説明

Fターム[5F033NN07]の内容

半導体集積回路装置の内部配線 (234,551) | 層間構造の特徴点 (9,232) | コンタクトホールへの穴埋め構造 (6,462) | 介在層を有するもの (6,157) | バリア層を含むもの (2,805)

Fターム[5F033NN07]に分類される特許

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【課題】 上層配線層と下層配線層とを、アスペクト比の高いビアコンタクトで接続した多層配線構造を提供する。
【解決手段】 多層配線構造のビアコンタクト形成工程が、ビアホールの底面上に触媒層を設け、触媒層上にビアホールの上方に向ってめっき金属層を成長させ、めっき金属層でビアホールを充填する無電解めっき工程からなる。 (もっと読む)


【課題】 機械的強度が強く、かつ、放熱性に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】 シリコン基板10上に形成される配線層のうち、第1層から第3層を、コンタクト部11及びビア14a,14bにタングステン、配線13a〜13cに銅をそれぞれ用いてシングルダマシン工程によって形成し、第4層から第6層を、ビア15a〜15c及び配線13d〜13fに銅を用いてデュアルダマシン工程によって形成し、かつ、第4層から第6層におけるビア15a〜15cの径を第1層から第3層におけるコンタクト部11及びビア14a,14bの径の12.9倍以上とする。 (もっと読む)


【課題】 エレクトロマイグレーション耐性と、ストレスマイグレーション耐性を同時に向上させる多層配線構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 AlCu膜103Cと、厚みが0〜15nmのTi膜との反応によりAl3 Ti層103DをAlCu膜とTiN膜の界面に形成することにより、界面拡散を抑制し、かつAl3 Ti層形成時に発生する引張り応力を低減し、EM耐性を向上させる。その後のFSG膜104AをHDP−CVD法で成膜する際に、ウェハ裏面に不活性ガスを流してウェハを冷却し、ウェハ温度を450℃以下にすることにより、FSGとAlCuの熱膨張率差に起因するAlCu膜の残留引張り応力の発生を低減し、SM耐性及びEM耐性を向上させる。さらに、FSG膜の上にSiON膜を設けることにより、FSG膜の遊離フッ素の上方への拡散を阻止して、上層配線の剥がれを防止する。 (もっと読む)


【課題】 多層配線構造において、エレクトロマイグレーション耐性の向上及びより一層の微細化を図る。
【解決手段】 下層配線Aは、第1のチタニウム膜102、第1の窒化チタン膜103、第1のAl−Cu膜104、第2のチタニウム膜105及び第2の窒化チタン膜106からなる。ヴィアコンタクトBは、第1の密着層109(チタニウム膜)、第2の密着層110(窒化チタン膜)及びタングステンプラグ111(タングステン膜)からなる。第2のチタニウム膜105及び第2の窒化チタン膜106には、ヴィアコンタクトBの平面形状よりも小さい開口部が形成され、ヴィアコンタクトBは開口部において第1のAl−Cu膜104と接続している。第1及び第2の密着層109、110は、側壁部の下端から内側に張り出す張り出し部において、第2の窒化チタン膜106における開口部の周辺領域と接続している。 (もっと読む)


【課題】その中にマイクロトレンチを含まない低誘電体層間絶縁膜金属導体配線構造およびそのような構造の形成方法を提供する。
【解決手段】導体抵抗に対する制御は、第1の原子組成を有する多孔性の低誘電体層間絶縁膜の線とバイア誘電体層との間に位置する第2の原子組成を有する埋込みエッチング停止層により行われる。本発明の配線構造は、また、二重波形模様タイプの配線構造を形成する際に助けになるハードマスクを含む。第1および第2の組成は、エッチング選択性が少なくとも10:1またはそれ以上になるように選択され、特定の原子組成および他の発見できる量を有する多孔性の低誘電体層間絶縁膜有機材料または無機材料の特定のグルーブから選択される。 (もっと読む)


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