【課題】 超臨界状態の媒体を用いた成膜方法において、被処理基板上に供給する被供給物を、安定に被処理基板上に供給する、安定した成膜方法を提供する。
【解決手段】 超臨界状態の媒体にプリカーサを添加した処理媒体によって、被処理基板上に成膜を行う成膜方法であって、前記プリカーサは有機溶媒に溶解された状態で前記超臨界状態の媒体に添加されることを特徴とする成膜方法。 （もっと読む）

【課題】 多重金属配線構造において金属パターンの不良を改善する。
【解決手段】 金属配線は、基板に形成された第１金属層と、第１金属層上に形成され、第１金属層の腐食を抑制する酸化膜と、酸化膜上に形成された第２金属層と、を含む。第１金属層の下に形成された第３金属層を更に含み、第３金属層は、第２金属層と実質的に同じ金属物質である。このように、第１金属層と第２金属層との間に酸化膜を形成することで、前記第１金属層の腐食を防止する。 （もっと読む）

【課題】金ボールと銅パッドとの接合を、銅パッド表面状態の影響が小さく安定した接合をする。
【解決手段】最上層の銅配線２で形成した銅パッド３の上に、Ｔｉ，ＴｉＮ，ＴａＮのいずれかの部材からなるシールド薄膜４を形成する。このシールド薄膜４を形成した銅パッド３と金ボール６のワイヤーボンディング時、金ボール６からの荷重と超音波振動によって銅パッド３上に形成のシールド薄膜４を破り、銅パッド３における銅の新生面を露出させて、銅パッド３と金ボール６の接合を行う。銅パッド３表面の酸化で生じる酸化銅等の表面状態が影響することなく、銅と金の相互拡散が十分に進行し安定した銅パッド３と金ボール６の接合を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】メモリセル構造の最適化を図ることで２つの書き込み配線の信頼性を共に確保する。
【解決手段】ビット線１０の配線幅および厚さをそれぞれＷ１およびＴ１とし、ディジット線５の厚さをＴ２とし、ディジット線５の厚み方向中心からＭＴＪ素子８のフリー層の厚み方向中心までの距離をＬ１とする。ディジット線５の配線幅をＷ２とし、ビット線１０の厚み方向中心からＭＴＪ素子８のフリー層の厚み方向中心までの距離をＬ２とする。そして、Ｌ１／Ｌ２≧１の場合には（１／３）・（Ｌ１／Ｌ２）≦Ｓ２／Ｓ１≦１を、Ｌ１／Ｌ２≦１の場合には１≦Ｓ２／Ｓ１≦３（Ｌ１／Ｌ２）を満足するように距離Ｌ１、Ｌ２、配線断面積Ｓ１およびＳ２を設定する。 （もっと読む）

【課題】 ウェハ面内において無電解メッキ法による所定のキャップ層を均一に形成するための半導体装置の製造方法と、その製造方法によって得られる半導体装置を提供する。
【解決手段】 リセス５ｂの内部を含む層間絶縁膜５の全面に導電性薄膜９が形成される。次に、無電解メッキ法により、導電性薄膜９上にＣｏＷＰ膜の無電解メッキ層１０が形成される。次に、ＣＭＰ処理を施すことにより、リセス５ｂ内に位置する無電解メッキ層１０および導電性薄膜９の部分を残して、層間絶縁膜５の上面上に位置する無電解メッキ層１０および導電性薄膜９の部分が除去されて、半導体装置において、銅メッキ層および無電解メッキ層等を含む銅配線が形成される。また、リセス５ｂ内に位置する無電解メッキ層および導電性薄膜は銅メッキ膜を覆うキャップ層とされる。 （もっと読む）

【課題】 銅又は銅合金よりなる配線を用いた半導体装置において、配線層間の意図せぬ導通を防止する。
【解決手段】 配線溝１０４を有する絶縁膜１０３と、配線溝１０４における少なくとも底部に形成された第１の導電膜１０５ａと、配線溝１０４における少なくとも側壁に形成された第２の導電膜１０６と、第１の導電膜（１０５ａ〜１０５ｄ）及び第２の導電膜１０６が形成された配線溝１０４に埋め込まれた第３の導電膜１０７とを備え、第２の導電膜１０６を構成する元素の数は、第１の導電膜１０５ａを構成する元素の数よりも多い。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ配線および低誘電率絶縁膜を有する半導体装置において、低誘電率絶縁層中に拡散するＣｕのイオン化、並びにＣｕ⁺イオンのドリフトを抑制する。
【解決手段】半導体装置１０は、素子領域を有する半導体基板１１上に形成された低誘電率絶縁層１７と、低誘電率絶縁層１７で絶縁されたＣｕ配線１８、２０とを有する。低誘電率絶縁層１７とＣｕ配線１８、２０との間には、単体の仕事関数が3eV未満の元素を含み、Ｃｕ濃度が10原子％未満であるイオン化抑制層２２が配置されている。 （もっと読む）

