【課題】凹部内の配線におけるボイドを減少させることが可能であり、かつ配線の信頼性を確保することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】めっき膜４上に、めっき膜４を構成している金属の熱膨張率に対して６０％以下の熱膨張率を有する物質からなる圧縮応力印加膜５を形成し、圧縮応力印加膜５によりめっき膜４に圧縮応力を印加しながら熱処理を施す。 （もっと読む）

【課題】 触媒材料をパターニングすることなく、従って基板上の他の部分にダメージを与えたり、当該触媒材料が汚染されたりすることなく、容易且つ確実に基板上の任意の形状・面積の所定領域にＣＮＴを成長させる。
【解決手段】 シリコン基板１上の所望部位にＴｉ膜２をパターン形成し、Ｔｉ膜２を覆うように基板１上にＣｏ膜３を形成する。そして、熱ＣＶＤ法により６００℃程度でＣｏ膜３表面のうち、下部にＴｉ膜２の形成された部位のみにＣＮＴ４を形成する。ＣＮＴ４の長さはＴｉ膜２の厚みを調節することにより制御できる。 （もっと読む）

配線金属は、銅（Ｃｕ）を主成分とする多結晶とＣｕ以外の添加元素とを含有し、添加元素の濃度が、Ｃｕ多結晶を構成する結晶粒の結晶粒界及び結晶粒界近傍において、その結晶粒内部よりも高い。添加元素は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｍｇ及びＡｇからなる群から選択された少なくとも１種の元素であることが好ましい。このＣｕ配線は、Ｃｕ多結晶膜を形成し、そのＣｕ膜の上に添加元素の層を形成し、この添加元素を前記添加元素の層からＣｕ膜中に拡散させることにより形成される。この配線用銅合金は、半導体装置に形成される金属配線として好適である。
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【課題】 プラズマプロセスによるチャージアップに起因するスルーホール不良の発生を防止することができる多層配線構造を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 多層配線構造を有する半導体装置を製造する方法であって、半導体基板を準備するステップと、半導体基板の上方に第１配線層をプラズマを用いる方法で形成するステップと、第１配線層を含む全面に第１導電層を成膜して全ての第１配線層を電気的に短絡するステップと、プラズマを用いない方法で第１導電層を除去するステップと、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】シリコン窒化膜を堆積してもシート抵抗が上昇しない配線構造を提供する。
【解決手段】半導体基板上に第一の高融点金属膜５を形成する工程と、前記第一の高融点金属膜上に高融点金属窒化物の反応物７を持つ第二の高融点金属膜６Ａを形成する工程と、前記第二の高融点金属膜上にシリコン窒化膜８を形成する工程とからなる。これにより、シリコン窒化膜の膜質を変化させることなく、また成膜時のパーティクルの発生を従来方法と同等としたまま、シリコン窒化膜下の高融点金属のシート抵抗の上昇を最小限に抑えることができる。 （もっと読む）

