半導体装置およびその製造方法
【課題】配線層の第１絶縁膜に対して選択的にエッチングできるもので接続孔が形成される第２絶縁膜を形成することで、配線信頼性の高い多層配線構造を有する半導体装置を可能とする。
【解決手段】第１絶縁膜１１と、前記第１絶縁膜１１に形成されたもので第１配線２１上のみにバリア膜２２が形成された第１配線２１と、前記第１配線２１を被覆して前記第１絶縁膜１１上に形成されかつ接続孔２３が形成された第２絶縁膜１２とを有し、前記第２絶縁膜１２の前記第１絶縁膜１１側は、前記第１絶縁膜１１に対して選択的にエッチング可能なものである。
【解決手段】第１絶縁膜１１と、前記第１絶縁膜１１に形成されたもので第１配線２１上のみにバリア膜２２が形成された第１配線２１と、前記第１配線２１を被覆して前記第１絶縁膜１１上に形成されかつ接続孔２３が形成された第２絶縁膜１２とを有し、前記第２絶縁膜１２の前記第１絶縁膜１１側は、前記第１絶縁膜１１に対して選択的にエッチング可能なものである。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、溝配線を信頼性高く形成することが容易な半導体装置およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
銅（Ｃｕ）配線はアルミニウム（Ａｌ）系合金配線より低抵抗・低容量・高信頼性を与えることから、配線の寄生抵抗・寄生容量による回路遅延が支配的になる微細素子において重要性を増してきた。一般には銅はアルミニウム系合金配線と異なりドライエッチングが容易ではないため、溝配線技術（例えば、ダマシンプロセス）が広く受け入れられている。溝配線技術とは、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）などの層間絶縁膜に予め所定の溝を形成し、その溝に配線材料を埋め込み、その後余剰配線材料を化学機械研磨（ＣＭＰ：Chemical Mechanical Polishing）法などにより除去することにより形成される配線のプロセスである。さらに接続孔（Ｖｉａ）と配線溝部分（トレンチ）を形成後、一括して配線材料を埋め込み、余剰配線材料を除去する溝配線技術（例えば、デュアルダマシン法）も工程数・コストの削減に有効である（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
また、配線容量の増加がデバイスの速度低下につながるため、低誘電率膜を層間絶縁膜に用いた微細な多層配線が不可欠となっている。低誘電率層間絶縁膜の材料としては、従来より比較的実績のある比誘電率３．５程度のフッ素含有酸化シリコン（ＦＳＧ）のみならず、ポリアリールエーテル（ＰＡＥ）に代表される有機シリコン系のポリマーや、ハイドロゲンシルセキオサン（ＨＳＱ）、メチルシルセスキオキサン（ＭＳＱ）に代表される無機系材料などの比誘電率２．７前後の低誘電率膜が挙げられ、近年ではそれらを多孔質化させて比誘電率を２．２前後とした材料まで導入が試みられている。
【０００４】
銅配線は一般に多層化されて用いられるが、ＣＭＰ直後の銅表面には拡散防止のバリアメタルが存在しないため、上層配線を形成する前に、銅の拡散防止層として機能するキャップ膜を成膜する。その際、銅は１５０℃の低温で、酸素を含有する雰囲気中で容易に酸化されるため、通常、シリコン窒化膜（ＳｉＮ）や、炭化シリコン膜（ＳｉＣ）がキャップ層として用いられている。しかしながら、窒化シリコン（ＳｉＮ）や炭化シリコン（ＳｉＣ）は酸化シリコン（ＳｉＯ2）よりも比誘電率が大きいため、ＣＭＰ後の銅表面を選択的に被覆する方法が有利といわれており、例えば、銅表面をコバルトタングステンリン（ＣｏＷＰ）で被覆する方法が知られている（例えば、特許文献２参照）。
【０００５】
さらに、配線のエレクトロマイグレーション耐性向上として、銅配線上にのみ選択的に金属キャップ膜を形成することにより、最も弱い界面である絶縁膜／金属界面を金属／金属界面とすることにより、デバイス信頼性を向上させることが可能となる。
【０００６】