【課題】 例えデザインルールが厳しくなっても、十分な密着性を有する配線材料を電解めっきによって基板の全面に均一に形成して、信頼性の高い埋込み配線を形成できるようにする。
【解決手段】 絶縁膜内に配線用凹部を形成した基板表面に、配線材料成膜用の電解めっき液に対して不溶性の導電膜を形成し、前記導電膜をシード膜として、電解めっき法により該導電膜の表面に配線材料を前記配線用凹部内に埋込みつつ成膜し、前記導電膜の表面に成膜した余剰の配線材料を除去して前記配線用凹部内に埋込んだ配線材料で配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】 誘導素子を有する半導体装置において、Ｑ値などの特性に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板１と、電極３に接続された第１の配線層１１、１２と、第１の配線層１１、１２に整合する位置に開口部１７を有する絶縁樹脂層１３と、誘導素子１５を有する第２の配線層１４とを備え、第２の配線層１４が、開口部１７内に設けられた接合部１９を介して第１の配線層１１、１２に接続され、接合部１９の幅が、誘導素子１５を構成する第２の配線層１４の線幅とほぼ同じまたはそれより大きくされている。 （もっと読む）

【目的】裏面研削によるシリコン基板（ウェハ）の減厚工程中でのシリコン基板（ウェハ）の割れを抑制し、半田接合組み立ての後でシリコンチップ裏面側の金属膜の剥がれまたはシリコンチップの界面割れ、カケを防止することにより特性不良増加を抑制する半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板１００の一方の主面側へ不純物ドーピングによる機能領域の形成とアルミニウム電極１０を選択的に形成する工程、前記半導体基板を所定の厚さに減厚するために他方の主面側を研削する工程、前記他方側の研削後の主面に半田接続可能な金属電極膜５をＰＶＤ法により形成する工程とをこの順に少なくとも含む半導体装置の製造方法において、前記アルミニウム電極１０を選択的に形成する工程の後の前記いずれかの工程の前に、半導体基板１の一方の主面側にのみ半田接続可能な金属メッキ６処理を行なう半導体装置の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】
基準電圧発生回路の占有面積を縮小できる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板１上の回路素子３を被覆する第１絶縁膜５を形成する工程と、互いに電気的に分離される共に第１絶縁膜５内に埋め込まれた導電材料７を介して前記回路素子３にそれぞれ電気的に接続される一対の第１配線９を第１絶縁膜５上に形成する工程と、前記第１配線９を被覆する第２絶縁膜１１を形成する工程と、前記第１配線９を露出させる一対の開口部１３を第２絶縁膜１１に形成する工程と、前記開口部１３を介して前記第１配線９を所定の抵抗値で互いに電気的に接続させる第２配線１５を第２絶縁膜１１上に形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】 有機樹脂膜を特に厚膜化しなくても、Ｃｕ電極層の上面コーナ部における有機樹脂膜のカバレッジを良好とすることができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 Ｃｕ電極層を以下のように形成する。素子を有する半導体基板上にＴＥＯＳ膜５３と、２ｎｄＡｌ膜５４と、Ｐ−ＳｉＮ膜５５とが形成された半導体基板を用意する。Ｐ−ＳｉＮ膜５５のうち、２ｎｄＡｌ膜５４の上方部分における開口部５５ａに厚いＣｕ電極層７２を形成する。このとき、Ｃｕ電極層７２の側面は逆テーパ形状である。その後、Ｃｕ電極層７２に対して、４５°のエッチングレートが早い、いわゆる不活性ガス逆スパッタを施す。これにより、Ｃｕ電極層２の側面上部２ａを順テーパ形状とする。その後、Ｃｕ電極層２上に有機樹脂膜７４を形成する。 （もっと読む）

【課題】 樹脂パッケージを分解したり、ワイヤ線を剥離させたりして破壊しなくてもクラック検査を行える構造の半導体装置を提供する。
【解決手段】 １ｓｔＴＥＯＳ膜４と２ｎｄＴＥＯＳ膜６という層間絶縁膜の間にクラック検査用の薄膜抵抗膜５を備える。このような構成によれば、薄膜抵抗膜５の抵抗値を調べることにより、半導体装置の製造プロセス中の様々な段階においてクラック検査を行うことができる。したがって、樹脂パッケージを分解したり、ワイヤ線を剥離させたりして破壊しなくてもクラック検査を行える構造の半導体装置とすることができる。このため、製造された半導体装置の一部のみに対してクラック検査を行う場合だけでなく、全数検査を行うような場合にも対応することが可能となり、半導体装置の品質保証の観点からも有効な構造とすることができる。 （もっと読む）

