【課題】絶縁膜に形成された凹部に保護膜を形成することで、凹部の側壁が後退することなく水素プラズマによる凹部底部のクリーニングを可能とする。
【解決手段】有機絶縁膜（低誘電率有機膜１７，１９）を備えた絶縁膜１６に形成された凹部２３の側壁に、窒素と、前記低誘電率有機膜１７，１９から解離された炭素との化合物からなる保護膜３１が形成されているものである。 （もっと読む）

本発明は、半導体ボディ（１）と基板（２）とを有し、少なくとも１つの半導体素子（３）を備える半導体デバイス（１０）の製造に関し、この半導体デバイスは、少なくとも１つの接続領域（４）と、接続領域に接続された、上に位置する帯状の接続導体（５）と、を備え、この接続領域および接続導体は、両方とも誘電体に凹設され、第１材料の誘電体領域（６）が、半導体ボディ（１）の、接続領域（４）が形成される位置に設けられ、その後、誘電体領域（６）は、第１材料とは異なる第２材料の誘電体層（７）で被覆され、この誘電体層には、帯状の接続導体（５）が形成される位置に帯状の凹部（７Ａ）が設けられ、この凹部は、誘電体領域（６）に重なり、かつ前記誘電体領域まで延び、凹部（７Ａ）の形成と誘電体領域（６）の除去の後、接続領域（４）が、誘電体領域（６）の除去により作られた空間（６Ａ）に導電性材料を堆積することにより形成され、接続導体（５）が、凹部（７Ａ）に導電性材料を堆積することにより形成される。本発明によると、第１材料には、有機材料が用いられ、第２材料には、この有機材料より高い分解温度を有する材料が用いられ、誘電体領域（６）は、有機材料の分解温度より高く、第２材料の分解温度よりは低い温度で加熱することにより除去される。本発明に係る方法は、非常にシンプルであり、第２材料を任意に選択することにより、得られるデバイス（１０）に高い平面性をもたらすことができる。誘電体領域（４）には、好ましくはフォトレジストが用いられ、誘電体層（７）には、好ましくはＳＩＬＫまたはＳＯＧ材料などの液体材料が用いられ、これは、加熱により固体状に変換することができる。
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【課題】イメージ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のイメージ素子は、受光素子が形成された基板と、基板上に形成され、受光素子の上部でキャビティを有する層間絶縁膜構造物と、キャビティに埋め込まれて形成され、層間絶縁膜構造物の上部から突出された部分はレンズタイプで形成された透明絶縁膜と、透明絶縁膜の上部に形成されたカラーフィルターと、を含んで成される。ここで、透明絶縁膜はその上部が凸レンズタイプで形成できる。また、透明絶縁膜は、その上部が凹レンズタイプで形成されることもできる。イメージ素子の製造方法もまた提供される。これにより、銅ダマシン工程で製造された配線パターンを有するイメージ素子の光透過率を向上でき、受光素子に入射される光の散乱と乱反射とを防止して、光感度を向上でき、製造過程を単純化できる。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】半導体ウェハの相互接続構造上に金属層を堆積させる方法を開示する。この方法では、金属導体を、キャップ層および誘電体層で被覆する。キャップ層を露出させるように、誘電体層をパターン形成する。次いで、キャップ層をスパッタ・エッチングして除去し、金属導体を露出させる。スパッタ・エッチング・プロセス中に、キャップ層がパターンの側壁に再堆積する。最後に、パターンの中に少なくとも１つの層を堆積させ、再堆積したキャップ層を被覆する。
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【課題】埋め込み型の配線層を形成するに際して、ウェハの反りやディッシングの発生を防止することができ、高精度な均一性と再現性を容易に得ることのできる配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０に溝１０Ａを形成した後、溝１０Ａの内部を含むシリコン基板１０上にバリアメタル層１３およびシード層１４をこの順で形成する。エッチングにより、シード層１４の溝１０Ａ内の領域以外の部分を選択的に除去した後、めっきによりシード層１４上に金属１５（例えば銅（Ｃｕ））を選択的に成長させて配線層Ｌ１を形成する。配設層Ｌ１を形成するに際し、シード層１４を用いためっきにより溝１０Ａ内にのみ金属１５を選択的に成長させるようにしたので、従来のように、基板１０上に金属層が厚く成膜されることはなく、金属層に起因してシリコン基板１０が反るような虞がなくなる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置における配線の幅などに応じてＣｕ合金を形成する際の添加元素の濃度を変化させた配線構造を有する半導体装置を得ること。
【解決手段】ダマシンプロセスで絶縁膜Ｉ１に配線Ｗ１を形成する際に、絶縁膜Ｉ１中の配線溝３１ａ，３１ｂ上に形成される側壁部膜厚ｔ₁と底部膜厚ｔ₂とを、同一配線層におけるどの配線溝３１ａ，３１ｂにおいてもそれぞれ同じ厚さとなるようにＣｕ合金からなるシード層３３を堆積し、その後に電解メッキ法でＣｕ金属膜３４の堆積とアニール処理を行って、各配線溝３１ａ，３１ｂに形成される配線材料層３５を形成する。これにより、その配線溝３１ａ，３１ｂの配線幅が太くなるほど添加元素の割合が少なくなる。 （もっと読む）

