【課題】本発明は、表面エネルギーの低い薄膜に、ダメージなくパターニングを行う薄膜のパターニング方法、デバイス及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】薄膜２０上に、蒸着膜３０を積層する工程と、
前記蒸着膜上に、フォトレジスト層４０を積層する工程と、
フォトリソグラフィにより、前記フォトレジスト層をパターニングし、パターニングされた前記フォトレジスト層を用いて前記蒸着膜をエッチングしてパターニングする工程と、
パターニングされた前記蒸着膜をパターンマスクとして、前記薄膜をエッチングしてパターニングを行う工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層とソース電極層又はドレイン電極層との間のコンタクト抵抗を低減し、電気特性を安定させた薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層の上に高抵抗領域及び低抵抗領域を有するバッファ層を形成し、酸化物半導体層とソース電極層又はドレイン電極層とがバッファ層の低抵抗領域を介して接触するように薄膜トランジスタを形成する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層とソース電極層又はドレイン電極層との間のコンタクト抵抗を低減し、電気特性を安定させた薄膜トランジスタを提供する。また、該薄膜トランジスタの作製方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層より導電率の高いバッファ層を形成し、酸化物半導体層とソース電極層又はドレイン電極層とがバッファ層を介して電気的に接続されるように薄膜トランジスタを形成する。また、バッファ層に逆スパッタ処理及び窒素雰囲気下での熱処理を行うことにより、酸化物半導体層より導電率の高いバッファ層を形成する。 （もっと読む）

【課題】歩留まりの低下を防止して、製造工程の簡素化を図ることが可能になるとともに、製造コストの低減を図ることができる表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体ナノワイヤ３とリフトオフレジスト１２と金属膜１３とが形成された基板１を、気体のマイクロバブルが混合された液体により構成された剥離液に浸漬させることにより、リフトオフレジスト１２とともにリフトオフレジスト１２上の金属膜１３を剥離して、基板２上に金属膜１３からなる所定のパターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホールの加工時において配線のダメージを受けにくく、信頼性の低下を抑制できる構造の接続部を有する半導体装置を提供すること。
【解決手段】接続部１は、第１導電層２と第２導電層４とが、その交差個所に設けられたコンタクトホール５を介して接続されたものである。矩形状のコンタクトホール５は第２導電層４の幅方向の略中央に配置されている。そして、コンタクトホール５のパターンを囲むように矩形状の半導体層３が設けられている。半導体層３は、コンタクトホール５の底部において第１導電層２上に形成されている。この半導体層３は、第１導電層２とのエッチング選択比が高く、第１導電層２に対するエッチング効率が充分に高いものである。 （もっと読む）

【課題】配線を高精細化しても断線が生じ難い、信頼性の高い配線回路を実現する。
【解決手段】配線構造１は、ゲート電極１７・１７ｂ・１７ｃが配された基板９上に配される半導体層１０と、ゲート電極１７・１７ｂ・１７ｃ及び半導体層１０が配された基板９上に配された第２層間絶縁膜１３と、第２層間絶縁膜１３上に配される配線１８とを備え、第２層間絶縁膜１３に形成されたコンタクトホール１５内で、半導体層１０と、配線１８とが電気的に接続され、第２層間絶縁膜１３は感光性樹脂材料からなり、さらに、コンタクトホール１５内には導電性微粒子１６が充填されており、導電性微粒子１６によって、半導体層１０と、配線１８とが電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】全体としてのコンタクト抵抗を小さく維持しつつバリヤ性の高い薄膜の成膜方法及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】凹部６を有する絶縁層４が表面に形成された被処理体Ｗに対して薄膜を形成する成膜方法において、前記凹部内の表面を含む前記被処理体の表面にプラズマＣＶＤ法を用いて窒化チタン膜１０の薄膜を形成する薄膜形成工程と、窒化ガスの存在下でプラズマを用いた窒化処理を行うことにより前記薄膜を窒化する窒化工程と、を有することを特徴とする成膜方法である。これにより、抵抗を小さく維持しつつバリヤ性の高い薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】多層配線を形成する際における配線の加工に要する工程を簡便にすることを課題
とする。また、開口径の比較的大きいコンタクトホールに液滴吐出技術やナノインプリン
ト技術を用いた場合、開口の形状に沿った配線となり、開口の部分は他の箇所より凹む形
状となりやすかった。
【解決手段】高強度、且つ、繰り返し周波数の高いパルスのレーザ光を透光性を有する絶
縁膜に照射して貫通した開口を形成する。大きな接触面積を有する１つの開口を形成する
のではなく、微小な接触面積を有する開口を複数設け、部分的な凹みを低減して配線の太
さを均一にし、且つ、接触抵抗も確保する。 （もっと読む）

