【課題】 気密性を保ったままスラリや洗浄薬液などの溶液を研磨布上などに供給させることにより供給寸前まで外気との接触を避け、ウエハの欠陥を低減することができる研磨方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 スラリ保持容器からスラリ１６をウエハ１５上の被研磨対象物に供給する工程と、前記被研磨対象物を研磨する工程とを備える。スラリ保持容器は、密封容器であり、スラリの残量によって容積を可変にすることにより容器内のスラリが外気と接することがないように構成された気密性可変容器１０を用いる。スラリが完全に密閉された容器に収容され、気密性を保ったまま被研磨対象物に供給されるので、供給寸前まで外気との接触を避けてダストの混入やバクテリアの増殖、成分の揮発などを防ぐことが可能となり、スラリ等の粗大粒子を低減できる。 （もっと読む）

【課題】ボンディングパッド部のパッド剥がれを抑制した半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、層間絶縁膜８上にバリアメタル層１４を形成する工程と、パッド開孔部の下に位置する前記バリアメタル層の少なくとも一部を除去する工程と、前記除去する工程により露出した層間絶縁膜８及び前記バリアメタル層１４の上に第２のＡｌ合金膜１５を形成する工程と、第２のＡｌ合金膜及び前記バリアメタル層をパターニングすることにより、前記層間絶縁膜上にボンディングパッド部１７ａを形成する工程と、前記ボンディングパッド部及び前記層間絶縁膜の上にパッシベーション膜１８を形成する工程と、前記パッシベーション膜に、前記ボンディングパッド部上に位置するパッド開孔部を形成する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】コリメータを備えるスパッタリング装置の生産効率を向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】上部シールド１３の上部折曲部１３ａと下部折曲部１３ｂとの上下垂直位置の距離を相対的に短く、上部シールド１３の下縁部の内径を相対的に広くして、ターゲット３と上部シールド１３との間の隙間量を相対的に広くし、さらに台座リング１５の内径を相対的に広く、台座リング１５の高さを相対的に低くして、パッキングプレート１１（ターゲット３）と台座リング１５との間の隙間量を相対的に広くすることにより、ターゲット３と上部シールド１３との接触またはパッキングプレート１１（ターゲット３）と台座リング１５との接触を回避する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、犠牲ハードマスクのエッチング選択比を増加させ、パターン変形を最小化できる半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明は、被エッチング層上に犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜を形成するステップと、該犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜上にフォトレジストパターンを形成するステップと、該フォトレジストパターンをエッチングマスクとして前記犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜をエッチングし、犠牲ハードマスクを形成するステップと、少なくとも前記犠牲ハードマスクをエッチングマスクとして前記被エッチング層をエッチングし、所定のパターンを形成するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】少ない工程数で大面積基板に微細な形状を有する配線を形成する方法、及びそれにより形成された配線基板を提供する。また、少ない工程数及び原料の削減により、コスト削減及びスループットの向上が可能であり、かつ微細構造の半導体素子を有する半導体装置、及びその作製方法を提供する。
【解決手段】金属粒子と有機樹脂とで形成される組成物１０２をインクジェット法で基板１０１上に描画し、それにレーザ光１０３を照射し、金属粒子の一部を焼成して、配線、電極等に代表される導電層１０５を基板上に形成することを特徴とする。また、上記焼成された導電層を配線又は電極として有する半導体装置を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 低誘電率絶縁膜に埋め込まれた導電性材料を有する半導体装置を、欠陥を低減して高い歩留まりで製造可能な方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板上に、３．５以下の比誘電率を有する疎水性の層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜に凹部を設ける工程と、前記凹部が設けられた前記層間絶縁膜上に導電性材料を堆積して導電層を形成する工程と、前記層間絶縁膜上の前記導電性材料を研磨により除去して、前記導電性材料を前記凹部内に埋め込み、前記層間絶縁膜の表面を露出する工程と、前記導電性材料が埋め込まれた前記層間絶縁膜の表面を、無機アルカリを含有しｐＨが９を越えるアルカリ洗浄液を用いて樹脂製部材により加圧洗浄する工程とを具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 下地層の段差を吸収して平坦な面を提供する絶縁層であって、コンタクトホールを有する絶縁層を、インクジェット法で形成すること。
【解決手段】 インクジェット法を用いた層形成方法は、（ａ）第１レベル面上に位置する第１導電層21の側面が第１絶縁材料31Aで覆われるように、前記第１レベル面上に第１の濃度を有する前記第１絶縁材料31Aを吐出するステップと、（ｂ）吐出された前記第１絶縁材料31Aを活性化または乾燥して、前記第１導電層21に接する第１絶縁層31Bを形成するステップと、（ｃ）前記第１導電層21上と前記第１絶縁層31B上とに、前記第１の濃度よりも高い第２の濃度を有する第２絶縁材料を吐出するステップと、（ｄ）吐出された前記第２絶縁材料を活性化または乾燥して、前記第１導電層21と前記第１絶縁層31Bとを覆う第２絶縁層を形成するステップと、を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 １度の突起電極形成が可能となり、低コスト化を実現でき、接合部を微小にしなくても電極パッドの狭ピッチ化への対応を可能にする。
【解決手段】 電極パッド３の一部が開口されるように形成された保護膜を有し、保護膜上に電極パッド３と接続される配線部６と外部接続部５が形成された金属突起電極を有する半導体チップ１と、金属突起電極の外部接続部５と電気的に接合された配線基板と、半導体チップと配線基板との間を充填している絶縁性樹脂とを備え、金属突起電極の外部接続部５と配線部６の厚みが略同等である。また、金属突起電極は、電極パッド３から保護膜の上に配線部６により延在して外部接続部５が形成されている。これにより、１度の突起電極形成が可能となり、半導体装置の製造プロセスを容易にできるようになる。 （もっと読む）

