半導体装置
【課題】 銅を主構成材料とする配線構造において、ストレスマイグレーションによるボイドの発生を抑制し、信頼性の高い半導体装置を提供する
【解決手段】 半導体基板上の絶縁膜上に形成される多層配線構造において、主構成材料が銅からなる第１の配線の上面に接するように、下から順にバリア性が高く、かつ圧縮応力を有する第１の絶縁膜、引張応力を有する第２の絶縁膜、前記第１の絶縁膜と前記第2の絶縁膜よりも誘電率の低い第３の絶縁膜が少なくとも積層されており、前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜、および前記第３の絶縁膜を貫通し前記第１の配線に接するようにビアホールが設けられている配線構造とする。
【解決手段】 半導体基板上の絶縁膜上に形成される多層配線構造において、主構成材料が銅からなる第１の配線の上面に接するように、下から順にバリア性が高く、かつ圧縮応力を有する第１の絶縁膜、引張応力を有する第２の絶縁膜、前記第１の絶縁膜と前記第2の絶縁膜よりも誘電率の低い第３の絶縁膜が少なくとも積層されており、前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜、および前記第３の絶縁膜を貫通し前記第１の配線に接するようにビアホールが設けられている配線構造とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関し、特に、埋込配線の主配線材料として銅を主成分とする導体膜を用いる半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＬＳＩの高集積化、高速化を目的としたトランジスタの微細化に伴って、配線の信号遅延が顕在化してきており、これに伴い、配線抵抗の低減と配線間容量の低減とが望まれている。そこで、配線抵抗の低減のため、配線材料として従来のアルミニウム合金よりも低抵抗で、マイグレーション耐性に優れた銅（Ｃｕ）を用いた銅配線技術が開発されつつある。また、配線間容量を低減するために、層間絶縁膜材料としては低誘電率絶縁膜の適用が検討されている。
【０００３】
これらの銅配線構造は埋込配線技術によって形成される。埋込配線技術は、例えば次の通りである。まず、絶縁膜に配線溝や孔等のような配線開口部を形成した後、その配線開口部内を含む絶縁膜上に導電性バリア膜および銅を主成分とする導体膜を下方から順に堆積する。続いて、化学機械研磨法等によって余分な導体膜および導電性バリア膜を研磨することにより、配線開口部内に埋込配線を形成する。その後、洗浄処理を施した後、その絶縁膜および埋込配線の上面上に、例えば窒化シリコン膜等からなる拡散防止絶縁膜を形成する。その後、拡散防止絶縁膜上面上に低誘電率膜を堆積する。
【０００４】
しかしＣｕ配線構造の開発過程において予想外にストレスマイグレーションに弱いことが明らかとなり、銅配線内やビア内部にストレスマイグレーションによるボイドが形成されることが懸念され、以下の技術が開示されている。
【０００５】
例えば、特開２００３−３０３８８０号公報には、上層配線とビアとの接続部分の応力を緩和するために、層間絶縁膜を積層構造とする技術が開示されている（ビア内部のストレスマイグレーションを防止する技術）。
さらに、例えば、特開２００３−２５７９７９号公報には、配線用の銅中に不純物原子を添加する技術が開示されている（銅配線のストレスマイグレーションを防止する技術）。
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−３０３８８０号公報
【特許文献２】特開２００３−２５７９７９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、上記の銅配線構造を有する半導体装置においては、配線間を接続するビアホールの下部の配線において、ストレスマイグレーション不良が発生する問題がある。この問題は、ビアホール径が小さい場合に特に顕著である。これにより、ビアホール下部付近の配線部においてボイドが発生し、配線抵抗が増大したり断線不良が生じることが懸念されている。
【０００８】
そこで、本発明の目的は、銅を主構成材料とする配線構造において、ストレスマイグレーションによるボイドの発生を抑制し、信頼性の高い半導体装置を提供することにある。
【０００９】
本発明の前記並びにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
【００１１】
上記の目的は、半導体基板上の絶縁膜上に形成される多層配線構造において、主構成材料が銅からなる第１の配線の上面に接するように、下から順にバリア性が高く、かつ圧縮応力を有する第１の絶縁膜、引張応力を有する第２の絶縁膜、前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜よりも誘電率の低い第３の絶縁膜が少なくとも積層されており、前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜、および前記第３の絶縁膜を貫通し前記第１の配線に接するようにビアが設けられ、ビアを介して第２の配線が接続されている配線構造とすることにより達成される。
【００１２】
上記において、好ましくは、前記第１の絶縁膜の膜厚が、前記第２の絶縁膜の膜厚よりも小さいことを特徴とする。
上記において、好ましくは、前記第１の絶縁膜のヤング率が前記第２の絶縁膜のヤング率よりも大きく、なおかつ前記第１の絶縁膜の膜厚が、前記第２の絶縁膜の膜厚よりも小さいことを特徴とする。
上記において、好ましくは、前記第２の絶縁膜がバリア性の高い絶縁膜であることを特徴とする。
上記において、好ましくは、前記第１の絶縁膜が少なくとも窒素原子を含む絶縁膜からなることを特徴とする。
上記において、好ましくは、前記第３の絶縁膜が引張応力を有する低誘電率絶縁膜であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
本発明によれば、銅を主構成材料とした金属膜からなる配線において、ビアホール底部付近の応力勾配を低減することができ、これによりストレスマイグレーションによるボイドの発生を抑制できるため、信頼性の高い半導体装置が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。
【００１５】
（実施形態１）
まず、本発明における第１の実施形態を図１により説明する。本実施形態による半導体装置の主要部の断面構造を図１に示す。
【００１６】
図１に示す本実施形態１の半導体装置においては、半導体基板として例えば単結晶シリコンからなるシリコン基板１の主面（素子形成面，回路形成面）にトランジスタが形成されており、前記トランジスタは、例えばゲート絶縁膜３、ゲート電極４および拡散層（図示せず）等で構成されている。それぞれのトランジスタは、酸化シリコンや窒化シリコンなどからなる素子分離膜２によって素子分離されている。また、前記ゲート電極４および、拡散層上面にはシリサイド７が形成されている。
【００１７】
前記ゲート絶縁膜３は、例えば酸化シリコン、窒化シリコン、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、五酸化タンタル等の誘電体膜あるいはこれらの積層構造からなり、例えば化学気相蒸着法、スパッタリング法などを用いて形成される。また、前記ゲート電極４は、例えば多結晶シリコン膜や金属膜、シリコンゲルマニウム膜あるいは金属シリサイド膜あるいはこれらの積層構造からなり、例えば、化学気相蒸着法、スパッタリング法などを用いて形成される。
前記ゲート絶縁膜３、ゲート電極４、シリサイド７の側壁には酸化シリコンや窒化シリコン等からなるサイドウォール６が形成されている。
【００１８】
前記トランジスタを含むシリコン基板１の主面の上部全面は、絶縁膜８で覆われている。ここで、絶縁膜８は、例えば低誘電絶縁膜（ＳｉＯＣ、ＳｉＯＦもしくはＳｉＯＣやＳｉＯ2のポーラス材料等）やＢＰＳＧ（Ｂoron−doped Ｐhospho Ｓilicate Ｇlass）膜やＳＯＧ（Ｓpin Ｏn Ｇlass）膜、あるいはテトラエトキシシランを原料としたＣＶＤ法により形成した酸化シリコン膜（以下ＴＥＯＳ（Tetra-Ｅthoxy-Ｓilicate）膜という）、あるいは化学気相蒸着法やスパッタ法で形成したシリコン酸化膜や窒化膜等からなる。あるいは、これらの積層構造からなる。絶縁膜であれば、これに限定されるものではない。
【００１９】
さらに、前記絶縁膜８の上面には、第１の線間絶縁膜９が形成されている。前記第１の線間絶縁膜９は、前記絶縁膜８と同様、低誘電絶縁膜（ＳｉＯＣ、ＳｉＯＦもしくはＳｉＯＣやＳｉＯ2のポーラス材料等）やＢＰＳＧ膜やＳＯＧ膜、ＴＥＯＳ膜、あるいは化学気相蒸着法やスパッタ法で形成したシリコン酸化膜や窒化膜等からなる。あるいは、これらの積層構造からなる。絶縁膜であれば、これに限定されるものではない。
【００２０】
例えば、第１の線間絶縁膜９を、下層から順にＴＥＯＳ膜、低誘電絶縁膜、ＴＥＯＳ膜の積層構造とすることによって、これらの低誘電率絶縁膜の機械的強度を確保することができる。しかし、もちろんＴＥＯＳ膜の代わりに、前述のＣＶＤ法を用いて形成した低誘電絶縁膜を用いてもよい。
【００２１】
前記第１の線間絶縁膜９には、配線を形成するための配線溝１０が形成されている。前記配線溝１０内には、例えば下から順にスパッタ法により形成された窒化タンタル膜（ＴａＮ）およびタンタル膜（Ｔａ）を含むバリア膜１１が設けられている。このバリア膜１１の形成方法としては、ＣＶＤ法を用いてもよいし、また、スパッタ法の一種であるイオン化スパッタ法を用いてもよい。このイオン化スパッタ法は、バリア膜を構成する金属をイオン化し、さらに、基板にバイアスを印加することによって、金属イオンに指向性を持たせるものであり、微細な溝の内部においても被覆性良く膜を堆積させることができる。
【００２２】
バリア膜１１としては、前述のＴａＮおよびＴａとの積層膜に限定されるものではなく、例えば、Ｔａ、ＴａＮ、ＴａＳｉＮ、Ｗ、窒化タングステン（ＷＮ）、ＷＳｉＮ、Ｔｉ、ＴｉＮもしくはＴｉＳｉＮからなる単層膜や、これらの積層膜を用いても良い。また、バリア膜１１として、Ｒｕ、Ｔｉを添加したＲｕからなる単層膜や、ＲｕとＴｉＮの積層膜、ＲｕとＴａＮの積層膜を用いてもよい。バリア膜１１としてＲｕを用いた場合には、ＲｕとＣｕとの密着性を向上させ、マイグレーションを防止する効果もさらに得られる。
【００２３】
