【課題】 半導体デバイス用配線として適用することができるカーボンナノチューブ配線を形成する。
【解決手段】 触媒金属成分（Ｎｉ）とＣｌ_２ガスとの前駆体（ＮｉＣｌ）を基板３に吸着させ、その後、Ｎｉを析出させることによりＮｉ膜を形成する成膜反応と、成膜反応により形成されたＮｉ膜をＣｌ_２ガスラジカルでエッチングするエッチング反応を共存させると共に、成膜反応の速度がエッチング反応の速度よりも大きくなるように制御することにより基板３の凹部の底面だけにＮｉを成膜し、凹部の底面だけに成膜されたＮｉを触媒金属として基板３の凹部にカーボンナノチューブを成長させて所定の配線を形成する。 （もっと読む）

本発明は、導電性又は半導電性の基板の第１（上側）表面と第２（下側）表面との間に電気的接続を作る方法に関する。本発明は、第１表面にトレンチを作成、前記トレンチによって規定される前記基板の一部分を完全に分離する絶縁性囲いの設置を含む。本発明は、また、マイクロエレクトロニック及び／又はマイクロメカニック素子の製造用の出発基板として用いることができる製造物に関し、平坦な半導電性又は導電性基板を含み、第１表面及び第２表面、及び前記基板を貫通して伸びる少なくとも一つの電気的接続部材を有する。電気的接続部材は、絶縁性材料からなる限定された層によって平坦な基板からなる周辺材料から絶縁されており、基板と同じ材料を含んでいる、すなわち、ウエハ材料から作られている。
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【課題】低コストに製造することのできる表示装置を実現する。
【解決手段】基板上に設けられている画素電極１０１の周囲にソースライン１０２を設け、ソース及びゲートとなる領域を開口させた絶縁膜１０３を形成し、ソース１０４ａ及びドレイン１０４ｂを形成し、これらソース１０４ａ及びドレイン１０４ｂの上方に半導体膜５、ゲート１０５を設ける製造方法において、略大気圧下において上記各部を形成する。略大気圧下において製造できるので、真空チャンバ等の特別な装置を必要とせず、表示装置を安価に製造できる。 （もっと読む）

本発明は、基板（１０）と、基板（１０）の少なくとも一部に配置された少なくとも１つの金属多層組織と、金属多層組織上に配置されており、少なくとも１つの接続孔を有する非伝導性層（５０）とを備え、接続孔には、少なくとも１つのナノチューブが、接続孔の底部にある金属多層組織上に成長しており、金属多層組織は、高融点金属層（２０）と、金属分離層（３０）と、触媒層（４０）とを含んでいる集積電子部品に関する。本発明はさらに、ナノチューブを垂直構造に目的を絞って製造するための方法と、ナノチューブを垂直構造に目的を絞って製造するための金属多層組織の使用とに関する。
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【課題】配線の引き出し性が向上されているとともに、配線間の短絡などの電気的問題が生じるおそれが抑制されており、かつ、配線が形成される領域の省スペース化が図られた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１が備える基板４上の所定の層内に、第１の配線３が複数本並べられて設けられている。各第１の配線３は、それらの並べられた方向に沿って一方の側から他方の側へ向かうに連れて長く延ばされて形成されているか、あるいは短く縮められて形成されている。それとともに、各第１の配線３は、隣接するそれぞれの一端部３ａが並べられた方向と直交する方向において互いにずれた位置に配置されている。 （もっと読む）

【課題】 標準的なロジック半導体集積回路製造工程において高密度コンデンサを形成した半導体集積回路を提供する。
【解決手段】 各同電位の電極、灰色部どうし、斜線部どうしはコンタクトホールによって接続され、Ｍ（１）層では灰色部分の電極が格子パターンとなり外周部から電極端子を引き出すことが可能となっている。また、Ｍ（２）層では斜線部分の電極が格子パターンとなり外周部より電極端子を引き出すことができる。このように構成することによって矩形電極と格子電極により効率よくコンデンサを形成できる。また、これらを形成するのに通常の製造工程から特別の工程を追加することなく製造することができる。 （もっと読む）

【課題】保護ダイオードにより半導体装置の特性を劣化させることなく、配線形成工程のプラズマプロセスにおいてプラズマチャージングダメージの発生を防止して、信頼性の高い半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体基板１の上にゲート絶縁膜６及びゲート電極７を有する半導体素子が形成され、半導体素子の上に設けられた第２の層間絶縁膜１４には、ゲート電極７と電気的に接続された第１の配線１６Ａと、半導体基板１と電気的に接続された第２の配線１６Ｂとが互いに間隔をおいて形成されている。第２の層間絶縁膜１４の上層は、プラズマ雰囲気中においてい導電性を示す絶縁体であるシリコン窒化膜１３により形成されている。 （もっと読む）

