【課題】プロービング時にもクラックが発生しにくいパッド構造を持つ半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板の上に形成された第１の絶縁膜に凹部が形成されている。凹部内に導電部材が充填されている。第１の絶縁膜及び導電部材の上に第２の絶縁膜が形成されている。凹部の上方の、第２の絶縁膜の表面上にパッドが形成されている。平面視において、凹部の外周線よりも内側に、凹部の底面から突出し、絶縁材料で形成された複数のピラーが配置されている。ピラーの各々の平面形状は、角部に曲率半径０．２μｍよりも大きな丸みを付した多角形である第１の形状、９０°よりも大きな内角のみからなる多角形である第２の形状、曲率半径０．２μｍ以上の湾曲部のみからなる曲線で囲まれた第３の形状、及び該第１〜第３の図形の外周線の一部同士を滑らかに接続した連続線で囲まれた第４の形状のいずれかである。 （もっと読む）

【課題】レーザ照射パターンを切り替えながら、所望の位置に高速にレーザ照射を行う方法を提案する。
【解決手段】レーザ発振器から射出したレーザビームを偏向器に入射し、前記偏向器を通過したレーザビームを回折光学素子に入射して複数に分岐させる。そして、前記複数に分岐されたレーザビームを絶縁膜上に形成されたフォトレジストに照射し、前記レーザビームが照射されたフォトレジストを現像して前記絶縁膜を選択的にエッチングする。 （もっと読む）

【課題】チップ面積及び製造コストの増大を抑制しつつ、レーザ照射用の冗長回路を備えた半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に第１の能動層として、本来の機能を有する回路を形成する工程と、前記第１の能動層に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層上に、微細孔を形成する工程と、前記微細孔が形成された絶縁層上に半導体層を形成する工程と、前記半導体層に対してレーザ照射による熱処理を行うことで、前記微細孔を起点として略単結晶化された結晶粒を形成する工程と、前記略単結晶化された結晶粒を用いて第２の能動層としてのレーザリペア用の冗長回路を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】入出力配線やゲート配線などのように、長い距離にわたって形成されるような配線を低抵抗化し、動作性能の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】画素部に形成されたゲート配線、若しくは駆動回路と外部入力端子とを電気的に接続する入出力信号配線、を有し、前記ゲート配線若しくは前記入出力配線は、前記第１及び第２の薄膜トランジスタのゲート電極と同一層で且つ同一材料からなる第１配線と、前記第１配線の上に形成された第２配線と、を有し、前記第２配線は、前記第１配線よりも抵抗率が低い材料を用いる。 （もっと読む）

【課題】電解めっき法を用いた配線の形成方法に関し、微細な配線の厚さを厚く形成することを可能にすると共に、配線の生産性を向上することのできる配線の形成方法を提供する。
【解決手段】第１のシード層１４の形成位置に対応する絶縁層１２を露出するように、配線形成領域Ａに対応する絶縁層１２上にリフトオフ用レジスト膜１９を形成し、その後、金属膜２１を形成する。次いで、リフトオフ用レジスト膜１９を除去して、第１及び第２のシード層１４，２２を形成する。その後、電解めっき法により、第１のシード層１４上に導電金属１５を析出成長させ、その後、第２のシード層２２を除去することで、第１のシード層１４及び導電金属１５よりなる配線１３を形成する。 （もっと読む）

【課題】シリサイド層表面の酸化物形成を抑える。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板上にシリサイド層を形成する工程（Ｓ１００）と、シリサイド層上に絶縁膜を形成する工程（Ｓ１０２およびＳ１０４）と、絶縁膜をドライエッチングにより選択的に除去して、シリサイド層に到達する開口部を形成し、シリサイド層表面を露出させる工程（Ｓ１０６〜Ｓ１１０）と、開口部内を酸性薬液で洗浄してシリサイド層表面を清浄化する工程（Ｓ１１２）と、シリサイド層表面を清浄化する工程の後に、開口部内で露出したシリサイド層表面をアルカリ薬液で洗浄する工程（Ｓ１１４）と、により製造される。 （もっと読む）