次いで、前記配線溝１０内のバリア膜１１上には、第１の銅配線１２が形成されている。前記第１の銅配線１２は、例えば、電界メッキ用のシード膜とめっき膜の積層からなる。シード膜は例えばイオン化スパッタ法などのスパッタ法を用いて形成する。
【００２４】
シリコン基板１の主面に形成された拡散層と、シリコン基板１の主面上に形成された第１の銅配線１２とは、前記絶縁膜８に設けられたコンタクトプラグ５を介して、電気的に接続されている。
【００２５】
次に、前記第１の線間絶縁膜９、および第１の銅配線１２の上面には、拡散防止絶縁膜１３が形成されている。拡散防止絶縁膜１３は、銅原子が層間絶縁膜中に拡散するのを防止するためのバリア膜として形成されている。ここで、前記拡散防止絶縁膜１３は、銅の拡散に対するバリア性が酸化シリコンより高く、かつ圧縮応力を有する絶縁膜である。
【００２６】
ここで、前記配線拡散防止絶縁膜１３として、例えばＳｉＮ膜（窒化シリコン膜）、ＳｉＯＮ（酸窒化シリコン膜）、ＳｉＣ膜（炭化シリコン膜）もしくはＳｉＣＮ膜（炭窒化シリコン膜）等を用いてもよい。
【００２７】
さらに、前記拡散防止絶縁膜１３の上面には、第１の層間絶縁膜１４が形成されている。ここで、前記第１の層間絶縁膜１４は、引張応力を有する膜である。
さらに、前記第１の層間絶縁膜１４の上面には、第２の層間絶縁膜１５が形成されている。
【００２８】
ここで、前記第２の層間絶縁膜１５は、例えば低誘電率絶縁膜である。低誘電率絶縁膜は、例えば、ＳｉＯＣを主成分とする膜、あるいはＳｉＯＦを主成分とする膜、ＳｉＣを主成分とする膜や、芳香族炭化水素構造の有機ポリマー膜（ＣとＨを含有する膜）や、上記各種膜やＳｉＯ2（酸化シリコン膜）等の膜中に空孔を導入（ポーラス化）することにより誘電率を下げることができる。これらの膜は、ＣＶＤ法を用いて形成することができる。さらに低誘電率絶縁膜は、例えば芳香族ポリマー材料を塗布し、熱処理を施すことにより形成することができる。また、低誘電絶縁膜として、有機系のシリカガラスを用いてもよい。この場合も、材料を塗布した後熱処理を施す。この有機系のシリカガラスの組成は、主にＳｉＯＣＨである。また、他の有機ポリマー材料や、上記の各種材料に空孔を導入した材料を用いることもできる。
【００２９】
このような低誘電絶縁膜の誘電率は、酸化シリコン膜（例えば、ＴＥＯＳ膜）より低く（誘電率が３．７以下であり）、その結果、配線間の寄生容量が低減されるため半導体装置の動作の高速化を図ることができる。
【００３０】
次に、前記第２の層間絶縁膜１５の上面には、第２の線間絶縁膜１６が形成されている。
ここで、前記第２の線間絶縁膜１６は、前記第１の線間絶縁膜９と同様に、例えば低誘電絶縁膜（ＳｉＯＣ、ＳｉＯＦもしくはＳｉＯＣやＳｉＯ2のポーラス材料等）やＢＰＳＧ膜やＳＯＧ膜、ＴＥＯＳ膜、あるいは化学気相蒸着法やスパッタ法で形成したシリコン酸化膜や窒化膜等からなる。あるいは、これらの積層構造からなる。絶縁膜であれば、これに限定されるものではない。
【００３１】
前記第２の線間絶縁膜１６、前記第２の層間絶縁膜１５、前記第１の層間絶縁膜１４、および前記拡散防止絶縁膜１３、を貫通するように、ビアホール（接続孔）１７ｂおよび配線溝１７ａが形成されている。ビアホール１７ｂは、第１の銅配線１２と配線溝１７ａとの間に配置されており、第２の層間絶縁膜１５、第１の層間絶縁膜１４及び拡散防止絶縁膜１３を貫通し、かつ配線溝１７ａ及び第１の銅配線１２に連なっている。
【００３２】
前記ビアホール１７ｂおよび配線溝１７ａ内には、例えば下から順にスパッタ法により形成された窒化タンタル膜（ＴａＮ）およびタンタル膜（Ｔａ）を含むバリア膜１８が設けられている。このバリア膜１８の形成方法としては、ＣＶＤ法を用いてもよいし、また、スパッタ法の一種であるイオン化スパッタ法を用いてもよい。このイオン化スパッタ法は、バリア膜を構成する金属をイオン化し、さらに、基板にバイアスを印加することによって、金属イオンに指向性を持たせるものであり、微細な溝の内部においても被覆性良く膜を堆積させることができる。
【００３３】
前記バリア膜１８としては、前述のＴａＮおよびＴａとの積層膜に限定されるものではなく、例えば、Ｔａ、ＴａＮ、ＴａＳｉＮ、Ｗ、窒化タングステン（ＷＮ）、ＷＳｉＮ、Ｔｉ、ＴｉＮもしくはＴｉＳｉＮからなる単層膜や、これらの積層膜を用いても良い。また、バリア膜１８として、Ｒｕ、Ｔｉを添加したＲｕからなる単層膜や、ＲｕとＴｉＮの積層膜、ＲｕとＴａＮの積層膜を用いてもよい。バリア膜１８としてＲｕを用いた場合には、ＲｕとＣｕとの密着性を向上させ、マイグレーションを防止する効果もさらに得られる。
【００３４】
次いで、前記ビアホール１７ｂおよび配線溝１７ａ内の前記バリア膜１８上には、主構成材料が銅膜からなるビア１９、および第２の銅配線２０が形成されている。前記ビア１９、および第２の銅配線２０は、例えば、電界メッキ用のシード膜とめっき膜の積層からなる。シード膜は例えばイオン化スパッタ法などのスパッタ法を用いて形成する。
ここで、ビア１９とは、銅配線２０の一部からなり、銅配線２０と下層の銅配線１２とを電気的に接続するための部分である。
【００３５】
次いで、前記第２の線間絶縁膜１６、および第２の銅配線２０の上面には、絶縁膜２１、絶縁膜２２などが形成されている。
その後、所望の工程により、半導体装置が完成される。
【００３６】
本実施形態においては、２層配線構造の場合について説明したが、前記拡散防止絶縁膜１３の層から前記第２の線間絶縁膜１６までの層を形成する前述の工程を、必要な配線層分繰り返すことで多層配線構造を得ることができる。
本発明による配線構造は多層配線構造内において、少なくとも一層に使用されていればよく必ずしも全層に用いる必要はない。
【００３７】
ビア下部の配線におけるストレスマイグレーションはビア径が小さくなるほど加速されるため、多層配線構造において、最小ビア径が相対的に小さい、下層部分のビアが形成される層間絶縁膜部分にのみ、本発明による配線構造を適用することにより、工程数の増加を防ぐことができ、かつストレスマイグレーションによる抵抗上昇を防止することが可能である。
【００３８】
つぎに、上記構成の本実施形態１による半導体装置の作用効果を以下に説明する。従来の主構成材料が銅膜である配線においては、ビア下部においてストレスマイグレーションによってボイドが発生し、抵抗が増大することが懸念されていた。本願発明者らは、実験と解析により、ビア下部配線におけるボイドによる抵抗増大は、ビア下部銅膜応力勾配の増大によって加速されていることを明らかにした。
【００３９】
本願発明者らは、本発明者らは、主構成材料が銅からなる第１の配線の上面に第２の配線を接続するためのビアホールが形成された部分における絶縁膜構造の応力を抑制することにより、ビア下銅膜応力勾配を低減でき、ビア下配線ボイドによる抵抗増大を防止できることを見出した。
【００４０】
すなわち、前記拡散防止絶縁膜１３が圧縮応力を有する場合には、前記第１の銅配線１２はビアホール１７ｂの側壁から圧縮の力を受け、ビア下付近の応力勾配が生じる。そこで、前記拡散防止絶縁膜１３とは逆符号の引張応力を有する第１の層間絶縁膜を設けることにより、銅配線に作用する圧縮応力を低減でき、ビア下部に発生する応力勾配を低減することができる。これにより、ビア下部においてストレスマイグレーションによるボイドの成長が抑制され、抵抗上昇が防止される。したがって、信頼性の高い半導体装置が得られる。
【００４１】
この場合、前記拡散防止絶縁膜１３の膜厚が、前記第１の層間絶縁膜１４の膜厚よりも小さい方が好ましい。これは、銅配線の上面から離れるに従い、銅配線に及ぼす影響が小さくなるため、銅配線上に直接設けられる、拡散防止絶縁膜１３よりも、さらにその上面に形成される第１の層間絶縁膜１４の膜厚を厚くすることにより、より高い効果が得られる。
【００４２】
また、前記拡散防止絶縁膜１３のヤング率が、前記第１の層間絶縁膜１４のヤング率よりも大きい材料とすることが好ましい。これは、ヤング率が高い材料は原子間の結合が強く緻密な膜であるため、銅配線から銅原子が絶縁膜に拡散するのを防止する効果が高くなるためである。この場合には、前記拡散防止絶縁膜１３の膜厚が、前記第１の層間絶縁膜１４の膜厚よりも小さい方が好ましい。これは、前述した理由のほかに、ヤング率が小さいほど下の材料に作用する力が小さくなるため、拡散防止絶縁膜の圧縮応力の作用を抑制するには、前記拡散防止絶縁膜の膜厚よりも厚くした方がより高い効果が得られる。
【００４３】
また、前記第１の層間絶縁膜１４を銅原子の拡散に対してバリア性の高い絶縁膜とすれば、前記拡散防止絶縁膜１３の膜厚を薄くすることができる。圧縮応力を有する緻密な絶縁膜は誘電率が相対的に高くなる。したがって、圧縮応力を有する拡散防止絶縁膜上面に設ける第１の層間絶縁膜１４を、前記拡散防止絶縁膜よりも誘電率が低く、かつ引張応力を有し、かつバリア性の高い絶縁膜とすることにより、配線間容量を低減する効果も得られる。第１の層間絶縁膜１４の膜厚を、前記拡散防止絶縁膜よりも厚くすることにより、配線間容量を低減することができる。
【００４４】
また、前記拡散防止絶縁膜１３が、例えばＳｉＣＮやＳｉＮなど、少なくとも窒素原子を含む絶縁膜とすることにより銅配線との密着性を向上することができ、銅配線と拡散防止絶縁膜界面でのはく離を防止する効果も得られる。
【００４５】
また、前記第２の層間絶縁膜１５が引張応力を有する低誘電率絶縁膜とすることにより、前記第１の層間絶縁膜１４の引張応力と同じ向きの応力であるため、前記第１の層間絶縁膜１４と前記第２の層間絶縁膜１５との界面応力が低減され、この界面でのはく離を防止する効果も得られる。
【００４６】
なお、前記拡散防止絶縁膜１３自体の圧縮応力を低減することによっても、第１の銅配線１２に作用する圧縮応力を低減でき、ビア下部に発生する応力勾配を低減することができる。しかし、拡散防止絶縁膜１３の応力を成膜条件などにより変化させると、膜の緻密性が損なわれ銅原子拡散のバリア性が低下することが懸念されるため、拡散防止絶縁膜はバリア性を考慮した膜質とする必要がある。したがって、応力の作用を抑制するための拡散防止絶縁膜１３の上面に設けられる第１の層間絶縁膜１４の膜応力を拡散防止絶縁膜１３とは反対符号とすることにより、バリア性を低下させることなく、銅配線内のボイドの形成を抑制することができ、信頼性の高い銅配線構造を有する半導体装置が得られる。
【００４７】
（実施形態２）
次に、本発明における第２の実施形態を図２により説明する。図２は本実施形態による半導体装置の主要部の断面構造を示しており、第１の実施形態と共通の部分には同一の符号を付している。
【００４８】
