【課題】 動作不良を抑制するのに適する半導体装置を提供すること。
【解決手段】 半導体チップ１と、半導体チップ１に積層された第１電極パッド２１と、方向ｘに延びる第１の縁４９ａと、方向ｙに延びる第２の縁とに規定された矩形状を呈する中間層４と、半導体チップ１とともに中間層４を挟むように配置された複数のバンプ５と、を備え、複数のバンプ５のいずれか一つは、複数のバンプ５のうち、方向ｘの一端且つ方向ｙの一端に配置され並びに第１電極パッド２１に導通する第１バンプ５１であり、複数のバンプ５のいずれか一つは、第１電極パッド２１に導通する第２バンプ５２である。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホールを、生産性良く、低コストで、且つ信頼性良く製造する配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１に第１電極３及び第２電極７が形成される。第１電極３及び第２電極７を連通するように形成された微細穴の側壁部及び底部に、導電膜９を形成してコンタクトホール２を形成する。この配線基板１００の製造する際に、微細穴を形成する微細穴形成工程において、微細穴の側壁部の開口端側に相対的に浅い溝からなる第１溝領域４が形成され、微細穴の側壁部の底部側に相対的に深い溝からなる第２溝領域５が形成される。このように区分けした溝領域４，５のうち、第２溝領域５に導電性材料を含有する液体を付与して、導電膜９を形成する。 （もっと読む）

【課題】ビアを形成するとともに配線を形成する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施の形態の半導体装置の製造方法は、まず、第１のパターンを導電体上に形成された被加工材に転写することにより、第１のパターンを有する第１の溝を被加工材の上部に形成する工程を行い。次に、第１のパターンと一部が重なる第２のパターンを被加工材に転写することにより、第１および第２のパターンの和集合からなるパターンを有する第２の溝を被加工材の上部に形成し、第１および第２のパターンの積集合からなるパターンを有し、底部に導電体が露出する孔を被加工材の第２の溝の下に形成する工程を行い。孔内にビアを形成し、第２の溝内に配線を形成する工程を行う、ことを含む。 （もっと読む）

【課題】殊に銅ボンディングとの両立性の点で高い信頼性を有するボンディングコンタクトを提供すること。
【解決手段】半導体基板上の、補強構造体を有するボンディングコンタクトにおいて、このボンディングコンタクトには、半導体基板上に配置される少なくとも１つの第１金属層と、この第１金属層の上方に配置される第３金属層とを有しており、第１金属層には、パターンを有する補強構造体が収容され、第３金属層は、ボンディング面を有するボンディングコンタクト層であり、さらに上記のボンディング面の下方かつ第１金属層の上方に絶縁層が配置されており、この絶縁層は、ボンディング面の縁部を越えて突き出ている。る、ボンディング個所（１）において、上記の補強構造体は、ボンディング面の上側から見た場合にこのボンディング面の下方において第１金属層内に構成されており、この補強構造体には誘電体島が含まれている。 （もっと読む）

【課題】絶縁層の凹部に導電体を十分に充填させることができる半導体装置の配線形成方法を提供する。
【解決手段】はじめに、低誘電率層２１上に所定パターンで形成されたメタルハードマスク層２５をマスクとして低誘電率層２１をエッチングすることにより形成された凹部２４を有する基板を準備する。次に、低誘電率層２１上のメタルハードマスク層２５を薬液により除去する。その後、低誘電率層２１の凹部２４に導電体２３を充填する。このようにして、ダマシン法により、半導体装置３０の配線が形成される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の歩留まりと信頼性を向上させる。
【解決手段】配線凹部に埋め込まれた部分以外のバリアメタル膜３ｂ上のＣｕ膜５ｂを化学機械研磨によって除去する。そして配線凹部内のＣｕ膜５ｂ上に、添加元素からなる層６ｂを形成する。添加元素を層６ｂからＣｕ膜５ｂ中に拡散させて、Ｃｕ表面、及びＣｕ結晶粒の粒界及び該粒界近傍の位置においてＣｕ結晶粒内部よりも添加元素の濃度が高い界面及びその近傍を形成するとともに、Ｃｕ膜５ｂ中の酸素を層６ｂにゲッタリングさせる。その後、余剰な層６ｂを除去し、さらに絶縁膜上のバリアメタル膜３ｂを除去する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子のビア構造物及び導電構造物を提供する。
【解決手段】前記ビア構造物は、平坦部及び突出部を含む表面を有する。前記導電構造物は前記平坦部のうち、少なくとも一部上に形成され、前記突出部のうち、少なくとも一部上には形成されない。例えば、前記導電構造物は前記平坦部上のみに形成されて前記突出部上には全く形成されない。これによって、前記導電構造物と前記ビア構造物との間に高品質の接続を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】ダイシング等で半導体装置を個片化する際に加工のダメージ又は膜の残留応力などに起因して発生する、基板上の膜の剥離を抑制することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１０１，１０２の周辺すなわち個片化のための加工ラインの近傍の基板１上に溝６を形成する。その溝の内部では基板上に成膜される薄膜が少なくとも１部で不連続となることにより、万一、半導体装置の端部から膜剥がれが発生したとしても、この溝部でその進行を阻止する。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕを主要な成分とする再配線に設けられた外部接続用Ａｕパッドの剥離を抑制する。
【解決手段】Ｃｕ膜１５ａの上部にＮｉ膜１５ｂを積層した２層膜からなる再配線１５の表面には、ワイヤが接続されるパッド１８が形成されている。パッド１８は、Ｎｉ膜１９ａの上部にＡｕ膜１９ｂを積層した２層膜からなり、再配線１５の上面および側面を覆うように一体形成されている。これにより、再配線１５とパッド１８の接触面積が大きくなるので、パッド１８が再配線１５から剥がれ難くなる。 （もっと読む）