【課題】 発光装置、特に発光装置が有する画素部の高精細化、高開口率化が進むにつれて、より幅の小さい配線を形成することが要求されている。しかしインクジェット法を用いて配線を形成する場合、配線形成表面でドットが広がってしまい、配線の幅を小さくすることが難しかった。
【解決手段】 本発明は、配線形成表面に光触媒物質を形成し、該光触媒物質の光触媒活性を利用して配線を形成することを特徴とする発光装置の作製方法である。インクジェット法により、光触媒物質上に、溶媒に導電体が混入された組成物を吐出することにより、ドットの径より狭い、つまり幅の小さい配線を有する発光装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】既存の金属配線パターンマスクを用いてダマシン工程を実施しながら層間絶縁膜の幅を最大限確保し、金属配線間の間隔を広めて相互干渉を防止することにより、半導体素子の誤動作を防止することが可能な半導体素子の金属配線形成方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜１１〜１４の形成された半導体基板を提供する段階と、金属配線パターンマスクを用いたエッチング工程によって前記絶縁膜をパターニングして溝を形成するが、前記エッチング工程の際に発生するポリマーの量を制御し、パターニングされる前記絶縁膜の上部コーナー部位にラウンディング(rounding)１６を形成する段階と、前記溝が埋め込まれるように金属配線を形成する段階と、このラウンディング部が除去されるようにＣＭＰ工程により全体構造上部を平坦化する段階を含む。 （もっと読む）

【課題】 ボイドの発生の有無を短時間で且つ容易に確認できる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る半導体装置の製造方法は、絶縁膜上に複数の配線パターン１〜４を形成する工程と、前記絶縁膜及び前記複数の配線パターンの上に層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜上に該層間絶縁膜とは異なる物質（例えばＷ）からなる物質層を堆積する工程と、前記複数の配線パターンのうち隣り合う配線２，３間の容量を測定する工程と、前記容量が所定値より小さい場合は、前記隣り合う配線間に位置する該層間絶縁膜の少なくとも一部にボイドが形成されていると判断し、前記容量が所定値以上の場合は、前記隣り合う配線間に位置する該層間絶縁膜にボイドが形成されていないと判断する工程とを具備する。 （もっと読む）

本発明は層構造（２）からなる階段状プロファイルを形成する方法に関する。第二の構造形成ステップの間に、第一の残りの層構造部分（２１１）の下側に位置している、第二の層構造部分（２２）の領域を、取り除き、第一の残りの層構造部分（２１１）の第一の突出部（Ａ）を形成し、第三の構造形成ステップの間に、第一の残りの層構造部分（２１１）の第一の突出部（Ａ）を取り除く。
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【課題】
半導体装置の内部で発生する熱を効率よく外部へ発散させることによって半導体素子の動作特性の劣化を防止することができる半導体装置及びこの半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
表面に半導体素子を形成した半導体基板の裏面全体に放熱電極を形成し、この放熱電極に導通するバイアホールを形成した半導体装置を製造する際に、半導体基板の裏面に凹部を形成し、その後、この凹部とバイアホールの内面とに放熱電極を形成することによって放熱電極に凹部を設けた。 （もっと読む）

【課題】駆動側基板上の信号線と対向側基板上の透明電極との間に形成される寄生容量が大きいと、信号線によって伝送される映像信号に波形のなまりや遅延が生じたり、あるいは基板外部から映像信号を供給する駆動ＩＣの負荷が増大したりする。
【解決手段】ガラス基板４１（駆動側基板）上の第２のガラス基板（対向側基板）４２と対向する領域内に信号線３３（３３Ｒ，３３Ｇ，３３Ｂ，３３Ｐ）を配線する配線構造を採る場合において、ガラス基板４１上の酸化膜４３に凹部４５を形成し、この凹部４５内に信号線３３を配線することにより、透明電極４４と信号線３３との間の距離を拡大して透明電極４４と信号線３３との間に形成される寄生容量を低減する。 （もっと読む）