しかし、この場合、ダマシンもしくはデュアルダマシン構造を形成する際に、接続孔を形成する際に用いられていたエッチングストッパー膜がなくなるため、図９に示すように、いわゆるボーダーレスの接続孔２２３部分で加工時の下層突き抜けを抑制することができなくなり、金属配線からなる第１配線２２１の側部に接続孔２２３が例えばスリット状に延長形成される。この部分にバリアメタルやプラグ材料の銅等の埋め込み不良が生じるので、特性・信頼性劣化が問題となる。そのため、図１０に示すように、第１配線２２１上に、銅の酸化を防止するとともに、銅の拡散を防止するバリア膜２２２を選択的に形成しても、エッチングストッパー膜２４１として、従来から使用されていた窒化シリコン（ＳｉＮ）もしくは炭化シリコン（ＳｉＣ）膜の適用が不可欠となっており、また、バリア膜２２２の段差を被覆できるような厚さに上記エッチングストッパー膜２４１を形成する必要があった。その結果、層間容量の上昇を来すためにデバイス速度の上昇などの問題が発生していた。
【０００７】
【特許文献１】特開平１１−４５８８７号公報
【特許文献２】米国特許第５６９５８１０号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
解決しようとする問題点は、いわゆるボーダーレスの接続孔を形成する際、もしくは接続孔を形成するリソグラフィー工程で合わせずれが発生した際などに、下地配線の側部に接続孔が突き抜けるように形成され、その部分で埋め込み不良を発生するために、配線信頼性の低下、デバイス速度の上昇等が発生する点である。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の半導体装置は、第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜に形成されたもので第１配線上のみに拡散防止膜が形成された第１配線と、前記第１配線を被覆して前記第１絶縁膜上に形成されかつ接続孔が形成された第２絶縁膜とを有し、前記第２絶縁膜の前記第１絶縁膜側は、前記第１絶縁膜に対して選択的にエッチング可能なものであることを最も主要な特徴とする。
【００１０】
本発明の半導体装置の製造方法は、第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜に形成されたもので第１配線上のみに拡散防止膜が形成された第１配線と、前記第１配線を被覆して前記第１絶縁膜上に形成されかつ接続孔が形成された第２絶縁膜とを有する半導体装置の製造方法であって、前記第２絶縁膜の少なくとも前記第１絶縁膜側を前記第１絶縁膜に対して選択的にエッチング可能な絶縁体で形成することを最も主要な特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の半導体装置は、接続孔が形成される第２絶縁膜は、第１配線が形成される第１絶縁膜に対して選択的にエッチング可能なものであるため、第１配線に接続する接続孔を第２絶縁膜に形成しても第１絶縁膜上でエッチングを停止することができるので、いわゆるボーダーレスの接続孔を形成する際、もしくは接続孔を形成するリソグラフィー工程で合わせずれが発生した際などに、第１配線側部に接続孔が突き抜けるように形成されることがない。このため、接続孔内に埋め込まれる材料の埋め込み不良が発生しなくなるので、良好なエレクトロマイグレーション耐性を有し、配線信頼性の向上が図れるという利点がある。よって、従来の接続孔形成時のエッチングを停止させるエッチングストッパー膜を用いた半導体装置、もしくは従来の接続孔形成時のエッチングを停止させるエッチングストッパーを設けない構造を有する半導体装置よりも、高性能で優れた信頼性特性を得ることができる。
【００１２】
本発明の半導体装置の製造方法は、接続孔が形成される第２絶縁膜を第１配線が形成される第１絶縁膜に対して選択的にエッチング可能なもので形成するため、第１配線に接続する接続孔を第２絶縁膜に形成しても第１絶縁膜上でエッチングを停止することができるので、いわゆるボーダーレスの接続孔を形成する際、もしくは接続孔を形成するリソグラフィー工程で合わせずれが発生した際などに、第１配線側部に接続孔が突き抜けるように形成されることが防止できる。このため、接続孔内に埋め込み不良を発生することなく配線材料を埋め込むことができるようになるので、良好なエレクトロマイグレーション耐性を有し、配線信頼性の高い半導体装置を製造できるという利点がある。よって、従来の接続孔形成時のエッチングを停止させるエッチングストッパー膜を用いた半導体装置、もしくは従来の接続孔形成時のエッチングを停止させるエッチングストッパーを設けない構造を有する半導体装置よりも、高性能で優れた信頼性特性を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
配線信頼性の高い多層配線構造を有する半導体装置形成するという目的を、配線層の第１絶縁膜に対して選択的にエッチングできるもので接続孔が形成される第２絶縁膜を形成することで、誘電率の高いエッチングストッパ膜を使用せずに実現した。
