【課題】 本発明の課題は、カルコゲナイド膜を用いた相変化メモリ半導体集積回路装置において、相変化温度が低いため長期間記憶保持を保証可能な動作温度が低いという問題と同時に抵抗が低いためメモリ情報書き換えに大電流を要するため装置の消費電力が高いという問題を解決することにある。
【解決手段】 カルコゲナイドの構成元素の一部を窒化物、酸化物あるいは炭化物にするとともに、これらをカルコゲナイド膜と下地電極である金属プラグ界面およびカルコゲナイド結晶の粒界に形成せしめることにより相変化温度を上昇させるとともに該膜の抵抗を高くすることにより低電流でも高いジュール熱を発生可能とすることにより書き換えに要する電力を低減する。 （もっと読む）

【課題】 高い密着性と拡散防止性とを備えたバリアメタルを有する半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 基体の上に、シリコンを含有する材料からなる第１の層を形成する工程と、前記第１の層の上に、金属と窒素とを含有する第２の層を形成する工程と、前記第２の層を、還元性ガスを含有する雰囲気のプラズマから得られる活性種に晒す工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【目的】 絶縁膜中にボイドを生じさせないようにすることを目的とする。
【構成】 本発明の半導体装置の製造方法は、基体上に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程（Ｓ１０２〜Ｓ１０８）と、前記絶縁膜をフッ素（Ｆ）系のガスを用いてエッチングして開口部を形成する開口部形成工程（Ｓ１１０）と、前記開口部形成工程（Ｓ１１０）の後、前記絶縁膜をフッ素除去剤雰囲気に晒すフッ素除去工程（Ｓ１１２）と、前記フッ素除去工程（Ｓ１１２）の後、前記エッチングされた領域に導電性材料を堆積させる堆積工程（Ｓ１１６〜Ｓ１２０）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型の半導体装置のゲート電極とゲート配線の配置を工夫することにより、画面の大面積化を可能とする。
【解決手段】表示領域に設けられた画素ＴＦＴが含むゲート電極は、第１の導電層により形成されている。また、表示領域に設けられたゲート配線は、第２の導電層で形成されている。ゲート電極はゲート配線と接続部で電気的に接触している。接続部は、画素ＴＦＴが含む半導体層の外側に設けられている。 （もっと読む）

【課題】 銅配線の下方に位置する下部配線がレイアウト上の制約を受けず、しかも、実効誘電率のばらつきが低減される半導体装置の製造方法と半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板１上にビアプラグが形成される絶縁膜としてＳｉＯＣ膜５が形成され、銅配線が形成される絶縁膜としてそのＳｉＯＣ膜よりもエッチング選択比の高い有機膜６が形成される。ＳｉＯＣ膜には開口部１４が形成され、有機膜に溝１３が形成される。次に、開口部と溝を充填する銅膜が形成されて、開口部にビアプラグ１５ｂが形成され、溝に銅配線１５ａが形成される。次に、有機膜を除去して最終的に銅配線の側方を充填するようにＬｏｗ−ｋ膜としてのＭＳＱ膜を形成することによって、銅配線とビアプラグを備えた半導体装置が得られる。 （もっと読む）

【課題】信頼性に優れる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置のＳｉ基板１２０上には、フィールド酸化膜１０１が設けられている。フィールド酸化膜１０１上には、２本のヒューズ１０４が設けられている。Ｓｉ基板１２０のうちヒューズ１０４の直下には、ｎ型ウェル１０２が設けられている。ｎ型ウェル１０２は、Ｓｉ基板１２０のうちヒューズ１０４の直下の領域を囲む姿態にｐ型ウェル１０３が設けられている。Ｓｉ基板１２０およびフィールド酸化膜１０１の上部には、絶縁膜１０５およびカバー絶縁膜１０８が設けられている。絶縁膜１０５およびカバー絶縁膜１０８には、ヒューズ１０４を囲むように、コンタクト１０６および配線１０７からなるシールリングが埋設されている。 （もっと読む）

【課題】 スピンコート方法、低誘電率絶縁膜、及び、半導体装置に関し、簡単な装置構成によって、機械的強度、比誘電率、或いは、膜密着性に優れた絶縁膜を成膜する。
【解決手段】 スピンコート中に、スピンコート材料３と反応する気相材料４をスピンコータカップ１内に導入する。 （もっと読む）

