【課題】炭化珪素層に対する良好なコンタクトを確保しつつ、炭化珪素層に接続された電極の剥離を抑制する。
【解決手段】炭化珪素層１１を有する半導体装置の製造方法であって、（Ａ）炭化珪素層１１の上に導電層２１を形成する工程と、（Ｂ）導電層２１と炭化珪素層１１を反応させて、炭化珪素層１１に接する反応層１２およびシリサイド層２３からなる合金層を形成する工程と、（Ｃ）シリサイド層２３の少なくとも一部を除去することにより、反応層１２の表面の少なくとも一部を露出させる工程と、露出させた反応層１２の表面上に電極層１３を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 ボンディング工程、ＣＭＰ工程、熱応力等による機械的衝撃やウエハの変形によるビアの変位を小さく制御できる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 第１配線２２と、第１配線２２の上に配置された低誘電率絶縁膜３１０と、低誘電率絶縁膜３１０の中に第１配線２２と接続するように埋め込まれ、第１配線２２の長手方向に測った第１長さＬｘ、第１配線２２が配置された平面で第１配線２２に直交する方向に測った第２長さＬｙ、第１配線２２が配置された平面に垂直な高さＨに対する第１及び第２長さＬｘ，Ｌｙの少なくとも一方との比が１以上である複数の第１扁平ビア３１ａ，３１ｂと、低誘電率絶縁膜３１０の上に配置され、複数の第１扁平ビア３１ａ，３１ｂにそれぞれ接続された第２配線３２とを備える。 （もっと読む）

【目的】 不純物の残留を抑制し、バリアメタルを高純度に成膜することを目的とする。
【構成】 基体上にＴａ［Ｎ（（ＣＨ_３）_２］_５を供給するＴａ［Ｎ（（ＣＨ_３）_２］_５供給工程（Ｓ１０２）と、前記Ｔａ［Ｎ（（ＣＨ_３）_２］_５におけるＴａとは異なるＣを除去するＨ_２供給工程（Ｓ１０６）と、前記Ｃが除去された前記Ｔａ［Ｎ（（ＣＨ_３）_２］_５の吸着分子に基づいて前記ＴａＮ膜を生成するＮＨ_３供給工程（Ｓ１０８）と、を備え、前記Ｔａ［Ｎ（（ＣＨ_３）_２］_５工程とＨ_２供給工程とＮＨ_３供給工程とを繰り返すことで、前記基体上にＴａＮ膜を堆積させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ナノインプリント法を用いることでコストを抑えることができる、半導体装置の作製方法の提案を課題とする。
【解決手段】 本発明は、島状の半導体膜上にゲート絶縁膜と、導電膜と、レジストとを順に形成し、パターンが形成されたモールドをレジストに押し付けた状態でレジストの硬化を行なうことで、パターンをレジストに転写し、導電膜の一部が露出するまでパターンが転写されたレジストの表面をアッシングし、アッシングされたレジストをマスクとして用い、導電膜をエッチングすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 薄膜トランジスタ及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタを備えた平板表示装置及びその平板表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 チャンネル領域、ソース、及びドレイン領域を有する活性層と、前記チャンネル領域に信号を印加するゲート電極と、前記ソース及びドレイン領域にそれぞれ接続し、Ｔｉ、Ｔｉ合金、Ｔａ、及びＴａ合金のうち少なくとも一つを含むソース及びドレイン電極と、前記ソース及びドレイン電極と前記活性層との間に介在され、シリコンナイトライドを含む絶縁膜と、を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ。これにより、ソース／ドレイン電極の配線抵抗を低め、活性層からの汚染を防止し、画素電極との接触抵抗特性が改善され、活性層への水素供給を円滑にして移動度、オンカレント特性、スレショルド電圧特性などに優れたＴＦＴ及びそれを備えた平板表示装置が得られる。 （もっと読む）

【課題】 多孔質絶縁膜を含む層間絶縁膜の誘電率を実効的に低減させ、微細で高信頼性のダマシン配線を有する半導体装置の実用化を容易にする。
【解決手段】 下層配線１上に多孔質の第１低誘電率膜２ｂを含む第１層間絶縁膜２が形成され、第１低誘電率膜２ｂに設けられたビアホール３の側壁に第１サイドウォールメタル４が形成され、その後に第１エッチングストッパー層２ａがエッチングされて下層配線１が露出される。そして、ビアホール３内にビアプラグ５が埋め込まれる。同様に、多孔質の第２低誘電率膜６ｂを含む第２層間絶縁膜６のトレンチ７内の側壁に第２サイドウォールメタル８設けられた後に第２エッチングストッパー層６ａがエッチングされ上記ビアプラグ５に接続する上層配線９が形成される。 （もっと読む）