【課題】 ２以上の導線層の層間配線に多層カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）が使用される配線構造の低抵抗化を図ることの可能な配線構造を得ること。
【解決手段】 配線構造では、２以上の導電層の層間配線に多層ＣＮＴが使用される。前記多層ＣＮＴに含まれるグラフェンシートにより形成され、前記多層ＣＮＴの成長基点から遠い側の端部に同心状に形成される複数の環状の切り口が、導電層にそれぞれ接触する。ＣＮＴのキャップ層の部分を介さずに、導電層とグラフェンシートが接するので、それらの間の接触抵抗は従来よりも小さくなる。 （もっと読む）

【課題】 触媒材料をパターニングすることなく、従って基板上の他の部分にダメージを与えたり、当該触媒材料が汚染されたりすることなく、容易且つ確実に基板上の任意の形状・面積の所定領域にＣＮＴを成長させる。
【解決手段】 シリコン基板１上の所望部位にＴｉ膜２をパターン形成し、Ｔｉ膜２を覆うように基板１上にＣｏ膜３を形成する。そして、熱ＣＶＤ法により６００℃程度でＣｏ膜３表面のうち、下部にＴｉ膜２の形成された部位のみにＣＮＴ４を形成する。ＣＮＴ４の長さはＴｉ膜２の厚みを調節することにより制御できる。 （もっと読む）

【課題】 複数の機能を実現するため集積回路を積層しても、層の積層方向への伸びを抑制する。
【解決手段】 層Ｌ２の集積回路１２Ｌ２の接続線１４の終端１４Ｔと、層Ｌｎの集積回路１２Ｌｎの接続線１４の終端１４Ｔとが接続されるように、複数の層の特別部２０に貫通穴１８が形成されている。貫通穴１８内には、エポキシ樹脂が充填されている。このように、導電性のエポキシ樹脂が充填される貫通穴１８に、層Ｌ２の集積回路１２Ｌ２の接続線１４の終端１４Ｔと、層Ｌｎの集積回路１２Ｌｎの接続線１４の終端１４Ｔとが接続されているので、各々の終端１４Ｔが接続される。 （もっと読む）

導電性フォトリソグラフィー膜及び当該導電性フォトリソグラフィー膜を用いたデバイスを形成する方法に関する。当該方法は、導電性フォトリソグラフィー膜を基板の上面に堆積させること；及びリソグラフィープロセスを用いて導電性フォトリソグラフィー膜をパターニングすることであって、それにより所望の回路パターンを創出する、パターニングすることを含む。導電性フォトリソグラフィー膜は、エポキシアクリレート、熱硬化剤及び導電性ポリマーの混合物を約５０％〜約６０％と、リソグラフィー反応性成分を約２０％〜約３０％と、光活性材料を約１０％〜約１５％と、導電性フォトリソグラフィーポリマーの導電率を高める添加剤を約３％〜約５％とを含む。 （もっと読む）

【課題】 触媒金属を堆積させる基板に依存することなく、基板を用いない場合でさえも、容易且つ確実にＣＮＴを形成する。
【解決手段】 触媒微粒子生成システムを用いて、シリコン基板１の絶縁膜２上にチタン・コバルト複合微粒子３を堆積した後、ＣＶＤ法によりチタン・コバルト複合微粒子３からＣＮＴ４を成長させる。 （もっと読む）

【課題】電界効果トランジスタのソース電極と機能性有機半導体層との間に注入物質の領域を設けることによって、従来に代わるより単純な別の手段を提供する。
【解決手段】金属または炭素ソース電極（１４）および機能性有機半導体層（２８）を含む電界効果トランジスタ（１０）が提供されている。円柱状注入物質（４８）は、機能性有機半導体層（２８）を貫通して延在し、円柱はソース電極（１４）と機能性有機半導体層（２８）との両方に接触している。この円柱（４８）は、ソース電極（１４）と機能性有機半導体層（２８）との間の電荷キャリアーの移動を容易にする。
注入物質は、３−ヘキシルチオフェン、ポリアリールアミン、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリスチレンスルホン酸またはポリアニリンなどの有機化合物が好ましい。 （もっと読む）

