【課題】 層間絶縁膜の膜剥がれ及び周辺への銅の拡散を防止しつつ、層間絶縁膜のより一層の低誘電率化を図ることができる半導体装置及びその製造方法を提供するものである。
【解決手段】 絶縁性保護膜１０で覆われた基板１０１を形成する工程と、絶縁性保護膜１０上にプラズマＣＶＤ法により形成された絶縁膜で囲まれた第１の多層配線５０１を形成する工程と、第１の多層配線５０１を残して絶縁性保護膜１０上の絶縁膜をすべて除去する工程と、絶縁膜を除去した後の空間に、塗布法により第１の塗布絶縁膜を充填する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 Ｃｕ拡散防止膜との密着力が良好であり、微細バターンに成膜が可能なＣｕ膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】 被処理基板上に形成されたＣｕ拡散防止膜上に、Ｃｕ膜を形成する成膜方法であって、前記Ｃｕ拡散防止膜上に、当該Ｃｕ拡散防止膜と前記Ｃｕ膜との密着膜を形成する第１の工程と、前記被処理基板上に、超臨界状態の媒体にプリカーサが溶解した処理媒体を供給し、前記密着膜上に前記Ｃｕ膜を形成する第２の工程と、を有することを特徴とする成膜方法 （もっと読む）

【課題】 表面に凹凸パターンを有する基板上に均一な膜を所定の膜厚で成膜する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 表面に凹凸パターンを有する基板上に第１の材料からなる第１の膜厚の薄膜を堆積する工程を備えた半導体装置の製造方法であって、表面に凹凸パターンを有しないモニタ基板上に前記第１の材料からなる薄膜を形成してその薄膜の膜厚を測定することにより前記第１の膜厚の薄膜を堆積する第１の条件を算出し、前記凹凸パターンを有する基板上に、前記第１の条件よりも厚い薄膜が堆積される第２の条件で前記第１の材料を堆積することを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 絶縁層中に複数の段差構造を形成する際の加工精度の向上を図るとともに、加工工程数を低減することが可能な半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板上に第１の感光性塗布膜５を形成する工程と、前記第１の感光性塗布膜５上に、前記第１の感光性塗布膜より感度の高い第２の感光性塗布膜６を形成する工程と、第１の加工マスク７を用いて露光を行い、前記第１の感光性塗布膜５及び前記第２の感光性塗布膜６に前記第１のパターンを転写する工程と、第２の加工マスク８を用いて、前記第２の感光性塗布膜６のみ感光する露光量で露光を行い、前記第２の感光性塗布膜６に前記第２のパターンを転写する工程と、前記第１の感光性塗布膜５及び前記第２の感光性塗布膜６を現像し、前記第１の感光性塗布膜５と前記第２の感光性塗布膜６を異なるパターンに加工する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】漏れ電流をできるだけ少なくする集積回路構造を作成する方法を提供する。
【解決手段】漏れ電流の少ない集積回路構造を作成する方法が開示される。この方法は、相互接続導体の上に介在層なしに反射防止層を直接配置するステップと、反射防止層の上に絶縁体層を配置するステップと、少なくとも反射防止層まで及ぶ接点窓を開けるステップと、を含む。相互接続導体はアルミニウムであり、反射防止層は窒化チタンであり、反射防止層は１５０オングストローム以上６５０オングストローム以下の厚さを有する。 （もっと読む）

【課題】 Ｃｕ系金属を充填したダマシン配線の信頼性、特にストレスマイグレーション（ＳＭ）耐性を向上させる。
【解決手段】 下地絶縁膜１上の層間絶縁膜２にトレンチ３を設け、トレンチ３に第１バリアメタル膜５を介して埋め込む第１Ｃｕ膜６を成膜し、２０℃〜２００℃範囲の第１の熱処理を施し清浄化した第１Ｃｕ膜６ａにする。次に、第１Ｃｕ膜６ａの第１キャップ層２ｃ上の不要部分を化学的機械研磨で除去し、上記トレンチ３にＣｕ配線８を形成する。その後に、３００℃〜４００℃の温度でＣｕ配線８に第２の熱処理を施し、結晶性の優れたＣｕ配線８ａを形成する。同様に、ビアホールに埋め込む第２Ｃｕ膜を成膜した後に、３００℃〜４００℃範囲の第３の熱処理を施し、その後に化学的機械研磨してＣｕビアプラグを形成する。 （もっと読む）

