【課題】コンタクトホールを、生産性良く、低コストで、且つ信頼性良く製造する配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１に第１電極３及び第２電極７が形成される。第１電極３及び第２電極７を連通するように形成された微細穴の側壁部及び底部に、導電膜９を形成してコンタクトホール２を形成する。この配線基板１００の製造する際に、微細穴を形成する微細穴形成工程において、微細穴の側壁部の開口端側に相対的に浅い溝からなる第１溝領域４が形成され、微細穴の側壁部の底部側に相対的に深い溝からなる第２溝領域５が形成される。このように区分けした溝領域４，５のうち、第２溝領域５に導電性材料を含有する液体を付与して、導電膜９を形成する。 （もっと読む）

【課題】研磨工程を含む新規な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板上方に、絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜に、第１の深さを有するダミー溝と、第１の深さよりも深い第２の深さを有する配線溝と、配線溝の底面に配置されるビアホールとを形成する凹部形成工程と、ダミー溝内、配線溝内、ビアホール内、及び絶縁膜上方に、導電材を堆積させる工程と、絶縁膜上方の導電材を研磨除去する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】高性能及び高機能で、高周波特性に優れ、コストダウンに有効な絶縁構造を持つ電子デバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１は、その厚み方向に伸びる縦孔３０を有している。絶縁物充填層３は、縦孔３０内にその内周面を覆うように充填してなる環状層である。縦導体２は、絶縁物充填層３によって囲まれた領域２０内に充填された凝固金属体でなる。絶縁充填層３は、有機絶縁物又はガラスを主成分とする無機絶縁物と、ナノコンポジット構造のセラミックとを有する層である。ナノコンポジット構造のセラミックは、常温比抵抗が１０^１４Ω・ｃｍを超え、比誘電率が４〜９の範囲にある。 （もっと読む）

【課題】半導体素子のビア構造物及び導電構造物を提供する。
【解決手段】前記ビア構造物は、平坦部及び突出部を含む表面を有する。前記導電構造物は前記平坦部のうち、少なくとも一部上に形成され、前記突出部のうち、少なくとも一部上には形成されない。例えば、前記導電構造物は前記平坦部上のみに形成されて前記突出部上には全く形成されない。これによって、前記導電構造物と前記ビア構造物との間に高品質の接続を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】実装基板に信頼性よく実装できる多層構造の再配線を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】バンプ電極１８を備えた半導体基板１０ａと、半導体基板１０ａの上に形成され、バンプ電極１８の横方向に配置された第１絶縁層２０と、第１絶縁層２０の上に形成され、バンプ電極１８に接続された第１配線層３０と、第１配線層３０の上に形成された第２絶縁層２２と、第２絶縁層２２に形成され、第１配線層３０に到達するビアホールＶＨと、第２絶縁層２２の上に形成され、ビアホールＶＨに形成されたビア導体４０を介して第１配線層３０に接続される第２配線層３２と、第２配線層３２に接続された外部接続端子３４とを含み、第２絶縁層２２の弾性率は第１絶縁層２０の弾性率より低く設定されている。 （もっと読む）

【課題】貫通電極を持つ半導体装置を提供する。
【解決手段】パッドと、パッドの下部に配される貫通電極と、を備える半導体装置。貫通電極は、円筒形の第１金属プラグと、第１金属プラグの外周を取り囲む第１半導体レイヤと、第１半導体レイヤの外周を取り囲む第２金属プラグと、第１金属プラグの外周を取り囲む第２半導体レイヤと、第１金属プラグの外周に、第１半導体レイヤ及び第２金属プラグの内周及び外周に、そして第２半導体レイヤの内周に形成される少なくとも一つの絶縁膜と、を備え、第１半導体レイヤ内に第１絶縁膜との界面から広がる空乏層が形成されるように、第１半導体レイヤに第１バイアス電圧を印加するが、第１バイアス電圧は、第２半導体レイヤに印加される第２バイアス電圧とは異なる。 （もっと読む）

【課題】積層される半導体基板同士が、貫通孔の内部に埋め込まれる導電体により、電気的に良好に接続される半導体装置を提供する。
【解決手段】第１半導体基板ＳＣＰは、主表面を有する基板ＳＵＢと、基板ＳＵＢ内および基板ＳＵＢ上に形成された半導体素子ＴＲと、半導体素子ＴＲに電気的に接続された配線ＭＴＬと、基板ＳＵＢの主表面であり、互いに対向する第１主面と第２主面とを貫通し、配線ＭＴＬに達する貫通孔の内部に形成された導電層ＴＳＶとを有する。第１半導体基板ＳＣＰと第２半導体基板ＳＣＰとが積層され、導電層ＴＳＶは第２半導体基板ＳＣＰの配線ＭＴＬと電気的に接続される。導電層ＴＳＶの第２主面では、貫通孔の端部の周囲には凹部ＤＵＭが形成され、凹部ＤＵＭの底壁面は基板ＳＵＢの内部に存在する。導電層ＴＳＶを構成する導電材料ＣＵが凹部ＤＵＭの内部に充填される。 （もっと読む）