【実施例１】
【００１４】
本発明の半導体装置に係る第１実施例を、図１の概略構成断面図によって説明する。
【００１５】
図１に示すように、基体１０上に有機絶縁膜１１１と無機絶縁膜１１２とを積層してなる第１絶縁膜１１が形成されている。上記有機絶縁膜１１１は、例えばポリアリルエーテル（ＰＡＥ）膜で形成され、上記無機絶縁膜１１２は、例えば炭化シリコン酸化膜（ＳｉＯＣ）で形成される。上記第１絶縁膜１１には第１配線２１が溝配線構造にて形成されている。この第１配線２１は、例えば銅（Ｃｕ）もしくは銅合金からなり、その溝内には銅の拡散防止のためのバリアメタル層（図示せず）が形成されている。この第１配線２１の配線厚は、例えば１５０ｎｍに形成されている。また、上記基体１０にはトランジスタなどのデバイス（図示せず）が作製されている。
【００１６】
上記第１配線２１上にはバリア膜２２が形成されている。このバリア膜２２は、導電性の材料からなり、絶縁膜中から第１配線２１に侵入しようとする酸素のバリア（第１配線２１の酸化防止）として機能するとともに第１配線２１中の銅の拡散バリアとして機能するものであり、例えばコバルトタングステンリン（ＣｏＷＰ）を例えば１０ｎｍの厚さに堆積して形成されている。
【００１７】
上記バリア膜２２を含む第１配線２１上を被覆するように上記第１絶縁膜１１上には第２絶縁膜１２が形成されている。この第２絶縁膜１２の少なくとも第１絶縁膜１１側は上記第１絶縁膜１１に対して選択的にエッチングされる絶縁体で形成されている。例えば、上記第２絶縁膜１２は、積層膜で形成されていて、下層より有機絶縁膜１２１、無機絶縁膜１２２の順に形成されている。例えば、下層の有機絶縁膜１２１は、例えばポリアリルエーテル（ＰＡＥ）膜で形成され、上層の無機絶縁膜１２２は、例えば炭化シリコン酸化膜（ＳｉＯＣ）で形成されている。上記有機絶縁膜１２１と無機絶縁膜１２２の膜厚は、一例として、それぞれ８０ｎｍずつとしている。
【００１８】
上記第２絶縁膜１２上には配線層間絶縁膜となる第３絶縁膜１３が形成されている。この第３絶縁膜１３は、例えばポリアリルエーテル（ＰＡＥ）膜で形成されている。さらに、第３絶縁膜１３上にはハードマスク層１４が形成されている。ここではハードマスク層１４は２層構造に形成され、例えば下層側の第１ハードマスク層１４１は炭化シリコン酸化膜（ＳｉＯＣ）で形成され、上層側の第２ハードマスク（図示せず）はシリコン窒化膜（ＳｉＮ）で形成されている。第３絶縁膜１３、第１、第２ハードマスク層１４１、（図示せず）のそれぞれの膜厚は、例えば８０ｎｍ、１４０ｎｍ、３０ｎｍとする。
【００１９】
上記第２絶縁膜１２、第３絶縁膜１３、ハードマスク層１４には、接続孔２３および接続孔２３に接続される配線溝２４が形成されている。すなわち、上記ハードマスク層１４および第３絶縁膜１３には配線溝２４が形成され、この配線溝２４の底部から第２絶縁膜１２には第１配線２１上に形成されたバリア膜２２に達する接続孔２３が形成されている。上記接続孔２３が形成される第１配線２１上の絶縁膜は有機絶縁膜１２１で形成されているため、この有機絶縁膜１２１は、第１配線２１が形成されている絶縁膜の上層の無機絶縁膜１１２に対するエッチング選択比が１００以上得られるため、無機絶縁膜１１２に接続孔２３は形成されていない。また、有機絶縁膜からなる第３絶縁膜１３は、第２絶縁膜の上層の無機絶縁膜１２２に対するエッチング選択比が１００以上得られるため、配線溝２４には深さばらつきが生じ無い。
【００２０】
上記配線溝２４および上記配線溝２４に連続する上記接続孔２３の各内部を被覆するように、銅配線の層間絶縁膜に対する拡散防止膜２５が形成され、上記配線溝２４および上記接続孔２３の内部を埋め込むように銅もしくは銅を含む合金が形成されている。したがって、上記配線溝２４の内部に拡散防止膜２５を介して銅もしくは銅を含む合金からなる第２配線２６が形成され、上記接続孔２３の内部に拡散防止膜２５を介して上記第１配線２１と上記第２配線２６とを電気的に接続するもので銅もしくは銅を含む合金からなるプラグ２７が形成されている。このようにして、いわゆるデュアルダマシン構造の多層配線構造が構成されている。さらに、上記第２配線２６の上面にのみ、第１配線２１と同様な銅の酸化防止および拡散防止となるバリア膜２８が形成されている。
【００２１】