金属カルボニル前駆体（５２、１５２）の気相原料を一酸化炭素ガスと混合することにより、金属カルボニル前駆体（５２、１５２）からの金属層の堆積速度を増大する方法（３００）が開示される。この方法（３００）は、堆積システム（１、１００）のプロセスチャンバ（１０、１１０）に基板（２５、１２５）を提供する工程と、金属カルボニル前駆体の気相原料を含むプロセスガスを生成する工程と、熱化学気相堆積プロセスによって基板（２５、１２５、４００、４０２）に金属層（４４０、４６０）を堆積するために基板（２５、１２５、４００、４０２）をプロセスガスに晒す工程とを含む。
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ポリメタルゲートを構成する高融点金属膜の洗浄工程における欠けを防止し、装置の特性を向上させ、また、洗浄効率を向上させるため、基板１上の低抵抗多結晶シリコン膜９ａ、ＷＮ膜９ｂおよびＷ膜９ｃを、窒化シリコン膜１０をマスクにドライエッチングし、これらの膜よりなるゲート電極９を形成し、ウエットハイドロゲン酸化により薄い酸化膜９ｄを形成した後、ＲＰＮ法を用いて窒化処理を行い、ゲート電極の側壁から露出したＷ膜９ｃをＷＮ膜９ｅとする。その結果、その後の洗浄工程、例えば、ｎ⁻型半導体領域１１やｐ⁻型半導体領域１２の形成時に行われる、１）レジスト膜のホトリソグラフィー工程、２）不純物の注入工程、３）レジスト膜の除去工程および４）基板表面の洗浄工程が繰り返し行われても、Ｗ膜９ｃの欠けを防止でき、また、洗浄液としてＵ洗浄液やフッ酸系の洗浄液のような強い洗浄液を用いることができる。
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【課題】 洗浄工程において、配線を形成する材料がピンホールを介して消失することを防止できる半導体装置およびその製造技術を提供する。
【解決手段】 酸化シリコン膜３７に埋め込むように配線４１を形成する。続いて、配線４１上を含む酸化シリコン膜３７上に炭窒化シリコン膜４３を形成する。ここで、炭窒化シリコン膜４３は、ピンホール４３ａが貫通しない程度の膜厚で形成する。次に、炭窒化シリコン膜４３を加工して、酸化シリコン膜３７上の炭窒化シリコン膜４３の膜厚を配線４１およびその近傍領域上に形成された炭窒化シリコン膜４３の膜厚よりも薄くする。 （もっと読む）

【課題】 複数の配線層を有し、最上の配線層を保護膜で覆って構成される半導体装置において、配線容量低減のために配線間に空洞を形成した場合、空洞上方の保護膜中に接合界面が形成され、その接合界面を通して浸入した水分によりはいせんが腐食する問題を解決する。