【課題】ダマシン配線に含まれる不純物の濃度を低下させて、配線中の欠陥を低減させる事が可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ウェハＷ上の層間絶縁膜１に幅が０．３μｍ以下の細幅配線溝１ａ及び幅が０．３μｍを超える太幅配線溝１ｂを形成する。層間絶縁膜１上にバリアメタル膜２及びシード膜３を形成する。その後、細幅配線溝１ａ全体に埋め込まれ、かつ太幅配線溝１ｂの一部に埋め込まれるように膜４を電解めっき法により形成する。太幅配線溝１ｂの他の部分に埋め込まれるように膜４よりも不純物濃度が低い膜５をスパッタ法により形成する。熱処理により膜４中の不純物を膜５中に拡散して、配線膜６を形成する。最後に層間絶縁膜１上の不要なバリアメタル膜２及び配線膜６を除去し、細幅配線と太幅配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】パッド部に流れる過電流が抑制されてパッド部におけるＥＳＤ耐性が向上された半導体装置を提供する。
【解決手段】基板２上に第１の電位が与えられた第１のパッド８と、パッド８に電気的に接続された第１の導電層５が設けられている。基板２との間に少なくとも１層の第１の導電層５を挟んで第１の電位とは異なる第２の電位が与えられている第２のパッド１３が設けられているとともに、少なくとも１層の第２の導電層１０がパッド１３に電気的に接続されてパッド８，１３と基板２との間に設けられている。基板２上には、複数層の絶縁層４が積層されて設けられている。各絶縁層４は、パッド８および導電層５の少なくとも一方とパッド１３および導電層１０の少なくとも一方との間で容量絶縁膜となる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は上記問題を解決するためになされたもので、空孔を有する低誘電率絶縁膜上にバリアメタルを成膜する前におけるビア底の高抵抗層の除去手段として、プラズマを用いない新規な半導体装置の製造方法及び製造装置を提供することにある。
【解決手段】 本発明は、低誘電率絶縁膜（１０２）上にバリアメタルを成膜する前に、ビア底の高抵抗層（１０４）を除去してなる半導体装置の製造方法において、前記ビア底の高抵抗層（１０４）を、熱を加えながら、還元性のガスを用いた熱還元法にて除去し、真空保持のまま、バリアメタル（１０５）、めっきのシード層としての銅を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 配線と、この配線より太いパッド等を接続しても、この接続部分の近傍で配線が断線しないようにする。
【解決手段】絶縁膜１１上に形成された接続用導電膜１２ｂと、絶縁膜１１上及び接続用導電膜１２ｂ上に形成された層間絶縁膜１３と、層間絶縁膜１３に形成され、接続用導電膜１２ｂ上に位置する第１及び第２の接続孔１３ｂ，１３ｃと、第１及び第２の接続孔１３ｂ，１３ｃそれぞれに埋め込まれた第１及び第２の導電体１４ｂ，１４ｃと、層間絶縁膜１３上に形成され、第１の導電体１４ｂ上を通る、第１の導電体１４ｂとは異なる材質からなる細配線１５ａと、層間絶縁膜１３上に形成され、第２の導電体１４ｃ上に位置するパッド１５ｂとを具備する。 （もっと読む）

【課題】 しかし、薄膜トランジスタを有する表示装置では、同一対象物、例えば同一絶縁膜のエッチング条件を最適化することが難しかった。これは、同一絶縁膜において、エッチングする絶縁膜の膜厚や面積が異なるためである。特に面積の小さなコンタクトホールは、エッチングする量がその他の開口部と異なる。
【解決手段】 上記課題を鑑み本発明は、第１のマスクを用いて、第１の領域の対象物をエッチングして広面積な開口部を形成し、第２のマスクを用いて、第２の領域の前記対象物をエッチングして微細な開口部、つまりコンタクトホールを形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 シリコンを含むＮ型の導電領域と直接接続される導電パターンの形成時に、Ｎ型の導電領域と接続される部分のコンタクト抵抗の増大を防止し、バリア膜の厚さ増大に伴う導電パターンの寄生容量の増大を防止できる半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】 シリコンを含むＮ型の導電領域（２０７）にＮ型の不純物をドープして、Ｎ型の高濃度不純物拡散領域（２１２）を形成する工程と、ＣＶＤ法を用いて高濃度不純物拡散領域（２１２）上にバリア用第１金属膜を蒸着し、高濃度不純物拡散領域（２１２）のシリコンと前記第１金属膜の金属とを反応させて、高濃度不純物拡散領域（２１２）と前記第１金属膜との間の界面に金属シリサイドを形成する工程、前記第１金属膜上に導電膜を形成する工程、及び、前記導電膜と前記第１金属膜とを選択的にエッチングして、導電パターンを形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】 第１層配線と、拡散層あるいはゲート電極との層間容量を抑えつつ、拡散層あるいはゲート電極に確実に接続するコンタクトプラグを形成する。
【解決手段】 基板上方に形成されたゲート電極と、ゲート電極の両側に形成された拡散層とを有する半導体装置において、一端において、ゲート電極の上面に接し、かつ、他端が、ゲート電極上面よりも、基板に近い位置に伸びる導電体膜を形成する。そして、基板上に、ゲート電極と、導電体膜とを埋め込む層間絶縁膜を形成し、この層間絶縁膜を貫通し、導電体膜の、ゲート電極上面よりも基板に近い位置において、導電体膜に接続する第プラグを形成する。 （もっと読む）