本発明は、半導体基板（１）と、第１のドーピング領域と、第２のドーピング領域（２）と、接続ドーピング領域（３）と、絶縁層（６）と平坦化した導電性構造（４、５）とを備えるソリッドステート回路組立品に関する。第１および第２のドーピング領域（１、２）内に形成される放電ドーピング領域（７）により、平坦化の間に生成される電荷キャリアを確実に除去することが可能になり、それにより樹状結晶形成を避ける。好ましくは、放電ドーピング領域（７）は、第１および／または第２のドーピング領域（１、２）のドーパント濃度よりも著しく高いドーパント濃度を有する。
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【課題】 金属配線層を形成する際に、半導体装置に対するプラズマダメージを抑制することが可能な半導体装置の製造方法、及びフォトマスクを提供する。
【解決手段】 フォトマスクＭは、金属配線２０ｂ，２０ｃをそれぞれ形成するための遮光パターン（金属配線遮光部）３０ｂ，３０ｃと、放電パターン２１を形成するための遮光パターン（放電パターン遮光部）３１とを備えている。放電パターン遮光部３１は、金属配線遮光部３０ｃの近傍に備えられており、金属配線遮光部３０ｃに向かって突出する山型の凸部３１ａを有している。ここで、金属配線遮光部３０ｃと凸部３１ａの頂点との間隔Ｄ０は、フォトマスクＭによってパターニングされるレジスト膜Ｒにおいて、金属配線形成部４０ｃと、凸部４１ａの頂点との間隔Ｄ１が最小加工間隔Ｅ１より小さくなるように設定されている。 （もっと読む）

【課題】エレクトロマイグレーションの発生を抑制できる電源配線構造を提供すること。
【解決手段】本電源配線構造は、互いに異なる配線層である第１、第２の電源配線１０１０，１０３０を備え、かつ、前記両電源配線１０１０，１０３０が互いの交差領域でビア１０６０により電気的に接続されている電源配線構造であって、前記交差領域から第１の電源配線１０１０の配線方向１０２０に第２の電源配線１０３０が延長されて第３の電源配線１０７０が構成され、かつ、第１および第３の電源配線１０１０，１０７０がビア１０６０により電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】 層間絶縁膜等の膜剥がれを防止し、かつボンディング性を向上させる。
【解決手段】 半導体基板上に積層された層間絶縁膜内にそれぞれ形成された複数の配線と、前記複数の配線を上下方向に接続するビアと、前記複数の配線のうちの少なくとも１つの配線と接続され、外部との電気的接続のためのボンディングワイヤを接続するボンディングエリアを有するボンディングパッドと、前記ボンディングパッドの下部の前記層間絶縁膜内に形成され、前記ボンディングパッドとは電気的に接続されない複数の強化パターンと、複数の前記強化パターンのうち、上下に配置された前記強化パターン同士を接続する強化用ビアとを有し、前記強化パターンは、前記複数の配線と同一の部材から構成されており、かつ、前記ボンディングエリアの直下部分における前記部材のうち、その少なくとも一部に前記部材が存在しない部位を有していることを特徴とする半導体集積回路装置。 （もっと読む）

【課題】異物や膜残り等によるソース電極とドレイン電極との短絡、ドレイン電極やドレイン引出配線の断線及びＴＦＴ動作不良等による画素欠陥に対して、開口率を減少させることなく、点欠陥となる画素を容易かつ確実に修正することができ、液晶表示装置の歩留りを向上させることができるアクティブマトリクス基板を提供する。
【解決手段】基板上に、複数本の走査信号線及びデータ信号線と、信号線の交点に設けられ、ゲート電極が走査信号線に接続され、ソース電極がデータ信号線に接続された薄膜トランジスタと、上記薄膜トランジスタのドレイン電極又はドレイン引出配線に接続された画素電極とを備えるアクティブマトリクス基板であって、上記アクティブマトリクス基板は、データ信号線が少なくとも部分的に複線化された構造を有し、かつ修正用接続電極を備えるアクティブマトリクス基板である。 （もっと読む）

アクティブマトリクス型液晶表示装置の薄膜トランジスタにおける下地電極上の絶縁膜上にフォトエンボッシング材料を用いて凹凸を有する有機膜を形成し、この有機膜にドライエッチングを施して有機膜の膜厚を減少させてコンタクトホール形成領域の絶縁膜を露出させる。その後、露出した絶縁膜にドライエッチングを施してコンタクトホールを形成すると共に下地電極を露出させ、得られた構造上に反射電極を形成して、露出した下地電極と反射電極とを接続する。
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