【課題】 隣接するゲート電極を狭ピッチで配置できる上、埋め込みによりシリコン基板面上での微細化を向上させることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 シリコン半導体基板１上に形成された隣り合うトランジスタのゲート電極と、トランジスタ間に金属層を埋め込んでなり、各ゲート電極９，１０の端部がゲート絶縁膜８を介して金属層の端面に重なるように配置された埋め込み金属層７と、各ゲート電極の他端部側に形成されたＬＤＤ領域１６，１７とを備える。 （もっと読む）

【課題】エレクトロマイグレーション耐性を向上させた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第１金属配線８上の層間絶縁膜１０に、第１金属配線８に達する接続孔１０ａおよび配線溝１０ｂを形成する。第１金属配線８上に予めキャップ層９ａを形成していたとしても、接続孔１０ａの形成の際に、接続孔１０ａ内のキャップ層９ａの一部あるいは全部が除去されてしまう。本発明では、接続孔１０ａを形成後に、接続孔１０ａの底部のみに選択的にキャップ層９ｂを形成する。キャップ層９ｂの形成後に、接続孔１０ａおよび配線溝１０ｂ内にバリアメタル層１７および金属層１８を埋め込んで、コンタクト１９および第２金属配線２０を形成する。 （もっと読む）

【課題】 トランジスタを形成する際に、そのトランジスタの下方に形成されている膜が受ける熱的ダメージを低減することができる半導体装置とその製造方法を提供すること。
【解決手段】 第１絶縁膜３７の上に遮蔽膜３８を形成する工程と、遮蔽膜３８の上に第２絶縁膜３９と非晶質半導体膜４０とを順に形成する工程と、非晶質半導体膜４０にエネルギービームを照射し、少なくとも薄膜トランジスタのチャネルとなる部分の非晶質半導体膜４０を溶融して多結晶半導体膜４１にする工程と、上記チャネルの上の多結晶半導体膜４１上にゲート絶縁膜４３ａとゲート電極４４ａとを順に形成する工程と、ゲート電極４４ａの横の多結晶半導体膜４１にソース／ドレイン領域４１ａを形成し、該ソース／ドレイン領域４１ａ、ゲート絶縁膜４３ａ、及びゲート電極４４ａでTFT６０を構成する工程と、を有する半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】高速動作が可能なＬＤＤ型ＭＩＳＦＥＴと、かつ高電圧駆動が可能なＬＤＤ型ＭＩＳＦＥＴとを内蔵する半導体集積回路装置を低コストで実現する。
【解決手段】高速動作が可能なＭＩＳＦＥＴは、ゲートサイドウオール層に自己整合された高濃度領域に金属シリサイド層を有し、高電圧駆動が可能なＭＩＳＦＥＴは、上記ゲートサイドウオール層の幅よりも大きい幅を有するＬＤＤ部を有し、そのＬＤＤ部に接して高濃度領域を有し、そしてその高濃度領域に金属シリサイド層を有する。 （もっと読む）

【課題】金属層を被着させ除去するための新しい処理技術を提供する。
【解決手段】本発明の一態様においては、ウェハ上に導電性フィルムを電気メッキするための方法例が提供されている。該方法は、第１の密度の凹部領域上で平面となる前に第１の電流密度範囲内で凹部領域および非凹部領域を有する半導体構造上に電気メッキする工程および金属フィルムを金属層が凹部領域上で平面となった後に第２の電流密度範囲内で電気メッキする工程を含む。第２の電流密度範囲は、第１の電流密度範囲よりも大きい。１つの例においては、該方法は更に、金属層が第２の密度の凹部領域上で平面となるまで第２の電流密度範囲内で電気メッキする工程およびその後第３の電流密度範囲内で電気メッキする工程を包含し、ここで第２の密度は第１の密度よりも大きい。 （もっと読む）