【課題】 大気圧下、不活性雰囲気での加熱処理によって、基材の上に体積抵抗値の低い金属薄膜の形成が可能な金属微粒子分散体、及び金属微粒子分散体を用いた金属薄膜の製造方法の提供。
【解決手段】 一次粒子径が３０ｎｍ以下の金属微粒子及び分散媒を含む金属微粒子分散体であって、分散媒が直鎖状脂肪族ポリエーテル化合物を含有する金属微粒子分散体。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の配線構造体およびその形成方法を提供する。
【解決手段】 この半導体装置は半導体基板100上に配置された層間絶縁膜、前記層間絶縁膜を貫通する第１コンタクト構造体181および第２コンタクト構造体182、前記層間絶縁膜上に配置されて前記第１コンタクト構造体と前記第２コンタクト構造体に連結される金属配線220を具備する。この際、前記第１コンタクト構造体は順次に積層された第１プラグおよび第２プラグ200を含み、前記第２コンタクト構造体は前記第２プラグを含む。 （もっと読む）

【課題】Ｌｏｗ−ｋ膜を層間絶縁膜として用いた半導体装置であっても、ダイシング時に発生するクラックがシールリング部へ伝播するのを抑制し、半導体装置の信頼性を向上する技術を提供する。
【解決手段】ダイシング領域側の各層にダミービア１２５，１３５，１４５，１５５，１６５を形成する。ダミービア１２５，１３５，１４５，１５５，１６５は上面からみて、縦横に等間隔に形成する。ダイシング時にクラックが発生しても、ダミービア１２５，１３５，１４５，１５５，１６５によって、クラックがシールリング部１９０にまで伝播するのを抑制することができる。その結果、回路形成領域の吸湿耐性を向上させ、信頼性の劣化を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】 銅を主構成材料とする配線構造において、ストレスマイグレーションによるボイドの発生を抑制し、信頼性の高い半導体装置を提供する
【解決手段】 半導体基板上の絶縁膜上に形成される多層配線構造において、主構成材料が銅からなる第１の配線の上面に接するように、下から順にバリア性が高く、かつ圧縮応力を有する第１の絶縁膜、引張応力を有する第２の絶縁膜、前記第１の絶縁膜と前記第2の絶縁膜よりも誘電率の低い第３の絶縁膜が少なくとも積層されており、前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜、および前記第３の絶縁膜を貫通し前記第１の配線に接するようにビアホールが設けられている配線構造とする。 （もっと読む）

【課題】 アスペクト比の大きいコンタクトプラグにおいて、タングステン層等のプラグ用の下地導電層を形成した場合に、剥離による不良を低減することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 導電層２の上に形成された層間絶縁層３を有するシリコン基板１において、層間絶縁層３の上にコンタクトホール５を形成するためのマスクを形成するマスク形成工程と、層間絶縁層３をドライエッチング法によりコンタクトホール５を形成するコンタクトホール形成工程と、コンタクトホール５内に導電層６ａを形成する導電層形成工程と、前記コンタクトホール内に導電層６ａよりも低応力の低応力導電層６ｂを形成する低応力導電層形成工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＭＩＭ（金属−絶縁体−金属）キャパシタ（２４２／２５２）構造およびそれを形成する方法を提供すること。
【解決手段】第１パターン（２１６）および第２パターン（２１８）を有するデュアル・ダマシン・パターンで、半導体デバイス（２００）の誘電体層（２１４）をパターニングする。第２パターン（２１８）は、第１パターン（２１６）よりも深い。第１パターン中の誘電体層（２１４）の上に導電層（２２６）を形成し、第１パターン（２１６）中のこの導電層の上に導電層を形成する。第２パターン（２１８）の導電層（２２６）の上に、誘電体層（２３２）、導電層（２３４）、誘電体層（２３６）、および導電層（２３８）を配設する。導電層（２３４）、誘電体層（２３２）、および導電層（２２６）が、第１のＭＩＭキャパシタ（２５２）を形成する。導電層（２３８）、誘電体層（２３６）、および導電層（２３４）が、第１のＭＩＭキャパシタ（２５２）に並列な第２のＭＩＭキャパシタ（２４２）を形成する。
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【課題】 半導体パターン形成方法を提供する。
【解決手段】 この方法は無機ハードマスク膜、有機マスク膜、反射防止膜及びシリコン含有フォトレジスト膜が積層された多層のマスク層を形成し、Ｏ_２プラズマで前記反射防止膜及び有機マスク膜を乾式エッチングしてパターンを形成することによって無機ハードマスク膜の損傷を防止することができる。 （もっと読む）