【課題】Ｗを材料とする接続部の下地膜の形成工程として、形成容易なプロセスを選択することができ、下層のＣｕ配線である第１の配線のＣｕの浸食を抑制することにより、第１の配線と接続部との間における接触抵抗を低く抑えるとともにその均一性を高め、信頼性の高い半導体装置を実現する。
【解決手段】熱ＣＶＤ法によりＷＦ₆、Ｈ₂及びＢ₂Ｈ₆を含有し、シラン系ガスを含有しない第１の供給ガスを用いてＷ膜１８ａを形成した後、ＷＦ₆及びＨ₂を含有する第２の供給ガスを用いてＷ膜１８ｂを形成し、ＣＭＰを経て、ビア孔１６をＷ膜１８で充填するＷプラグ１９を形成する。 （もっと読む）

【課題】コンタクト抵抗を減らし、ギャップフィル特性を向上させることにより、コンタクトプラグ上に低抵抗金属配線を形成する金属配線形成方法を提供する。
【解決手段】金属配線形成方法は、半導体基板の上部の第２の絶縁膜１６にコンタクトホール１８を形成する段階、上記第２の絶縁膜の表面に沿ってＴｉＮ膜を含む第１のバリアメタル膜２０を形成するが、上記ＴｉＮ膜が上記第２の絶縁膜の側壁及び上部の表面より上記コンタクトホールの下部にさらに薄く形成されるように上記第１のバリアメタル膜を形成する段階、上記コンタクトホールを含む上記第１のバリアメタル膜上に第１の金属層を形成する段階、上記第１の金属層がリフローされ平坦化されながら上記コンタクトホールが満たされるように熱処理を行う段階、上記第１の金属層上に第２の金属層を形成する段階及び上記第２の金属層をパターニングして上部金属配線２４ａを形成する段階を含んでなる。 （もっと読む）

【課題】
下地との優れた密着性を有し、銅やシリコンの拡散を防止し低抵抗銅配線を備えた液晶画像表示装置を提供する。
【解決手段】
アモルファスシリコン等を形成した基板上に、窒化物の生成自由エネルギが負の金属を添加した銅−金属合金ターゲットを用いて窒素＋アルゴン雰囲気で金属元素と窒素とを含有する銅を主成分とする合金層を形成する。次にアルゴンのみで銅と金属の合金膜を成膜することで拡散バリアを有する金属元素を含有する銅を主成分とする合金膜と、金属元素と窒素とを含有する銅を主成分とする合金膜との積層配線を形成する。 （もっと読む）

【解決課題】集積回路用のサブミクロン相互接続構造を製作する方法を提供する。
【解決手段】添加剤を含み、平坦で光沢があり延性があり低応力のＣｕ金属を付着させるのに通常用いられる浴からＣｕを電気めっきすることによって、ボイドのないシームレスな導体が得られる。ボイドまたはシームを残すことなくフィーチャを超充填できるこの方法の能力は独特であり、他の付着方法より優れている。この方法で電気めっきされたＣｕを利用する構造のエレクトロマイグレーションの抵抗は、ＡｌＣｕ構造または電気めっき以外の方法で付着されたＣｕを用いて製作された構造のエレクトロマイグレーションの抵抗より優れている。 （もっと読む）

【課題】電気特性に優れ、信頼性の高い薄膜トランジスタを有する表示装置を生産性よく作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に微結晶半導体膜を成膜し、微結晶半導体膜の表面からレーザビームを照射して微結晶半導体膜の結晶性を改善する。次に、結晶性が改善された微結晶半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成する。また当該薄膜トランジスタを有する表示装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスターを提供する。
【解決手段】ガラス基板１の上にゲート電極膜２を形成し、前記ガラス基板１およびゲート電極膜２の上に窒化珪素膜３を形成し、前記窒化珪素膜３の上にアモルファスＳｉ膜４を形成し、前記アモルファスＳｉ膜４の上にバリア膜を介していずれもＣｕ−Ｏ−ＡＥＭ（アルカリ土類金属）銅合金膜１５の下地層を有するＣｕ−ＡＥＭ（アルカリ土類金属）銅合金からなるドレイン電極膜５およびソース電極膜６を形成し、前記アモルファスＳｉ膜４、ドレイン電極膜５およびソース電極膜６の上に窒化珪素膜３´を被覆形成してなる薄膜トランジスターにおいて、前記バリア膜は、Ｃｕ−Ｓｉ−Ｏ−ＡＥＭ（アルカリ土類金属）銅合金膜１９で構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスターを提供する。
【解決手段】ガラス基板１の上にゲート電極膜２を形成し、前記ガラス基板１およびゲート電極膜２の上に窒化珪素膜３を形成し、前記窒化珪素膜３の上にアモルファスＳｉ膜４を形成し、前記アモルファスＳｉ膜４の上にバリア膜を介していずれもＣｕ−Ｏ−Ｚｎ銅合金膜１５の下地層を有するＣｕ−Ｚｎ銅合金からなるドレイン電極膜５およびソース電極膜６を形成し、前記アモルファスＳｉ膜４、ドレイン電極膜５およびソース電極膜６の上に窒化珪素膜３´を被覆形成してなる薄膜トランジスターにおいて、前記バリア膜は、Ｃｕ−Ｓｉ−Ｏ−Ｚｎ銅合金膜１９で構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスターを提供する。
【解決手段】ガラス基板１の上にゲート電極膜２を形成し、前記ガラス基板１およびゲート電極膜２の上に窒化珪素膜３を形成し、前記窒化珪素膜３の上にアモルファスＳｉ膜４を形成し、前記アモルファスＳｉ膜４の上にバリア膜を介していずれも酸素含有銅膜１５の下地層を有する純銅からなるドレイン電極膜５およびソース電極膜６を形成し、前記アモルファスＳｉ膜４、ドレイン電極膜５およびソース電極膜６の上に窒化珪素膜３´を被覆形成してなる薄膜トランジスターにおいて、
前記バリア膜は、銅、シリコンおよび酸素からなる酸素含有銅合金膜１９で構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

