】単結晶シリコンで構成された半導体ウェハを熱処理中に支持するための支持リング、該半導体ウェハの熱処理のための方法、および単結晶シリコンで構成された熱処理された半導体ウェハを提供する。
【解決手段】単結晶シリコンで構成された半導体ウェハを、半導体ウェハの熱処理中に支持するための支持リングであって、外部側面および内部側面と、外部側面から内部側面に延在し、半導体ウェハの配置に役立つ湾曲面とを含み、湾曲面は、直径３００ｍｍの半導体ウェハの配置用に設計されている場合には６０００ｍｍ以上９０００ｍｍ以下の曲率半径を有し、直径４５０ｍｍの半導体ウェハの配置用に設計されている場合には９０００ｍｍ以上１４０００ｍｍ以下の曲率半径を有する、支持リング、該半導体ウェハの熱処理のための方法、および単結晶シリコンで構成された熱処理された半導体ウェハである。 （もっと読む）