本発明の半導体装置の第１実施例は、接続孔２３が形成される第２絶縁膜１２の下層部分の有機絶縁膜１２１は、第１配線２１が形成される第１絶縁膜１１の上層部分の無機絶縁膜１１２に対して選択的にエッチング可能なものであるため、第１配線２１に接続する接続孔２３を第２絶縁膜１２に形成しても第１絶縁膜１１上でエッチングが停止されるので、接続孔２３をいわゆるボーダーレスに形成する際、もしくは接続孔２３を形成するリソグラフィー工程で合わせずれが発生した際などに、第１配線２１側部に接続孔２３が突き抜けるように形成されることがない。このため、接続孔２３内に埋め込まれる材料の埋め込み不良が発生しなくなるので、配線信頼性の向上が図れるという利点がある。
【実施例２】
【００２２】
次に、本発明の半導体装置に係る第２実施例を、図２の概略構成断面図によって説明する。なお、上記第１実施例と同様なる構成部品には第１実施例の構成部品と同一の符号を付与した。
【００２３】
図２に示すように、基体１０上に有機絶縁膜１１１と無機絶縁膜１１２とを積層してなる第１絶縁膜１１が形成されている。上記有機絶縁膜１１１は、例えばポリアリルエーテル（ＰＡＥ）膜で形成され、上記無機絶縁膜１１２は、例えば炭化シリコン酸化膜（ＳｉＯＣ）で形成される。上記第１絶縁膜１１には第１配線２１が溝配線構造にて形成されている。この第１配線２１は、例えば銅（Ｃｕ）もしくは銅合金からなり、その溝内には銅の拡散防止のためのバリアメタル層（図示せず）が形成されている。この第１配線２１の配線厚は、例えば１５０ｎｍに形成されている。また、上記基体１０にはトランジスタなどのデバイス（図示せず）が作製されている。
【００２４】
上記第１配線２１上にはバリア膜２２が形成されている。このバリア膜２２は、導電性の材料からなり、絶縁膜中から第１配線２１に侵入しようとする酸素のバリア（第１配線２１の酸化防止）として機能するとともに第１配線２１中の銅の拡散バリアとして機能するものであり、例えばコバルトタングステンリン（ＣｏＷＰ）を例えば１０ｎｍの厚さに堆積して形成されている。
【００２５】
上記バリア膜２２を含む第１配線２１上を被覆するように上記第１絶縁膜１１上には第２絶縁膜１２が形成されている。この第２絶縁膜１２は、上記第１絶縁膜１１に対して選択的にエッチングされる絶縁体で形成されている。例えば、第２絶縁膜１２は、有機絶縁膜で形成され、この有機絶縁膜としてはポリアリルエーテル（ＰＡＥ）膜が用いられ、その膜厚は例えば２４０ｎｍとしている。
【００２６】
上記第２絶縁膜１２上にはハードマスク層１４が形成されている。ここではハードマスク層１４は、例えば炭化シリコン酸化膜（ＳｉＯＣ）で形成され、その膜厚は、例えば１４０ｎｍとする。
【００２７】
上記第２絶縁膜１２、ハードマスク層１４には、接続孔２３および接続孔２３に接続される配線溝２４が形成されている。すなわち、上記ハードマスク層１４および第２絶縁膜１２の上層部には配線溝２４が形成され、この配線溝２４の底部から第２絶縁膜１２には第１配線２１上に形成されたバリア膜２２に達する接続孔２３が形成されている。上記接続孔２３が形成される第２絶縁膜１２は有機絶縁膜で形成されているので、この有機絶縁膜は、第１配線２１が形成されている絶縁膜の上層の無機絶縁膜１１２に対するエッチング選択比が１００以上得られるため、無機絶縁膜１１２に接続孔２３は形成されていない。
【００２８】
上記配線溝２４および上記配線溝２４に連続する上記接続孔２３の各内部を被覆するように、銅配線の層間絶縁膜に対する拡散防止膜２５が形成され、上記配線溝２４および上記接続孔２３の内部を埋め込むように銅もしくは銅を含む合金が形成されている。したがって、上記配線溝２４の内部に拡散防止膜２５を介して銅もしくは銅を含む合金からなる第２配線２６が形成され、上記接続孔２３の内部に拡散防止膜２５を介して上記第１配線２１と上記第２配線２６とを電気的に接続するもので銅もしくは銅を含む合金からなるプラグ２７が形成されている。このようにして、いわゆるデュアルダマシン構造の多層配線構造が構成されている。さらに、上記第２配線２６の上面にのみ、第１配線２１と同様な銅の酸化防止および拡散防止となるバリア膜２８が形成されている。
【００２９】
本発明の半導体装置の第２実施例は、接続孔２３が形成される第２絶縁膜１２が有機絶縁膜であり、この有機絶縁膜は第１配線２１が形成される第１絶縁膜１１の上層部分の無機絶縁膜１１２に対して選択的にエッチング可能なものであるため、第１配線２１に接続する接続孔２３を第２絶縁膜１２に形成しても第１絶縁膜１１上でエッチングが停止される。このため、接続孔２３をいわゆるボーダーレスに形成する際、もしくは接続孔２３を形成するリソグラフィー工程で合わせずれが発生した際などに、第１配線２１側部に接続孔２３が突き抜けるように形成されることがない。よって、接続孔２３内に埋め込まれる材料の埋め込み不良が発生しなくなるので、配線信頼性の向上が図れるという利点がある。