【課題】アルミ配線層間をタングステンプラグによって電気的に接続する構成において、スルーホール内面全面にバリアメタル層が形成され、タングステンプラグとアルミ配線層との電気的接続の信頼性が高く、接触抵抗が低い半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】スルーホール９の内面にチタン膜１０および窒化チタン膜１１の２層構造で構成されるバリアメタル層を形成する。なお、チタン膜１０および窒化チタン膜１１は、層間絶縁膜７の主面上にも形成される。このバリアメタル層の形成に際しては、チタンターゲットを用いた高指向性スパッタリングが可能で、かつ、高周波電圧を半導体基板にバイアスする基板バイアス機構を備え、チタンターゲットからのスパッタ粒子を半導体基板に引き付けることで、窒化チタン膜１１をアモルファス金属膜とすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 絶縁膜中に形成されている配線用の溝に埋め込まれている配線層の上部に選択的に金属拡散防止膜を形成する半導体装置において、部分的選択破れ等に起因する配線間リーク電流を抑制する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 ダマシン法により配線１５を第１の絶縁膜１１中に形成する。そして、電解メッキ法等により、配線１５上のみに選択的に金属拡散防止膜１６を形成する。その後、第２の絶縁膜１９形成前に、第１の絶縁膜１１上に存在する部分的選択破れにより意図せず生じた金属拡散防止膜１６や、残留金属イオン１７等を除去するＣＭＰ工程をする。 （もっと読む）

【課題】 絶縁層中に複数の段差構造を形成する際の加工精度の向上を図るとともに、加工工程数を低減することが可能な半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板上に第１の感光性塗布膜５を形成する工程と、前記第１の感光性塗布膜５上に、前記第１の感光性塗布膜より感度の高い第２の感光性塗布膜６を形成する工程と、第１の加工マスク７を用いて露光を行い、前記第１の感光性塗布膜５及び前記第２の感光性塗布膜６に前記第１のパターンを転写する工程と、第２の加工マスク８を用いて、前記第２の感光性塗布膜６のみ感光する露光量で露光を行い、前記第２の感光性塗布膜６に前記第２のパターンを転写する工程と、前記第１の感光性塗布膜５及び前記第２の感光性塗布膜６を現像し、前記第１の感光性塗布膜５と前記第２の感光性塗布膜６を異なるパターンに加工する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】 疎水性の低誘電率絶縁膜を用いて、信頼性および電気的特性に優れた半導体装置を製造する方法を提供する。
【解決手段】 アンモニアプラズマ１４によって、ＳｉＯＣ膜８の表面に形成された疎水性のダメージ層を親水性の改質層１５に変える。改質層１５はフッ酸水溶液などに可溶であるので、改質層１５を除去することによって、表面に清浄なＳｉＯＣ膜８を露出させることができる。改質層１５の膜厚は０．５ｎｍ〜１０ｎｍであることが好ましく、１ｎｍ〜５ｎｍであることがより好ましい。 （もっと読む）

【課題】 本発明は上記問題を解決するためになされたもので、空孔を有する低誘電率絶縁膜上にバリアメタルを成膜する前におけるビア底の高抵抗層の除去手段として、プラズマを用いない新規な半導体装置を製造する装置を提供することにある。
【解決手段】 本発明は、層間膜に比誘電率の値が３未満の低誘電率膜（１０２）を用いた金属膜配線（１０３）を含む半導体装置を製造する装置であって、前記金属膜配線（１０３）と前記層間膜の間に形成されるバリアメタルを成膜する前に、還元性を有するガスもしくは還元性を有するガスを含む混合ガスで熱還元処理に当たって、チャンバーを有し、且つ前記還元性を有するガスの配管を温調してガス導入することを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】 ｐ−ｌｏｗｋ膜上にバリアメタルを連続に形成することを目的とする。
【構成】 本発明の半導体装置の製造方法は、基体上に、表面にメチル（ＣＨ_３）基が結合している絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程（Ｓ１０２〜Ｓ１０８）と、前記絶縁膜表面に、イミド系の高融点金属化合物を原料として、バリアメタル膜を形成するバリアメタル膜形成工程（１１４）と、を備えたことを特徴とする。そして、前記バリアメタル膜形成工程において、原子層気相成長法によりバリアメタル膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体量産プロセスにおいて、遷移金属によるウエハの汚染を防止する。
【解決手段】本発明の半導体集積回路装置の量産方法は、ウエハプロセスを流れる第１の工程群に属する各ウエハに対して、ルテニウム含有膜の堆積処理を行う工程と、前記ルテニウム含有膜が堆積された前記各ウエハに対して、そのデバイス面の外縁部または裏面の前記ルテニウム含有膜を除去する工程と、前記ルテニウム含有膜が除去された前記各ウエハに対して、前記ウエハプロセスを流れる大量のウエハのうち、前記第１の工程群と比較して、下層工程群に属するウエハ群と共用関係にあるリソグラフィ工程、検査工程または熱処理工程を実行する工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】 アルミニウムを含む金属配線形成においてサイドエッチを低減し、この金属配線上に形成するビアホールが金属配線を突き抜けるのを抑制する。
【解決手段】 アルミニウムを含む金属配線層６の上に、ストッパー膜７ａ、シリコン酸化膜８ａ、反射防止膜１１ａを順次積層したハードマスク１２ａを形成し、これをマスクとして金属配線層６をエッチングして、金属配線６ａを形成するようにした。
このように形成することによりハードマスク１２ａが耐エッチング性に優れ、サイドエッチを低減して金属配線６ａを制御性良く形成することができる。また、金属配線６ａの上に形成するビアホール１７ｂが金属配線６ａに突き抜けるのを抑制して、ビアホール形成の歩留まり低下を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の放熱性を向上させ、素子で生じた熱が特定の回路に伝達され難くする。
【解決手段】半導体装置は、第１素子分離絶縁膜４１と、それにより熱伝導率の低い第２素子分離絶縁膜４２とを備えている。熱の伝達を抑制したいＭＯＳトランジスタＴ１とＭＯＳトランジスタＴ２との間には、熱伝導率の低い第２素子分離絶縁膜４２を配設し、それ以外の素子間には第１素子分離絶縁膜４１を配設する。 （もっと読む）

