【課題】窒化膜５のエッチング時に、広ゲートピッチＰ１間において、拡散層４が損傷を受けることがあった。
【解決手段】はじめにシリコン基板１上に隣り合って複数の拡散層４、ゲート２およびサイドウォール３を形成する。次いで拡散層４、ゲート２およびサイドウォール３上に、表面がゲート２の上端よりも高い位置にあり、かつ、狭ゲートピッチＰ間の間隙の全体に充填されるように窒化膜５を積層する。つづいて窒化膜５上の表面を平坦化した後、窒化膜６上に酸化絶縁膜６を積層する。その後、コンタクト孔７を形成し、その内部に接続プラグ８を形成する。 （もっと読む）

【課題】配線層の第１絶縁膜に対して選択的にエッチングできるもので接続孔が形成される第２絶縁膜を形成することで、配線信頼性の高い多層配線構造を有する半導体装置を可能とする。
【解決手段】第１絶縁膜１１と、前記第１絶縁膜１１に形成されたもので第１配線２１上のみにバリア膜２２が形成された第１配線２１と、前記第１配線２１を被覆して前記第１絶縁膜１１上に形成されかつ接続孔２３が形成された第２絶縁膜１２とを有し、前記第２絶縁膜１２の前記第１絶縁膜１１側は、前記第１絶縁膜１１に対して選択的にエッチング可能なものである。 （もっと読む）

【課題】エレクトロマイグレーション耐性に優れた配線を実現する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上の第２の層間絶縁膜２中に形成された下層配線８と、下層配線８上の第３の層間絶縁膜１１中に形成されたメタルプラグ１３と、第４の層間絶縁膜１２中に形成された上層配線１９とは、その底面及び側面が密着層とバリア層とからなるバリアメタル層によって覆われている。これにより、配線層と層間絶縁膜との間にバリアメタル層が介在するため、電流印加時のボイド発生が抑制され、配線の信頼性が向上する。 （もっと読む）

処理容器内の被処理基板に成膜する成膜方法であって、ハロゲン元素を含まない有機金属化合物からなる第１の原料ガスを前記処理容器内に供給した後、前記第１の原料ガスを前記処理容器内から除去する第１の工程と、水素または水素化合物を含む第２の原料ガスを前記処理容器内に供給した後、前記第２の原料ガスを前記処理容器内から除去する第２の工程とを繰り返してなる第１の膜成長工程と、金属ハロゲン化物からなる第３の原料ガスを前記処理容器内に供給した後、前記第３の原料ガスを前記被処理基板から除去する第３の工程と、水素または水素化合物を含む第４の原料ガスを前記処理容器内に供給した後、前記第４の原料ガスを前記処理容器内から除去する第４の工程とを繰り返してなる第２の膜成長工程からなる成膜方法を用いた。
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【課題】ＬＳＩの多層配線、特に半導体素子と接続する下層に近い配線に対して低誘電率絶縁膜や微細な配線の機械的／熱的ストレスを抑えた半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に形成された半導体素子１２と、前記半導体基板上に積層された複数の絶縁膜１０７，１１２，１１７，１２２と、前記複数の絶縁膜内にそれぞれ形成された複数の配線層１０８，１１３，１１８，１２３と、前記各配線層の上面及び両側面を連続的に覆うバリアメタルとを具備する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】各製造工程段階の評価が正確且つ現実的に適用できる工業製品の製造方法を提供する。
【解決手段】工業製品の実マスクによるリソグラフィ工程を利用して、被処理基体の表面に、工業製品の一部をなす実パターン１１２_j-2，１１２_j-1，１１２_j，１１２_j+1，１１２_j+2を形成する工程と、この実パターンの上に配線変更用絶縁膜を形成する工程と、この配線変更用絶縁膜の一部を実パターンの一部が露出するように選択的に除去し、複数の電位抽出用コンタクトホール１１３_j-2，１１３_j-1，１１３_j，１１３_j+1，１１３_j+2；を開口する工程と、電位抽出用コンタクトホールを介して実パターンに電気的に接続される複数の評価用引出し配線１１１_i，１１１_i+1，を形成する工程と、この評価用引出し配線を用いて、実パターンのパターン欠陥を電気的に検出する工程とを含む。 （もっと読む）