【課題】多ブロック半導体デバイスにおいて熱を抽出しかつ遮蔽するための方法及び装置。
【解決手段】一実施形態は、互いに上下して積み重ねられる複数のブロック２０５，３０５は、熱伝導材料で充填される垂直バイア２４０，３５０によって相互に接続され、かつ埋込み式の熱伝導層３４０によって分離される。熱伝導層は、複数のブロックのうちの一番上または下へ熱抽出層または接地平面として接着される。熱伝導層は、高い熱伝導率を有する。基板１１０上には、断熱層２１０，３２０が堆積される。断熱層は、基板の加熱を低減するための温度勾配をサポートすることができる。断熱層の内部には埋込み式の熱伝導層が形成され、これは、基板を介して外部の熱抽出層へ接続される垂直バイアを有する。半導体層はこの断熱層上へ堆積され、電気配線用にパターン化される。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＯＳ回路を構成するｎチャネルＭＩＳＦＥＴとｐチャネルＭＩＳＦＥＴの両者において、キャリア移動度を高めて高い性能を実現する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板の第１領域及び第２領域において第１ゲート絶縁膜及び第１ゲート電極（１６，１７）を形成し、第１ゲート電極の両側部における半導体基板中にソースドレイン領域を形成し、ソースドレイン領域の導電性不純物を活性化し、第１ゲート電極を被覆して全面に半導体基板に応力を印加するストレスライナー膜（２７，２８）を形成し、少なくとも第１領域に形成された部分のストレスライナー膜は残しながら第２領域における第１ゲート電極の上部部分のストレスライナー膜を除去し、第２領域における第１ゲート電極の上部を露出させて第１ゲート電極を全て除去して第２ゲート電極形成用溝Ｔを形成し、第２ゲート電極形成用溝内に第２ゲート電極（３１，３２）を形成する。 （もっと読む）

【課題】実装基板に信頼性よく実装できる多層構造の再配線を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】バンプ電極１８を備えた半導体基板１０ａと、半導体基板１０ａの上に形成され、バンプ電極１８の横方向に配置された第１絶縁層２０と、第１絶縁層２０の上に形成され、バンプ電極１８に接続された第１配線層３０と、第１配線層３０の上に形成された第２絶縁層２２と、第２絶縁層２２に形成され、第１配線層３０に到達するビアホールＶＨと、第２絶縁層２２の上に形成され、ビアホールＶＨに形成されたビア導体４０を介して第１配線層３０に接続される第２配線層３２と、第２配線層３２に接続された外部接続端子３４とを含み、第２絶縁層２２の弾性率は第１絶縁層２０の弾性率より低く設定されている。 （もっと読む）

【課題】高い電荷移動度を有し、大面積表示装置に対して均一な電気的特性を得ることができる薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁基板上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極上に形成されたＳｉＮｘから構成された第１ゲート絶縁膜と、前記第１ゲート絶縁膜の上に形成されたＳｉＯｘから構成された第２ゲート絶縁膜と、前記ゲート電極と重畳するように形成され、チャネル部を有する酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層及び前記ゲート電極の上部に形成されたＳｉＯｘから構成された保護膜とを含み、前記保護膜はドレイン電極拡張部を露出するコンタクトホールを含む。ここで、前記コンタクトホールは、ドレイン電極拡張部を直接的に露出する部分の保護膜が、その上部の保護膜よりさらに狭い領域を占める形状を有する。 （もっと読む）