図２に示す本実施形態２の半導体装置においては、第１の実施形態による図１の構造の、前記第２の層間絶縁膜１５と前記第２の線間絶縁膜１６の界面に、下層から順に絶縁膜２３、絶縁膜２４が設けられた構造となっている。その他の点はほぼ同一構造であり、第１の実施形態と同様の効果が得られる。
【００４９】
なお、前記絶縁膜２３は、低誘電率膜からなる前記第２の層間絶縁膜１５のキャップ用の絶縁膜である。例えば、この絶縁膜２３は、例えば二酸化シリコン（ＳｉＯ2）に代表される酸化シリコン（ＳｉＯx）膜からなり、例えば化学機械研磨処理（ＣＭＰ；Ｃhemical Ｍechanical Ｐolishing）時における、前記第２の層間絶縁膜１５の機械的強度を確保することができ、また、表面保護および耐湿性の確保することが可能である。
【００５０】
絶縁膜２３の厚さは、前記第２の層間絶縁膜１５よりも相対的に薄く、例えば２５ｎｍ〜１００ｎｍ程度、好ましくは、例えば５０ｎｍ程度である。
【００５１】
前記絶縁膜２３は、酸化シリコン膜に限定されるものではなく種々変更可能であり、例えば窒化シリコン（ＳｉxＮy）膜、炭化シリコン（ＳｉＣ）膜または炭窒化シリコン（ＳｉＣＮ）膜を用いても良い。
【００５２】
絶縁膜２４は、エッチングストッパ用の絶縁膜である。第２の線間絶縁膜１６と絶縁膜２４のエッチング選択比を大きくとることで、この絶縁膜２４の表面でエッチングを一旦停止させた後、絶縁膜２４を選択的にエッチング除去する。これにより、配線溝１７ａの形成深さ精度を向上させることができ、配線溝１７ａの掘り過ぎを防止できる。
【００５３】
絶縁膜２３の厚さは、前記第２の層間絶縁膜１５よりも相対的に薄く、例えば２５ｎｍ〜１００ｎｍ程度、好ましくは、例えば５０ｎｍ程度である。
【００５４】
（実施形態３）
次に、本発明における第３の実施形態を図３により説明する。図３は本実施形態３による半導体装置の主要部の断面構造を示しており、第１の実施形態と共通の部分には同一の符号を付している。
【００５５】
図３に示す本実施形態３の半導体装置においては、第１の実施形態による図１の構造の、前記第２の層間絶縁膜１５と前記第２の線間絶縁膜１６の界面に、絶縁膜２３のみが設けられた構造となっている。その他の点はほぼ同一構造であり、第１の実施形態と同様の効果が得られる。
【００５６】
なお、前記絶縁膜２３は、低誘電率膜からなる前記第２の層間絶縁膜１５のキャップ用の絶縁膜である。例えば、この絶縁膜２３は、例えば二酸化シリコン（ＳｉＯ2）に代表される酸化シリコン（ＳｉＯx）膜からなり、例えば化学機械研磨処理（ＣＭＰ；Ｃhemical Ｍechanical Ｐolishing）時における、前記第２の層間絶縁膜１５の機械的強度を確保することができ、また、表面保護および耐湿性の確保することが可能である。
【００５７】
絶縁膜２３の厚さは、前記第２の層間絶縁膜１５よりも相対的に薄く、例えば２５ｎｍ〜１５０ｎｍ程度である。前記絶縁膜２３は、酸化シリコン膜に限定されるものではなく種々変更可能であり、例えば窒化シリコン（ＳｉxＮy）膜、炭化シリコン（ＳｉＣ）膜または炭窒化シリコン（ＳｉＣＮ）膜を用いても良い。
【００５８】
図２に示した第２の実施形態における、エッチングストッパ用の絶縁膜としての機能も兼ねている。第２の実施形態における絶縁膜２４を省略している分工程数を減らすことができる。
【００５９】
（実施形態４）
次に、本発明における第４の実施形態を図４により説明する。図４は本実施形態による半導体装置の主要部の断面構造を示しており、第１の実施形態と共通の部分には同一の符号を付している。
【００６０】
図４に示す本実施形態４の半導体装置においては、第１の実施形態による図１の構造の、圧縮応力を有する拡散防止絶縁膜１３に変わって、引張応力を有する拡散防止絶縁膜２６が設けられている。なおかつ、図１の構造の、前記第１の層間絶縁膜１４に変わって、圧縮応力を有する第１の層間絶縁膜２７が設けられた構造となっている。その他の点は同一構造であり、第１の実施形態と同様の効果が得られる。
【００６１】
図４に示すように、第１の銅配線１２の上面に設けられる前記拡散防止絶縁膜２６が引張応力を有する場合には、前記第１の銅配線１２はビアホール１７ｂの側壁から引張の力を受け、ビア下付近の応力勾配が生じる。
【００６２】
そこで、前記拡散防止絶縁膜２６とは逆符号の圧縮応力を有する第１の層間絶縁膜２７を設けることにより、銅配線に作用する引張応力を低減でき、ビア下部に発生する応力勾配を低減することができる。これにより、ビア下部においてストレスマイグレーションによるボイドの成長が抑制され、抵抗上昇が防止される。したがって、信頼性の高い半導体装置が得られる。
【００６３】
また、通常前記第１の銅配線１２は引張応力を有するため、その上面に引張応力を有する拡散防止絶縁膜２６を設けることにより、前記第１の銅配線１２と前記拡散防止絶縁膜２６との界面応力を低減することができ、ストレスマイグレーションを抑制する効果がさらに得られる。
【００６４】
また、引張応力を有する前記拡散防止絶縁膜２６の膜厚が、圧縮応力を有する前記第１の層間絶縁膜２７の膜厚よりも小さくすることにより、効果的に銅配線に生じる応力勾配を抑制できる。これは、銅配線の上面から離れるに従い、銅配線に及ぼす影響が小さくなるため、銅配線上に直接設けられる、拡散防止絶縁膜２６よりよりも、さらにその上面に形成される第１の層間絶縁膜２７の膜厚を厚くする必要があるためである。
【００６５】
前記第１の層間絶縁膜２７を銅原子の拡散に対してバリア性の高い絶縁膜とすれば、前記拡散防止絶縁膜２６の膜厚をさらに薄くすることができる。これにより、ビア深さが同じ場合には、低誘電率絶縁膜からなる第２の層間絶縁膜１５の膜厚を厚くすることができ、配線間容量を低減することが可能である。
【００６６】
また、前記第１の層間絶縁膜２７を銅原子の拡散に対してバリア性の高い絶縁膜とした場合、前記拡散防止絶縁膜２６のヤング率が、前記第１の層間絶縁膜２７のヤング率よりも小さい材料とし、引張応力を有する前記拡散防止絶縁膜２６の膜厚を、圧縮応力を有する前記第１の層間絶縁膜２７の膜厚よりも大きくすることにより、配線間容量を低減することができる。
【００６７】
また、図２に示す実施形態２や図３に示す実施形態３に示した場合と同様に、本実施形態においても、前記第２の層間絶縁膜１５と前記第２の線間絶縁膜１６の界面に、絶縁膜２３、および絶縁膜２４の積層構造、あるいは絶縁膜２３の単層が設けられた構造とした場合には、前記第２の層間絶縁膜１５の機械的強度を確保することができ、また、表面保護および耐湿性の確保することが可能である。また、エッチングストッパ用の絶縁膜としての機能の効果が得られる。
【００６８】
（実施形態５）
次に、本発明における第５の実施形態を図５により説明する。図５は本実施形態による半導体装置の主要部の断面構造を示しており、第１の実施形態と共通の部分には同一の符号を付している。
【００６９】
図５に示す本実施形態の半導体装置においては、第１の実施形態による図１の構造の、前記第１の銅配線１２と前記拡散防止絶縁膜１３の界面に、窒化銅層２８が設けられた構造となっている。その他の点は同一構造であり、第１の実施形態と同様の効果が得られる。
【００７０】
前記第１の銅配線１２と前記拡散防止絶縁膜１３の界面に、窒化銅層２８を設けることにより、銅原子の絶縁膜中への拡散に対するバリア性を向上させることができ、さらに信頼性の高い半導体装置が得られる。
【００７１】
また、窒化銅層２８により銅原子の拡散に対するバリア性を確保することができるので、前記拡散防止絶縁膜１３の膜厚を薄くすることができ、前記拡散防止絶縁膜１３より誘電率の低い第２の層間絶縁膜の膜厚を、より厚くすることができ、配線間容量を低減することが可能である。
【００７２】
図５における実施形態５においては、前記第１の銅配線１２と前記拡散防止絶縁膜１３の界面にのみ、窒化銅層２８が設けられた場合について示したが、図６の実施形態６に示すように、前記第１の銅配線１２とビア１９との界面にも窒化銅層２８を設けてもよい。
ただし、ビアと配線のコンタクト抵抗低減という観点では、前記第１の銅配線１２と前記拡散防止絶縁膜１３の界面にのみ、窒化銅層２８が設けられた場合の方が好ましい。
【００７３】
（実施形態７）
次に、本発明における第７の実施形態を図７により説明する。図７は本実施形態による半導体装置の主要部の断面構造を示しており、第２の実施形態と共通の部分には同一の符号を付している。
【００７４】
図７に示す本実施形態７の半導体装置においては、第２の実施形態による図２の構造の、前記第１の銅配線１２と前記拡散防止絶縁膜２６の界面に、窒化銅層２８が設けられた構造となっている。その他の点はほぼ同一構造であり、第２の実施形態と同様の効果が得られる。
【００７５】
前記第１の銅配線１２と前記拡散防止絶縁膜２６の界面に、窒化銅層２８を設けることにより、銅原子の絶縁膜中への拡散に対するバリア性を向上させることができ、さらに信頼性の高い半導体装置が得られる。
【００７６】
また、窒化銅層２８により銅原子の拡散に対するバリア性を確保することができるので、前記拡散防止絶縁膜２６の膜厚を薄くすることができ、前記拡散防止絶縁膜２６より誘電率の低い第２の層間絶縁膜１５の膜厚を、より厚くすることができ、配線間容量を低減することが可能である。
【００７７】
図７における実施形態７においては、前記第１の銅配線１２と前記拡散防止絶縁膜２６の界面にのみ、窒化銅層２８が設けられた場合について示したが、前記第１の銅配線１２とビア１９との界面にも窒化銅層２８が設けられてもよい。
ただし、ビアと配線のコンタクト抵抗低減という観点では、前記第１の銅配線１２と前記拡散防止絶縁膜１３の界面にのみ、窒化銅層２１が設けられた場合の方が好ましい。
【００７８】
（実施形態８）
次に、本発明における第８の実施形態を図８により説明する。図８は本実施形態による半導体装置の主要部の断面構造を示しており、第２の実施形態と共通の部分には同一の符号を付している。
【００７９】
図８に示す本実施形態８の半導体装置においては、第２の実施形態による図２の構造の、第２の層間絶縁膜１５のすくなくとも一部に空間部２９を設けた構造となっている。その他の点は同一構造であり、第２の実施形態と同様の効果が得られる。
また、層間絶縁膜の少なくとも一部に空間部２９を設けることにより、配線間容量をさらに低減する効果も得られる。
【００８０】
（実施形態９）
次に、本発明における第９の実施形態を図９により説明する。図９は本実施形態による半導体装置の主要部の断面構造を示しており、第８の実施形態と共通の部分には同一の符号を付している。
【００８１】