【課題】 銅膜を酸化させその酸化物を酸もしくはアルカリなどで除去することにより銅膜の表面をエッチングする方法において、エッチング処理を行った後の銅膜表面が荒れてしまうことが少なく、少ない工程で短時間に精度良く行うことができる半導体装置の製造方法、半導体製造装置及び半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板上の絶縁膜に形成された配線溝又はコンタクト孔に配線金属を堆積して前記配線溝又はコンタクト孔に充填する工程と、前記配線金属を研磨して前記絶縁膜を露出する工程と、前記半導体基板を洗浄する工程と、前記配線溝又はコンタクト孔に埋め込まれた前記配線金属表面をリセスエッチングする工程を有している。前記研磨工程、前記洗浄工程及び前記リセスエッチング工程の少なくとも２工程で用いる薬液の主たる成分が同一である。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ内の熱を半導体チップ外に確実に放出させて、信頼性が高い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、内部に配線１２とダミー配線１３を有する半導体チップ１０と、内部にそれぞれ配線１２に電気的に接続された配線３３，５１とダミー配線１３に熱的に接続されたダミー配線３５，５３を有するパッケージ基板３０及び冷却基板５０と、配管５４ａが冷却基板５０に設けられ、ダミー配線５３と熱的に接続され、半導体チップ１０内の温度を制御する冷却モジュール５４とを具備している。 （もっと読む）

【課題】 金属配線の露出部分の腐食を抑制しつつ、ドライエッチング後に生じた堆積ポリマーを完全に除去し、それにより高信頼性を有する金属配線を得る。
【解決手段】 部分的に露出した金属配線が設けられているシリコン基板１００上に洗浄液１２３を供給し、該洗浄液１２３によってシリコン基板１００の表面を覆う。その後、シリコン基板１００上への洗浄液の供給を停止して、シリコン基板１００の表面を覆う洗浄液の少なくとも一部分をシリコン基板１００上に保持した後、シリコン基板１００の表面を覆う洗浄液を除去する。 （もっと読む）

【課題】 はんだ接続用パッドを有する半導体装置において、製造工程中の熱負荷などによって発生する恐れのある、パッド部の膜剥がれを防止する。
【解決手段】 シリコン、シリコン酸化膜上に形成されるＴｉ膜またはＴｉ化合物膜と、はんだが接続されるＮｉ膜（またはＣｕ膜）との間に、両者との密着性が良好なＣｒ膜を挿入したパッド構造とする。さらに、Ｔｉ膜またはＴｉ化合物膜とシリコン酸化膜との界面に生じる剥離を防止するため、Ｃｒ膜がＴｉ膜またはＴｉ化合物膜よりも大きな面積で形成された構造とする。 （もっと読む）

【課題】バリア層と配線溝や接続孔からなる凹部を埋め込む銅層との間にチタンアルミニウム合金層を形成することで、ＳＩＶ耐性の向上、界面密着性の向上等による配線信頼性の向上を可能とする。
【解決手段】絶縁膜１１に形成された凹部１２に埋め込まれた導電層１６を有する半導体装置１であって、前記導電層１６は、前記凹部１２の内面に形成されたバリア層１３と、前記バリア層１３表面に形成されたチタンアルミニウム合金層１４と、前記凹部１２を埋め込むアルミニウムが固溶された銅層１５とからなるものである。 （もっと読む）

【課題】 低誘電率絶縁膜の比誘電率の増加を防止すると共にレジスト残渣を生じさせないレジスト除去を可能にする。
【解決手段】 レジストマスクをエッチングマスクにして、被処理基板上の有機成分含有の層間絶縁膜をＲＩＥで加工した後（Ｓ１、Ｓ２）、上記レジストマスクを除去するために、はじめに、第１の温度下において水素ラジカル照射をして（Ｓ３）、レジストマスク表面に形成されている変質層を水素化分解する改質層に変換する（Ｓ４）。その後、第１の温度より高い第２の温度下において水素ラジカル照射を行い（Ｓ５）、上記改質層およびレジストマスクをアッシング除去する（Ｓ６）。このようにして、上記層間絶縁膜の組成変化およびその比誘電率の増加がなく、しかもレジスト残渣の生じないレジスト除去が可能になる。 （もっと読む）