この発明は、半導体本体（１）と基板（２）とを備えた半導体装置（１０）であって、少なくとも一つの半導体素子（３）を備え、そして、少なくとも一つの接続領域（４）と、接続領域（４）に接続された上部に横たわる帯状接続導体（５）とが設けられ、帯状接続導体と接続領域とが共に誘電体材料内に窪んでおり、続いて、第一の誘電体層（６）と、第一のハードマスク層（７）と、そして、第二の誘電体層（８）とが半導体本体（１）上に堆積され、接続領域（４）が形成される部位において、炭素とフッ素との化合物を含むプラズマを用いたプラズマエッチングにより第一の誘電体層（６）内にバイア（４４）が形成され、そして、この構造の上部に堆積されたパターンニングされたフォトレジスト層が存在している状態で、接続導体（６）が形成される部位において、プラズマエッチングにより第二の誘電体層（８）内にトレンチ（５５）が形成され、接続領域（４）と接続導体（５）とをそれぞれ形成するために、バイア（４４）及びトレンチ（５５）が導電材料で満たされ、そして、トレンチ（５５）が形成される前に、既に形成されたバイア（４４）が有機材料（２）で満たされる半導体装置の製造方法に関する。この発明では、バイア（４４）のエッチング中にバイア（４４）が同時にほぼ完全に有機材料（２０）で満たされるように、第一の誘電体層（６）の材料と、プラズマエッチングによる第一の誘電体層（６）内のバイア（４４）の形成中のエッチング条件とが選ばれ、この構造及びプラズマ内に既に存在する有機材料から有機材料（２０）が形成される。エッチングの間にレジスト層が存在することと、そこで炭素とフッ素との化合物を用いること以外に、関わる条件は、第一（そして第二）の誘電体層（６，８）とこれら層（６，８）のエッチングの間の電力の選択に関する。
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【課題】 製造工程数を削減し、低コスト化を実現した半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体装置は、半導体チップ上に形成されたパッド２と、前記パッド２上に形成された電極接続部７と、前記パッド２を露出するように前記半導体チップの裏面に形成された開口部１４と、前記開口部１４の側壁に形成された第１の絶縁膜１５と、前記第１の絶縁膜１５を有した前記開口部内に形成された金属膜（Ｃｕ１７）とを具備することを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】機械的強度が十分に強く、しかも、比誘電率が極めて低い絶縁膜を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に多孔質の第１の絶縁膜３８を形成する工程と、第１の絶縁膜上に、第１の絶縁膜より密度の高い第２の絶縁膜４０を形成する工程と、第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜が存在している状態で、電子線、紫外線又はプラズマを照射し、第１の絶縁膜を硬化させる工程とを有している。緻密性の高い第２の絶縁膜を介して第１の絶縁膜に電子線等を照射するため、第１の絶縁膜に大きなダメージが加わるのを防止しつつ、第１の絶縁膜を硬化させることができる。第１の絶縁膜にダメージが加わるのを防止することができるため、吸湿性の増大や密度の増大を防止することができ、ひいては、比誘電率の増大を防止することができる。従って、比誘電率が低く、しかも機械的強度の高い絶縁膜を有する半導体装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】 所望の信頼性を有する半導体装置を設計する。
【解決手段】 半導体装置１００は、第一の配線１１２上にビア１２４が形成された構成を有する。半導体装置１００の設計方法は、銅配線（配線金属膜１１０）中において、ボイド１５０が一の起点から成長すると仮定したときの、所定温度でＳＩＶ保証時間ｔ_openに広がるボイド１５０の成長領域の想定値ｘ_openを算出するステップと、想定値ｘ_openと第一の配線１１２とビア１２４との接触領域のサイズとを比較することにより、ビア１２４の形状因子を規定するステップと、を含む。接触領域のサイズは、ｄ＋２ｈ（ｄはビア１２４の直径、ｈはビア１２４が第一の配線１１２内に埋め込まれる深さ）とすることができる。 （もっと読む）

多層配線構造を有する半導体装置において、Ｃｕビアプラグ部への応力集中を抑制する多層配線構造を提供する。そのため、Ｃｕ配線部を含む第１の絶縁層と、前記基板上に形成された、前記Ｃｕ配線に電気的に接続されるＣｕビアプラグ部を含む第２の絶縁層とを有し、前記第１の絶縁層は弾性率が５ＧＰａ以上、硬度が０．６ＧＰａ以上である多孔質絶縁膜からなり、前記第２の絶縁層の弾性率が１０ＧＰａ以上、硬度が１ＧＰａ以上であることを特徴とする半導体装置を用いる。
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【課題】アクティブマトリクス型の液晶表示装置において、薄膜トランジスタの点欠陥や線欠陥を完全に排除するのは極めて困難であるのが現状である。その原因の１つである薄膜トランジスタのコンタクト不良を低減することを課題とする。
【解決手段】薄膜トランジスタの層間絶縁膜に設けられたソース領域又はドレイン領域に達する第一のコンタクトホールと、層間絶縁膜に設けられたゲート電極に達する第二のコンタクトホールと、第一のコンタクトホール及び第二のコンタクトホールにそれぞれ形成された配線とを有し、該配線に第一のチタン膜と、アルミニウム又はアルミニウムを主成分とする膜と、第二のチタン膜とが積層した構造を用い、且つアルミニウム又はアルミニウムを主成分とする膜がアルミニウム又はアルミニウムを主成分とする膜に流動性を付与する元素を有することにより、コンタクト不良を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜に形成した溝の内部に導電層を形成する方法を提供する。
【解決手段】酸化シリコン膜２４に形成した溝２５の内部にアモルファスシリコン膜２６Ａを堆積し、続いてアモルファスシリコン膜２６Ａの上部にフォトレジスト膜３０をスピン塗布する。次に、フォトレジスト膜３０の全面に露光光を照射して溝２５の外部のフォトレジスト膜３０を露光する。このとき、溝２５の内部のフォトレジスト膜３０は、露光量が不足するので露光されない。次に、フォトレジスト膜３０を現像して露光部である溝２５の外部のフォトレジスト膜３０を除去した後、溝２５の内部に残った未露光のフォトレジスト膜３０をマスクにしたドライエッチングで溝２５の外部のアモルファスシリコン膜２６Ａを除去する。 （もっと読む）