図９に示す本実施形態の半導体装置においては、第８の実施形態による図８の構造の、空間部２９が第２の層間絶縁膜１５の層だけではなく、第１の層間絶縁膜１４に設けた構造となっている。その他の点は同一構造であり、第８の実施形態と同様の効果が得られる。
また、第１の層間絶縁膜１４にも空間部２９を設けることにより、配線間容量を第８の実施形態よりもさらに低減する効果が得られる。
【００８２】
このようにビアが形成されるビアホール側壁に接する領域で、第１の銅配線１２上に、圧縮応力を有する拡散防止絶縁膜１３、引張応力を有する第１の層間絶縁膜１４が積層された構造となっていれば、効果的に銅配線の応力勾配を抑制することができ、ボイドによる抵抗増大を防止することができる。
【００８３】
（実施形態１０）
次に、本発明における第１０の実施形態を図１０により説明する。図１０は本実施形態１０による半導体装置の主要部の断面構造を示しており、第８の実施形態と共通の部分には同一の符号を付している。
【００８４】
図１０に示す本実施形態１０の半導体装置においては、第８の実施形態による図８の構造の、第２の層間絶縁膜１５が、その上面に絶縁膜２３に食い込むように形成された構造となっている。その他の点は同一構造であり、第８の実施形態と同様の効果が得られる。
【００８５】
また、第２の層間絶縁膜１５が、その上面に絶縁膜２３に食い込むように形成された構造とすることにより、前記第２の層間絶縁膜１５と絶縁膜２３との界面でのはく離を防止することができ、さらに信頼性の高い半導体装置が得られる。
【００８６】
（実施形態１１）
次に、本発明における第１１の実施形態を図１１により説明する。図１１は本実施形態１１による半導体装置の主要部の断面構造を示しており、第１０の実施形態と共通の部分には同一の符号を付している。
【００８７】
図１１に示す本実施形態１１の半導体装置においては、第１０の実施形態による図１０の構造の、絶縁膜２４がなく、絶縁膜２３が低誘電率膜１５の拡散防止絶縁膜とエッチングストッパ膜の両方の役割をするような構造となっている。その他の点は同一構造であり、第１０の実施形態と同様の効果が得られる。
また、本実施形態においては、絶縁膜２４を省略することにより、工程数を減少できるという効果も得られる。
【００８８】
（実施形態１２）
次に、本発明における第１２の実施形態を図１２により説明する。図１２は本実施形態１２による半導体装置の主要部の断面構造を示しており、第１１の実施形態と共通の部分には同一の符号を付している。
【００８９】
図１２に示す本実施形態の半導体装置においては、第１１の実施形態による図１１の構造の、空間部２９が第１の層間絶縁膜１４に食い込むように形成された構造となっている。その他の点は同一構造であり、第１１の実施形態と同様の効果が得られる。
【００９０】
また、この場合、空間部２９が第１の層間絶縁膜１４に食い込むように形成された構造とすることにより、第１の層間絶縁膜１４と第２の層間絶縁膜１５との界面でのはく離を防止することができ、さらに信頼性の高い半導体装置が得られる。
【００９１】
（実施形態１３）
次に、本発明における第１３の実施形態を図１３により説明する。図１３は本実施形態による半導体装置の主要部の断面構造を示しており、第８の実施形態と共通の部分には同一の符号を付している。
【００９２】
図１３に示す本実施形態１３の半導体装置においては、第８の実施形態による図８の構造の、空間部２９がビアホール１７ｂに隣接した構造となっている。その他の点は同一構造であり、第８の実施形態と同様の効果が得られる。
また、空間部２９がビアホール１７ｂに隣接した構造とすることにより、配線間容量をさらに低減する効果が得られる。
【００９３】
このように、ビア１９が形成されるビアホール１７ｂの側壁に接する領域で、ビア１９に隣接して空間部２９が設けられる場合、第１の銅配線１２上に設けられた、圧縮応力を有する拡散防止絶縁膜１３によって発生する銅配線の応力勾配を抑制するためには、引張応力を有する第１の層間絶縁膜１４が積層された構造とすることにより効果的に銅配線の応力勾配を抑制することができ、ボイドによる抵抗増大を防止することができる。
【００９４】
（実施形態１４）
次に、本発明における第１４の実施形態を図１４により説明する。図１４は本実施形態１４による半導体装置の主要部の断面構造を示しており、第１の実施形態と共通の部分には同一の符号を付している。
【００９５】
図１４に示す本実施形態１４の半導体装置においては、第１の実施形態による図１の構造が、ビア１９と第２の銅配線２０が同じ銅膜で形成されたデュアルダマシン銅配線構造であったのに対し、シングルダマシンプロセスによって形成されたシングルダマシン銅配線構造となっている。ビア１９と第２の銅配線２０がバリア膜１８を介して接合された構造となっている。この場合にも、第１の実施形態と同様の効果が得られる。
なお、その他の実施形態においても、デュアルダマシン銅配線構造の場合についてしめしたが、シングルダマシン銅配線構造とした場合でも同様の効果が得られる。
【００９６】
なお、上記各実施形態に示した半導体装置は、これに限定されるものではなく、配線層数も２層に限定されるものではない。また、この半導体装置をＤＲＡＭ（Ｄynamic Ｒandom Ａccess Ｍemory）、ＳＲＡＭ（Ｓtatic Ｒandom Ａccess Ｍemory）、あるいはマイコン等に使用することが可能である。
【００９７】
以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００９８】
【図１】本発明の第１の実施形態による半導体装置の主要部の断面構造を示す図である。
【図２】本発明の第１の実施形態による半導体装置の主要部の断面構造を示す図である。
【図３】本発明の第３の実施形態による半導体装置の主要部の断面構造を示す図である。
【図４】本発明の第４の実施形態による半導体装置の主要部の断面構造を示す図である。
【図５】本発明の第５の実施形態による半導体装置の主要部の断面構造を示す図である。
【図６】本発明の第６の実施形態による半導体装置の主要部の断面構造を示す図である。
【図７】本発明の第７の実施形態による半導体装置の主要部の断面構造を示す図である。
【図８】本発明の第８の実施形態による半導体装置の主要部の断面構造を示す図である。
【図９】本発明の第９の実施形態による半導体装置の主要部の断面構造を示す図である。
【図１０】本発明の第１０の実施形態による半導体装置の主要部の断面構造を示す図である。
【図１１】本発明の第１１の実施形態による半導体装置の主要部の断面構造を示す図である。
【図１２】本発明の第１２の実施形態による半導体装置の主要部の断面構造を示す図である。
【図１３】本発明の第１３の実施形態による半導体装置の主要部の断面構造を示す図である。
【図１４】本発明の第１４の実施形態による半導体装置の主要部の断面構造を示す図である。
【符号の説明】
【００９９】
１…シリコン基板、２…素子分離膜、３…ゲート絶縁膜、４…ゲート電極、５…コンタクトプラグ、６…サイドウォール、７…シリサイド膜、８…絶縁膜、９…第１の線間絶縁膜、１０…配線溝、１１…バリア膜、１２…第１の銅配線、１３…拡散防止絶縁膜、１４…第１の層間絶縁膜、１５…第２の層間絶縁膜、１６…第２の線間絶縁膜、１７ａ…配線溝、１７ｂ…ビアホール、１８…バリア膜、１９…ビア、２０…第２の銅配線、２１…絶縁膜、２２…絶縁膜、２３…絶縁膜、２４…絶縁膜、２５…絶縁膜、２６…拡散防止絶縁膜、２７…第１の層間絶縁膜、２８…窒化銅層、２９…空間部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関し、特に、埋込配線の主配線材料として銅を主成分とする導体膜を用いる半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＬＳＩの高集積化、高速化を目的としたトランジスタの微細化に伴って、配線の信号遅延が顕在化してきており、これに伴い、配線抵抗の低減と配線間容量の低減とが望まれている。そこで、配線抵抗の低減のため、配線材料として従来のアルミニウム合金よりも低抵抗で、マイグレーション耐性に優れた銅（Ｃｕ）を用いた銅配線技術が開発されつつある。また、配線間容量を低減するために、層間絶縁膜材料としては低誘電率絶縁膜の適用が検討されている。
【０００３】
これらの銅配線構造は埋込配線技術によって形成される。埋込配線技術は、例えば次の通りである。まず、絶縁膜に配線溝や孔等のような配線開口部を形成した後、その配線開口部内を含む絶縁膜上に導電性バリア膜および銅を主成分とする導体膜を下方から順に堆積する。続いて、化学機械研磨法等によって余分な導体膜および導電性バリア膜を研磨することにより、配線開口部内に埋込配線を形成する。その後、洗浄処理を施した後、その絶縁膜および埋込配線の上面上に、例えば窒化シリコン膜等からなる拡散防止絶縁膜を形成する。その後、拡散防止絶縁膜上面上に低誘電率膜を堆積する。
【０００４】
しかしＣｕ配線構造の開発過程において予想外にストレスマイグレーションに弱いことが明らかとなり、銅配線内やビア内部にストレスマイグレーションによるボイドが形成されることが懸念され、以下の技術が開示されている。
【０００５】
例えば、特開２００３−３０３８８０号公報には、上層配線とビアとの接続部分の応力を緩和するために、層間絶縁膜を積層構造とする技術が開示されている（ビア内部のストレスマイグレーションを防止する技術）。
さらに、例えば、特開２００３−２５７９７９号公報には、配線用の銅中に不純物原子を添加する技術が開示されている（銅配線のストレスマイグレーションを防止する技術）。
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−３０３８８０号公報
【特許文献２】特開２００３−２５７９７９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、上記の銅配線構造を有する半導体装置においては、配線間を接続するビアホールの下部の配線において、ストレスマイグレーション不良が発生する問題がある。この問題は、ビアホール径が小さい場合に特に顕著である。これにより、ビアホール下部付近の配線部においてボイドが発生し、配線抵抗が増大したり断線不良が生じることが懸念されている。
【０００８】
そこで、本発明の目的は、銅を主構成材料とする配線構造において、ストレスマイグレーションによるボイドの発生を抑制し、信頼性の高い半導体装置を提供することにある。
【０００９】
本発明の前記並びにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