半導体装置は、半導体基板上に形成された絶縁膜と、絶縁膜中に形成され、銅又は銅合金からなる埋め込み配線とを備え、絶縁膜と埋め込み配線との間に、白金族元素、又は白金族元素の合金からなるバリアメタル層を有しており、バリアメタル層は、相対的にバリア性が高くなる非晶質度を有する非晶質構造を一部に含んでいる。
（もっと読む）

【課題】バリアメタル層を省略しても優れたＴＦＴ特性を発揮し得、ソース−ドレイン配線をＴＦＴの半導体層に直接かつ確実に接続することができる技術を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタの半導体層３３と、ソース−ドレイン電極２８，２９とを有する薄膜トランジスタ基板において、ソース−ドレイン電極２８，２９は、窒素を含有する窒素含有層、または窒素及び酸素を含有する酸素窒素含有層２８ａ、２９ａと、純Ｃｕ又はＣｕ合金の薄膜２８ｂ、２９ｂとからなっている。窒素含有層を構成する窒素の一部若しくは全部、または、酸素窒素含有層を構成する窒素または酸素の一部若しくは全部は、薄膜トランジスタの半導体層３３のＳｉと結合している。また、純ＣｕまたはＣｕ合金の薄膜２８ｂ、２９ｂは、窒素含有層または酸素窒素含有層２８ａ、２９ａを介して薄膜トランジスタの半導体層３３と接続している。 （もっと読む）

【課題】反射防止膜としてＴｉＮ膜を用いる場合において、アッシング工程にてＴｉＮ膜がＡｌ合金配線から剥離するのを抑制できるようにする。
【解決手段】シリコン基板上に形成されるＡｌ合金配線層の反射防止膜としてのＴｉＮ膜１３ｆ、１６ｆの結晶粒界に充填物質１３ｇ、１６ｇを充填する。このようにすれば、Ａｌ−Ｃｕ膜１３ｃ、１６ｃへの酸素（Ｏ₂）ラジカルの進入を防ぐことが可能となる。従って、酸素（Ｏ₂）ラジカルとＡｌ−Ｃｕ膜１３ｃとが反応してＡｌｘＯｙが形成されることが防止され、ポリマー除去時にＡｌｘＯｙがフッ素ラジカルによって還元され、反射防止膜１３ｆ、１６ｆがＡｌ−Ｃｕ膜１３ｃから剥離することもない。 （もっと読む）

【課題】金属半導体化合物からなるゲート電極を採用して十分な低抵抗化を図るも、煩瑣な構成・製造工程を付加することなく、容易且つ確実にゲート電極の閾値電圧の十分に広範囲な制御を可能とし、信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体領域に例えばシリコン基板を用い、ゲート電極材料に多結晶シリコンを用いる場合、多結晶シリコン膜を炭素、窒素及び酸素のうちから選ばれた少なくとも１種である添加元素を含有するように形成して半導体層とした後、この半導体層上にＮｉ，Ｃｏ，Ｐｄ，Ｐｔ等の高融点金属膜を積層して熱処理してシリサイド化し、ゲート電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高くかつ初期のビア抵抗値のばらつきが小さい半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置は、第１の絶縁層１０内に形成されている第１の配線１２と、第１の絶縁層１０および第１の配線１２上に形成されている第２の絶縁層２０内に形成されている第２の配線１２とを有する半導体装置である。ここで、第１の配線１２および第２の配線２２の少なくともいずれかはＣｕＡｌ配線である。また、第２の配線２２は、そのビアプラグ部２２ｖで、複数のバリア層２４を介在して、第１の配線１２に電気的に接続している。また、バリア層において、ＣｕＡｌ配線と接触するＣｕＡｌ接触バリア層は、窒素原子含有量が１０原子％未満である。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ配線のエレクトロマイグレーション耐性を向上させる。
【解決手段】Ｃｕ配線１０を、その中央部のＣｕ粒子１０ａが比較的大きく、その上部や下部のＣｕ粒子１０ａが比較的小さくなるような構造にする。このような構造は、Ｃｕ配線１０をダマシン法により形成する際の電解めっき時の電流密度を制御することによって形成することができる。このような構造にしたＣｕ配線１０では、その上部よりも中央部に比較的電流が流れやすくなり、その上部のＣｕ原子の拡散が抑えられるようになり、また、それにより、キャップ膜１４界面からのＣｕ原子の拡散が抑えられるようになる。 （もっと読む）

