【課題】接続ブロックを用いたＣＮＴによる横配線を有する電子デバイスであって、接続ブロックとカーボンナノチューブの接続を良好にすること。
【解決手段】側面に第１の面を有する導電性の第１の接続ブロック１３ａと、第１の面に対向する第２の面を有する第２の接続ブロックと、第１の面上に形成される触媒金属微粒子１７ａ、触媒薄膜のいずれかを有する触媒領域１７と、第２の接続ブロックの第２の面上に形成される炭素吸収金属１８ａ、１８ｂを有する炭素元素円筒型構造体吸収領域兼成長阻止領域１８と、触媒領域１７から炭素元素円筒型構造体吸収領域兼成長阻止領域１８に伸びて第１の接続ブロック１３ａと第２の接続ブロック１３ｂを電気的に接続する炭素元素円筒型構造体１９ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】抵抗を低減することが可能な配線を提供する。
【解決手段】第１導電膜１２と第１導電膜１２の上層の第２導電膜２６とを電気的に接続する配線２４であって、第１導電膜１２の上の複数の第１金属粒子１６と、複数の第１金属粒子１６のそれぞれを介して第１導電膜１２の表面に一端を接続する複数の導電部材１８と、複数の導電部材１８のそれぞれの他端側の側面上の複数の第２金属粒子２０と、複数の第２金属粒子２０のそれぞれを介して複数の導電部材１８のそれぞれの表面に一端を接続し、第２導電膜２６にそれぞれ接続する複数の導電部材２２とを備える。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブを用いた配線構造を備える電子デバイスの製造方法について、炭素元素円筒型構造体からなるビアを歩留まり良く形成すること。
【解決手段】基板１上の第１絶縁膜２上に導電パターン５を形成する工程と、第１絶縁膜２と導電パターン５を覆う第２絶縁膜７を形成する工程と、第２絶縁膜７のうち導電パターン５の上にホール７ａを形成する工程と、少なくともホール７ａ内の底面と第２絶縁膜７の上面に金属膜９を形成する工程と、金属膜９の表面に触媒粒子又は触媒膜からなる触媒面１０を形成する工程と、触媒面１０から炭素元素円筒型構造体１１の束を成長する工程と、炭素元素円筒型構造体の束１０の間隙に埋込膜１２を形成する工程と、炭素元素円筒型構造体の束１１及び埋込膜１２及び金属膜９を研磨して第２絶縁膜７の上面から除去するとともに、埋込膜１２及び炭素元素円筒型構造体の束１１をホール７ａ内に残してビア１３を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で容易且つ確実に触媒材料を均一で高密度の微粒子状態に形成し、直径が均一に制御されたムラのない高密度の炭素元素からなる線状構造体の成長を可能とする。
【解決手段】下地材料をＴｉＮとし、シリコン基板１１上に、例えばレーザーアブレーション法によりＴｉＮ微粒子１２を、直径３ｎｍ程度に設定して堆積した後、ＴｉＮ微粒子１２が堆積されたシリコン基板１１上に、例えばレーザーアブレーション法によりＣｏ微粒子１３を、ＴｉＮ微粒子１２と同等或いは小さい大きさ、ここでは直径１ｎｍ程度に設定して堆積する。 （もっと読む）

【課題】 多フィンガーゲート構造のＭＯＳトランジスタにおいて、ゲート抵抗とゲート・ドレイン間容量を、同時に低減する。
【解決手段】 複数のゲート電極が第１の方向に平行に配置された半導体装置において、該ゲート電極、ソース配線、およびドレイン配線より上層に設けられ、前記第１の方向に延在する複数の第１の部分、および該第１の方向と垂直な方向に延在する第２の部分からなるゲート配線を設ける。そして、該ゲート電極の一端は該ゲート配線の第１の部分とコンタクト窓を介して接続され、該ゲート電極の他端は該ゲート配線の第２の部分とコンタクト窓を介して接続される。さらに、該ゲート配線の第１の部分が、前記ドレイン配線と交差することなく、前記ソース配線上に延在し、該ゲート配線の第２の部分に接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】分離溝形成のためのシリコン基板エッチングにおいてエッチングレートを低下させることなく、且つ、チップ面積の増加を防ぐとともに貫通電極形成領域の十分な広さを確保することが可能なチップ積層型の半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１００を貫通する貫通電極１１６と、貫通電極１１６を取り囲むようにシリコン基板１００を貫通して設けられたリング状の分離溝１０３と、分離溝１０３の内周側面１０３ｉｓ及び外周側面１０３ｏｓとそれぞれ接するシリコン膜１０４ｉｓ及びシリコン膜１０４ｏｓと、シリコン膜１０４ｉｓとシリコン膜１０４ｏｓとの間に設けられた絶縁膜１０５とを備える。 （もっと読む）