【００１１】
上記の目的は、半導体基板上の絶縁膜上に形成される多層配線構造において、主構成材料が銅からなる第１の配線の上面に接するように、下から順にバリア性が高く、かつ圧縮応力を有する第１の絶縁膜、引張応力を有する第２の絶縁膜、前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜よりも誘電率の低い第３の絶縁膜が少なくとも積層されており、前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜、および前記第３の絶縁膜を貫通し前記第１の配線に接するようにビアが設けられ、ビアを介して第２の配線が接続されている配線構造とすることにより達成される。
【００１２】
上記において、好ましくは、前記第１の絶縁膜の膜厚が、前記第２の絶縁膜の膜厚よりも小さいことを特徴とする。
上記において、好ましくは、前記第１の絶縁膜のヤング率が前記第２の絶縁膜のヤング率よりも大きく、なおかつ前記第１の絶縁膜の膜厚が、前記第２の絶縁膜の膜厚よりも小さいことを特徴とする。
上記において、好ましくは、前記第２の絶縁膜がバリア性の高い絶縁膜であることを特徴とする。
上記において、好ましくは、前記第１の絶縁膜が少なくとも窒素原子を含む絶縁膜からなることを特徴とする。
上記において、好ましくは、前記第３の絶縁膜が引張応力を有する低誘電率絶縁膜であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
本発明によれば、銅を主構成材料とした金属膜からなる配線において、ビアホール底部付近の応力勾配を低減することができ、これによりストレスマイグレーションによるボイドの発生を抑制できるため、信頼性の高い半導体装置が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。
【００１５】
（実施形態１）
まず、本発明における第１の実施形態を図１により説明する。本実施形態による半導体装置の主要部の断面構造を図１に示す。
【００１６】
図１に示す本実施形態１の半導体装置においては、半導体基板として例えば単結晶シリコンからなるシリコン基板１の主面（素子形成面，回路形成面）にトランジスタが形成されており、前記トランジスタは、例えばゲート絶縁膜３、ゲート電極４および拡散層（図示せず）等で構成されている。それぞれのトランジスタは、酸化シリコンや窒化シリコンなどからなる素子分離膜２によって素子分離されている。また、前記ゲート電極４および、拡散層上面にはシリサイド７が形成されている。
【００１７】
前記ゲート絶縁膜３は、例えば酸化シリコン、窒化シリコン、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、五酸化タンタル等の誘電体膜あるいはこれらの積層構造からなり、例えば化学気相蒸着法、スパッタリング法などを用いて形成される。また、前記ゲート電極４は、例えば多結晶シリコン膜や金属膜、シリコンゲルマニウム膜あるいは金属シリサイド膜あるいはこれらの積層構造からなり、例えば、化学気相蒸着法、スパッタリング法などを用いて形成される。
前記ゲート絶縁膜３、ゲート電極４、シリサイド７の側壁には酸化シリコンや窒化シリコン等からなるサイドウォール６が形成されている。
【００１８】
前記トランジスタを含むシリコン基板１の主面の上部全面は、絶縁膜８で覆われている。ここで、絶縁膜８は、例えば低誘電絶縁膜（ＳｉＯＣ、ＳｉＯＦもしくはＳｉＯＣやＳｉＯ2のポーラス材料等）やＢＰＳＧ（Ｂoron−doped Ｐhospho Ｓilicate Ｇlass）膜やＳＯＧ（Ｓpin Ｏn Ｇlass）膜、あるいはテトラエトキシシランを原料としたＣＶＤ法により形成した酸化シリコン膜（以下ＴＥＯＳ（Tetra-Ｅthoxy-Ｓilicate）膜という）、あるいは化学気相蒸着法やスパッタ法で形成したシリコン酸化膜や窒化膜等からなる。あるいは、これらの積層構造からなる。絶縁膜であれば、これに限定されるものではない。
【００１９】
さらに、前記絶縁膜８の上面には、第１の線間絶縁膜９が形成されている。前記第１の線間絶縁膜９は、前記絶縁膜８と同様、低誘電絶縁膜（ＳｉＯＣ、ＳｉＯＦもしくはＳｉＯＣやＳｉＯ2のポーラス材料等）やＢＰＳＧ膜やＳＯＧ膜、ＴＥＯＳ膜、あるいは化学気相蒸着法やスパッタ法で形成したシリコン酸化膜や窒化膜等からなる。あるいは、これらの積層構造からなる。絶縁膜であれば、これに限定されるものではない。
【００２０】
例えば、第１の線間絶縁膜９を、下層から順にＴＥＯＳ膜、低誘電絶縁膜、ＴＥＯＳ膜の積層構造とすることによって、これらの低誘電率絶縁膜の機械的強度を確保することができる。しかし、もちろんＴＥＯＳ膜の代わりに、前述のＣＶＤ法を用いて形成した低誘電絶縁膜を用いてもよい。
【００２１】
前記第１の線間絶縁膜９には、配線を形成するための配線溝１０が形成されている。前記配線溝１０内には、例えば下から順にスパッタ法により形成された窒化タンタル膜（ＴａＮ）およびタンタル膜（Ｔａ）を含むバリア膜１１が設けられている。このバリア膜１１の形成方法としては、ＣＶＤ法を用いてもよいし、また、スパッタ法の一種であるイオン化スパッタ法を用いてもよい。このイオン化スパッタ法は、バリア膜を構成する金属をイオン化し、さらに、基板にバイアスを印加することによって、金属イオンに指向性を持たせるものであり、微細な溝の内部においても被覆性良く膜を堆積させることができる。
【００２２】
バリア膜１１としては、前述のＴａＮおよびＴａとの積層膜に限定されるものではなく、例えば、Ｔａ、ＴａＮ、ＴａＳｉＮ、Ｗ、窒化タングステン（ＷＮ）、ＷＳｉＮ、Ｔｉ、ＴｉＮもしくはＴｉＳｉＮからなる単層膜や、これらの積層膜を用いても良い。また、バリア膜１１として、Ｒｕ、Ｔｉを添加したＲｕからなる単層膜や、ＲｕとＴｉＮの積層膜、ＲｕとＴａＮの積層膜を用いてもよい。バリア膜１１としてＲｕを用いた場合には、ＲｕとＣｕとの密着性を向上させ、マイグレーションを防止する効果もさらに得られる。
【００２３】
次いで、前記配線溝１０内のバリア膜１１上には、第１の銅配線１２が形成されている。前記第１の銅配線１２は、例えば、電界メッキ用のシード膜とめっき膜の積層からなる。シード膜は例えばイオン化スパッタ法などのスパッタ法を用いて形成する。
【００２４】
シリコン基板１の主面に形成された拡散層と、シリコン基板１の主面上に形成された第１の銅配線１２とは、前記絶縁膜８に設けられたコンタクトプラグ５を介して、電気的に接続されている。
【００２５】
次に、前記第１の線間絶縁膜９、および第１の銅配線１２の上面には、拡散防止絶縁膜１３が形成されている。拡散防止絶縁膜１３は、銅原子が層間絶縁膜中に拡散するのを防止するためのバリア膜として形成されている。ここで、前記拡散防止絶縁膜１３は、銅の拡散に対するバリア性が酸化シリコンより高く、かつ圧縮応力を有する絶縁膜である。
【００２６】
ここで、前記配線拡散防止絶縁膜１３として、例えばＳｉＮ膜（窒化シリコン膜）、ＳｉＯＮ（酸窒化シリコン膜）、ＳｉＣ膜（炭化シリコン膜）もしくはＳｉＣＮ膜（炭窒化シリコン膜）等を用いてもよい。
【００２７】
さらに、前記拡散防止絶縁膜１３の上面には、第１の層間絶縁膜１４が形成されている。ここで、前記第１の層間絶縁膜１４は、引張応力を有する膜である。
さらに、前記第１の層間絶縁膜１４の上面には、第２の層間絶縁膜１５が形成されている。
【００２８】
ここで、前記第２の層間絶縁膜１５は、例えば低誘電率絶縁膜である。低誘電率絶縁膜は、例えば、ＳｉＯＣを主成分とする膜、あるいはＳｉＯＦを主成分とする膜、ＳｉＣを主成分とする膜や、芳香族炭化水素構造の有機ポリマー膜（ＣとＨを含有する膜）や、上記各種膜やＳｉＯ2（酸化シリコン膜）等の膜中に空孔を導入（ポーラス化）することにより誘電率を下げることができる。これらの膜は、ＣＶＤ法を用いて形成することができる。さらに低誘電率絶縁膜は、例えば芳香族ポリマー材料を塗布し、熱処理を施すことにより形成することができる。また、低誘電絶縁膜として、有機系のシリカガラスを用いてもよい。この場合も、材料を塗布した後熱処理を施す。この有機系のシリカガラスの組成は、主にＳｉＯＣＨである。また、他の有機ポリマー材料や、上記の各種材料に空孔を導入した材料を用いることもできる。
【００２９】
このような低誘電絶縁膜の誘電率は、酸化シリコン膜（例えば、ＴＥＯＳ膜）より低く（誘電率が３．７以下であり）、その結果、配線間の寄生容量が低減されるため半導体装置の動作の高速化を図ることができる。
【００３０】
次に、前記第２の層間絶縁膜１５の上面には、第２の線間絶縁膜１６が形成されている。
ここで、前記第２の線間絶縁膜１６は、前記第１の線間絶縁膜９と同様に、例えば低誘電絶縁膜（ＳｉＯＣ、ＳｉＯＦもしくはＳｉＯＣやＳｉＯ2のポーラス材料等）やＢＰＳＧ膜やＳＯＧ膜、ＴＥＯＳ膜、あるいは化学気相蒸着法やスパッタ法で形成したシリコン酸化膜や窒化膜等からなる。あるいは、これらの積層構造からなる。絶縁膜であれば、これに限定されるものではない。
【００３１】
前記第２の線間絶縁膜１６、前記第２の層間絶縁膜１５、前記第１の層間絶縁膜１４、および前記拡散防止絶縁膜１３、を貫通するように、ビアホール（接続孔）１７ｂおよび配線溝１７ａが形成されている。ビアホール１７ｂは、第１の銅配線１２と配線溝１７ａとの間に配置されており、第２の層間絶縁膜１５、第１の層間絶縁膜１４及び拡散防止絶縁膜１３を貫通し、かつ配線溝１７ａ及び第１の銅配線１２に連なっている。
【００３２】
前記ビアホール１７ｂおよび配線溝１７ａ内には、例えば下から順にスパッタ法により形成された窒化タンタル膜（ＴａＮ）およびタンタル膜（Ｔａ）を含むバリア膜１８が設けられている。このバリア膜１８の形成方法としては、ＣＶＤ法を用いてもよいし、また、スパッタ法の一種であるイオン化スパッタ法を用いてもよい。このイオン化スパッタ法は、バリア膜を構成する金属をイオン化し、さらに、基板にバイアスを印加することによって、金属イオンに指向性を持たせるものであり、微細な溝の内部においても被覆性良く膜を堆積させることができる。
【００３３】
前記バリア膜１８としては、前述のＴａＮおよびＴａとの積層膜に限定されるものではなく、例えば、Ｔａ、ＴａＮ、ＴａＳｉＮ、Ｗ、窒化タングステン（ＷＮ）、ＷＳｉＮ、Ｔｉ、ＴｉＮもしくはＴｉＳｉＮからなる単層膜や、これらの積層膜を用いても良い。また、バリア膜１８として、Ｒｕ、Ｔｉを添加したＲｕからなる単層膜や、ＲｕとＴｉＮの積層膜、ＲｕとＴａＮの積層膜を用いてもよい。バリア膜１８としてＲｕを用いた場合には、ＲｕとＣｕとの密着性を向上させ、マイグレーションを防止する効果もさらに得られる。