【課題】バリアメタル層を省略して透明画素電極と直接接続させた場合にも、低いコンタクト抵抗と電気抵抗を示し、好ましくは耐熱性や耐食性にも優れた表示装置用Ａｌ合金膜を提供する。
【解決手段】表示装置の基板上で、透明導電膜と直接接続されるＡｌ合金膜であって、Ａｌ合金膜は、Ｎｉ及び／又はＣｏを０．１〜６原子％、Ｇｅを０．１〜２原子％含有すると共に、アルミマトリックス結晶粒界Ｇｅ濃度が、前記Ａｌ合金膜のＧｅ濃度の１．８倍超を満足するＡｌ合金膜である。 （もっと読む）

半導体構造体は、基板（１２）と、基板を覆うシード層（１３）と、シード層上に配置されるシリコン層（２２）と、シリコン層中のトランジスタデバイス（２７）と、シード層上に配置されるＩＩＩ−Ｖ族デバイスと、複数の電気コンタクトと、を備え、それぞれの電気コンタクトは、ＴｉＮまたはＴａＮの層（３２）と、ＴａＮまたはＴｉＮの層上の銅またはアルミニウムの層（３４）と、を備え、電気コンタクトの１つは、トランジスタ（２７）に電気的に接続され、電気コンタクトの別の１つは、ＩＩＩ−Ｖ族デバイスに電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】オフ電流を低減することが可能な有機トランジスタアレイ、表示パネル及び表示装置を提供する。
【解決手段】マトリクス状に設けられている走査線１１及び信号線１２と、走査線１１と接続するゲート電極２１と、ゲート電極２１及び走査線１１を覆うように形成されている第１のゲート絶縁膜と、信号線１２と接続するソース電極２３と、チャネル領域Ｃを挟んでソース電極２３と対向して形成されているドレイン電極２４と、チャネル領域Ｃに形成されている有機半導体層２５とを備え、走査線１１及び信号線１２が交差して形成されている画素領域Ａ１、Ａ２に設けられる有機トランジスタ２０とを有する有機トランジスタアレイ１０において、ゲート電極２１は、更に平面視でドレイン電極２４と信号線１２とに挟まれる領域Ｓに形成され、有機半導体層２５は、更に平面視でドレイン電極２４と信号線１２に挟まれる領域Ｓ１に形成されている。 （もっと読む）

第１の薄膜メタライゼーション層と第２の薄膜メタライゼーション層とを電気的に接続する回路ビアの形成のための手法が述べられる。ビアの形成では、第１のメタライゼーション層の陽極酸化に先立って、ビア接続領域に配置される陽極酸化バリア及び／又は補助パッドを使用する。バリアを形成するために使用される材料は、陽極酸化の際に陽極酸化液を実質的に透過せず、導電層とバリアとの間に酸化物が形成されることを阻止するものである。補助パッドは非陽極酸化性であり、陽極酸化の際に、パッドを通じて電流が流れることを実質的に防止するためにバリアによって覆われる。陽極酸化の後に、バリアは除去される。補助パッドが充分な導電性を有する場合には、バリアの除去後に第１のメタライゼーション層上に残存されてもよい。第２のメタライゼーション層が陽極酸化層上に配置され、ビア接続領域において第１の導電層と電気的に接触する。
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【課題】マイクロコンタクトプリント法を利用し、簡便に、安定して微細なパターンを有する有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】マスク７を介して、基板５にエネルギーを付与することにより、相対的に、臨界表面張力の大きな高表面自由エネルギー部５ａと臨界表面張力の小さな低表面自由エネルギー部５ｂとを形成する。マイクロコンタクトプリント法を用いて臨界表面張力の大きな高表面自由エネルギー部５ａにインク３を付着させる。高表面自由エネルギー部５ａでは、スタンプ１からインク３が転写されやすく、低表面自由エネルギー部５ｂでは、表面自由エネルギーが小さいためにスタンプ１からインク３が転写されにくくなるため、有機ＴＦＴ素子の製造において、電極パターンの微細化や、電極層の厚膜化が可能となる。 （もっと読む）

