【目的】 キャップ絶縁膜がｌｏｗ−ｋ膜から剥離することを抑制することを目的とする。
【構成】 本発明の半導体装置の製造方法は、基体上にｌｏｗ−ｋ材料を用いたｌｏｗ−ｋ膜を形成するｌｏｗ−ｋ膜形成工程（Ｓ１０４）と、ｌｏｗ−ｋ膜を研磨する研磨工程（Ｓ１０６）と、研磨されたｌｏｗ−ｋ膜上に前記ｌｏｗ−ｋ膜を覆うキャップ絶縁膜となるＳｉＯ_２膜を形成するＳｉＯ_２膜形成工程（Ｓ１１２）と、前記ＳｉＯ_２膜上に導電性材料を堆積させる導電性材料堆積工程（Ｓ１１６〜Ｓ１２０）と、前記導電性材料を研磨して平坦化させる平坦化工程（Ｓ１２２）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型の半導体装置のゲート電極とゲート配線の配置を工夫することにより、画面の大面積化を可能とする。
【解決手段】表示領域に設けられた画素ＴＦＴが含むゲート電極は、第１の導電層により形成されている。また、表示領域に設けられたゲート配線は、第２の導電層で形成されている。ゲート電極はゲート配線と接続部で電気的に接触している。接続部は、画素ＴＦＴが含む半導体層の外側に設けられている。 （もっと読む）

本発明は、エッチャントすなわちエッチング溶液及び該エッチング溶液用添加剤、これらの処理方法、これらを用いた基板のパターニング方法、本発明に従って処理されたパターニング基板、並びに当該パターニング基板を有する電子素子に関する。基板に係る少なくとも1層の表面コーティングを、エッチングによってパターニングする、本発明に従ったエッチング溶液は、硝酸、亜硝酸塩、化学式C(H)_n(Hal)_m[C(H)_o(Hal)_p]_qCO₂Hで表されるハロゲン化された有機酸、及びバランス水を有する。ここで、Halは臭化物、塩化物、フッ化物又はヨウ化物を表す。nは0,1,2又は3で、mは0,1,2又は3である。ただしm+n=3である。oは0又は1で、pは1又は2である。ただしo+p=2である。qは0又は1であるが、ただしq+m=1,2,3又は4である。
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【課題】 孤立パターン周辺の領域のパターン被覆率を増加させることができるパターン発生方法を提供する。
【解決手段】 層間絶縁膜に設けられる配線パターン、及び層間絶縁膜に埋め込まれるホールパターンの配線レイアウト及びホールレイアウトを取得して、同一配線層内で配線パターンを配置するパターン処理領域においてホールレイアウトの中から配線パターンに接続されるホールパターンを抽出する。ホールパターンを含むように第１の処理領域を抽出して、第１の処理領域に含まれる配線パターンのパターン被覆率を算出する。そして、第１の処理領域にパターン被覆率に基づいて追加パターンを発生させる。 （もっと読む）

【課題】延伸スペーサを利用した半導体デバイスおよびその形成方法を提供する。
【解決手段】半導体デバイスは、半導体基板１１０を覆うゲートと、ゲートの側壁上にある誘電体ライナー１５０とを含む。この半導体デバイスは、誘電体ライナー１５０に隣接して誘電体ライナー１５０を越えるように半導体基板１１０に沿って横向きに延伸された延伸スペーサ１７０を含む。半導体デバイスは、半導体基板１１０の上面の下方に位置し、ゲート下のチャネル領域１４５に隣接するソース／ドレインをさらに含む。ソース／ドレインは、誘電体ライナー１５０および延伸スペーサ１７０下で延伸される。半導体デバイスは、ソース／ドレインの一部上を覆い、半導体基板１１０に沿って横向きに延伸するシリサイド領域１９０をさらに含む。従って、延伸スペーサ１７０はソース／ドレインの一部上において誘電体ライナー１５０とシリサイド領域１９０との間に形成される。 （もっと読む）