パターン形成方法は、流動性を有する物質よりなる流動性膜を形成する工程と、押圧面に凹部及び凸部のうち少なくとも一方を有する押圧部材の押圧面を流動性膜に押圧して、凹部及び凸部のうち少なくとも一方を流動性膜に転写する工程と、押圧面を流動性膜に押圧した状態で流動性膜を第１の温度に加熱して、凹部及び凸部のうち少なくとも一方が転写されている流動性膜を固化することにより、固化膜を形成する工程と、固化膜を第１の温度よりも高い第２の温度に加熱して、固化膜を焼成することにより、焼成された固化膜よりなるパターンを形成する工程とを備える。
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【課題】 １から５ｎｍの厚さの金属キャップを用いた改良されたオンチップＣｕ相互接続を提供する。
【解決手段】 開示されているのは、層間の誘電体又は誘電体拡散障壁層の堆積に先立って、１から５ｎｍの厚さの元素でＣｕダマシン配線の表面をコーティングする手順である。そのコーティングは、酸化に対する防御をもたらし、Ｃｕと誘電体の間の密着力を増し、そしてＣｕの界面拡散を減少させる。さらに、その薄いキャップ層はＣｕのエレクトロマイグレーション寿命を増し、応力により誘起されたボイド発生を減らす。選択された元素は、Ｃｕ配線間のショートを引き起こすことなしに、下層の誘電体中に埋込まれたＣｕの上に直接堆積することができる。これらの選ばれた元素は、酸素及び水に関する負の高い還元電位と、Ｃｕへの低い溶解度、及びＣｕとの化合物形成に基づいて選ばれている。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕの拡散から生じるリーク電流の発生を低減し、オーバーハングを抑制することを目的とする。
【解決手段】半導体基板（図示せず）上に形成された下層配線１０１に絶縁性バリア膜１０２及び層間絶縁膜１０３を順次形成する。次に、層間絶縁膜１０３を除去して絶縁性バリア膜１０２に到達するビア１０４及びビア１０４に到達するトレンチ１０５を形成する。次に、層間絶縁膜１０３の露出している部分に改質層２００を形成した後、改質層２００を除去し、丸み１０５ｂ、丸み１０５ａ及び丸み１０４ａを形成する。次に、ビア１０４の底面の絶縁性バリア膜１０２を除去する。次に、ビア１０４及びトレンチ１０５にバリアメタル膜１０６を堆積し、リスパッタを行う。次に、バリアメタル膜１０６上にＣｕ膜１０７を堆積し、Ｃｕ膜１０７及びバリアメタル膜１０６を研磨してビアプラグ１０８及び上層配線１０９を形成する。 （もっと読む）

本発明は、基板の表面を、金属材料から作られる核生成フィルムで被覆する方法に関し、前記表面は、導電性又は半導電性表面であり、凹部及び／又は凸部を含む。 本発明方法は、有機フィルムを表面上に蒸着する工程であって、前記フィルムの厚さが、その自由面が、導電性又は半導電性表面（その上に、フィルムが蒸着されている）の凹部及び／又は凸部に共形的にならうものから成る工程；金属材料の前駆体を、表面上に蒸着した有機フィルムに挿入する工程であって、前記表面上に有機フィルムを蒸着させることから成る工程と同時の又はその後に続く工程；及び金属材料の前駆体を金属材料に変換する工程にある。 本発明方法は、集積回路、超小型電子相互接続及びマイクロシステムの製造のために使用することができる。
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【課題】ストレスマイグレーションによる動作不良を抑制すること。
【解決手段】第１の層間絶縁膜１３に形成された配線溝に第１のバリアメタル層１４とＣｕを主とする配線材１５が埋め込まれて下層配線１６が形成されている。第１の層間絶縁膜１３及び下層配線１６上に絶縁膜１７，１８が形成されている。絶縁膜１７，１８に形成されたホール内に第２のバリアメタル層２０とＣｕを主とするプラグ材２１が埋め込まれてヴィアプラグ２２ａ，及びスリット状ダミープラグ２２ｂが形成されている。スリット状ダミープラグ２２ｂは上層配線２６ａに接続しない。 （もっと読む）