【課題】配線からのＣｕの拡散を防止する。
【解決手段】例えば、ＵＤＣ拡散バリア膜２２、ポーラスシリカ膜２３、ＵＤＣミドルストッパ膜２４、ポーラスシリカ膜２５およびＵＤＣ拡散バリア膜２６の積層構造にビア溝２７ａと配線溝２７ｂを形成したときに、内部に露出するＵＤＣ拡散バリア膜２２、ＵＤＣミドルストッパ膜２４、ＵＤＣ拡散バリア膜２６の表面に対し、水素プラズマを照射する。これにより、各ＳｉＣ膜の露出表面をＳｉリッチにする。そして、プラズマ照射後のビア溝２７ａと配線溝２７ｂにＴａ膜２８を形成し、Ｃｕで埋め込む。Ｔａ膜２８と接触することとなるＳｉＣ膜の表面をあらかじめＳｉリッチな状態にしておくことにより、Ｔａ膜２８をＣｕの突き抜けが抑えられるような結晶構造に制御することが可能になる。これにより、配線からのＣｕの拡散を防止することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ基板の製造工程の工程数を削減し、製造処理時間を短縮し、よって製造コストを大幅に低減でき、且つ、製造歩留りを向上させる方法を及びそのＴＦＴ基板を提供することを目的とする。
【解決手段】ゲート配線及びゲート絶縁膜と、第１のシリコン層及び第２のシリコン層と、ソース・ドレイン配線及びソース・ドレイン電極と、前記ソース・ドレイン電極に電気的に接続された画素電極と、を具備したＴＦＴ基板であって、さらに、前記第１のシリコン層と、前記第２のシリコン層と、第１の金属膜と、層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜のスルーホールを通して前記第１の金属膜と接続された透明電極層と、第２の金属膜と、の順に積層された積層膜を有し、前記積層膜の全部又は一部が 前記ソース・ドレイン電極であることを特徴とするＴＦＴ基板である （もっと読む）

【課題】ボンディングパッド部のパッド剥がれを抑制した半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、層間絶縁膜８上にバリアメタル層１４を形成する工程と、パッド開孔部の下に位置する前記バリアメタル層の少なくとも一部を除去する工程と、前記除去する工程により露出した層間絶縁膜８及び前記バリアメタル層１４の上に第２のＡｌ合金膜１５を形成する工程と、第２のＡｌ合金膜及び前記バリアメタル層をパターニングすることにより、前記層間絶縁膜上にボンディングパッド部１７ａを形成する工程と、前記ボンディングパッド部及び前記層間絶縁膜の上にパッシベーション膜１８を形成する工程と、前記パッシベーション膜に、前記ボンディングパッド部上に位置するパッド開孔部を形成する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【目的】シード膜の溶解を抑制し、電解めっき後のめっき膜の未析や欠陥の発生を低減する方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の電子部品の製造方法は、基板上にシード膜を形成するシード膜形成工程（Ｓ１１０）と、前記シード膜を冷却する冷却工程（Ｓ１１２）と、冷却された前記シード膜をめっき液に浸漬させ、前記シード膜をカソードとして電解めっきを行なうめっき工程（Ｓ１１４）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】バリア層を介して高融点金属シリサイド層に接続するタングステンからなるプラグを有する半導体装置の信頼性を向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】半導体ウエハＳＷの主面上に形成されたコバルトシリサイド層を覆う層間絶縁膜を形成し、コバルトシリサイド層に達する接続孔を層間絶縁膜に形成した後、実質的に窒素を含まない雰囲気のチャンバ２２で、接続孔の内部を含む層間絶縁膜上にチタン膜をスパッタリング法により形成し、続いてチャンバ２３で、接続孔の内部を含むチタン膜上に窒化チタン膜をスパッタリング法により形成する。その後、チャンバ２４で半導体ウエハＳＷにアニール処理を施し、続いて接続孔の内部にタングステンを主導電材料とするプラグを形成する。 （もっと読む）

【課題】 二重露光を用いて微細化を図れる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 第１のパターンを含むメモリセル領域と、第２のパターンを含む周辺回路領域を備えた半導体装置を製造する際に、メモリセル領域と周辺回路領域を含む基板の領域上にレジスト膜を形成し、メモリセル領域上のレジスト膜中に第１のパターンに対応した潜像を形成するための第１の露光と、周辺回路領域上のレジスト膜中に第２のパターンに対応した潜像を形成するための第２の露光を含む多重露光により、レジスト膜を露光する際に、レジスト膜上における第１の露光と第２の露光の境界領域１２を、ガードリング５，７間の素子分離領域１０’上に設定し、レジスト膜を現像してレジストパターンを形成し、レジストパターンをマスクにして被加工基板をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ配線などの金属配線について、金属配線と金属拡散防止膜との密着性が向上し、金属配線のエレクトロマイグレーション耐性向上により金属配線寿命の長い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板上に形成された第１の絶縁膜中の溝部内に設けられ、銅および銅の合金のうち少なくとも１つを含有する第１の金属配線と、第１の金属配線および第１の絶縁膜の露出面を覆う第１の金属拡散防止膜を有する半導体装置において、第１の金属配線は金属シリサイド層を含有しないシリコン含有金属配線であり、第１の金属配線全体にシリコンを含む構成である。 （もっと読む）

