【課題】隣接するシェアードコンタクト間の短絡が発生するおそれの少ないＳＲＡＭセルを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に形成された、トランスファトランジスタ、ドライバトランジスタおよびロードトランジスタをそれぞれ２つずつ含むＳＲＡＭセルと、前記ＳＲＡＭセル上に形成された層間絶縁膜と、前記トランスファトランジスタに属する第１のゲート電極、および前記ドライバトランジスタと前記ロードトランジスタに共有される第２のゲート電極と、前記第２のゲート電極と、前記ロードトランジスタのソース・ドレイン領域との両方に接続される、前記層間絶縁膜中に形成されたシェアードコンタクトと、を有し、前記ＳＲＡＭセル内において、前記第１のゲート電極が、前記第１のゲート電極と前記第２のゲート電極のゲート幅方向の中心との間に、前記第２のゲート電極の前記シェアードコンタクトが接続される領域が配置されない位置に配置される。 （もっと読む）

【課題】活性層を保護するとともにドレイン電極と画素電極との電気的導通を十分確保できるような保護層を設けたトランジスタアクティブ基板を提供する。
【解決手段】トランジスタアクティブ基板は、基板３０１、ゲート電極３０２、ゲート絶縁膜３０３、ソース電極３０４、ドレイン電極３０５および活性層３０６から構成される薄膜トランジスタ上に、保護膜３０７および画素電極３０８が配置されており、ドレイン電極３０５の表面粗さをＲａ（Ｍ）、保護膜３０７の膜厚をＤ（Ｉ）としたときに、Ｄ（Ｉ）≦Ｒａ（Ｍ）×１５の関係にある。 （もっと読む）

【課題】工程効率が向上し、かつ、信頼性が向上した酸化物半導体薄膜トランジスタ基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体薄膜トランジスタは、絶縁基板上に形成され、ゲート電極を含むゲート線と、ゲート線と交差しドレイン電極接続部を含むデータ線と、ゲート電極の周辺に形成される酸化物半導体活性層パターンと、データ線と酸化物半導体活性層パターンの上に形成されドレイン電極接続部を露出する第１開口部、及び酸化物半導体活性層パターンを露出する第２開口部を有するパシベーション層と、第１開口部及び第２開口部によって酸化物半導体活性層パターンとドレイン電極接続部とを電気的に接続するドレイン電極とを含む。 （もっと読む）

【課題】ビアホールの形成に関連する歩留まりの低下を抑制し、また、スループットを向上することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁性基板１上にＧａＮ層２及びｎ型ＡｌＧａＮ層３を形成し、その後、ゲート電極４ｇ、ソース電極４ｓ及びドレイン電極４ｄを形成する。次に、ソース電極４ｓ、ＧａＮ層２及びｎ型ＡｌＧａＮ層３に、少なくとも絶縁性基板１の表面まで到達する開口部６を形成する。次いで、開口部６内にＮｉ層８を形成する。その後、Ｎｉ層８をエッチングストッパとするドライエッチングを高速で行うことにより、絶縁性基板１に、その裏面側からＮｉ層８まで到達するビアホール１ｓを、冷却等によりその側壁に化合物膜１９を堆積させながら形成する。そして、ビアホール１ｓ内から絶縁性基板１の裏面にわたってビア配線１６を形成する。 （もっと読む）

【課題】低温プロセスにて、基板上に無機粒子の分散液を用いた液相法により低抵抗な導電性無機膜を安定して製造する。
【解決手段】導電性無機膜1は、酸化処理により切断可能な化学結合により結合された分散剤３０により表面が被覆された複数の無機粒子２０と有機溶剤とを含む原料液を用いて、液相法により複数の無機粒子２０を含む薄膜前駆体１２を基板１１上に成膜する工程（A）と、薄膜前駆体１２に、１００℃超、且つ、薄膜前駆体１２中に含まれる有機成分のうち最も熱分解開始温度が高い有機成分の熱分解開始温度以下、且つ、基板１１の耐熱温度以下の条件で酸化処理を施して、薄膜前駆体１２中に含まれる無機粒子２０の表面の化学結合を切断して分散剤３０を表面から脱離させるとともに、薄膜前駆体１２中に含まれる有機成分を分解して導電性無機膜１を形成する工程（B）を順次実施して製造されたものである。 （もっと読む）

【課題】外部ストレスによる亀裂などの破損による形状不良や特性不良などの半導体装置の不良を低減することを目的の一とする。よって、信頼性の高い半導体装置を提供することを目的の一とする。また、作製工程中においても上記不良を低減することで半導体装置の製造歩留まりを向上させることを目的の一とする。
【解決手段】一対の第１の耐衝撃層及び第２の耐衝撃層に挟持された半導体集積回路において、半導体集積回路と第２の耐衝撃層との間に衝撃拡散層を有する。外部ストレスに対する耐衝撃層と、その衝撃を拡散する衝撃拡散層とを設けることで、半導体集積回路の単位面積あたりに加えられる力を軽減し、半導体集積回路を保護する。衝撃拡散層は弾性率が低く、破断係数が高い方が好ましい。 （もっと読む）