【課題】コンタクトブロックを用いた炭素元素からなる線状構造体を材料とする配線を、できるだけ工程数を削減して、低コストで容易且つ確実に形成する。
【解決手段】コンタクトブロック１，２の対向面１ａ，２ａを起点として、互いの対向面に向かってそれぞれ複数本のＣＮＴ３ａ，３ｂを成長させてゆき、ＣＮＴ３ａ，３ｂを交差するように接触させて両者を電気的に接合してＣＮＴ束３を形成する。そして、電気的に接合されたＣＮＴ束３の間隙を金属材料４で埋め込み、ＣＮＴ束３と金属材料４との複合状態とされてなる配線５を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、コンタクト層形成後の高温の熱処理後であってもオーミックコンタクトを有し、かつＣＮＴを形成するための触媒として十分に機能する薄膜の形成条件と、触媒層の表面積を広くすることによってＣＮＴの本数を増加させる炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明による炭化珪素半導体装置およびその製造方法は、炭化珪素半導体装置の製造方法であって、（ａ）ＳｉＣ１表面に不純物を導入する工程と、（ｂ）不純物の導入後にＳｉＣ１表面をアニールすることによってＳｉＣ１の表面に凹凸部４を形成する工程と、（ｃ）ＳｉＣ１の凹凸部４の表面を下地として用いて、その上方にＣＮＴ７を形成する工程とを備え、コンタクト電極層５の表面積を広くすることによってＣＮＴ７の本数を増加させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 この発明は、半導体基板またはメタル配線層を介して伝播するノイズを遮蔽・低減することができる半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】 この発明は、半導体基板１０上に形成される複数の半導体素子２９で形成される回路部１１と、複数のメタル配線層１００と、半導体基板１００に形成される拡散層２１，２２を備える半導体集積回路装置において、半導体基板１０に回路部１１を取り囲むように形成される拡散層からなる拡散層ガードリング３０と、拡散層ガードリング３０上に設けられる複数のメタル配線層１００間並びに拡散層３０間とを接続するビア４１を備える第１のメタルガードリング３１と、前記回路部上に蓋をするように配置されたメタル配線からなる第２のメタルガードリング３２と、により、回路部１１を立体的に囲うガードリング部３４を構成する。 （もっと読む）

【課題】電極パッド直下の半導体基板内領域を使うことなく、電極パッド下に受けたダメージが回路素子に影響を及ぼしている可能性があるか否かを電気的に検査する。
【解決手段】電極パッドとして、回路素子に接続されている回路素子用電極パッド１７と、回路素子及び回路素子用電極パッド１７とは絶縁されている検査用電極パッド１７ａを備えている。回路素子用電極パッド１７下を通り、回路素子及び回路素子用電極パッド１７とは絶縁され、検査用電極パッド１７ａと接続されている検査用配線１１−３ａを備えている。回路素子用電極パッド１７にプローブ針が接触された後に検査用配線１１−３ａの抵抗値や層間絶縁膜の容量値、耐圧又はリーク電流を測定し、その測定値を回路素子用電極パッド１７にプローブ針が接触される前の初期値と比較して回路素子用電極パッド１７下のダメージを検査する。 （もっと読む）

【課題】単位面積当たりの容量を大きくする。
【解決手段】半導体集積回路であって、第１の電極と、半導体基板上に形成され、第２の電極を有するトランジスタと、同一の配線層に形成された第３及び第４の電極とを有する。前記第１の電極は、前記トランジスタを構成する拡散領域と接続されている。前記第２の電極は、前記トランジスタのゲートを構成している。前記第３及び第４の電極は、いずれも櫛形の形状を有しており、それぞれの少なくとも一部が前記トランジスタと重なるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】集積回路の所定の領域に供給される電圧を増加するためのシステムおよび方法を提供する。
【解決手段】システムは、集積回路チップを含む。電源配給ネットワークは、集積回路チップに接続され、複数の金属配線層および複数のビア層を具備する。電力平面は、電源配給ネットワークに接続され、それぞれが別々に電源配給ネットワークに接続された２つ以上の分離した部分に分割される。電源は、電力平面の部分に接続され、部分のうちの第１部分に第１電圧を印加するとともに部分のうちの第２部分に第１電圧と異なる第２電圧を印加するように構成される。第１および第２電圧は、集積回路チップに亘って実質的に均一の電圧を生成するように選択される。金属配線層はビアと交互になっている。電力配給ネットワークは、金属層のうちの最上の金属層を電力平面に接続するコンタクト層をさらに具備する。 （もっと読む）

【課題】低誘電率層間絶縁膜と多層配線とを備える半導体装置において、低誘電率層間絶縁膜の表面が雰囲気に露出して吸湿するのを防止し、また、金属配線の界面及び低誘電率層間絶縁膜がコンタクトホール内に露出してオーバーエッチングされるのを防止することを目的とする。
【解決手段】水分の透過を防止しつつエッチングストッパとしても機能するエッチング防止膜４を低誘電率層間絶縁膜３の表面に形成し、更に、水分の透過を防止しつつエッチングストッパとしても機能するエッチング防止膜６を形成して、吸湿防止効果を有するエッチング防止膜を二重にする。 （もっと読む）