【目的】 選択的に拡散防止膜を形成する場合でも、配線同士間でショートが生じてしまう原因となる導電性材料の研磨残りを生じさせないようにすることを目的とする。
【構成】 基体上の開口部に形成された導電性材料膜上に前記導電性材料膜に用いる導電性材料の拡散を防止する拡散防止膜を選択的に形成する拡散防止膜形成工程（Ｓ１２０〜Ｓ１２２）と、前記拡散防止膜が形成された後、前記基体上に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程（Ｓ１２４〜Ｓ１２８）と、前記絶縁膜形成工程の後、前記絶縁膜表面を研磨する平坦化工程（Ｓ１３０）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】被処理体の凹部の開口にオーバハング部分を生ずることなく、この凹部の側壁に均一に金属膜を形成することができる成膜方法を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた処理容器１４内でプラズマにより金属ターゲット５６をイオン化させて金属イオンを発生させ、金属イオンを処理容器内の載置台２０上に載置した被処理体にバイアス電力により引き込んで凹部２が形成されている被処理体に金属膜６、７０を堆積させるようにした成膜方法において、載置台に、金属イオンに対する引き込みによる成膜とプラズマガスによるスパッタエッチングとが同時に生ずるような大きさのバイアス電力を加えて、凹部の側壁に金属膜を堆積させる成膜工程を行う。これにより、凹部の開口にオーバハング部分を生ずることなく、この凹部の側壁に均一に金属膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置のボンディング電極形成プロセスを簡略化し、製造コストを下げ、さらに低抵抗化を図る。
【解決手段】 半導体基板上に形成される第１の層間絶縁膜と、第１の層間絶縁膜上に形成され、複数の溝を有する第２の層間絶縁膜と、溝内表面に形成された第１のバリアメタルと、第１のバリアメタル上に形成される銅膜を有する第１の配線部及び第１のボンディング電極部と、第1の配線部及び第１のボンディング電極部上に形成される第２のバリアメタルと、第1の配線部上に第２のバリアメタルを介して形成される金属膜を有する第２の配線部と、第1のボンディング電極部上に第2のバリアメタルを介して形成される金属膜を有する第２のボンディング電極部と、第２の配線部および第２のボンディング電極部を覆い、第２のボンディング電極部表面が露出するように開口部を有した第３の層間絶縁膜とを備えることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】生産性を向上するＴＦＴ基板の提供。
【解決手段】ゲート電極上でゲートパッドを露出の絶縁膜パターン、ゲート電極及び絶縁膜パターン上に形成の半導体膜パターン、ゲート電極上の半導体膜パターンと接触の不純物注入半導体膜パターン、半導体膜パターン上に形成のソース及びドレイン電極とデータライン、ソース及びドレイン電極上且つゲートパッド領域で絶縁膜パターン上に形成の保護膜パターン、保護膜パターン上でドレイン電極に連結の第１画素電極パターンと、ゲートパッドに連結の第２画素電極パターンを備え、絶縁膜及び保護膜パターンはゲートパッド領域で重なり、ゲート電極、パッド及びラインは第１金属膜パターンと第１金属膜パターン上の第２金属膜パターンを含み、第２金属膜パターンの厚さは第１金属膜パターンに対し同じ又は薄く、第１金属膜パターンの幅は第１金属膜パターンの底から狭くなる。 （もっと読む）

【課題】 貫通配線と半導体基板とを絶縁する絶縁膜を、簡便かつ高歩留で形成することを可能にする。
【解決手段】 半導体基板を貫通する貫通配線を有する半導体装置の製造方法において、半導体基板２１に形成される非貫通孔２５を樹脂２７で塞ぐ印刷工程は、レジストパターン２４に非貫通孔２５の開口部よりも大きいレジスト開口部２４ａを形成し、レジスト開口部２４ａをとおして非貫通孔２５の開口部の外縁に位置する表面電極２３が露出した状態で、非貫通孔２５の開口部を孔版印刷によって樹脂２７でキャップ状に塞ぐように行われる。このとき、レジストパターン２４、表面電極２３および樹脂２７が、レジストパターン２４と未硬化状態にある樹脂２７との接触角が、表面電極２３と未硬化状態にある樹脂との接触角よりも大きくなるように選択される。 （もっと読む）

【課題】少ない工程数で大面積基板に微細な形状を有する配線を形成する方法を提供する。また、少ない工程数及び原料の削減により、コスト削減及びスループットの向上が可能であり、かつ微細構造の半導体素子を有する半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】金属粒子と有機樹脂とで形成される液状物質にレーザ光を照射し、金属粒子の一部を溶融した後、レーザ光が照射されない液状物質を除去して、配線、電極等に代表される導電層を基板上に形成することを特徴とする。また、本発明は、上記焼結された導電層を配線又は電極として有する半導体装置を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、汎用性が高く、膜剥離、歪や基板の反りを防止できる積層薄膜電気配線板を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の積層薄膜電気配線板は、基板上に下部電気絶縁層と上部電気絶縁層を有し、下部電気絶縁層と上部電気絶縁層との間に電気配線層を有している。更に、本発明の積層薄膜電気配線板によれば、電気配線層に孔部を設けることに特徴がある。 （もっと読む）

【課題】ボイド等を生ずることなく被処理体の凹部を埋め込むことができ、しかもメッキ処理の負担を軽くして、表面の研磨処理の負担も軽減することができる成膜方法を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた処理容器１４内でプラズマにより金属ターゲット５６をイオン化させて金属イオンを発生させ、金属イオンを処理容器内の載置台２０上に載置した被処理体Ｓにバイアス電力により引き込んで凹部２が形成されている被処理体に金属膜７４を堆積させて凹部を埋め込むようにした成膜方法において、バイアス電力を、被処理体の金属ターゲットに対する対向面に関して、金属イオンに対する引き込みによる成膜レートとプラズマガスによるスパッタエッチングのエッチングレートとが略均衡するような状態になるように設定して成膜処理を行う。これにより、ボイド等を生ずることなく被処理体の凹部を埋め込むことができる。 （もっと読む）