【課題】 安定した低抵抗のシリサイド膜を形成する技術を提供する。
【解決手段】 半導体基板１上にゲート絶縁膜５を形成する工程、ゲート絶縁膜５上にシリコン膜７を形成する工程、シリコン膜７と半導体基板１との表面にＢＦ₂イオンおよびＢイオンを注入し、ｐチャネル型ＭＩＳトランジスタＱｐのゲート電極１１ｐと高濃度ｎ型半導体領域１５からなるソース／ドレインとを形成する工程、ゲート電極１１ｐの上部に第１コバルトシリサイド膜を形成し、ソース／ドレインの上部に第２コバルトシリサイド膜を形成する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】 大量生産上、大型の基板に適している液滴吐出法を用いたパターン形成装置を備えた半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】本発明では、液滴吐出法を用いたパターン形成装置と、加熱処理室をそれぞれ複数設置し、それぞれを一つの搬送室と連結させたマルチチャンバー方式とし、吐出と焼成とを効率よく行って生産性を向上させる。パターン形成装置にブロー手段を設け、着弾直後にガスの吹きつけを基板の走査方向（或いは吐出ヘッドの走査方向）と同じ方向に行い、ガス流路中に加熱ヒータを設けて局所的に焼成を行う。 （もっと読む）

【課題】基板周辺部における少なくとも第２絶縁膜に複数の凹部を形成するすることで、配線を形成する研磨時の絶縁膜剥がれを防止することを可能とする。
【解決手段】基板１１上に少なくとも２層以上の配線層を備えた多層配線を形成する工程を備え、配線層を形成する配線は、基板１１上に設けられた絶縁膜に配線用凹部（図示せず）を形成して配線用凹部内に導電膜４１を埋め込むように絶縁膜上に導電膜４１を形成する工程と、導電膜４１を研磨して配線用凹部内に導電膜４１を残すことで配線を形成する工程とにより形成される半導体装置の製造方法であって、絶縁膜は、第１絶縁膜２１と第２絶縁膜２２とを積層したものからなり、絶縁膜上に導電膜４１を形成する前に、基板周辺部における少なくとも第２絶縁膜２２に複数の凹部３１を形成する工程を備えている。 （もっと読む）

【課題】 配線の終端部におけるボイドの爆発により配線に損傷が生じるのを抑制した半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 絶縁膜１１上に、複数の配線１３ａを互いに並ぶように形成すると共に、複数の配線１３ａの端部１３ｃ近傍に、複数の配線１３ａと交わる方向にダミーパターン１３ｂを形成する。次いで、絶縁膜１１上、複数の配線１３ａ上、及びダミーパターン１３ｂ上に、第２の絶縁膜を形成する。その後、絶縁膜１１、複数の配線１３ａ、ダミーパターン１３ｂ及び第２の絶縁膜を加熱し、配線１３ａ相互間のボイドが膨張しても、ダミーパターン１３ｂが設けられているため、配線端部の近傍でボイドが爆発するのを防止でき、それにより配線が損傷することを抑制できる。 （もっと読む）

【目的】 ＣＶＤ法により形成された多孔質ｌｏｗ−ｋ膜上にバリアメタルを連続に形成することを目的とする。
【構成】 基体上に、有機物質原料を用いてＣＶＤ法により多孔質絶縁膜を形成するポーラスｌｏｗ−ｋ膜形成工程（Ｓ１０４）と、前記ポーラスｌｏｗ−ｋ膜表面に結合されるＣＨ_３基をエッチングするエッチング工程（Ｓ１１２）と、前記ＣＨ_３基がエッチングされた前記ポーラスｌｏｗ−ｋ膜表面にＡＬＤ法によりバリアメタル膜を形成するバリアメタル膜形成工程（Ｓ１１４）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 信頼性の高い半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置は、層間絶縁膜１と、層間絶縁膜１内に形成された下部配線５と、層間絶縁膜１上に形成されたライナー膜１１と、ライナー膜１１上に形成された層間絶縁膜１２とを備えている。下部配線５に下部孔８が開口しており、ライナー膜１１および層間絶縁膜１２には下部孔８に繋がる上部孔１０が開口しており、下部孔８の口径ｄ₂は上部孔の口径ｄ₁よりも大きくなっている。さらに、下部孔８の内壁面に形成された導電膜１５と、上部孔１０の内壁面に沿って形成されたバリアメタル１３と、上部孔１０内および下部孔８内を埋めるように形成されたＣｕ膜１９とを備えている。導電膜１５はバリアメタル１３と同じ物質を含んでいる。 （もっと読む）