【００３４】
次いで、前記ビアホール１７ｂおよび配線溝１７ａ内の前記バリア膜１８上には、主構成材料が銅膜からなるビア１９、および第２の銅配線２０が形成されている。前記ビア１９、および第２の銅配線２０は、例えば、電界メッキ用のシード膜とめっき膜の積層からなる。シード膜は例えばイオン化スパッタ法などのスパッタ法を用いて形成する。
ここで、ビア１９とは、銅配線２０の一部からなり、銅配線２０と下層の銅配線１２とを電気的に接続するための部分である。
【００３５】
次いで、前記第２の線間絶縁膜１６、および第２の銅配線２０の上面には、絶縁膜２１、絶縁膜２２などが形成されている。
その後、所望の工程により、半導体装置が完成される。
【００３６】
本実施形態においては、２層配線構造の場合について説明したが、前記拡散防止絶縁膜１３の層から前記第２の線間絶縁膜１６までの層を形成する前述の工程を、必要な配線層分繰り返すことで多層配線構造を得ることができる。
本発明による配線構造は多層配線構造内において、少なくとも一層に使用されていればよく必ずしも全層に用いる必要はない。
【００３７】
ビア下部の配線におけるストレスマイグレーションはビア径が小さくなるほど加速されるため、多層配線構造において、最小ビア径が相対的に小さい、下層部分のビアが形成される層間絶縁膜部分にのみ、本発明による配線構造を適用することにより、工程数の増加を防ぐことができ、かつストレスマイグレーションによる抵抗上昇を防止することが可能である。
【００３８】
つぎに、上記構成の本実施形態１による半導体装置の作用効果を以下に説明する。従来の主構成材料が銅膜である配線においては、ビア下部においてストレスマイグレーションによってボイドが発生し、抵抗が増大することが懸念されていた。本願発明者らは、実験と解析により、ビア下部配線におけるボイドによる抵抗増大は、ビア下部銅膜応力勾配の増大によって加速されていることを明らかにした。
【００３９】
本願発明者らは、本発明者らは、主構成材料が銅からなる第１の配線の上面に第２の配線を接続するためのビアホールが形成された部分における絶縁膜構造の応力を抑制することにより、ビア下銅膜応力勾配を低減でき、ビア下配線ボイドによる抵抗増大を防止できることを見出した。
【００４０】
すなわち、前記拡散防止絶縁膜１３が圧縮応力を有する場合には、前記第１の銅配線１２はビアホール１７ｂの側壁から圧縮の力を受け、ビア下付近の応力勾配が生じる。そこで、前記拡散防止絶縁膜１３とは逆符号の引張応力を有する第１の層間絶縁膜を設けることにより、銅配線に作用する圧縮応力を低減でき、ビア下部に発生する応力勾配を低減することができる。これにより、ビア下部においてストレスマイグレーションによるボイドの成長が抑制され、抵抗上昇が防止される。したがって、信頼性の高い半導体装置が得られる。
【００４１】
この場合、前記拡散防止絶縁膜１３の膜厚が、前記第１の層間絶縁膜１４の膜厚よりも小さい方が好ましい。これは、銅配線の上面から離れるに従い、銅配線に及ぼす影響が小さくなるため、銅配線上に直接設けられる、拡散防止絶縁膜１３よりも、さらにその上面に形成される第１の層間絶縁膜１４の膜厚を厚くすることにより、より高い効果が得られる。
【００４２】
また、前記拡散防止絶縁膜１３のヤング率が、前記第１の層間絶縁膜１４のヤング率よりも大きい材料とすることが好ましい。これは、ヤング率が高い材料は原子間の結合が強く緻密な膜であるため、銅配線から銅原子が絶縁膜に拡散するのを防止する効果が高くなるためである。この場合には、前記拡散防止絶縁膜１３の膜厚が、前記第１の層間絶縁膜１４の膜厚よりも小さい方が好ましい。これは、前述した理由のほかに、ヤング率が小さいほど下の材料に作用する力が小さくなるため、拡散防止絶縁膜の圧縮応力の作用を抑制するには、前記拡散防止絶縁膜の膜厚よりも厚くした方がより高い効果が得られる。
【００４３】
また、前記第１の層間絶縁膜１４を銅原子の拡散に対してバリア性の高い絶縁膜とすれば、前記拡散防止絶縁膜１３の膜厚を薄くすることができる。圧縮応力を有する緻密な絶縁膜は誘電率が相対的に高くなる。したがって、圧縮応力を有する拡散防止絶縁膜上面に設ける第１の層間絶縁膜１４を、前記拡散防止絶縁膜よりも誘電率が低く、かつ引張応力を有し、かつバリア性の高い絶縁膜とすることにより、配線間容量を低減する効果も得られる。第１の層間絶縁膜１４の膜厚を、前記拡散防止絶縁膜よりも厚くすることにより、配線間容量を低減することができる。
【００４４】
また、前記拡散防止絶縁膜１３が、例えばＳｉＣＮやＳｉＮなど、少なくとも窒素原子を含む絶縁膜とすることにより銅配線との密着性を向上することができ、銅配線と拡散防止絶縁膜界面でのはく離を防止する効果も得られる。
【００４５】
また、前記第２の層間絶縁膜１５が引張応力を有する低誘電率絶縁膜とすることにより、前記第１の層間絶縁膜１４の引張応力と同じ向きの応力であるため、前記第１の層間絶縁膜１４と前記第２の層間絶縁膜１５との界面応力が低減され、この界面でのはく離を防止する効果も得られる。
【００４６】
なお、前記拡散防止絶縁膜１３自体の圧縮応力を低減することによっても、第１の銅配線１２に作用する圧縮応力を低減でき、ビア下部に発生する応力勾配を低減することができる。しかし、拡散防止絶縁膜１３の応力を成膜条件などにより変化させると、膜の緻密性が損なわれ銅原子拡散のバリア性が低下することが懸念されるため、拡散防止絶縁膜はバリア性を考慮した膜質とする必要がある。したがって、応力の作用を抑制するための拡散防止絶縁膜１３の上面に設けられる第１の層間絶縁膜１４の膜応力を拡散防止絶縁膜１３とは反対符号とすることにより、バリア性を低下させることなく、銅配線内のボイドの形成を抑制することができ、信頼性の高い銅配線構造を有する半導体装置が得られる。
【００４７】
（実施形態２）
次に、本発明における第２の実施形態を図２により説明する。図２は本実施形態による半導体装置の主要部の断面構造を示しており、第１の実施形態と共通の部分には同一の符号を付している。
【００４８】
図２に示す本実施形態２の半導体装置においては、第１の実施形態による図１の構造の、前記第２の層間絶縁膜１５と前記第２の線間絶縁膜１６の界面に、下層から順に絶縁膜２３、絶縁膜２４が設けられた構造となっている。その他の点はほぼ同一構造であり、第１の実施形態と同様の効果が得られる。
【００４９】
なお、前記絶縁膜２３は、低誘電率膜からなる前記第２の層間絶縁膜１５のキャップ用の絶縁膜である。例えば、この絶縁膜２３は、例えば二酸化シリコン（ＳｉＯ2）に代表される酸化シリコン（ＳｉＯx）膜からなり、例えば化学機械研磨処理（ＣＭＰ；Ｃhemical Ｍechanical Ｐolishing）時における、前記第２の層間絶縁膜１５の機械的強度を確保することができ、また、表面保護および耐湿性の確保することが可能である。
【００５０】
絶縁膜２３の厚さは、前記第２の層間絶縁膜１５よりも相対的に薄く、例えば２５ｎｍ〜１００ｎｍ程度、好ましくは、例えば５０ｎｍ程度である。
【００５１】
前記絶縁膜２３は、酸化シリコン膜に限定されるものではなく種々変更可能であり、例えば窒化シリコン（ＳｉxＮy）膜、炭化シリコン（ＳｉＣ）膜または炭窒化シリコン（ＳｉＣＮ）膜を用いても良い。
【００５２】
絶縁膜２４は、エッチングストッパ用の絶縁膜である。第２の線間絶縁膜１６と絶縁膜２４のエッチング選択比を大きくとることで、この絶縁膜２４の表面でエッチングを一旦停止させた後、絶縁膜２４を選択的にエッチング除去する。これにより、配線溝１７ａの形成深さ精度を向上させることができ、配線溝１７ａの掘り過ぎを防止できる。
【００５３】
絶縁膜２３の厚さは、前記第２の層間絶縁膜１５よりも相対的に薄く、例えば２５ｎｍ〜１００ｎｍ程度、好ましくは、例えば５０ｎｍ程度である。
【００５４】
（実施形態３）
次に、本発明における第３の実施形態を図３により説明する。図３は本実施形態３による半導体装置の主要部の断面構造を示しており、第１の実施形態と共通の部分には同一の符号を付している。
【００５５】
図３に示す本実施形態３の半導体装置においては、第１の実施形態による図１の構造の、前記第２の層間絶縁膜１５と前記第２の線間絶縁膜１６の界面に、絶縁膜２３のみが設けられた構造となっている。その他の点はほぼ同一構造であり、第１の実施形態と同様の効果が得られる。
【００５６】
なお、前記絶縁膜２３は、低誘電率膜からなる前記第２の層間絶縁膜１５のキャップ用の絶縁膜である。例えば、この絶縁膜２３は、例えば二酸化シリコン（ＳｉＯ2）に代表される酸化シリコン（ＳｉＯx）膜からなり、例えば化学機械研磨処理（ＣＭＰ；Ｃhemical Ｍechanical Ｐolishing）時における、前記第２の層間絶縁膜１５の機械的強度を確保することができ、また、表面保護および耐湿性の確保することが可能である。
【００５７】
絶縁膜２３の厚さは、前記第２の層間絶縁膜１５よりも相対的に薄く、例えば２５ｎｍ〜１５０ｎｍ程度である。前記絶縁膜２３は、酸化シリコン膜に限定されるものではなく種々変更可能であり、例えば窒化シリコン（ＳｉxＮy）膜、炭化シリコン（ＳｉＣ）膜または炭窒化シリコン（ＳｉＣＮ）膜を用いても良い。
【００５８】
図２に示した第２の実施形態における、エッチングストッパ用の絶縁膜としての機能も兼ねている。第２の実施形態における絶縁膜２４を省略している分工程数を減らすことができる。
【００５９】
（実施形態４）
次に、本発明における第４の実施形態を図４により説明する。図４は本実施形態による半導体装置の主要部の断面構造を示しており、第１の実施形態と共通の部分には同一の符号を付している。
【００６０】
図４に示す本実施形態４の半導体装置においては、第１の実施形態による図１の構造の、圧縮応力を有する拡散防止絶縁膜１３に変わって、引張応力を有する拡散防止絶縁膜２６が設けられている。なおかつ、図１の構造の、前記第１の層間絶縁膜１４に変わって、圧縮応力を有する第１の層間絶縁膜２７が設けられた構造となっている。その他の点は同一構造であり、第１の実施形態と同様の効果が得られる。
【００６１】
図４に示すように、第１の銅配線１２の上面に設けられる前記拡散防止絶縁膜２６が引張応力を有する場合には、前記第１の銅配線１２はビアホール１７ｂの側壁から引張の力を受け、ビア下付近の応力勾配が生じる。
【００６２】