【課題】配線層に新たな機能を有する素子を設けた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板上に形成された第１配線層１５０、及び半導体素子２００を備える。第１配線層１５０は、絶縁層１５６と、絶縁層１５６の表面に埋め込まれた第１配線１５４とを備える。半導体素子２００は、半導体層２２０、ゲート絶縁膜１６０、及びゲート電極２１０を備える。半導体層２２０は、第１配線層１５０上に位置する。ゲート絶縁膜１６０は、半導体層２２０の上又は下に位置する。ゲート電極２１０は、ゲート絶縁膜１６０を介して半導体層２２０の反対側に位置する。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁層に対する密着性が良好で、且つ有機半導体層との間の寄生抵抗が低いソース電極とドレイン電極とを有する有機薄膜トランジスタを実現する。
【解決手段】本発明の有機薄膜トランジスタは、絶縁性基板上に、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、ソース電極と、ドレイン電極と、有機半導体層とを備える有機薄膜トランジスタであり、上記ソース電極と絶縁性基板若しくはゲート絶縁層との間、及び上記ドレイン電極と絶縁性基板若しくはゲート絶縁層との間に、金を主成分とした合金からなる密着層をそれぞれ備え、上記ソース電極及びドレイン電極は金からなり、上記密着層は、金の含有量が、６７原子％以上９７原子％以下の範囲内である。 （もっと読む）

【課題】配線層間の正常な電気的導通が取れている半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】基板上又は基板の表面層に少なくとも２層の配線層を備え、前記２層の配線層の内、下層配線層がシリコンからなる際に、前記下層配線層と上層配線層間に炭化珪素層を備えたことを特徴とする半導体装置により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】表示パネルに設けられるパッド部として適した構造を提供することを目的の一とする。酸化物半導体の他、絶縁膜及び導電膜を積層して作製される各種用途の表示装置において、薄膜の剥がれに起因する不良を防止することを目的の一とする。
【解決手段】走査線と信号線が交差し、マトリクス状に配列する画素電極層と、該画素電極層に対応して設けられた画素部を有し、該画素部に酸素の含有量が異なる少なくとも二種類の酸化物半導体層とを組み合わせて構成され、ゲート電極層と重なるチャネル形成領域となる半導体層上にチャネル保護層が設けられた逆スタガ型薄膜トランジスタが設けられた表示装置である。この表示装置において画素部の外側領域には、走査線、信号線を構成する同じ材質の導電層によって、画素電極層と対向する共通電極層と電気的に接続するパッド部が設けられている。 （もっと読む）

【課題】透明導電性微粒子を含む流動性材料の塗布により、ゲート電極を形成する方法において、従来よりも低抵抗、かつ充分な表面平滑性をもった透明導電膜の製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板１０６上に、金属酸化物微粒子（ＩＴＯ）及び金属酸化物の前駆体を含む薄膜１０４”を塗布する。この薄膜にマイクロ波を照射することにより、前駆体が発熱体として作用し、焼成され、導電性薄膜を形成する。これをパターンニングしゲート電極１０４とする。ついで、ゲート絶縁膜１０５を形成し、半導体前駆体を塗布、乾燥し、半導体前駆体材料薄膜１０１’を得る。これにマイクロ波を照射することにより、ゲート電極が発熱し、この熱により半導体前駆体材料薄膜が加熱され、酸化物半導体膜に変換され半導体層１０１が形成される。マスクを介して金を蒸着し、ソース、ドレイン電極１０２，１０３を形成し、薄膜トランジスタとする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置及びその製造方法について、ホウ素含有タングステン層を核形成層とする場合に、コンタクト抵抗値の増大を抑制する。
【解決手段】半導体装置１００は、半導体基板１０１上に形成された第１絶縁膜１０３と、第１絶縁膜１０３に埋め込まれた導電膜１０９を含み且つ半導体基板１０１に達するコンタクト１１０と、半導体基板１０１及び第１絶縁膜１０３のそれぞれと、導電膜１０９との間に形成され、高融点金属を含む第１バリア層１０７とを備える。更に、第１バリア層１０７と導電膜１０９との間に形成され、第１バリア層１０７よりも水分透過性の低い第２バリア層１１８を備える。 （もっと読む）

【課題】耐熱性に優れ、不均一動作が抑制される高周波高出力半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板上に形成される複数の電界効果トランジスタが並列接続される単位セルを、さらに複数並列接続する半導体装置において、この単位セルを構成する電界効果トランジスタの複数のゲート電極同士を接続するゲートバス配線に接続され、複数の導電層が積層した構造を有するゲートパッド電極と、隣接するゲートパッド電極間同士を接続し、ゲートパッド電極外周部の少なくとも一辺に沿って形成され、ゲートパッド電極を構成する複数の導電層の少なくとも一つの導電層で形成される抵抗体とを有することを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）