集積回路構造および集積回路構造を製造するための方法である。この方法には、集積回路をパッケージに取り付けるための銅ボンドパッドを形成する工程が含まれている。水素イオン雰囲気中での還元によってパッドから銅酸化物が除去される。集積回路をバンプボンディングパッケージに取り付けるために、還元された銅パッドの上にアンダーバンプメタライゼーション層が形成され、その上にはんだバンプが形成される。このプロセスは、浄化済みの銅パッドを覆うアルミニウム層を形成することによってワイヤボンディングプロセスにも使用することができる。本発明による集積回路構造は、基板内に形成された銅パッドを備えている。中に開口を画定しているパッシベーション層が銅パッドを覆っている。開口の中にアンダーバンプメタライゼーション層が配置され、はんだバンプがアンダーバンプメタライゼーション層を覆っている。別法としては、構造は、さらに、還元された銅パッドを覆って配置されたアルミニウムパッドを備えている。
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【課題】本発明は、無線チップのコストを下げることを課題とする。また、無線チップの大量生産を可能として、無線チップのコストを下げることを課題とする。さらに、小型・軽量な無線チップを提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、ガラス基板や石英基板から剥離された薄膜集積回路が第１の基体と第２の基体に設けられた無線チップを提供する。本発明の無線チップは、シリコン基板からなる無線チップと比較して、小型、薄型、軽量を実現する。本発明の無線チップが含む薄膜集積回路は、少なくとも、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ ｄｒａｉｎ）構造のＮ型の薄膜トランジスタと、シングルドレイン構造のＰ型の薄膜トランジスタと、アンテナとして機能する導電層とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 下地メタルの光反射率を低減させて微細なレジストパターンを高精度に転写すると共に、メタルエッチングを酸化膜のハードマスクを介して実施することでマスクとメタルのエッチング選択比を確保して微細なメタル配線を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 下地からの光反射を抑制する反射防止膜として屈折率がそれぞれ異なる複数層のプラズマＳｉＯＮ膜６，７を含む酸化膜層をメタル積層膜上に形成するステップと、露光処理によりプラズマＳｉＯＮ膜７上に金属配線パターンを施したレジストマスク８を形成するステップと、レジストマスク８を介したエッチングにより酸化膜層に金属配線パターンを形成するステップと、金属配線パターンが形成された酸化膜層をマスク材としたエッチングによりメタル積層膜に金属配線パターンを形成するステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】 樹脂製の突起体４の吸湿を防止して、相手側部材との電気的接続の信頼性を向上させることが可能な、半導体装置を提供する。
【解決手段】 電極２と、電極２よりも外側に突出して形成された樹脂材料からなる突起体４と、電極２上から突起体４の頂部に延設されるとともに電極２と電気的に接続された導電膜５とを有する半導体装置であって、突起体４の表面全体が、非透湿性部材を含む導電膜５で覆われていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置製造の費用減少、生産性向上。
【解決手段】ＴＦＴ部及びゲート−パッド連結部に第１及び第２金属膜を蒸着しそれら金属膜をパターニングしゲート電極及びゲートパッドを形成する段階、全面に絶縁膜を形成する段階、第１及び第２非晶質シリコン膜パターンをＴＦＴ部の絶縁膜上に形成する段階であって第２非晶質シリコン膜全体の下部表面が第１非晶質シリコン膜表面と当接するようそれらのパターンを形成する段階、ソース及びドレイン電極をＴＦＴ部上に形成しソース及びドレイン電極間の第２非晶質シリコン膜を除去する段階、ドレイン電極及びゲートパッドの一部が露出されるよう保護膜を形成しゲートパッドの一部上の絶縁膜を除去する段階、第１及び第２画素電極パターンを形成する段階を含み、第１金属膜はＣｒ、Ｍｏ、Ｔａ及びＴｉのうち１つの金属膜であり、第２金属膜はＡｌ又はＡｌ合金である。 （もっと読む）

【課題】簡単な工程で絶縁膜、半導体膜、導電膜等の膜パターンを有する基板を作製する方法、さらには、低コストで、スループットや歩留まりの高い半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】基板１０１上に第１の膜１０２を形成する工程と、前記第１の膜１０２上にマスク材料を含有する溶液を吐出して前記第１の膜１０２上にマスク１０３を形成する工程と、前記マスク１０３を用いて前記第１の膜１０２をパターニングして前記基板１０１上に塗れ性の低い領域１０４と塗れ性の高い領域１０５を形成する工程と、前記マスク１０３を除去する工程と、前記塗れ性の低い領域１０４に挟まれた前記塗れ性の高い領域１０５に、絶縁膜、半導体膜又は導電膜材料を含有する溶液１０６を吐出して絶縁膜、半導体膜又は導電膜のパターンを形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】配線部が破断する心配のない信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】電極２よりも突出した樹脂製のコア４と、このコアを被覆する配線部５とからなるバンプ電極８を設け、このバンプ電極のコアの頂部側の弾性率を底部側の弾性率よりも小さくする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、アクティブマトリクス型の表示装置において、配線の断面積を増大
させることなく、相性の悪い２つの膜（ＩＴＯ膜とアルミニウム膜）からなる配線や電極
等を接続し、且つ、大画面化しても低消費電力を実現することを課題とする。
【解決手段】 本発明は、配線または電極をアルミニウム合金膜の単層とし、そのアルミ
ニウム合金膜の組成を調節してＩＴＯとの良好なオーミック接合を目指すのではなく、３
層構造とすることで課題を解決する。本発明は、アルミニウム原子のチャネル形成領域へ
の拡散を防止するために、ＴｉまたはＭｏからなる第１導電層を設け、その上に電気抵抗
値の低いアルミニウム単体（純アルミニウム）からなる第２導電層を設ける。さらに、そ
の第２導電層の上に、ＩＴＯと反応しないアルミニウム合金からなる第３導電層を設け、
配線又は電極を３層構造としてＩＴＯと接合させる。 （もっと読む）