【解決手段】 最上の配線を形成した後、酸化シリコンからなる応力緩和層を形成した後、配線間内に空洞が生じるように、窒化シリコンからなる第一の耐湿性保護膜を形成する。この時、空洞上方の第一の耐湿性保護膜中に接合界面が形成されるが、その表面を大気に暴露するか、もしくは異種の方法により絶縁膜を形成することにより、接合界面の成長を遮断して第二の耐湿性保護膜を積層形成する。
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【課題】配線と接続部との間の接触抵抗を低減し、エレクトロマイグレーション特性を向上させる。
【解決手段】その表面に、配線を構成する銅の拡散等を防止するためのタングステン膜ＣＭ１が形成された第１層配線上の絶縁膜（２４ａ、２４ｂ、２４ｃ、２６ｂ、２６ｃ）をエッチングすることによりコンタクトホールＣ２および配線溝ＨＭ２を形成する際、コンタクトホールＣ２底部のタングステン膜ＣＭ１を除去し、バリア膜ＰＭ２ａを形成した後、コンタクトホールＣ２底部のバリア膜ＰＭ２ａを除去し、銅膜（ＰＭ２ｂ、ＰＭ２ｃ）を形成した後、その表面を研磨することにより第２層配線Ｍ２およびその下層のプラグＰ２を形成する。また、タングステン膜ＣＭ１又はバリア膜ＰＭ２ａの少なくとも一方を除去するか、それらを不連続な膜で構成する。その結果、第１層配線Ｍ１とプラグＰ２との間の接触抵抗を低減できる。 （もっと読む）

【課題】
ソース領域をエッチングするときに、ゲート電極が過剰にエッチングされてしまうことを防止する。
【解決手段】
本発明に関わる半導体装置は、半導体基板上に形成されたベース領域と、前記ベース領域上に形成されたソース領域と、前記半導体基板上に形成されたトレンチ内部に埋め込まれたゲート電極と、前記半導体基板上全面に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜に形成され、前記ゲート電極を露出する第１のコンタクトホールと、前記層間絶縁膜および前記ソース領域に形成され、前記ベース領域を露出する第２のコンタクトホールと、前記第１のコンタクトホールが形成されるトレンチ上に形成された第２の導電膜とを有する。 （もっと読む）

【課題】特にゲート電極に逆バイアス電圧が印加された際のリーク電流（オフ電流）が低い薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を得る。
【解決手段】絶縁表面上に形成された非単結晶珪素からなる活性層と、前記活性層に接して形成されたゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜に接して形成されたゲイト電極とを有する薄膜トランジスタを含む半導体装置において、前記活性層は、チャネル形成領域と、酸素、炭素および窒素の濃度が前記チャネル形成領域よりも高く、かつ、Ｎ型またはＰ型の不純物を有するソース領域およびドレイン領域とを有することを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】シールリングとして各層で積み重ねられた支柱が配線層に対して水平方向にずれた場合であってもＣｕの染み出しを抑制できる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に堆積された第１のライナー絶縁膜２０１、第１の層間絶縁膜２０２、第１のキャップ絶縁膜２０３の素子形成領域Ｒｌｏｇｉｃに第１の配線２１２を形成し、シールリング形成領域Ｒｓｅａｌに第１の支柱２１４を形成する。次に、第１のキャップ絶縁膜２０３上に堆積された第２のライナー絶縁膜２１５、第２の層間絶縁膜２１６、第２のキャップ絶縁膜２１７の素子形成領域Ｒｌｏｇｉｃに第２の配線２２６を形成し、シールリング形成領域Ｒｓｅａｌに第１の支柱の幅よりも幅が広く、第１の支柱の上面を覆う第２の支柱２２８を形成する。これにより、各層で積み重ねられた支柱が配線層に対して水平方向にずれた場合であっても、Ｃｕの染み出しを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 水素による素子の特性劣化と、配線や配線プラグの酸化をともに抑制できる配線及び配線プラグの形成方法と、優れたデバイス特性を有する強誘電体メモリ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 強誘電体キャパシタＣの上部電極１０と配線１６とを接続するための局所配線１２を、下層側から順にＩｒＯ_X 膜１２ＡとＩｒ膜１２Ｂとを形成する。また、局所配線１２と上部配線１６とを接続する配線プラグＰ２の下地膜１４を、下層側から順にＩｒＯ_X 膜１４ＡとＩｒ膜１４Ｂとを形成する。 （もっと読む）