【課題】 カーボンナノチューブ束の密度を向上し、電気抵抗や熱抵抗の低減を図るカーボンナノチューブ構造体、半導体装置、および半導体パッケージを提供する。
【解決手段】 第１配線層２１、層間絶縁膜２２、第２配線層２３が順次積層され、層間絶縁膜２２を貫通するビアホール２４に、第１配線層２１と第２配線層２３を電気的に接続するカーボンナノチューブ束２５が形成されてなるビア２６から構成する。カーボンナノチューブ束２５は、第１配線層２１の凹部２８の側面および底面に形成された触媒層２９から成長させ、側面から成長したカーボンナノチューブ２５ａによりカーボンナノチューブ束２５の密度を向上する。 （もっと読む）

金属層は、触媒により活性化された下地材料の表面領域上に、めっきプロセスによって形成されうる。この触媒はＣＶＤ、ＰＶＤまたはＡＬＤによって堆積されるかまたは下地材料を堆積する際に少なくとも部分的に取り込まれる。このようにして、メタライゼーション構造の高アスペクト比のビアに優れた金属シード層を形成することができる。
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【課題】 基板を貫通する貫通配線などの導電材層と基板との間に安定して絶縁材層を形成することができ、また導電材層の厚みを均一にして貫通配線を安定して形成することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板１１に半導体基板１１の一方の表面部２１側から半導体基板１１の厚み方向に延びる筒状の絶縁材充填用孔２５を形成して、絶縁材充填用孔２５の内方に、残留する半導体基板１１からなる柱状体２６を形成する。形成された絶縁材充填用孔２５に絶縁材料を充填して筒状の絶縁材層２７を形成した後、柱状体２６を除去して絶縁材層２７の内方に柱状の導電材充填用孔２９を形成する。形成された導電材充填用孔２９に導電材料を充填して、絶縁材層２７で囲繞された導電材層３０を形成する。これによって、導電材層３０と半導体基板１１との間に絶縁材層２７を安定して形成することができる。また導電材層３０の厚みを均一にすることができる。 （もっと読む）

【課題】 Ｃｕ電極層と有機樹脂膜との密着性寿命を、従来よりも向上させることができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 パワーデバイスと、パワーデバイス上の厚いＣｕ電極層２と、Ｃｕ電極層２を覆う有機樹脂膜３とを備える半導体装置において、Ｃｕ電極層２の表面（上面２ａと側面２ｂ）の全領域を覆うように、Ｃｕ窒化膜８を配置する。ここで、Ｃｕ電極層２と有機樹脂膜３との密着性を低下させる主原因は、有機樹脂膜３を通過した酸素がＣｕ電極層２と反応して、Ｃｕ電極層２の表面に酸化膜が生成することである。そこで、Ｃｕ電極層２と有機樹脂膜３との間の領域に、酸素の透過を抑制することができるＣｕ窒化膜８を配置することで、Ｃｕ電極層と有機樹脂膜との密着性寿命を、従来よりも向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 焼成温度に拘らず、つまり焼成温度を低温に設定した場合にも、膜表面の平坦性及び膜の緻密性が良好で、所望の膜特性を十分に確保することが可能な機能膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の機能膜の製造方法は、融点が９００℃以上で、且つ粒径を３０ｎｍ〜１５０ｎｍとした場合の融点が２５５℃以上である金属および金属酸化物材料を溶質として含む第１インクを基板Ｐ上に配置する工程と、配置した第１インクの上に、金属有機塩を溶質として含む第２インクＸ２を配置する工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】一般的なウェーハと同じ幅のスクライブ領域を有するウェーハを利用することによって、ウェーハ当たりチップの個数が減少しないようにするウェーハレベルチップスケールパッケージの製造方法を提供する。
【解決手段】再配線基板は、透明絶縁基板１１０に絶縁層をパターニングして形成されたパターン突起１１６と、その上に形成された再配線１１８とを含む。再配線基板は、ウェーハと別体に製造された後、ウェーハと接合される。パターン突起は、対をなし、一方は、ウェーハの活性面のチップパッド２１４に接触し、他方は、ウェーハのチップ領域に形成された貫通孔に対応する。貫通孔を介してウェーハの非活性面までに導電性配線２２３が形成され、導電性配線の一部に外部接続端子２３０が形成されている。すなわち、チップパッドは、再配線基板のパターン突起及び貫通孔内部の導電性配線により外部接続端子に電気的に連結されている。 （もっと読む）

ナノ複合電極または回路パターンを作製する方法は、バインダーを含浸され、様々な印刷または写真映像技術を使用して、バインダ樹脂をパターン化する連続的なカーボンナノチューブ層を形成することを含む。代替方法は、様々な印刷または撮像技術を使用し、続いてパターン化されたカーボンナノチューブ層にバインダ樹脂の連続的な被覆物を塗布して、カーボンナノチューブ層をパターン化することを含む。パターン化されたナノ複合被覆物から作製された物品は、平面パネルディスプレー、光電池、タッチスクリーン、エレクトロルミネセンスランプおよびＥＭＩシールド用透明電極および回路を含む。 （もっと読む）