【実施例３】
【００３０】
次に、本発明の半導体装置に係る第３実施例を、図３の概略構成断面図によって説明する。なお、上記第１実施例と同様なる構成部品には第１、第２実施例の構成部品と同一の符号を付与した。
【００３１】
図３に示すように、基体１０上に有機絶縁膜１１１と無機絶縁膜１１２とを積層してなる第１絶縁膜１１が形成されている。上記有機絶縁膜１１１は、例えばポリアリルエーテル（ＰＡＥ）膜で形成され、上記無機絶縁膜１１２は、例えば炭化シリコン酸化膜（ＳｉＯＣ）で形成される。上記第１絶縁膜１１には第１配線２１が溝配線構造にて形成されている。この第１配線２１は、例えば銅（Ｃｕ）もしくは銅合金からなり、その溝内には銅の拡散防止のためのバリアメタル層（図示せず）が形成されている。この第１配線２１の配線厚は、例えば１５０ｎｍに形成されている。また、上記基体１０にはトランジスタなどのデバイス（図示せず）が作製されている。
【００３２】
上記第１配線２１上にはバリア膜２２が形成されている。このバリア膜２２は、導電性の材料からなり、絶縁膜中から第１配線２１に侵入しようとする酸素のバリア（第１配線２１の酸化防止）として機能するとともに第１配線２１中の銅の拡散バリアとして機能するものであり、例えばコバルトタングステンリン（ＣｏＷＰ）を例えば１０ｎｍの厚さに堆積して形成されている。
【００３３】
上記バリア膜２２を含む第１配線２１上を被覆するように上記第１絶縁膜１１上には第２絶縁膜１２が形成されている。この第２絶縁膜１２の少なくとも第１絶縁膜１１側は上記第１絶縁膜１１に対して選択的にエッチングされる絶縁体で形成されている。例えば、上記第２絶縁膜１２は、積層膜で形成されていて、下層より有機絶縁膜１２１、エッチングストッパーとなる無機絶縁膜１２２の順に形成されている。例えば、下層の有機絶縁膜１２１は、例えばポリアリルエーテル（ＰＡＥ）膜で形成され、上層の無機絶縁膜１２２は、例えば炭化シリコン膜（ＳｉＣ）で形成されている。上記有機絶縁膜１２１と無機絶縁膜１２２の膜厚は、一例として、それぞれ１５０ｎｍ、１０ｎｍとする。
【００３４】
上記第２絶縁膜１２上には配線層間絶縁膜となる第３絶縁膜１３が形成されている。この第３絶縁膜１３は、例えばポリアリルエーテル（ＰＡＥ）膜で形成されている。さらに、第３絶縁膜１３上にはハードマスク層１４が形成されている。ここではハードマスク層１４は、例えば炭化シリコン酸化膜（ＳｉＯＣ）で形成されていて、その膜厚は、例えば１４０ｎｍとする。
【００３５】
上記第２絶縁膜１２、第３絶縁膜１３、ハードマスク層１４には、接続孔２３および接続孔２３に接続される配線溝２４が形成されている。すなわち、上記ハードマスク層１４および第３絶縁膜１３には配線溝２４が形成され、この配線溝２４の底部から第２絶縁膜１２には第１配線２１上に形成されたバリア膜２２に達する接続孔２３が形成されている。上記接続孔２３が形成される第１配線２１上の絶縁膜は有機絶縁膜１２１で形成されているため、この有機絶縁膜１２１は、第１配線２１が形成されている絶縁膜の上層の無機絶縁膜１１２に対するエッチング選択比が１００以上得られるため、無機絶縁膜１１２に接続孔２３は形成されていない。また、有機絶縁膜からなる第３絶縁膜１３は、第２絶縁膜の上層の無機絶縁膜１２２に対するエッチング選択比が１００以上得られるため、配線溝２４には深さばらつきが生じ無い。
【００３６】
上記配線溝２４および上記配線溝２４に連続する上記接続孔２３の各内部を被覆するように、銅配線の層間絶縁膜に対する拡散防止膜２５が形成され、上記配線溝２４および上記接続孔２３の内部を埋め込むように銅もしくは銅を含む合金が形成されている。したがって、上記配線溝２４の内部に拡散防止膜２５を介して銅もしくは銅を含む合金からなる第２配線２６が形成され、上記接続孔２３の内部に拡散防止膜２５を介して上記第１配線２１と上記第２配線２６とを電気的に接続するもので銅もしくは銅を含む合金からなるプラグ２７が形成されている。このようにして、いわゆるデュアルダマシン構造の多層配線構造が構成されている。さらに、上記第２配線２６の上面にのみ、第１配線２１と同様な銅の酸化防止および拡散防止となるバリア膜２８が形成されている。
【００３７】