【課題】 キーホール・シームの形成を排除した信頼性が高い高アスペクト比のコンタクト構造体を含む半導体構造を提供する。
【解決手段】 キーホール・シームの形成は、本発明においては、誘電体材料内部に存在する高アスペクト比のコンタクト開口部内に高密度化貴金属含有ライナを設けることによって排除される。高密度化貴金属含有ライナは拡散バリアの上に配置され、これら両方の要素は、本発明のコンタクト構造体の導電性材料を、下層の半導体構造体の導電性材料から分離する。本発明の高密度化貴金属含有ライナは、第１の抵抗率を有する貴金属含有材料の堆積、及び、堆積した貴金属含有材料の抵抗率をより低い抵抗率に減少させる高密度化処理プロセス（熱又はプラズマ）を、堆積した貴金属含有材料に施すことによって形成される。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極の周囲に形成される空洞と保護膜に形成されるホールとの境界部分の開口を封止しやすい構造を実現する。
【解決手段】半導体装置を、ゲート電極３と、高さが低い部分６Ａと高さが高い部分６Ｂとを有する階段状の空間６をゲート電極３の周囲に有する保護膜４と、高さが低い部分６Ａに接するように保護膜４に形成されたホール５とを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜にコンタクトホール有する回路基板を安価に提供する。
【解決手段】多層配線からなる回路基板であって、層間絶縁膜を介し下部電極と上部電極とが接続されるコンタクトホールがマトリックス状に二次元的に配列されている回路基板の形成方法において、二次元的に配列されている所定の形状のペースト吐出領域を有するスクリーン版であって、スクリーン版において近接する３つ以上のペースト吐出領域から吐出した絶縁ペースト同士がダレにより二次元的に接合することによりコンタクトホールが形成されるように印刷を行う印刷工程と、印刷された絶縁ペーストを硬化させる硬化工程とを含むことを特徴とする回路基板の形成方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】電荷を蓄積させる量を容易に調整可能であり、信号遅延回路において信号遅延量を所望に調整可能にする。
【解決手段】セレクタ回路３００が、第１半導体部１００の電位および第２半導体部２００の電位を調整し、第１半導体部１００と信号配線１０との間と、第２半導体部２００と信号配線１０との間との少なくとも一方において電位差を生じさせる。これにより、第１半導体部１００と信号配線１０との間と、第２半導体部２００と信号配線１０との間との少なくとも一方を、静電容量素子として機能させる。 （もっと読む）

【課題】 第一に、低温での焼成が可能であり、耐溶剤性、絶縁性を十分に兼ね備えた絶縁膜を形成するための絶縁性インキ組成物を提供する。第二に、該インキ組成物から形成される絶縁性膜を提供する。更に第三に、該インキ組成物を用いた柔軟性基材上に絶縁膜を設けた電子素子を提供する。
【解決手段】 第一に、有機溶剤、固形多官能型変性エポキシ樹脂、及び架橋剤を必須成分として含有することを特徴とする絶縁膜形成用インキ組成物を提供する。特に、前記固形多官能型変性エポキシ樹脂をインキ組成物中の全固形成分に対し７０％以上含有する絶縁膜形成用インキ組成物を提供する。第二に、前記絶縁膜形成用インキ組成物より形成される絶縁膜、第三に、前記した絶縁膜をゲート絶縁膜としての構成部材とする有機トランジスタ素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】多層配線形成時のプラズマダメージによるＶｔ変動を利用してＶｔを制御した高耐圧半導体デバイス、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】同一のシリコン基板上に、３５０Å以上のゲート絶縁膜２０、４０を有する複数のＭＯＳトランジスタ１０、３０を備え、ゲート電極１２、３２が前記ゲート絶縁膜２０、４０と接している部分の面積Ｓｇと、前記ゲート電極２０、４０側から見たときに前記ゲート電極２０、４０上に形成されたコンタクト１４、３４の総開口面積Ｓｃと、の面積比が異なるＭＯＳトランジスタ１０、３０を有することを特徴とする高耐圧半導体デバイス。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上のサブミクロン構造について、メタライゼーションに先立つ予備洗浄を提供する。
【解決手段】この方法は、酸素、CF4/O2の混合物またはHe/NF3の混合物のような反応性ガスのプラズマからのラジカルを用いてサブミクロン構造を洗浄することを含み、このプラズマは、好ましくは遠隔プラズマ源により発生され、ラジカルは基板が配置されるチャンバーに供給される。サブミクロン構造内に残留する自然酸化物は、好ましくは、第二の工程において水素を含むプラズマからのラジカルで還元される。第一のまたは両方の洗浄工程に続いて、当該構造は、利用可能なメタライゼーション技術によって金属で充填することができる。これは、典型的には、アルミニウム、銅またはタングステンの蒸着に先立って、露出した誘電体表面にバリア／ライナー層を蒸着することを含む。この予備洗浄およびメタライゼーション工程は、入手可能な一貫処理プラットホーム上で行うことができる。 （もっと読む）