【課題】 短絡等の不具合が生じる虞がなく、配線自由度を容易に増大させることができ、配線の変更を容易かつ短時間で行うことができる半導体素子及びそれを備えたワイヤボンディング・チップサイズ・パッケージ（ＷＢＣＳＰ）を提供する。
【解決手段】 本発明のＷＢＣＳＰは、パッド３３上に再配線パターン４７ａが、絶縁層４３上に再配線パターン４７ｂがそれぞれ形成され、再配線パターン４７ａ、４７ｂ上にバンプ電極３６ａ、３６ｂが形成され、再配線パターン４７ｂとパッド３２とはボンディングワイヤ３８により接続され、再配線パターン４７ａ、４７ｂ及びボンディングワイヤ３８は絶縁層３９により封止され、ボンディングワイヤ３８の最上部は、再配線パターン４７ａ、４７ｂより上方かつバンプ電極３６ａ、３６ｂの下端部より下方に位置していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 十分に誘電率が低くかつ機械的強度の高い（層間絶縁膜を備えた）半導体装置を提供する。
【解決手段】 所望の素子領域の形成された半導体基板表面に、Ｓｉ−Ｏ結合を主成分とする骨格の周りに多数の空孔が配置された誘電体薄膜を成膜する工程と、前記誘電体薄膜表面に、マスクを介してパターニングする工程と、パターニングのなされた前記誘電体薄膜表面に、テトラメチルシクロテトラシロキサン（ＴＭＣＴＳ）、ヘキサメチルシラザン（ＨＭＤＳ）、トリメチルクロロシラン（ＴＭＣＳ）分子のうちの少なくとも１種を含むガスを接触させる工程とを含む。 （もっと読む）

中間の半導体デバイス構造の上にニッケルを選択的にめっきする方法。この方法は、少なくとも一つのアルミニウムまたは銅の構造と少なくとも一つのタングステンの構造を有する中間の半導体デバイス構造を用意することを含む。アルミニウムまたは銅の構造とタングステンの構造のうちの一方はニッケルめっきされ、他方はめっきされないまま残る。アルミニウムまたは銅の構造またはタングステンの構造は、最初にニッケルめっきに対して活性化されてもよい。次いで、この活性化したアルミニウムまたは銅の構造または活性化したタングステンの構造は、無電解ニッケルめっき溶液の中に中間の半導体デバイス構造を浸漬することによってニッケルめっきされてもよい。めっきされていないアルミニウムまたは銅の構造またはめっきされていないタングステンの構造は、このめっきされていない構造を活性化し、そしてこの活性化した構造をニッケルめっきすることによって、後にニッケルめっきされてもよい。中間の半導体デバイス構造と同じく、アルミニウムまたは銅の構造とタングステンの構造をニッケルで同時にめっきする方法も開示される。 （もっと読む）

【課題】コンタクトと該コンタクトの上側の配線とのショートマージンを稼いだ半導体装置を得ること。
【解決手段】半導体基板１上に形成される所定形状の第１層配線１０を含む第１の配線層８と、該第１の配線層８上に形成される層間絶縁膜１１と、該層間絶縁膜１１上に形成され、所定形状の第２層配線１５を含む第２の配線層１３と、第１層配線１０と第２層配線１５とを電気的に接続するコンタクト１２と、を備える半導体装置において、コンタクト１２は、所定の深さから上方に行くにしたがって積層方向におけるその断面形状が小さくなるように形成される。 （もっと読む）

プラズマによりパターン形成された窒化層を形成するために窒化層をエッチングすることからなる半導体構造体を製造する方法。窒化層は半導体の基板上にあり、フォトレジスト層は窒化層上にあり、プラズマは、少なくとも圧力１０ミリトルでＣＦ₄及びＣＨＦ₃のガス混合物から形成される。 （もっと読む）

【課題】配線溝底部の面粗れを防止するエッチングストッパーを配線溝の底部となる領域に導入することで、デバイス速度の向上、デバイス信頼性の向上を可能とする。
【解決手段】多孔質絶縁膜を含む層間絶縁膜を備えた半導体装置の製造方法において、前記層間絶縁膜に配線溝２０を形成する前に、前記配線溝２０底部となる領域、すなわち接続孔が形成される絶縁膜１５上の配線溝が形成される領域に、前記層間絶縁膜の配線層が形成される絶縁膜１８とは異なる材質の絶縁膜パターン１７を形成する工程を備えている。 （もっと読む）

【課題】 製造プロセスの簡略化及び信頼性の向上を図ることにある。
【解決手段】 強誘電体メモリの製造方法は、（ａ）基体１０の上方に形成された絶縁層２０に、第１及び第２のコンタクトホール２２，２４を形成すること、（ｂ）第１及び第２のコンタクトホール２２，２４のそれぞれの内部に、絶縁層２０の上面よりも低い上面を有するプラグ４２，４４を形成すること、（ｃ）第１及び第２のコンタクトホール２２，２４のそれぞれのプラグ４２，４４の上方に、バリア層５２，５４を形成すること、（ｄ）下部電極８２、強誘電体層８４及び上部電極８６を順に積層して積層体８１を形成すること、（ｅ）積層体８１をエッチングすることによって、第１のコンタクトホール２２のプラグ４２の上方を含む領域に、強誘電体キャパシタ８０を形成すること、を含む。バリア層５２，５４は、下部電極８２よりもエッチングされにくい性質を有する。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ処理によりシリコン表面に形成される、ＳｉＣを含む変質層を、シリコン表面の侵食を最小限に抑止しながら除去する。
【解決手段】 前記変質層を、酸素ラジカルに、前記半導体表面のＳｉ原子に結合してＳｉ原子と酸素原子との間の二重結合の形成を阻害するような元素の活性種を添加して改質し、形成された改質層をウェットエッチングにより除去する。 （もっと読む）