本発明の半導体装置の第３実施例は、第１配線２１上にのみ選択的にバリア膜２２が形成され、接続孔２３の層間として有機絶縁膜である第２絶縁膜１２と、配線層間のマスクである無機絶縁膜のハードマスク層１４とを形成しているため、第１配線２１上に誘電率の高い窒化シリコン（ＳｉＮ）もしくは炭化シリコン（ＳｉＣ）といった誘電率の高いエッチングストッパー膜を適用することなく、良好な多層配線構造を得ることができる。また第１配線２１上に誘電率の高いエッチングストッパー膜を適用していないことにより、デバイス全体の容量の低減が可能となり、かつ接続孔のボーダーレス部分、もしくはリソグラフィー工程における大きな合わせズレが発生した際にも、下層の下地突き抜けを抑制することができるため、良好なエレクトロマイグレーション耐性を有し、かつ高性能（例えば応答速度が速い）・高信頼性な半導体デバイスとなる。少なくとも、本発明の半導体装置は、従来のエッチングストッパー膜を用いた半導体装置、もしくは従来の層間絶縁膜構造を用いたストッパーレス構造を有する半導体装置よりも、高性能で優れた信頼性特性を得ることができる。
【実施例４】
【００３８】
本発明の半導体装置の製造方法に係る第１実施例を、図４〜図５の概略構成断面図によって説明する。
【００３９】
図４（１）に示すように、基体１０上に有機絶縁膜１１１と無機絶縁膜１１２とを積層してなる第１絶縁膜１１が形成されている。上記有機絶縁膜１１１は、例えばポリアリルエーテル（ＰＡＥ）膜で形成され、上記無機絶縁膜１１２は、例えば炭化シリコン酸化膜（ＳｉＯＣ）で形成される。上記第１絶縁膜１１には第１配線２１が溝配線構造にて形成されている。この第１配線２１は、例えば銅（Ｃｕ）もしくは銅合金からなり、その溝内には銅の拡散防止のためのバリアメタル層（図示せず）が形成されている。この第１配線２１の配線厚は、例えば１５０ｎｍに形成されている。また、上記基体１０にはトランジスタなどのデバイス（図示せず）が作製されている。
【００４０】
さらに、しかるべき後処理の後、上記第１配線２１上にのみ、選択的にバリア膜２２を形成する。このバリア膜２２は、導電性の材料からなり、絶縁膜中から第１配線２１に侵入しようとする酸素のバリア（第１配線２１の酸化防止）として機能するとともに第１配線２１中の銅の拡散バリアとして機能するものであり、例えばコバルトタングステンリン（ＣｏＷＰ）を例えば１０ｎｍの厚さに堆積して形成される。ＣｏＷＰは、例えばｐＨ１．３の塩化パラジウム（ＰｄＣｌ2）水溶液で銅配線上にのみパラジウム（Ｐｄ）を置換めっきしたのち、例えばｐＨ９．５に調整した、タングステン酸アンモニウム、塩化コバルト、次亜燐酸アンモニウム、シュウ酸アンモニウムをめっき液として無電界めっき法にて成膜することができる。
【００４１】
続けて、上記バリア膜２２を含む第１配線２１上を被覆するように、上記第１絶縁膜１１上に第２絶縁膜１２を形成する。この第２絶縁膜１２の少なくとも第１絶縁膜１１側は上記第１絶縁膜１１に対して選択的にエッチングされる絶縁体で形成される。例えば、上記第２絶縁膜１２は、積層膜で形成され、下層より有機絶縁膜１２１、無機絶縁膜１２２の順に形成される。例えば、下層の有機絶縁膜１２１を、例えばポリアリルエーテル（ＰＡＥ）膜で形成し、上層の無機絶縁膜１２２を、例えば炭化シリコン酸化膜（ＳｉＯＣ）で形成する。上記有機絶縁膜１２１と無機絶縁膜１２２の膜厚は、一例として、それぞれ８０ｎｍずつとした。上記ポリアリールエーテル膜は、しかるべき前駆体をスピンコート法により塗布した後、３５０℃、５分のキュア処理を行うことにより形成することができる。また、炭化シリコン酸化膜（ＳｉＯＣ）は、例えば平行平板型プラズマＣＶＤ装置を用い、その際に使用するガスとしては、シリコン源としてメチルシラン（ＳｉＣＨ3）を用いた。
【００４２】
続けて、上記第２絶縁膜１２上に配線層間絶縁膜となる第３絶縁膜１３を形成する。この第３絶縁膜１３は、例えばポリアリルエーテル（ＰＡＥ）膜で形成することができる。次いで、第３絶縁膜１３上にハードマスク層１４を形成する。ここではハードマスク層１４は２層構造に形成する。まず第１ハードマスク層１４１として炭化シリコン酸化膜（ＳｉＯＣ）を形成し、第２ハードマスク１４２としてシリコン窒化膜（ＳｉＮ）を形成する。第３絶縁膜１３、第１、第２ハードマスク層１４１、１４２のそれぞれの膜厚は、例えば８０ｎｍ、１４０ｎｍ、３０ｎｍとした。
【００４３】
上記第３絶縁膜１３を構成するポリアリールエーテル膜は、しかるべき前駆体をスピンコート法により塗布した後、３５０℃、５分のキュア処理を行うことにより形成することができる。また、上記第１ハードマスク層１４１を構成する炭化シリコン酸化膜（ＳｉＯＣ）は、例えば平行平板型プラズマＣＶＤ装置を用い、その際に使用するガスとしては、シリコン源としてメチルシラン（ＳｉＣＨ3）を用いた。また、上記第２ハードマスク層１４２を構成するシリコン窒化膜（ＳｉＮ）は、例えば平行平板型のプラズマＣＶＤ装置を用いて、シラン（ＳｉＨ4）、アンモニア（ＮＨ3）ガスを用いて、圧力を５５０Ｐａとして成膜することができる。