【課題】貫通電極の形成に時間を要さず、貫通電極内でのボイドの発生を抑制できる半導体装置、およびこの半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体装置１は、孔１１１が形成された絶縁性あるいは半導体の層１１と、層１１の孔１１１内に設けられた貫通電極１２と、を備える。貫通電極１２は、シード層１２１と、めっき層１２２と、を備える。シード層１２１は、孔１１１の底面１１１Ａを覆う。また、シード層１２１は、孔１１１の側面１１１Ｂのうち、孔１１１の開口から、孔１１１の開口と孔１１１の底面１１１Ａとの間の所定の位置までの第１の領域を未被覆とし、この第１の領域（未被覆領域）１１１Ｂ１を除いた第二の領域を被覆している。めっき層１２２は、シード層１２１と、未被覆領域１１１Ｂ１の少なくとも一部を覆う。 （もっと読む）

【課題】短時間で、配線母体の内部に、種々のトポロジーの貫通配線や連結配線を埋め込むことが可能な配線構造物を提供する。
【解決手段】配線母体１１と、配線母体１１の内部に設けられた複数の穴部の内部にそれぞれ配置された、配線子連続体（Ｑ_i1，Ｑ_i2，Ｑ_i3，……，Ｑ_in-1，Ｑ_in；Ｑ_i+11，Ｑ_i+12，Ｑ_i+13，……，Ｑ_i+1n-1，Ｑ_i+1n）からなる複数の貫通配線部とを備える。複数の配線子連続体のそれぞれをなす複数の配線子Ｑ_i1，Ｑ_i2，Ｑ_i3，……，Ｑ_in-1，Ｑ_in；Ｑ_i+11，Ｑ_i+12，Ｑ_i+13，……，Ｑ_i+1n-1，Ｑ_i+1nのそれぞれは、コア部と、コア部を被覆し、コア部より融点の低い導電体からなるシェル部Ｑ_i,shell，Ｑ_i+1,shellを有する。複数の配線子は、それぞれのシェル部を互いに溶融することにより金属学的に接合される。 （もっと読む）

【課題】配線回路基板において、コンタクト抵抗の上昇を抑制し、熱応力による断線を防止することのできるコンタクト構造を提供する。
【解決手段】 配線回路基板は、第１配線層（５）、第２配線層（７）、及び前記第１配線層と前記第２配線層を電気的に接続するコンタクト配線（６）を有する。前記コンタクト配線は、前記第１配線層のコンタクト面を被覆する第１被覆部（６ａ）と、前記第２配線層のコンタクト面を被覆する第２被覆部（６ｃ）と、前記第１被覆部と前記第２被覆部の間に延びるプラグ部（６ｂ）を有する。前記第１被覆部、前記プラグ部、及び前記第２被覆部は、同一の導電性材料で一体的に形成された内部に界面のないコンタクト配線である。 （もっと読む）

【課題】 ウエーハの表面から補強プレートを容易に剥離可能なウエーハの加工方法を提供することである。
【解決手段】 表面に複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを有するウエーハの加工方法であって、ウエーハの表面に耐熱性ボンド剤を塗布するとともに外周余剰領域に対応する補強リングを該外周余剰領域に貼着して該耐熱性ボンド剤を固化させて、該耐熱性ボンド剤と該補強リングとで補強プレートを形成する補強プレート形成工程と、該補強プレートをチャックテーブルで保持してウエーハの裏面を研削砥石で研削する裏面研削工程と、該補強プレートに配設されたウエーハの裏面からウエーハの表面に形成されたデバイスの電極に接続する貫通電極を形成する貫通電極形成工程と、該補強プレートに該耐熱性ボンド剤を溶融する溶剤を供給して該補強プレートを溶融するとともに該補強リングを除去する補強プレート除去工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ウエーハの表面から補強プレートが容易に剥離可能なウエーハの加工方法を提供する。
【解決手段】表面に格子状に形成された複数の分割予定ラインで区画された各領域にデバイスを有するウエーハの加工方法で、ウエーハの表面に耐熱性ボンド剤で補強プレートを配設して、該補強プレートをチャックテーブルで保持してウエーハの裏面を研削し、該補強プレートに配設されたウエーハの裏面からウエーハの表面に形成されたデバイスの電極に接続する貫通電極を形成する。ウエーハの裏面をチャックテーブルで保持し該補強プレートを切削して耐熱性ボンド剤に至る深さの複数の溝を形成し、該補強プレートを複数のペレットに分割して、該補強プレート側から該耐熱性ボンド剤を溶融する溶剤を供給して該溝内に浸透させて、該耐熱性ボンド剤を溶融するようにしたので、ウエーハの表面からペレットに分割された該補強プレートを容易に除去することができる。 （もっと読む）