【課題】 細りのない所望する断面積の銅配線を形成することができる銅配線層の形成方法および半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 基板１上に下地絶縁膜２、下地バリア層３、銅シード層４を順次成膜したのち、この銅シード層４上にフォトレジスト層５の配線溝６パターンを形成し、この配線溝６の底部に露出した銅シード層４上に銅配線層７を形成し（図２（ａ））、この層７上に保護層８を形成したのちこの層８をマスクとしてフォトレジスト層５、銅シード層４、下地バリア層３を順次エッチングして図２（ｅ）に示す銅配線層７のパターンを形成する。
この層７からの銅の拡散を防止するため表面に層間絶縁層を形成する。 （もっと読む）

【課題】デュアルダマシン溝（接続孔）内への異物の残留を回避し、配線接続の信頼性および半導体装置性能の向上を図る。
【解決手段】第４配線層の配線３３上に絶縁膜３４〜３８を順次形成し（絶縁膜３４，３６，３８はシリコン窒化膜からなる。絶縁膜３５，３７はシリコン酸化膜からなる）、絶縁膜３８に溝パターン４０ａ、４０ｂをフォトリソグラフィを用いて転写する。絶縁膜３８の溝パターン４０を埋め込む反射防止膜４１を形成し、さらに孔パターン４３を有するレジスト膜４２を形成する。レジスト膜４２の存在下でエッチング処理を施し、絶縁膜３８，３７，３６および絶縁膜３５の一部に孔パターン４３を転写する。その後、レジスト膜４２，反射防止膜４１を除去し、絶縁膜３８をマスクとして溝パターン４０を絶縁膜３７に、孔パターン４３を絶縁膜３５に転写する。 （もっと読む）

【課題】 デュアルダマシン構造形成時に、レジストパターンの解像不良を生じる反応阻害物質を除去する。
【解決手段】 露光に伴って発生する酸性物質との反応により、露光部が現像液に可溶（あるいは、不溶）となる化学増幅型レジスト膜の形成面の平坦化を行う平坦化材料、または、前記化学増幅型レジスト膜の直下に塗布される反射防止膜形成材料の少なくとも一方に、光酸発生剤または熱酸発生剤を含有する材料を使用する。前記材料が光酸発生剤を含有する場合は、化学増幅レジスト膜の形成前に全面露光を行い、また、前記材料が熱酸発生剤を含有する場合は、化学増幅レジスト膜の露光前に加熱を行うことで、酸性物質を発生させる。これにより、下層の炭素含有シリコン酸化膜等の低誘電率膜からなる第２の絶縁膜４等の中に存在する窒素に起因した塩基性物質を、当該材料の酸性物質で除去し、化学増幅型レジスト膜に拡散することを防止する。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜の成膜方法において、シリコン原子を堆積させる第１ステップと、シリコン原子を窒化する第２ステップとを有するＡＬＤ法を用い、フラットバンド電圧及び界面準位の小さい好適な特性を有する薄い絶縁膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】第１及び第２ステップでの成膜温度と圧力を同一とし、成膜温度を５１０℃以下の低温とし、圧力を７０Ｐａ以下、ＲＦパワーを０．１ＫＷ以上とすることでフラットバンド電圧及び界面準位の小さい好適な特性の絶縁膜が得られる。これらの好適な絶縁膜を備えた半導体装置が得られる。 （もっと読む）

【課題】素子全体の機械的な強度の低下を防ぎ、配線を伝播する信号の遅延を低減する。
【解決手段】各配線層１００を構成する第１の絶縁層及び前記第３の絶縁層がシリコン炭化窒化膜、シリコン炭化物及び／又はシリコン酸化物を含み、下層配線層の第２の絶縁層はシリコン酸化物を含み、上層配線層の第２の絶縁層はフッ素添加シリコン酸化物及び／又は炭素添加シリコン酸化物を含む。下層配線層の第２の絶縁層の比誘電率を、上層配線層の第２の絶縁層の比誘電率よりも小さくする。 （もっと読む）