【００４４】
次に、上記ハードマスク層１４上に配線溝パターンを形成するためのレジストマスク１５を形成する。このレジストマスク１５には配線溝パターンを形成するための開口部１５１が形成されている。その後、上記レジストマスクをエッチングマスクに用いたドライエッチング法により、第２ハードマスク層１４２をエッチングする。
【００４５】
その結果、図４（２）に示すように、第２ハードマスク層１４２に配線溝パターン１４３が形成される。このエッチングは、例えば、一般的なマグネトロン方式のエッチング装置を用いて、例えばエッチングガスにトリフルオロメタン（ＣＨＦ3）、アルゴン（Ａｒ）および酸素（Ｏ2）を混合したガスを用い、そのガス流量比を、例えばＣＨＦ3：Ａｒ：Ｏ2＝１：５：１とし、バイアスパワーを５００Ｗに、基板温度を２０℃に設定する。上記エッチング加工の後、しかるべき薬液を用いた後処理を行うことにより、上記レジストマスク１５を除去するとともに、エッチング処理時の残留デポ物を除去する。なお、上記エッチングでは、第１ハードマスク層１４１上部もエッチングされることがある。
【００４６】
次に、図４（３）に示すように、上記ハードマスク層１４上に接続孔パターンを形成するためのレジストマスク１６を形成する。このレジストマスク１６には接続孔パターンを形成するための開口部１６１が形成されている。上記レジストマスク１６をエッチングマスクに用いたドライエッチング法により、第１ハードマスク１４１をエッチングし、さらに第３絶縁膜１３をエッチングする。
【００４７】
その結果、図４（４）に示すように、第１ハードマスク層１４１および第３絶縁膜１３に接続孔２３が形成される。ここでの第１ハードマスク１４１はＳｉＯＣ膜からなるので、一般的なマグネトロン方式のエッチング装置にて、エッチングガスとしてオクタフルオロブタン（Ｃ4Ｆ8）、アルゴン（Ａｒ）を用い、バイアスパワーを４００Ｗに設定する。ガス流量比はＣ4Ｆ8：Ａｒ＝１：４とし、基板温度を２０℃に設定した。また、上記第３絶縁膜１３はポリアリールエーテル膜からなるので、例えば一般的な高密度プラズマエッチング装置を用い、例えばエッチングガスとしてアンモニア（ＮＨ3）を用いて行う。ＲＦパワーを１５０Ｗ、基盤温度を１０℃に設定した。このエッチング条件での上記レジストマスク１６〔前記図４（３）参照〕のエッチングレートはポリアリールエーテル膜のエッチングレートとほぼ同等であるため、ポリアリールエーテル膜のエッチング中にレジストマスク１６は後退していくが、第１ハードマスク層１４１があるため良好な接続孔２３の開口形状を得ることができる。
【００４８】
続いて、図４（５）に示すように、上記第１ハードマスク層１４１をエッチングマスクに用いて第２絶縁膜１２の無機絶縁膜１２２をエッチングして接続孔２３を延長形成すると同時に、第２ハードマスク層１４２〔前記図４（４）参照〕をエッチングマスクに用いて第１ハードマスク層１４１に配線溝２４を形成する。ここでのエッチングは、最終的に第２ハードマスク層１４２が無くなるよう、例えば一般的なマグネトロン方式のエッチング装置にて、例えばエッチングガスとしてオクタフルオロシクロペンテン（Ｃ5Ｆ8）、一酸化炭素（ＣＯ）、アルゴン（Ａｒ）および酸素（Ｏ2）の混合ガスを用いて、ガス流量比をＣ5Ｆ8：Ｃｏ：Ａｒ：Ｏ2＝１：１０：５：１とし、バイアスパワーを１６００Ｗ、基板温度を２０℃に設定する。
【００４９】
続いて、図４（６）に示すように、第２絶縁膜１２の有機絶縁膜１２１と第３絶縁膜１３とを同時にエッチングすることにより、第１ハードマスク層１４１および第３絶縁膜１３に配線溝２４が形成され、第２絶縁膜１２に第１配線２１上のバリア膜２２に達する接続孔２３が形成される。このようにして、いわゆる、デュアルダマシン加工が完了する。ここでのエッチングは、例えば一般的な高密度プラズマエッチング装置を用い、例えばエッチングガスとしてアンモニア（ＮＨ3）を用いて行う。ＲＦパワーを１５０Ｗ、基盤温度を１０℃に設定した。このエッチング条件における第１ハードマスク１４１および下層の第２絶縁膜１２の無機絶縁膜１２２に対するエッチング選択比は１００以上得られるため、配線溝２４には深さばらつきが生じ無い。
【００５０】