そこで、前記拡散防止絶縁膜２６とは逆符号の圧縮応力を有する第１の層間絶縁膜２７を設けることにより、銅配線に作用する引張応力を低減でき、ビア下部に発生する応力勾配を低減することができる。これにより、ビア下部においてストレスマイグレーションによるボイドの成長が抑制され、抵抗上昇が防止される。したがって、信頼性の高い半導体装置が得られる。
【００６３】
また、通常前記第１の銅配線１２は引張応力を有するため、その上面に引張応力を有する拡散防止絶縁膜２６を設けることにより、前記第１の銅配線１２と前記拡散防止絶縁膜２６との界面応力を低減することができ、ストレスマイグレーションを抑制する効果がさらに得られる。
【００６４】
また、引張応力を有する前記拡散防止絶縁膜２６の膜厚が、圧縮応力を有する前記第１の層間絶縁膜２７の膜厚よりも小さくすることにより、効果的に銅配線に生じる応力勾配を抑制できる。これは、銅配線の上面から離れるに従い、銅配線に及ぼす影響が小さくなるため、銅配線上に直接設けられる、拡散防止絶縁膜２６よりよりも、さらにその上面に形成される第１の層間絶縁膜２７の膜厚を厚くする必要があるためである。
【００６５】
前記第１の層間絶縁膜２７を銅原子の拡散に対してバリア性の高い絶縁膜とすれば、前記拡散防止絶縁膜２６の膜厚をさらに薄くすることができる。これにより、ビア深さが同じ場合には、低誘電率絶縁膜からなる第２の層間絶縁膜１５の膜厚を厚くすることができ、配線間容量を低減することが可能である。
【００６６】
また、前記第１の層間絶縁膜２７を銅原子の拡散に対してバリア性の高い絶縁膜とした場合、前記拡散防止絶縁膜２６のヤング率が、前記第１の層間絶縁膜２７のヤング率よりも小さい材料とし、引張応力を有する前記拡散防止絶縁膜２６の膜厚を、圧縮応力を有する前記第１の層間絶縁膜２７の膜厚よりも大きくすることにより、配線間容量を低減することができる。
【００６７】
また、図２に示す実施形態２や図３に示す実施形態３に示した場合と同様に、本実施形態においても、前記第２の層間絶縁膜１５と前記第２の線間絶縁膜１６の界面に、絶縁膜２３、および絶縁膜２４の積層構造、あるいは絶縁膜２３の単層が設けられた構造とした場合には、前記第２の層間絶縁膜１５の機械的強度を確保することができ、また、表面保護および耐湿性の確保することが可能である。また、エッチングストッパ用の絶縁膜としての機能の効果が得られる。
【００６８】
（実施形態５）
次に、本発明における第５の実施形態を図５により説明する。図５は本実施形態による半導体装置の主要部の断面構造を示しており、第１の実施形態と共通の部分には同一の符号を付している。
【００６９】
図５に示す本実施形態の半導体装置においては、第１の実施形態による図１の構造の、前記第１の銅配線１２と前記拡散防止絶縁膜１３の界面に、窒化銅層２８が設けられた構造となっている。その他の点は同一構造であり、第１の実施形態と同様の効果が得られる。
【００７０】
前記第１の銅配線１２と前記拡散防止絶縁膜１３の界面に、窒化銅層２８を設けることにより、銅原子の絶縁膜中への拡散に対するバリア性を向上させることができ、さらに信頼性の高い半導体装置が得られる。
【００７１】
また、窒化銅層２８により銅原子の拡散に対するバリア性を確保することができるので、前記拡散防止絶縁膜１３の膜厚を薄くすることができ、前記拡散防止絶縁膜１３より誘電率の低い第２の層間絶縁膜の膜厚を、より厚くすることができ、配線間容量を低減することが可能である。
【００７２】
図５における実施形態５においては、前記第１の銅配線１２と前記拡散防止絶縁膜１３の界面にのみ、窒化銅層２８が設けられた場合について示したが、図６の実施形態６に示すように、前記第１の銅配線１２とビア１９との界面にも窒化銅層２８を設けてもよい。
ただし、ビアと配線のコンタクト抵抗低減という観点では、前記第１の銅配線１２と前記拡散防止絶縁膜１３の界面にのみ、窒化銅層２８が設けられた場合の方が好ましい。
【００７３】
（実施形態７）
次に、本発明における第７の実施形態を図７により説明する。図７は本実施形態による半導体装置の主要部の断面構造を示しており、第２の実施形態と共通の部分には同一の符号を付している。
【００７４】
図７に示す本実施形態７の半導体装置においては、第２の実施形態による図２の構造の、前記第１の銅配線１２と前記拡散防止絶縁膜２６の界面に、窒化銅層２８が設けられた構造となっている。その他の点はほぼ同一構造であり、第２の実施形態と同様の効果が得られる。
【００７５】
前記第１の銅配線１２と前記拡散防止絶縁膜２６の界面に、窒化銅層２８を設けることにより、銅原子の絶縁膜中への拡散に対するバリア性を向上させることができ、さらに信頼性の高い半導体装置が得られる。
【００７６】
また、窒化銅層２８により銅原子の拡散に対するバリア性を確保することができるので、前記拡散防止絶縁膜２６の膜厚を薄くすることができ、前記拡散防止絶縁膜２６より誘電率の低い第２の層間絶縁膜１５の膜厚を、より厚くすることができ、配線間容量を低減することが可能である。
【００７７】
図７における実施形態７においては、前記第１の銅配線１２と前記拡散防止絶縁膜２６の界面にのみ、窒化銅層２８が設けられた場合について示したが、前記第１の銅配線１２とビア１９との界面にも窒化銅層２８が設けられてもよい。
ただし、ビアと配線のコンタクト抵抗低減という観点では、前記第１の銅配線１２と前記拡散防止絶縁膜１３の界面にのみ、窒化銅層２１が設けられた場合の方が好ましい。
【００７８】
（実施形態８）
次に、本発明における第８の実施形態を図８により説明する。図８は本実施形態による半導体装置の主要部の断面構造を示しており、第２の実施形態と共通の部分には同一の符号を付している。
【００７９】
図８に示す本実施形態８の半導体装置においては、第２の実施形態による図２の構造の、第２の層間絶縁膜１５のすくなくとも一部に空間部２９を設けた構造となっている。その他の点は同一構造であり、第２の実施形態と同様の効果が得られる。
また、層間絶縁膜の少なくとも一部に空間部２９を設けることにより、配線間容量をさらに低減する効果も得られる。
【００８０】
（実施形態９）
次に、本発明における第９の実施形態を図９により説明する。図９は本実施形態による半導体装置の主要部の断面構造を示しており、第８の実施形態と共通の部分には同一の符号を付している。
【００８１】
図９に示す本実施形態の半導体装置においては、第８の実施形態による図８の構造の、空間部２９が第２の層間絶縁膜１５の層だけではなく、第１の層間絶縁膜１４に設けた構造となっている。その他の点は同一構造であり、第８の実施形態と同様の効果が得られる。
また、第１の層間絶縁膜１４にも空間部２９を設けることにより、配線間容量を第８の実施形態よりもさらに低減する効果が得られる。
【００８２】
このようにビアが形成されるビアホール側壁に接する領域で、第１の銅配線１２上に、圧縮応力を有する拡散防止絶縁膜１３、引張応力を有する第１の層間絶縁膜１４が積層された構造となっていれば、効果的に銅配線の応力勾配を抑制することができ、ボイドによる抵抗増大を防止することができる。
【００８３】
（実施形態１０）
次に、本発明における第１０の実施形態を図１０により説明する。図１０は本実施形態１０による半導体装置の主要部の断面構造を示しており、第８の実施形態と共通の部分には同一の符号を付している。
【００８４】
図１０に示す本実施形態１０の半導体装置においては、第８の実施形態による図８の構造の、第２の層間絶縁膜１５が、その上面に絶縁膜２３に食い込むように形成された構造となっている。その他の点は同一構造であり、第８の実施形態と同様の効果が得られる。
【００８５】
また、第２の層間絶縁膜１５が、その上面に絶縁膜２３に食い込むように形成された構造とすることにより、前記第２の層間絶縁膜１５と絶縁膜２３との界面でのはく離を防止することができ、さらに信頼性の高い半導体装置が得られる。
【００８６】
（実施形態１１）
次に、本発明における第１１の実施形態を図１１により説明する。図１１は本実施形態１１による半導体装置の主要部の断面構造を示しており、第１０の実施形態と共通の部分には同一の符号を付している。
【００８７】
図１１に示す本実施形態１１の半導体装置においては、第１０の実施形態による図１０の構造の、絶縁膜２４がなく、絶縁膜２３が低誘電率膜１５の拡散防止絶縁膜とエッチングストッパ膜の両方の役割をするような構造となっている。その他の点は同一構造であり、第１０の実施形態と同様の効果が得られる。
また、本実施形態においては、絶縁膜２４を省略することにより、工程数を減少できるという効果も得られる。
【００８８】
（実施形態１２）
次に、本発明における第１２の実施形態を図１２により説明する。図１２は本実施形態１２による半導体装置の主要部の断面構造を示しており、第１１の実施形態と共通の部分には同一の符号を付している。
【００８９】
図１２に示す本実施形態の半導体装置においては、第１１の実施形態による図１１の構造の、空間部２９が第１の層間絶縁膜１４に食い込むように形成された構造となっている。その他の点は同一構造であり、第１１の実施形態と同様の効果が得られる。
【００９０】
また、この場合、空間部２９が第１の層間絶縁膜１４に食い込むように形成された構造とすることにより、第１の層間絶縁膜１４と第２の層間絶縁膜１５との界面でのはく離を防止することができ、さらに信頼性の高い半導体装置が得られる。
【００９１】
（実施形態１３）
次に、本発明における第１３の実施形態を図１３により説明する。図１３は本実施形態による半導体装置の主要部の断面構造を示しており、第８の実施形態と共通の部分には同一の符号を付している。
【００９２】
図１３に示す本実施形態１３の半導体装置においては、第８の実施形態による図８の構造の、空間部２９がビアホール１７ｂに隣接した構造となっている。その他の点は同一構造であり、第８の実施形態と同様の効果が得られる。
また、空間部２９がビアホール１７ｂに隣接した構造とすることにより、配線間容量をさらに低減する効果が得られる。
【００９３】
このように、ビア１９が形成されるビアホール１７ｂの側壁に接する領域で、ビア１９に隣接して空間部２９が設けられる場合、第１の銅配線１２上に設けられた、圧縮応力を有する拡散防止絶縁膜１３によって発生する銅配線の応力勾配を抑制するためには、引張応力を有する第１の層間絶縁膜１４が積層された構造とすることにより効果的に銅配線の応力勾配を抑制することができ、ボイドによる抵抗増大を防止することができる。
【００９４】
（実施形態１４）
次に、本発明における第１４の実施形態を図１４により説明する。図１４は本実施形態１４による半導体装置の主要部の断面構造を示しており、第１の実施形態と共通の部分には同一の符号を付している。
【００９５】