【課題】ウエーハの表面から補強プレートを容易に剥離可能なウエーハの加工方法を提供する。
【解決手段】表面に格子状に形成された複数の分割予定ラインによって区画された各領域にデバイスを有するウエーハの加工方法であって、外周に至る複数の溝が支持面に形成された補強プレートの該支持面にウエーハの表面を対面させ、耐熱性ボンド剤を介して該補強プレートにウエーハを配設する補強プレート配設工程と、該補強プレートをチャックテーブルで保持したウエーハの裏面研削工程と、該補強プレートに配設されたウエーハの裏面からウエーハの表面に形成されたデバイスの電極に接続する貫通電極形成工程と、該補強プレートの外周に露出した溝から耐熱性ボンド剤を溶融する溶剤を供給し該溝内に浸透させて、該耐熱性ボンド剤を溶融する耐熱性ボンド剤溶融工程と、ウエーハの表面から該補強プレートを除去する補強プレート除去工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】パッド電極に荷重または衝撃力が加わっても、周囲の絶縁膜にクラックが発生しにくい構造の半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、平面形状が、略円形、略楕円形、少なくとも１つの内角が９０°より大きい略多角形、および、少なくとも１つの角部に面取りや丸みをつけた略多角形、ならびに、これらの少なくとも一部分を含む形状の組合せからなる群から選ばれた平面形状となるような凹部を形成する凹部形成工程と、前記凹部の内面に少なくとも一部を被覆する下敷膜を形成する下敷膜形成工程と、絶縁膜で覆われた前記凹部に導電性の電極材質を埋め込むパッド部形成工程とを含み、前記凹部形成工程は、第１の凹部を形成する工程と、前記第１の凹部の一部分においてさらに深く凹む第２の凹部を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】貫通電極を有する半導体装置において、貫通電極によって被覆された貫通孔の内部を充填する保護層にクラック等が発生する不具合を防止する。
【解決手段】
貫通電極９を被覆するとともに、貫通孔６内を充填する保護層１０を備える半導体装置１において、保護層１０が複数層１１、１２からなり、複数層の保護層のうち最も半導体基板２の一面２ａに近い層が、少なくとも貫通電極の底面９ａと側面９ｂの交差部を被覆し、かつ、ポジ型感光性樹脂を用いて形成されることを特徴とする半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】高周波領域における高周波伝送特性に優れ、コストが安価で、しかも、化学的安定性、電気絶縁性、耐熱衝撃性及び耐熱変形性に優れた絶縁構造を有する電子デバイス用基板及び電子デバイスを提供すること。
【解決手段】環状絶縁部３は、ガラスを主成分とする無機絶縁層３３を含み、無機絶縁層３３は、縦導体２を取り囲んで、半導体基板１に設けられた環状溝３０の内部に充填されている。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系ＨＥＭＴ及びＭＩＭキャパシタを同一基板上に設ける場合でも小型化することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１の表面上に下部電極１１を形成し、下部電極１１上に誘電体膜１２を形成し、誘電体膜１２上に基板１の表面に接する上部電極１４ａを形成する。また、基板１の裏面から基板１をエッチングすることにより、上部電極１４ａの基板１の表面に接する部分に達するビアホール１ａを基板１に形成し、基板１の裏面上にビアホール１ａを介して上部電極１４ａに接するビア配線３６を形成する。 （もっと読む）

【課題】表側と裏側とを有する基板を含むマイクロエレクトロニクス・デバイスに基板を貫通する相互接続部を形成する方法を提供する。
【解決手段】基板の表側に回路素子（１３４）を形成するステップと、回路素子（１３４）に達するトレンチ（１３８）を基板の裏側に形成するステップと、ポリマー絶縁材料からなる層（１４０）をトレンチ（１３８）内に形成するステップと、ポリマー絶縁材料からなる層（１４０）を基板の表側から露出させるために、回路素子（１３４）に開口（１５０）を形成するステップと、ポリマー絶縁材料からなる層（１４０）のうち開口（１５０）によって露出された部分を基板の表側から除去するステップと、回路素子（１３４）と電気的に通じている導電相互接続層（１４２）をトレンチ（１３８）内に形成するステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板２に形成した貫通電極６の導電率及び熱伝導率を向上させる。
【解決手段】電子デバイス１は、表面に窪み４を有し、この窪み４の底面から裏面に貫通する貫通孔３が形成された絶縁基板２と、貫通孔３に充填され、ナノ金属粒子と１０μｍ以下の平均粒径導電性フィラーを混合した金属ペーストの熱処理により形成された貫通電極６と、窪み４に収納され、貫通電極６に電気的に接続される電子部品７と、この電子部品７を封止する封止部９とを備えており、貫通電極６の導電率及び熱伝導率を向上させた。 （もっと読む）