【課題】 配線パターンを形成するときに、断線などの品質問題を減少させることができる配線パターンの形成方法、デバイスの製造方法、デバイス、及び電気光学装置、並びに電子機器を提供する。
【解決手段】 基板Ｐ上に、液滴吐出ヘッド１から配線パターン用機能液Ｘを吐出して配線パターンを形成するときに、基板Ｐ上のバンクＢによって区画された凹部である第１領域部Ｇｈと第３領域部Ｇａとに、配線パターン用機能液Ｘを配置させ、毛細管現象を利用して、第１領域部Ｇｈ、第３領域部Ｇａより狭い第２領域部Ｇｄに、配線パターン用機能液Ｘを流れ込ませ、焼成することによって、ゲート電極１１とゲート配線１２とを形成した。 （もっと読む）

【課題】中継基板を用いることなく、直接、回路基板に半導体チップと再配線とを確実に導電接続すること、および上下に配置された回路基板に、直接、導電接続する。
【解決手段】接続パッド２３を有する半導体チップ２１と、絶縁膜２６の上面に半導体チップ２１の接続パッド２３に接続されて設けられ、半導体チップ２１の周側面より外側に配置されたパッド部を有する第１の再配線３２および第２の再配線３６と、第１の再配線３２のパッド部に絶縁膜２１に形成された開口部を介して接続された第１の突起電極３３と、第２の再配線３６のパッド部に接続されて設けられた第２の突起電極３７とを備えている。 （もっと読む）

【目的】 ｐ−ｌｏｗｋ膜上にバリアメタルを連続に形成することを目的とする。
【構成】 本発明の半導体装置の製造方法は、基体上に、表面にメチル（ＣＨ_３）基が結合している絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程（Ｓ１０２〜Ｓ１０８）と、前記絶縁膜表面に、イミド系の高融点金属化合物を原料として、バリアメタル膜を形成するバリアメタル膜形成工程（１１４）と、を備えたことを特徴とする。そして、前記バリアメタル膜形成工程において、原子層気相成長法によりバリアメタル膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 Ｃｕ拡散防止膜との密着力が良好であり、微細バターンに成膜が可能なＣｕ膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】 被処理基板上に形成されたＣｕ拡散防止膜上に、Ｃｕ膜を形成する成膜方法であって、前記Ｃｕ拡散防止膜上に、当該Ｃｕ拡散防止膜と前記Ｃｕ膜との密着膜を形成する第１の工程と、前記被処理基板上に、超臨界状態の媒体にプリカーサが溶解した処理媒体を供給し、前記密着膜上に前記Ｃｕ膜を形成する第２の工程と、を有することを特徴とする成膜方法 （もっと読む）

【課題】 複数の材料を積層して配線パターンを形成するときに、クラックや断線などの品質問題を減少させることができる配線パターンの形成方法、デバイスの製造方法、デバイス、及び電気光学装置、並びに電子機器を提供する。
【解決手段】 基板Ｐ上の所定の領域に、液滴吐出法を用いて配線パターン７９を形成する方法であって、基板Ｐ上にバンクＢを突設するバンク形成工程と、基板Ｐに親液性を付与する工程と、バンクＢに撥液性を付与する工程とを有している。また、撥液性が付与されたバンクＢ間に、第１層目の下地膜７１を形成する工程と、第１層目の上に、第２層目の導電膜７３を形成する工程と、第２層目の上に、第３層目の拡散防止膜７７を形成する工程とを有している。そして、これら下地膜７１、導電膜７３、拡散防止膜７７とで構成された配線パターン７９を一括で焼成する工程を有する。 （もっと読む）

導電性材料を噴射する第一の溶液噴射手段を用いて配線を形成する工程と、第二の溶液噴射手段を用いて前記配線の上にレジストマスクを形成する工程と、前記レジストマスクをマスクとして、線状のプラズマ発生手段を有する大気圧プラズマ装置、又は、複数のプラズマ発生手段が線状に配列された大気圧プラズマ装置を用いて前記配線をエッチングする工程とを有する。
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【課題】ターゲット等、光学的に位置検出するための大きな面積のパターン領域での表面平坦性を向上する。
【解決手段】ウェハのスクライブ領域ＳＲに形成されるターゲットＴ２領域の下層に大面積ダミーパターンＤＬを形成する。また、製品領域ＰＲおよびスクライブ領域ＳＲの素子として機能するパターン（活性領域Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３、ゲート電極１７等）のパターン間スペースが広い領域に下層の小面積ダミーパターンと上層の小面積ダミーパターンＤｓ２を配置する。このとき、上層の小面積ダミーパターンＤｓ２は、下層の小面積ダミーパターンに対してハーフピッチシフトさせて形成する。 （もっと読む）