【課題】 二つの素子領域間に介在するガードリングを通じたノイズ伝搬を抑制する。
【解決手段】 半導体チップ１００は、ロジック部およびアナログ部１５３を有する。また、半導体チップ１００は、シリコン基板１０１と、シリコン基板１０１上に設けられた第一絶縁膜１２３〜第六絶縁膜１４３と、第一絶縁膜１２３〜第六絶縁膜１４３中に埋設された第一導電リング１２５〜第六導電リング１４５により構成されロジック部およびアナログ部１５３外周を取り囲む環状のシールリング１０５と、を有する。そして、ロジック部からシールリング１０５を経由してアナログ部１５３に至る経路の導通を遮断する非導通部１０４として機能するｐｎ接合部が、シールリング領域１０６中に設けられている。 （もっと読む）

【課題】 キャパシタの特性や信頼性の低下を防止することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】 下部電極と上部電極と誘電体膜とを含むキャパシタを備えた半導体装置であって、下部電極は、イリジウムを含む第１の導電膜１１７と、誘電体膜１２２と第１の導電膜との間に設けられ且つ貴金属膜で形成された第２の導電膜１１９と、誘電体膜と第２の導電膜との間に設けられ且つペロブスカイト構造を有する導電性金属酸化物膜で形成された第３の導電膜１２１と、第１の導電膜と第２との導電膜の間に設けられ且つ金属膜及び金属酸化物膜の少なくとも一方を含み且つ第１の導電膜に含まれるイリジウムの拡散を防止する拡散防止膜１１８ａと、を備え、誘電体膜は、ペロブスカイト構造を有する絶縁性金属酸化物膜を含み、該絶縁性金属酸化物膜は、Ａ(Ｚｒ_xＴｉ_1-x )Ｏ₃ （ただし、Ａは少なくとも１以上のＡサイト元素、０＜ｘ＜０．３５）で表される。 （もっと読む）

【目的】 選択的に拡散防止膜を形成する場合でも、配線同士間でショートが生じてしまう原因となる導電性材料の研磨残りを生じさせないようにすることを目的とする。
【構成】 基体上の開口部に形成された導電性材料膜上に前記導電性材料膜に用いる導電性材料の拡散を防止する拡散防止膜を選択的に形成する拡散防止膜形成工程（Ｓ１２０〜Ｓ１２２）と、前記拡散防止膜が形成された後、前記基体上に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程（Ｓ１２４〜Ｓ１２８）と、前記絶縁膜形成工程の後、前記絶縁膜表面を研磨する平坦化工程（Ｓ１３０）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】空孔を有する低誘電率絶縁膜上にバリアメタルを成膜する前におけるビア底の高抵抗層の除去手段として、プラズマを用いない新規な半導体装置の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】層間膜に比誘電率の値が３未満の低誘電率膜１０２を用いた金属膜配線１０３を含む半導体装置の製造方法において、前記金属膜配線と前記層間膜の間に形成されるバリアメタル１０５を成膜する前に、１００℃〜４００℃に温調されたＮＨ3ガスなどの還元性を有するガスもしくは還元性を有するガスを含む混合ガスで熱還元処理を行う。 （もっと読む）