【課題】有機材料膜パターンの形成後の配線材料膜部分にフッ素に起因する腐食層が生成されるのを抑制または防止することが可能な半導体装置の製造方法を提供する
【解決手段】半導体基板上に導電性バリア膜、アルミニウムもしくはアルミニウム合金の膜および導電性バリア膜をこの順序で堆積して積層構造の配線材料膜を形成し、導電性バリア膜表面に有機材料膜、シリコン酸化膜およびレジスト膜をこの順序で形成し、レジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとしてシリコン酸化膜を少なくともフッ素を含むプロセスガスで加工して有機材料膜表面に酸化シリコン膜パターンを形成し、、酸化シリコン膜パターンをマスクとして有機材料膜をＨおよびＮを含むプロセスガスで加工して導電性バリア膜表面に有機材料膜パターンを形成し、大気中に曝す前に、Ｃを含むプロセスガス、Ｈを含むプロセスガスまたはＯを含むプロセスガスのプラズマ処理を施し、さらに前記各パターンをマスクとして配線材料膜を選択的にエッチング除去する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置における配線の幅などに応じてＣｕ合金を形成する際の添加元素の濃度を変化させた配線構造を有する半導体装置を得ること。
【解決手段】ダマシンプロセスで絶縁膜Ｉ１に配線Ｗ１を形成する際に、絶縁膜Ｉ１中の配線溝３１ａ，３１ｂ上に形成される側壁部膜厚ｔ₁と底部膜厚ｔ₂とを、同一配線層におけるどの配線溝３１ａ，３１ｂにおいてもそれぞれ同じ厚さとなるようにＣｕ合金からなるシード層３３を堆積し、その後に電解メッキ法でＣｕ金属膜３４の堆積とアニール処理を行って、各配線溝３１ａ，３１ｂに形成される配線材料層３５を形成する。これにより、その配線溝３１ａ，３１ｂの配線幅が太くなるほど添加元素の割合が少なくなる。 （もっと読む）

【課題】ターゲット等、光学的に位置検出するための大きな面積のパターン領域での表面平坦性を向上する。
【解決手段】ウェハのスクライブ領域ＳＲに形成されるターゲットＴ２領域の下層に大面積ダミーパターンＤＬを形成する。また、製品領域ＰＲおよびスクライブ領域ＳＲの素子として機能するパターン（活性領域Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３、ゲート電極１７等）のパターン間スペースが広い領域に下層の小面積ダミーパターンと上層の小面積ダミーパターンＤｓ２を配置する。このとき、上層の小面積ダミーパターンＤｓ２は、下層の小面積ダミーパターンに対してハーフピッチシフトさせて形成する。 （もっと読む）

【課題】貫通孔内に密着性が良好な絶縁樹脂層が形成され、これを介してビア（スルーホール導通部）が形成された信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、表面に素子が集積・形成された半導体基板1と、この半導体基板を貫通する貫通孔2と、貫通孔の側壁面に形成された第1の絶縁樹脂層5と、半導体基板の表裏両面に形成された第２の絶縁樹脂層6と、貫通孔内で第1の絶縁樹脂層上に形成された第１の導体層と、第２の絶縁樹脂層上に形成され第１の導体層と導通された第２の導体層7を有する。半導体基板にレーザ照射して貫通孔を形成する工程と、貫通孔内に絶縁樹脂を充填する工程と、充填された絶縁樹脂に樹脂貫通孔を同心的に形成する工程と、樹脂貫通孔の側壁面に導体層を形成し、半導体基板の表面と裏面を導通させるビアを形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ内の熱を半導体チップ外に確実に放出させて、信頼性が高い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、内部に配線１２とダミー配線１３を有する半導体チップ１０と、内部にそれぞれ配線１２に電気的に接続された配線３３，５１とダミー配線１３に熱的に接続されたダミー配線３５，５３を有するパッケージ基板３０及び冷却基板５０と、配管５４ａが冷却基板５０に設けられ、ダミー配線５３と熱的に接続され、半導体チップ１０内の温度を制御する冷却モジュール５４とを具備している。 （もっと読む）

【課題】配線パターンとなる金属材料中にＣＮＴを均一に分散させると共に、配線パターンの電気導電率を向上させる。また、スパッタリングによって金属薄膜中にＣＮＴを均一に分散混入するためのターゲット材を提供する。
【解決手段】絶縁性材料からなる基材８の表面にＣＮＴ入り金属層１３を形成し、金属層１３をパターンエッチングして配線パターンを形成する配線材の製造方法において、ＣＮＴ入り金属層１３をスパッタリング法により形成する。ＣＮＴとＣｕを同時にスパッタリングしてＣＮＴ入り金属層１３を形成しているため、ＣＮＴをＣｕ中に均一に混入できると共に、ＣＮＴとＣｕ間の界面抵抗を低減でき配線の電気導電率が向上する。スパッタリング用ターゲット材１０としては、ＣｕにＣＮＴが含まれたターゲット材を用いる。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】半導体ウェハの相互接続構造上に金属層を堆積させる方法を開示する。この方法では、金属導体を、キャップ層および誘電体層で被覆する。キャップ層を露出させるように、誘電体層をパターン形成する。次いで、キャップ層をスパッタ・エッチングして除去し、金属導体を露出させる。スパッタ・エッチング・プロセス中に、キャップ層がパターンの側壁に再堆積する。最後に、パターンの中に少なくとも１つの層を堆積させ、再堆積したキャップ層を被覆する。
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