【課題】コンタクトプラグを、配線のバリア層に安定して接続できる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、バリア層を介して配線に接続されたコンタクトプラグ、第1及び第２の絶縁膜を有する。第１の絶縁膜は、配線及びバリア層の側面を覆い少なくともバリア層よりも上方で配線が延在する方向と直交する方向の幅が狭まる傾斜面を有し、バリア層の上面の一部を露出すると共に配線及びバリア層の側面を露出させないように形成された開口部を備える。第２の絶縁膜は、開口部の内側を除き第１の絶縁膜上に形成され、かつ開口部を備える。 （もっと読む）

【課題】微小なコンタクトホールを形成し、集積回路を微細化することを目的とする。
【解決手段】スイッチング素子および各配線を覆う層間絶縁膜１１１として有機材料を用い、且つ、金属膜１１２のマスクを用い、ドライエッチング法によってコンタクトホールを形成し、配線１１４を形成する。 （もっと読む）

【課題】配線抵抗が低く配線間の絶縁性の高い回路基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、Ｃｕを含む導電性材料の配線構造体を形成し、配線構造体の表面に、Ｃｕ−Ｎ結合を有する絶縁性の拡散防止膜を形成した後、拡散防止膜が形成された配線構造体を覆うように、絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】積層される半導体基板同士が、貫通孔の内部に埋め込まれる導電体により、電気的に良好に接続される半導体装置を提供する。
【解決手段】第１半導体基板ＳＣＰは、主表面を有する基板ＳＵＢと、基板ＳＵＢ内および基板ＳＵＢ上に形成された半導体素子ＴＲと、半導体素子ＴＲに電気的に接続された配線ＭＴＬと、基板ＳＵＢの主表面であり、互いに対向する第１主面と第２主面とを貫通し、配線ＭＴＬに達する貫通孔の内部に形成された導電層ＴＳＶとを有する。第１半導体基板ＳＣＰと第２半導体基板ＳＣＰとが積層され、導電層ＴＳＶは第２半導体基板ＳＣＰの配線ＭＴＬと電気的に接続される。導電層ＴＳＶの第２主面では、貫通孔の端部の周囲には凹部ＤＵＭが形成され、凹部ＤＵＭの底壁面は基板ＳＵＢの内部に存在する。導電層ＴＳＶを構成する導電材料ＣＵが凹部ＤＵＭの内部に充填される。 （もっと読む）

【課題】 配線の特性の劣化を生じさせることなく、額縁面積を削減することが可能な回路基板、及び、該回路基板を備える表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 支持基板上にトランジスタ及び外部接続端子が載置されたトランジスタ基板と、該トランジスタ基板上に取り付けられた外付け部材とを含んで構成される回路基板であって、上記外付け部材は、導電部材を介して外部接続端子と電気的かつ物理的に接続されており、上記トランジスタは、外部接続端子と横並びに配置されている回路基板である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、製造コストの増加を抑制可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、半導体基板部１０、誘電体膜２２、再配線２４、上部電極２５、絶縁膜２６、及び外部接続端子２８を有する。半導体基板部１０は、回路が形成され、回路にそれぞれ接続される下部電極１５、上部電極パッド１６、接続パッド１７、１８を上面に有する。誘電体膜２２は、下部電極１５を被い、上部電極パッド１６、接続パッド１７、１８の上面に達する開口部を有する。再配線２４は、一部の接続パッド１７、１８に電気的に接続される。上部電極２５は、誘電体膜２２を介して下部電極１５の上面に対向して配置され、上部電極パッド１６に接続され、再配線２４を含む。絶縁膜２６は、誘電体膜２２、再配線２４、及び上部電極２５を被う。外部接続端子２８は、絶縁膜２６を貫通し再配線２４に接続され、絶縁膜２６の上面から露出する。 （もっと読む）

【課題】ダイシングブレードの寿命を延ばすことができるとともに、半導体装置のエッジ部へのダメージを低減できる半導体装置を提供する。
【解決手段】機能素子領域２においては、第３層間絶縁膜２７表面とパッシベーション膜３３との間には、下配線２５に接続される上配線２９およびキャップメタル層３２が形成されている。下配線２５はＣｕ以外の配線材料からなり、上配線２９はＣｕからなる。このキャップメタル層３２におけるパッシベーション膜３３のパッド開口３４から露出した部分が第１パッド６である。一方、スクライブ領域３においては、第３層間絶縁膜２７表面とパッシベーション膜３３との間には、下配線２５に接続されるキャップメタル層３２が形成されている。このキャップメタル層３２におけるパッシベーション膜３３のパッド開口４４から露出した部分が第２パッド１０である。 （もっと読む）