【課題】 Ｃｕ膜と絶縁膜との間に所定幅の空気層が設けられた配線構造で信頼性が高い半導体装置を提供することである。
【解決手段】 配線膜４の側部に空気層５および固体絶縁層１が構成された配線構造の半導体装置であって、
配線膜４と固体絶縁層１との間に空気層５が配線膜４に隣接して設けられてなり、
配線膜４と固体絶縁層１との間に設けられた空気層５は幅が５〜１００ｎｍであり、
配線膜４と配線膜４との間の固体絶縁層１は幅が１０〜５００ｎｍである。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に貫通孔を形成する際の、貫通孔の底部での絶縁層のノッチの発生を抑制し、絶縁層のノッチによる電気的絶縁性の低下や貫通孔の配線層の接続不良を低減することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 この半導体装置１は、第一の面と第二の面を有する半導体基板２と、半導体基板２に設けられ、第一の面と前記第二の面とをつなぎ、半導体基板２の第一の面に対して、ほぼ垂直な側面を有する貫通孔５と、第一の面に設けられ、貫通孔５を覆うと共に貫通孔５の開口径よりも小さい開口径を有する第一の絶縁層３と、第一の絶縁層３上に設けられ、貫通孔５を覆う第一の配線層４と、貫通孔５の内壁部から半導体基板２の第二の面を覆うように設けられた第二の絶縁層６と、第一の絶縁層６の開口部を介し第一の配線層４と内接すると共に貫通孔５および半導体基板２の第二の面の第二の絶縁層６上に亘って設けられた第二の配線層７を備える。 （もっと読む）

【課題】 Ｃｕ拡散性が良好で、耐熱性、電気特性、特に誘電率、接着性等に優れた多層配線構造、及びこれを具備した、電気特性に優れる半導体装置を提供する事を目的としてなされたものである。
【解決手段】 （１）絶縁膜に形成した溝に銅層又は銅を含む合金層を形成する工程、及びバリアメタル層を形成する工程、
（２）前記銅層又は銅を含む合金層の表面を、Ｃｏ又はＮｉ又はＷを含む金属層で構成されるキャップ層を形成する工程、（３）銅拡散防止能を有する有機系絶縁材料層を形成する工程、を有することを特徴とする配線構造の製造方法。前記製造方法を用いて作製した銅層又は銅を含む合金層を有する配線構造。前記配線構造を具備する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】銅膜を含む接続構造において、ＳＩＶ耐性およびＥＭ耐性を良好にする。
【解決手段】半導体装置１００は、半導体基板と、半導体基板上に形成された第２の絶縁層１１２と、第２の絶縁層１１２上に形成され、銅が第２の絶縁層１１２に拡散するのを防止する第２のバリアメタル膜１１８と、第２のバリアメタル膜１１８上に当該第２のバリアメタル膜１１８に接して形成され、銅と炭素とを含む第２の導電膜１２２と、を含み、第２の導電膜１２２中の積層方向における炭素の濃度分布が第１のピークおよび第２のピークを有する。 （もっと読む）

【課題】積層された導電性バリア層の酸素バリア性を向上させると共に、積層された導電性バリア層に生じる浮きや剥離を防止してコンタクト抵抗の安定化を図る。
【解決手段】半導体装置は、容量素子２１とトランジスタのソース領域又はドレイン領域１３とを電気的に接続するコンタクトプラグ１５と、該コンタクトプラグ１５の上に形成された高融点金属のみの窒化物である窒化チタンからなる導電層１６Ａと、窒化チタンアルミニウム膜、イリジウム膜及び酸化イリジウム膜の積層膜からなる酸素の拡散を防止する多結晶状の導電性酸素バリア層１７とを有している。結晶配向性が低い窒化チタンからなる導電層１６Ａを導電性酸素バリア膜１７の下側に設けたことにより、導電層１６Ａの直上に形成される導電性酸素バリア膜である窒化チタンアルミニウム膜は緻密な膜構造となるため、酸素の侵入を効果的に防止することができる。 （もっと読む）

【課題】 複数の半導体基板を積層した半導体装置において、電極ピッチが微細な場合であっても、電極間の絶縁性を確保することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】
表面に第１の電子回路１５が形成された第１の半導体基板２の裏面に前記第１の電子回路のＩ／Ｏパッド列３が露出するように溝５を設け、前記露出されたＩ／Ｏパッド３毎に電気的に接続された状態で金属柱８を形成し、前記溝５と前記金属柱８を取り囲むように絶縁膜９を形成し、表面に第２の電子回路が形成された第２の半導体基板１１の前記第２の電子回路のＩ／Ｏパッド部１２にはんだ部材１４を形成し、前記金属柱８と前記はんだ部材１４を利用して前記第１の電子回路のＩ／Ｏパッド３と前記第２の電子回路のＩ／Ｏパッド１２とを相互に接続するものである。 （もっと読む）

【課題】配線形成時において、エッチングストッパー膜にピンホールが発生することを防止して下層配線層Ｃｕの溶解を抑制できる多層配線形成技術を提供する。
【解決手段】基板上に第１絶縁膜２を形成する工程と、第１絶縁膜中に表面が露出するように下層配線層１を形成する工程と、下層配線層上を含む第１絶縁膜上に、少なくとも後の工程によりコンタクトホールが形成される領域に当該領域の周辺部に比べて膜厚が大きい厚膜部１０ａを有する第２絶縁膜１０を形成する工程と、第２絶縁膜上に少なくとも１層からなる第３絶縁膜４を形成する工程と、第３絶縁膜中および第２絶縁膜中に底面が下層配線層に達するようにコンタクトホール８を形成する工程とを備える。 （もっと読む）