【課題】絶縁層への吸湿や絶縁層を通過する水分の配線層やビアへの悪影響を抑制でき、その結果、誘電率の上昇、配線金属の腐食、配線金属の絶縁膜中への滲みだし、リーク電流の増大等の問題のいずれかまたは全てを抑制できる半導体装置を提供する。
【解決手段】本半導体装置は、絶縁性組成物上の溝、穴または溝と穴の両方に、当該絶縁性組成物を窒化してなる窒素含有組成物とフッ素含有組成物と導体とがこの順に積層されてなる構造体を含む。 （もっと読む）

【課題】ＦＩＢ加工によって所望の断面を得る。
【解決手段】解析領域１０に、下層配線１３、上層配線１４およびビア１５と共に、そのビア１５に対する所定の位置に、所定の形状で、複数のマーカ１６を形成する。マーカ１６は、解析領域１０のＦＩＢ加工方向Ｆに断面を形成していったときに、その断面とビア１５との距離によって、その断面における現れ方が異なるように形成する。ＦＩＢ加工時のマーカ１６の現れ方の違いから、形成した断面とビア１５との距離を判別することができ、その判別結果を用いて、所望の断面を容易に精度良く得ることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】 第三者によるリバースエンジニアリングが困難なＩＣの構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】回路素子が形成された半導体基板１上に形成された第１の絶縁層２と、この上に形成され、前記回路素子間を接続する第１の配線層３と、この上に積層された第２の絶縁層４と、この第２の絶縁層４内に形成され、下端が前記第１の配線層３上に達する複数個のヴィアコンタクトホール５、６、７と、これらのヴィアコンタクトホールのうち、特定のヴィアコンタクトホール６の底面に形成された第３の絶縁層８と、この第３の絶縁層８が底面に形成されたヴィアコンタクトホールを含む前記複数個のヴィアコンタクトホール５、６、７内に充填された導電性のプラグ材９と、このプラグ材９が充填された前記第２の絶縁層４上に形成された第２の配線層１０と、を備えた集積回路。 （もっと読む）

【課題】多層配線構造の作製において、すべての多層配線用ビア・配線・電極および放熱用ビアなどを、相互の接続特性を良好に保って、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）束により形成する半導体装置を提供する。
【解決手段】電導素材である、柱状構造をもったカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）束２の少なくとも一つの表面に、Ａｕ膜など金属膜を形成後、下地層を積層し、その上に触媒金属層を形成して、ＣＶＤ法により柱状構造をもったカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）束７を成長することで、二つの柱状構造体カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）束を低抵抗で接続して形成する。この基本構成方法の組合せで、多層配線用の各種電導構成要素を作製する。また、成長条件によりＣＮＴの成長先端部が平坦となることを用いて、Ａｕ膜など金属膜を利用せずに、成長方向に多段に、長いカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）束を作製でき、特に放熱用ビアなどへの適用が可能である。 （もっと読む）

【目的】多層配線の容量低減を図る半導体装置の製造方法或いは半導体装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、配線が形成された配線層上に第１の絶縁性材料膜を形成する絶縁膜形成工程（Ｓ１０８）と、前記絶縁性材料膜に前記配線層まで貫通する複数の孔を形成する開口工程（Ｓ１１２）と、前記複数の孔のうち、前記配線上に位置する孔内にヴィアコンタクト膜を選択的に形成するヴィアコンタクト膜形成工程（Ｓ１１６）と、前記複数の孔のうち前記ヴィアコンタクト膜が形成されずに残った孔にふたをするように、第２の絶縁性材料膜を形成する絶縁膜形成工程（Ｓ１２０）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】微小な貫通孔を有する層間絶縁膜を介して上下の配線を電気的に接続することが可能な多層配線構造の製造方法、微小な貫通孔を有する層間絶縁膜を介して上下の配線が電気的に接続されている多層配線構造、該多層配線構造を有するトランジスタ素子及び該トランジスタ素子を有する画像表示装置を提供する。
【解決手段】多層配線構造の製造方法は、第一の配線２が形成された基板１上に、貫通孔を有する層間絶縁膜３及び第二の配線５が積層されていると共に、貫通孔に導電バンプ４が形成されており、第一の配線２及び第二の配線５が導電バンプ４を介して電気的に接続されている多層配線構造を、スクリーン印刷法を用いて製造し、第一の配線２が形成された基板１上に、層間絶縁膜３の第一の領域を形成する工程、第一の領域が形成された基板１上に、層間絶縁膜３の第二の領域を形成する工程及び導電バンプ４を形成する工程を少なくとも有する。 （もっと読む）

【課題】ビアを用いた多層配線相互間の接続において、電流容量が十分に確保でき、多層配線相互間の信号遅延を防ぐことができ、かつ加工も容易なビアを形成する半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】第１の配線１１、及び第１の配線１１とは異なる層に形成された第２の配線１２、を相互に接続するビア１３を具備し、このビアの平面形状は、円形と方形とを組み合わせた長円パターンとする。これにより大きな接続面積が得られ電流容量が十分に確保できるとともに、フォーカスマージンと加工マージンが上がり形成が容易となる。 （もっと読む）