【課題】デュアルストレスライナを介して開口部を形成する際に、オーバーエッチングよるダメージの影響を少なくして製造歩留まりを向上させる。
【解決手段】基板１００にＮＦＥＴ１０１、ＰＦＥＴ１０３、及び配線１０２を形成し、全面に伸張応力誘起層１０５を形成し、ＮＦＥＴ１０１上に伸張応力誘起層１０５が残るようにエッチングし、全面に圧縮応力誘起層３０１を形成し、ＰＦＥＴ１０３上及び配線上１０２の圧縮応力誘起層３０１の厚さを部分的に減少させ、全面に絶縁膜５０２を形成し、絶縁膜５０２、伸張応力誘起層１０５、及び圧縮応力誘起層３０１をエッチングして、ＮＦＥＴ１０１、ＰＦＥＴ１０３、及び配線１０２に通じる開口部５０１を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、基板上に導電性特徴部を形成するための方法および安定剤により安定化される金属ナノ粒子を用いる薄膜トランジスタを製造するための方法を提供することにある。
【解決手段】本発明は、基板上に導電性特徴部を形成するための方法および安定剤により安定化される金属ナノ粒子を用いる薄膜トランジスタを製造するための方法であって、その安定剤、不安定化剤、およびその他の反応副生成物を、１）例えば約１８０℃より低い低温での熱アニール、または２）該基板を溶媒で洗浄することによって除去することができるようにし、それによって広範な基板上に金属特徴部を形成するために使用することができる方法である。 （もっと読む）

【課題】銅−マンガン合金技術を用いて銅コンタクトを形成する場合において、コンタクトホールの底部にもバリア層としてのマンガン酸化物層を形成させる。
【解決手段】半導体装置１００は、半導体基板１０１上に形成された金属含有化合物層１０２と、金属含有化合物層１０２上を含む半導体基板１０１上に形成された絶縁体膜１０３と、絶縁体膜１０３に、金属含有化合物層１０２に達するように形成されたコンタクトホール１０４と、コンタクトホール１０４に形成されたコンタクトプラグと、絶縁体膜１０３及び金属含有化合物層１０２のそれぞれとコンタクトプラグとの間に形成されたマンガン酸化物層１１９とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体素子は、第１素子、第１素子の上側に形成されるシリコンエピ層、シリコンエピ層上に形成される第２素子、第１素子と第２素子とを電気的に連結する連結ビアを含む。この半導体素子の製造方法は、第１素子が形成される段階、第１素子の上側にシリコンエピ層が形成される段階、シリコンエピ層を貫通する連結ビアが形成される段階、及びシリコンエピ層上に形成されて連結ビアと電気的に連結される第２素子が形成される段階を含む。 （もっと読む）

【課題】ソースドレイン領域のサイズが増大することがない局所配線構造を備えた半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１１の上に形成されたゲート電極２２及び半導体基板１１におけるゲート電極２２の両側方にそれぞれ形成された第１のソースドレイン領域２９Ａ及び第２のソースドレイン領域２９Ｂを有するトランジスタ１２と、半導体基板１１の上における第１のソースドレイン領域２９Ａを挟んでゲート電極２２と反対側に形成されたゲート配線４２と、ゲート配線４２と第１のソースドレイン領域２９Ａとを接続する局所配線構造６０とを備えている。局所配線構造６０は、第１のソースドレイン領域２９Ａ及びゲート配線４２の上面に跨って形成されたＳｉＧｅ層６１によって構成されている。 （もっと読む）

【課題】導電パターンの形成方法とそれを利用した薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】導電パターンを備える平板表示装置において、ベース部材を用意するステップと、ベース部材に導電パターンと同じ形態の凹部を形成するステップと、凹部に導電性物質を塗布して導電パターンを形成するステップと、を含む導電パターンの形成方法である。ベース部材は、凹部を備えるプラスチック基板を備えるか、または基板と、基板上に形成されて凹部を備える絶縁膜とを備える。 （もっと読む）

【課題】薄膜抵抗層を損傷することなく形成して、抵抗値の制御性を向上するとともに、微細化にも有利な薄膜抵抗体の製造方法を提供する。
【課題の解決手段】半導体基板１上に設けた絶縁層２上に薄膜抵抗層３のパターンを形成する工程と、レジストのパターンを用いて薄膜抵抗層３の配線接続領域に金属層６を形成する工程と、レジストを除去した後に金属層６を含む薄膜抵抗層３全体を覆うように層間絶縁膜７を形成する工程と、層間絶縁膜７に金属層６に達する開口部（コンタクトホール）１０を形成する工程と、少なくとも開口部（コンタクトホール）１０を含む領域に金属層６と接続される配線層１２を形成する工程とを、順次施す。 （もっと読む）