【課題】白金族金属、白金族合金または白金族金属の導電性酸化物を主成分とする膜を電極材料に用いた容量素子を有するＤＲＡＭの微細化を推進する。
【解決手段】酸化シリコン膜４３に溝４４を形成した後、あらかじめ酸化シリコン膜４３の下層に形成しておいた導電性下地膜４２をカソード電極とする電解メッキ法によって、溝４４の内部にＰｔ膜４５を形成する。その後、酸化シリコン膜４３をエッチングで除去した後、Ｐｔ膜４５をマスクにして導電性下地膜４２をドライエッチングすることにより、Ｐｔ膜４５とその下部に残った導電性下地膜４２とで容量素子の下部電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】 配線材料であるＡｌと電極材料であるＰｔとの反応を効果的に抑制することができる、金属酸化物誘電体を用いたキャパシタを備える半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 金属酸化物誘電体を容量絶縁膜に用いるキャパシタを備える半導体装置の製造方法であって、半導体基板の上方に第１絶縁膜を介して第１電極６及び容量絶縁膜７を形成する工程と、第１絶縁膜上に第２絶縁膜９を形成する工程と、容量絶縁膜７の上面を露出する工程と、酸素雰囲気中で熱処理する工程と、容量絶縁膜７の上面に第１導電膜１０ａと第２導電膜１０ｂ，１０ｃとの積層膜からなる第２電極１０を形成する工程と、第２絶縁膜９上に第３絶縁膜１３を形成する工程と、第３絶縁膜に第２電極の一部を露出する開口部１４を形成する工程と、開口部１４内を覆うように第３導電膜１５を形成する工程と、第３導電膜１５上に配線層１６を形成する工程と、を含む半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

半導体装置の製造方法は、基板の上に流動性を有する絶縁性物質よりなる流動性膜を形成する工程と、押圧部材の平坦な押圧面を前記流動性膜に押圧して流動性膜の表面を平坦化する工程と、押圧面を流動性膜に押圧した状態で流動性膜を第１の温度に加熱して表面が平坦化されている流動性膜を固化することにより、表面が平坦な固化膜を形成する工程と、表面が平坦な固化膜を前記第１の温度よりも高い第２の温度に加熱して固化膜を焼成することにより、表面が平坦な焼成膜を形成する工程とを備え
ている。
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本発明は、半導体デバイスの製造方法に関するものである。この方法では、半導体デバイスは、基板（１０）を具え、この基板（１０）は、表面（２５）を有する低−ｋの前駆物質層（２０）で覆われている。この工程の後、部分硬化工程が行われ、前記低−ｋの前駆物質層（２０）の表面（２５）またはその近くに緻密層（３０）が形成される。この緻密層（３０）は、保護層（３０）として作用することができる。前記低−ｋの前駆物質層（２０）は、未硬化、または部分的に硬化された状態で適用できる特性を有する材料の群から選択される。この方法の主な利点は、前記緻密層（３０）が、前記低−ｋの前駆物質層（２０）自体から形成されるため、別個の保護層（３０）を低−ｋの前駆物質層（２０）に設ける必要がない点である。したがって、前記緻密層（３０）は、前記低−ｋの前駆物質層（２０）に対して良好な接着性を有する。
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【課題】ＴＥＧ上のパッド部の浸食を防止し、また、実デバイスのパッド部の半田のぬれ性や半田形成後のシェア強度の向上を図る。
【解決手段】半導体ウエハのチップ領域ＣＡの第３層配線Ｍ３およびスクライブ領域ＳＡの第３層配線Ｍ３を、それぞれ、ＴｉＮ膜Ｍ３ａ、Ａｌ合金膜Ｍ３ｂおよびＴｉＮ膜Ｍ３ｃで構成し、チップ領域ＣＡの再配線４９上の第２パッド部ＰＡＤ２を洗浄し、もしくはその上部に無電界メッキ法でＡｕ膜５３ａを形成する。さらに、Ａｕ膜５３ａ形成後、リテンション検査を行い、その後、さらに、Ａｕ膜５３ｂを形成した後、半田バンプ電極５５を形成する。その結果、ＴｉＮ膜Ｍ３ｃによってＴＥＧであるスクライブ領域ＳＡの第３層配線Ｍ３の第１パッド部ＰＡＤ１のメッキ液等による浸食を防止でき、また、Ａｕ膜５３ａ、５３ｂによって第２パッド部ＰＡＤ２の半田のぬれ性や半田形成後のシェア強度の向上を図ることができる。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、四酸化ルテニウム含有ガスから基板表面上にルテニウム含有層を形成するための装置及び方法を提供する。一般に、方法には、基板表面を四酸化ルテニウム蒸気にさらして、基板表面上に触媒層を形成するステップと、続いて基板表面上のデバイス構造を少なくとも１つの堆積プロセスによって充填するステップとが含まれる。一実施形態において、ルテニウム含有層は、外部容器内で四酸化ルテニウムを生成し、その後、生成した四酸化ルテニウムガスを処理チャンバ内に位置する温度制御された基板表面に分配することによって基板表面上に形成される。他の実施形態において、ルテニウム含有層が四酸化ルテニウム含有溶媒を用いて、基板表面上に形成される。他の実施形態において、溶媒は四酸化ルテニウム含有溶媒から分離され、残りの四酸化ルテニウムは基板表面上にルテニウム含有層を形成するために用いられる。 （もっと読む）