【課題】ヒステリシスを有するＭＩＭ素子を配列した電子装置を、高い歩留まりで製造可能とする。
【解決手段】電子装置は、基板と、前記基板上に互いに平行に第1の方向に延在するように形成されたダミーパターンと、前記ダミーパターンの相対向する第1および第２の側壁面にそれぞれ形成された第1および第2の導電性側壁膜よりなり、各々前記第1の方向に延在する一対の下部電極パターンと、前記基板上に、前記ダミーパターンおよび前記一対の下部電極パターンを覆って形成された、金属酸化物よりなるヒステリシス膜と、前記ヒステリシス膜上に、前記第1の方向とは異なる第2の方向に延在するように形成された導電膜よりなる上部電極パターンと、よりなる。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成される配線材料であって、好ましくは、アルミニウム合金薄膜と画素電極とが直接コンタクトすることが可能な配線材料であって、耐アルカリ性に優れた配線または電極の材料を提供する。
【解決手段】基板５１の上に設けられた配線または電極５６であって、配線または電極５６は、基板５１側から順に、窒素含有アルミニウム合金の第１の薄膜５２と、アルミニウム合金の第２の薄膜５３とからなる積層構造を有している。第１の薄膜５２中に含まれる窒素の比率は、１３原子％以上５０原子％以下である。 （もっと読む）

【課題】本発明はトランジスタのソース・ドレイン拡散層と配線を多結晶シリコンによって接続したコンタクトプラグを有する半導体装置に関し、特に拡散層中に残留する欠陥を低減して接合リーク電流を減少できる半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、トランジスタのソース拡散層及び又はドレイン拡散層へのコンタクトが多結晶シリコンのコンタクトプラグである半導体装置において、前記ソース拡散層及び又はドレイン拡散層と多結晶シリコンのコンタクトプラグの間に格子間シリコンまたは空孔の拡散を防止する拡散防止膜を形成した。 （もっと読む）

【課題】焼成後の金属膜の表面に析出する析出物の発生を抑制することが可能な金属膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】水溶性ポリマー及び金属化合物を含有する金属膜形成用組成物において、金属化合物以外の金属物質の含有量を、５０ｐｐｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】 既存のＣＶＤタングステン・プラグ金属化技術と比べて減少したプラグ抵抗を示し得る構造体を提供すること。
【解決手段】 基板上に配置されたキャビティを有するパターン形成された誘電体層と、キャビティの底部に配置された、コバルト及び／又はニッケルのようなシリサイド又はゲルニウム化物層と、誘電体層の上部及びキャビティの内部に配置され、前記底部においてシリサイド又はゲルニウム化物層に接触する、Ｔｉ又はＴｉ／ＴｉＮを含むコンタクト層と、コンタクト層の上部及びキャビティの内部に配置された拡散バリア層と、バリア層の上部に配置された、めっきのための随意的なシード層と、ビア内の金属充填層とを含むコンタクト金属（メタラジ）構造体が、その製造方法と共に提供される。金属充填層は、銅、ロジウム、ルテニウム、イリジウム、モリブデン、金、銀、ニッケル、コバルト、カドミウム、亜鉛、及びこれらの合金から成る群から選択される少なくとも１つの部材を用いて電着される。金属充填層がロジウム、ルテニウム、又はイリジウムである場合、金属充填物と誘電体との間に有効な拡散バリア層を必要としない。バリア層が、ルテニウム、ロジウム、又はイリジウムのようにめっき可能である場合、シード層を必要としない。 （もっと読む）

【課題】貴金属シード層上への導体めっきの表面酸化問題を実質的に低減する、シングルまたはデュアル・ダマシン型の相互接続構造体およびそれを形成する方法を提供する。
【解決手段】本発明によれば、貴金属シード層を処理するために水素プラズマ処理が用いられ、その結果、処理された貴金属シード層は表面酸化に対して非常に耐性がある。本発明の耐酸化性貴金属シード層は、低いＣ含有量または低い窒素含有量あるいはその両方を有する。 （もっと読む）