図１４に示す本実施形態１４の半導体装置においては、第１の実施形態による図１の構造が、ビア１９と第２の銅配線２０が同じ銅膜で形成されたデュアルダマシン銅配線構造であったのに対し、シングルダマシンプロセスによって形成されたシングルダマシン銅配線構造となっている。ビア１９と第２の銅配線２０がバリア膜１８を介して接合された構造となっている。この場合にも、第１の実施形態と同様の効果が得られる。
なお、その他の実施形態においても、デュアルダマシン銅配線構造の場合についてしめしたが、シングルダマシン銅配線構造とした場合でも同様の効果が得られる。
【００９６】
なお、上記各実施形態に示した半導体装置は、これに限定されるものではなく、配線層数も２層に限定されるものではない。また、この半導体装置をＤＲＡＭ（Ｄynamic Ｒandom Ａccess Ｍemory）、ＳＲＡＭ（Ｓtatic Ｒandom Ａccess Ｍemory）、あるいはマイコン等に使用することが可能である。
【００９７】
以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００９８】
【図１】本発明の第１の実施形態による半導体装置の主要部の断面構造を示す図である。
【図２】本発明の第１の実施形態による半導体装置の主要部の断面構造を示す図である。
【図３】本発明の第３の実施形態による半導体装置の主要部の断面構造を示す図である。
【図４】本発明の第４の実施形態による半導体装置の主要部の断面構造を示す図である。
【図５】本発明の第５の実施形態による半導体装置の主要部の断面構造を示す図である。
【図６】本発明の第６の実施形態による半導体装置の主要部の断面構造を示す図である。
【図７】本発明の第７の実施形態による半導体装置の主要部の断面構造を示す図である。
【図８】本発明の第８の実施形態による半導体装置の主要部の断面構造を示す図である。
【図９】本発明の第９の実施形態による半導体装置の主要部の断面構造を示す図である。
【図１０】本発明の第１０の実施形態による半導体装置の主要部の断面構造を示す図である。
【図１１】本発明の第１１の実施形態による半導体装置の主要部の断面構造を示す図である。
【図１２】本発明の第１２の実施形態による半導体装置の主要部の断面構造を示す図である。
【図１３】本発明の第１３の実施形態による半導体装置の主要部の断面構造を示す図である。
【図１４】本発明の第１４の実施形態による半導体装置の主要部の断面構造を示す図である。
【符号の説明】
【００９９】
１…シリコン基板、２…素子分離膜、３…ゲート絶縁膜、４…ゲート電極、５…コンタクトプラグ、６…サイドウォール、７…シリサイド膜、８…絶縁膜、９…第１の線間絶縁膜、１０…配線溝、１１…バリア膜、１２…第１の銅配線、１３…拡散防止絶縁膜、１４…第１の層間絶縁膜、１５…第２の層間絶縁膜、１６…第２の線間絶縁膜、１７ａ…配線溝、１７ｂ…ビアホール、１８…バリア膜、１９…ビア、２０…第２の銅配線、２１…絶縁膜、２２…絶縁膜、２３…絶縁膜、２４…絶縁膜、２５…絶縁膜、２６…拡散防止絶縁膜、２７…第１の層間絶縁膜、２８…窒化銅層、２９…空間部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に絶縁膜を介在して設けられ、主構成材料が銅からなる第１の配線と、
前記第１の配線上に設けられ、前記第１の配線の銅に対してバリア性を持つ第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に設けられ、前記第１の絶縁膜の膜応力に対して逆符号の応力を持つ第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に設けられた第３の絶縁膜と、
前記第３乃至第１の絶縁膜を貫通して前記第１の配線上に設けられたビアと、
前記ビアを介して前記第１の配線に接続された第２の配線とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記第１の絶縁膜は、圧縮応力を有し、
前記第２の絶縁膜は、引張応力を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記第１の絶縁膜は、引張応力を有し、
前記第２の絶縁膜は、圧縮応力を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記第１の絶縁膜の膜厚は、前記第２の絶縁膜の膜厚よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記第１の絶縁膜は、前記第２の絶縁膜よりもヤング率が大きく、前記第２の絶縁膜よりも膜厚が小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記第２の絶縁膜は、前記第１の配線の銅に対して酸化シリコン膜よりもバリア性が高い絶縁膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記第３の絶縁膜は、前記第１及び第２の絶縁膜よりも誘電率が低い絶縁膜からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項２又は請求項３に記載の半導体装置において、
前記第1の絶縁膜は、少なくとも窒素原子を含む絶縁膜からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項２又は請求項３に記載の半導体装置において、
前記第３の絶縁膜は、引張応力を有する低誘電率絶縁膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記第１の配線と前記第１の絶縁膜との間に、少なくとも一部が窒化された銅からなる層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の半導体装置において、
前記少なくとも一部が窒化された銅からなる層の厚さは、前記第１の絶縁膜の膜厚よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記第３の絶縁膜の少なくとも一部に空間部が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載の半導体装置において、
前記空間部は、前記ビアの側壁に隣接することを特徴とする半導体装置。
【請求項１】
半導体基板上に絶縁膜を介在して設けられ、主構成材料が銅からなる第１の配線と、
前記第１の配線上に設けられ、前記第１の配線の銅に対してバリア性を持つ第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に設けられ、前記第１の絶縁膜の膜応力に対して逆符号の応力を持つ第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に設けられた第３の絶縁膜と、
前記第３乃至第１の絶縁膜を貫通して前記第１の配線上に設けられたビアと、
前記ビアを介して前記第１の配線に接続された第２の配線とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記第１の絶縁膜は、圧縮応力を有し、
前記第２の絶縁膜は、引張応力を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記第１の絶縁膜は、引張応力を有し、
前記第２の絶縁膜は、圧縮応力を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記第１の絶縁膜の膜厚は、前記第２の絶縁膜の膜厚よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記第１の絶縁膜は、前記第２の絶縁膜よりもヤング率が大きく、前記第２の絶縁膜よりも膜厚が小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記第２の絶縁膜は、前記第１の配線の銅に対して酸化シリコン膜よりもバリア性が高い絶縁膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記第３の絶縁膜は、前記第１及び第２の絶縁膜よりも誘電率が低い絶縁膜からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項２又は請求項３に記載の半導体装置において、
前記第1の絶縁膜は、少なくとも窒素原子を含む絶縁膜からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項２又は請求項３に記載の半導体装置において、
前記第３の絶縁膜は、引張応力を有する低誘電率絶縁膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記第１の配線と前記第１の絶縁膜との間に、少なくとも一部が窒化された銅からなる層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の半導体装置において、
前記少なくとも一部が窒化された銅からなる層の厚さは、前記第１の絶縁膜の膜厚よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記第３の絶縁膜の少なくとも一部に空間部が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載の半導体装置において、
前記空間部は、前記ビアの側壁に隣接することを特徴とする半導体装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【公開番号】特開２００６−５１９０（Ｐ２００６−５１９０Ａ）
【公開日】平成１８年１月５日（２００６．１．５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００４−１８０４５５（Ｐ２００４−１８０４５５）
【出願日】平成１６年６月１８日（２００４．６．１８）
【出願人】（５０３１２１１０３）株式会社ルネサステクノロジ (4,790)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年１月５日（２００６．１．５）
【国際特許分類】
【出願日】平成１６年６月１８日（２００４．６．１８）
【出願人】（５０３１２１１０３）株式会社ルネサステクノロジ (4,790)
【Ｆターム（参考）】
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