【課題】その後の加工プロセスとの整合性を有し、絶縁層の表面をより簡便にかつ効率良く疎水化することができ、かつ、絶縁層のより深い領域を疎水化することができる表面疎水化方法、ならびに半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁層２０を加熱により活性化する工程と、（Ａ）反応性シラン化合物および（Ｂ）有機溶媒を含む表面疎水化用組成物を前記絶縁層の表面に接触させる工程とにより、前記絶縁層の表面に疎水性膜を形成する疎水化処理方法および前記疎水性膜を含む半導体装置。 （もっと読む）

半導体装置の製造方法は、押圧面に凸部を有する押圧部材の押圧面を流動性膜に押圧して、流動性膜に凸部が転写されてなる第１の凹部を形成する。次に、押圧面を流動性膜に押圧した状態で流動性膜を第１の温度に加熱して流動性膜を固化して、第１の凹部を有する固化膜を形成する。次に、固化膜を第１の温度よりも高い第２の温度に加熱して固化膜を焼成して、第１の凹部を有する焼成膜を形成する。次に、焼成膜の上に、第２の凹部形成用の開口部を有するマスクを形成した後、焼成膜に対してマスクを用いてエッチングして、焼成膜に少なくとも第１の凹部と連通する第２の凹部を形成する。焼成膜の第１の凹部及び第２の凹部に金属材料を埋め込んで、金属材料よりなるプラグ及び金属配線を形成する。
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【課題】簡易な方法により、導電体を確実に充填して貫通電極を形成することができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、開口部１８ａを有する支持体１８を基板１０表面側に取り付ける工程、基板１０をその裏面側から薄化する工程、基板裏面に第１絶縁膜１９を形成する工程、支持体１８の開口部１８ａに繋がる貫通孔１３を基板１０に形成する工程、第２絶縁膜１４を基板１０の貫通口１３内部に形成する工程及び基板１０の貫通孔１３内部に導電体１６を充填する工程を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】窒化膜５のエッチング時に、広ゲートピッチＰ１間において、拡散層４が損傷を受けることがあった。
【解決手段】はじめにシリコン基板１上に隣り合って複数の拡散層４、ゲート２およびサイドウォール３を形成する。次いで拡散層４、ゲート２およびサイドウォール３上に、表面がゲート２の上端よりも高い位置にあり、かつ、狭ゲートピッチＰ間の間隙の全体に充填されるように窒化膜５を積層する。つづいて窒化膜５上の表面を平坦化した後、窒化膜６上に酸化絶縁膜６を積層する。その後、コンタクト孔７を形成し、その内部に接続プラグ８を形成する。 （もっと読む）