【課題】配線間の寄生容量を十分に低減し得る半導体装置の製造方法を提供することにある。
【解決手段】半導体基板１０上に多孔質絶縁膜５４を形成する工程と、多孔質絶縁膜の表層部を緻密化する緻密化処理を行うことにより、多孔質絶縁膜５４の表層部に、多孔質絶縁膜より密度の高い緻密層５６を形成する工程とを有している。多孔質絶縁膜の表層部を緻密化する緻密化処理を行うことにより緻密層を形成するため、エッチングストッパ膜や保護膜として機能しうる良質な緻密層を極めて薄く形成することができる。従って、配線間の寄生容量を十分に低減することができる。 （もっと読む）

半導体素子が形成された基板上に金属配線を積層し、半導体素子の接続を得る多層配線構造において、多孔質絶縁膜内に微細な金属配線を形成する場合に、リーク電流が発生し隣接する配線間の絶縁性が損なわれたり、隣接する配線間の絶縁耐性が劣化することのない配線構造およびその製造方法を提供する。半導体素子が形成された基板上の金属配線構造において、層間絶縁膜と金属配線との間に、有機物を含む絶縁性バリア層４１３を形成する。この絶縁性バリア層は隣接する配線間のリーク電流を低減し、絶縁信頼性を向上させることができる。
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【課題】ＴｉＳｉ_Ｘ／Ｔｉ膜またはＴｉＳｉ_Ｘ／Ｔｉ／ＴｉＮ膜を連続的に蒸着できるインシチュ薄膜蒸着方法を提供する。
【解決手段】インシチュ薄膜蒸着方法は、内部にロボットアーム１１が設置される移送チャンバ１０と、移送チャンバ１０にクラスタータイプに設置されて内蔵された基板Ｗ上に薄膜を蒸着する複数個のチャンバ２０、３０、５０とを備える薄膜蒸着装置を利用して、基板Ｗ上に抵抗性コンタクト及びバリヤーの役割を行う薄膜を蒸着するに際し、任意のチャンバに、Ｔｉ元素を含む第１反応ガスとＳｉ元素を含む第２反応ガスとを供給し、チャンバ２０の内部にプラズマを印加して、基板ＷにＴｉＳｉ_Ｘ膜を蒸着し、基板Ｗを移送チャンバ１０を介して他のチャンバ３０に移送した後、ＴｉＳｉ_Ｘ膜上にＴｉＮ薄膜を蒸着する。 （もっと読む）

本発明は、層間絶縁膜を貫通する窓に埋め込まれて化学機械研磨により平坦化されたプラグ層と、前記層間絶縁膜上から前記プラグ層上に延在するように堆積されたＴｉ（チタン）膜と、前記Ｔｉ膜上に堆積されたＡｌ（アルミニウム）乃至Ｃｕ（銅）を含む配線層と、前記層間絶縁膜と前記Ｔｉ膜との間に形成され、水素を透過しない下敷膜とを備えることを特徴とする半導体装置に関する。
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【課題】 半導体装置に関し、強誘電体キャパシタに印加される樹脂の吸湿による応力を実効的に低減して、安定した分極反転を可能にする。
【解決手段】 強誘電体キャパシタ１の上部電極４に接続する配線７の延在方向に沿って、強誘電体キャパシタ１を挟んで２つのプラグ５，６を配置する。 （もっと読む）

【課題】従来のＣＭＰプロセスを用いることなく、高アスペクト比の開口を有する接続孔にも良好な埋め込みが可能である半導体装置の作製方法を提供する。また、従来よりも少ない工程数で、配線形成が可能な方法を提供することを目的とする。更には、高集積化された半導体装置の歩留まり高い作製方法を提案する。
【解決手段】複数の空孔を有する絶縁膜表面に撥水表面を有する膜を形成し、撥水表面を有する膜の一部に光を照射して、親水表面を有する領域を形成した後、親水表面を有する領域に導電性粒子を有する液状物質を吐出し、焼成して導電膜を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

強誘電体キャパシタ（２３）を形成した後、表面の傾斜が緩やかな絶縁膜（２４）を、高密度プラズマＣＶＤ法又は常圧ＣＶＤ法等により形成する。その後、アルミナ膜（２５）を絶縁膜（２４）上に形成する。このような方法によれば、アルミナ膜（２５）のカバレッジの低さが問題となることはなく、強誘電体キャパシタ（２３）が確実に保護される。
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