その後、しかるべき薬液を用いた後処理を行うことにより、エッチング処理時の残留デポ物の除去する。続けて、しかるべき脱ガス処理およびＲＦスパッタリング処理を行うことにより、接続孔２３の開口によって露出した第１配線２１（バリア膜２２）の変質層の除去を行う。
【００５１】
続けて、図５（７）に示すように、上記配線溝２４および上記配線溝２４に連続する上記接続孔２３の各内部を被覆するように、銅配線の層間絶縁膜に対する拡散防止膜２５を形成する。その際、第１ハードマスク層１４１上面にも上記拡散防止膜２５が形成される。この拡散防止膜２５には、例えばタンタル（Ｔａ）膜を用いることができる。この成膜は、例えば一般的なマグネトロンスパッタリング装置を用い、タンタルターゲットを用いて指向性スパッタリング法にて成膜する。ここでの拡散防止膜２５の成膜は、上記デュアルダマシン構造の配線溝２４および接続孔２３の内面に対してカバリッジ良く形成される必要があり、好ましくは自己放電イオン化スパッタリング法もしくは遠距離スパッタリング法などの指向性スパッタリング法を用いるのが良い。
【００５２】
続けて、めっき（例えば、電解めっきもしくは無電解めっき）法もしくはスパッタリング法もしくはＣＶＤ法にて、上記拡散防止膜２５表面に銅もしくは銅を含む合金を成膜する。また、めっき法を用いる場合には、スパッタリング法もしくはＣＶＤ法にて予め配線溝２４および接続孔２３の内面に銅のシード層を形成しておくことが好ましい。上記銅もしくは銅を含む合金の成膜により、上記配線溝２４および接続孔２３を埋め込む。その際、第１ハードマスク層１４１上にも銅もしくは銅を含む合金が堆積される。
【００５３】
続けて、例えば化学的機械研磨（ＣＭＰ）法により配線が形成されていない領域の余剰銅もしくは銅を含む合金および拡散防止膜２５を除去することにより、上記配線溝２４の内部に拡散防止膜２５を介して銅もしくは銅を含む合金からなる第２配線２６が形成され、上記接続孔２３の内部に拡散防止膜２５を介して、上記第１配線２１と上記第２配線２６とを電気的に接続するもので銅もしくは銅を含む合金からなるプラグ２７が形成される。このようにして、いわゆるデュアルダマシン構造の多層配線構造が得られる。次いで、上記第２配線２６の上面にのみ、第１配線２１と同様な銅の酸化防止および拡散防止となるバリア膜２８を形成する。
【００５４】
本発明の半導体装置の製造方法に係る第１実施例では、図６（１）に示すように、接続孔２３と下層の第１配線２１との間で合わせずれが発生した場合であっても、第１絶縁膜１１の無機絶縁膜１２２に対して第２絶縁膜１２の有機絶縁膜１２１が選択的にエッチングできるので、第１配線２１が形成されている第１絶縁膜１１（無機絶縁膜１１２）に接続孔２３が突き抜けて形成されることはなく、接続孔２３を制御性良く形成することができる。
【００５５】
したがって、図６（２）に示すように、上記配線溝２４および上記配線溝２４に連続する上記接続孔２３の各内部を被覆するように、銅配線の層間絶縁膜に対する拡散防止膜２５をカバリッジよく形成することができる。さらに、配線溝２４および接続孔２３の内面に銅のシード層をカバリッジよく形成することができ、また、上記配線溝２４および接続孔２３の内部に銅もしくは銅を含む合金をボイドを発生することなく埋め込むことができる。したがって、上記配線溝２４の内部に拡散防止膜２５を介して銅もしくは銅を含む合金からなる第２配線２６を信頼性良く形成することができ、上記接続孔２３の内部に拡散防止膜２５を介して上記第１配線２１と上記第２配線２６とを電気的に接続するもので銅もしくは銅を含む合金からなるプラグ２７を信頼性良く形成することができる。このようにして、たとえ、接続孔を形成する際に合わせずれが発生しても、信頼性の高いいわゆるデュアルダマシン構造の多層配線構造が得られる。なお、上記第２配線２６の上面にのみ、第１配線２１と同様な銅の酸化防止および拡散防止となるバリア膜２８が形成される。
【００５６】
上記第１実施例の製造方法では、第１配線２１上にのみ選択的にバリア膜２２を形成し、接続孔２３の層間として有機絶縁膜１２１と、配線層間のマスクとして２層からなる無機絶縁膜のハードマスク層１４とを形成しているため、誘電率の高い窒化シリコン（ＳｉＮ）もしくは炭化シリコン（ＳｉＣ）といった誘電率の高いエッチングストッパー膜を適用することなく、良好な多層配線構造を得ることができる。また誘電率の高いエッチングストッパー膜を適用していないことにより、デバイス全体の容量の低減が可能となり、かつ接続孔のボーダーレス部分、もしくはリソグラフィー工程における大きな合わせズレが発生した際にも、下層の下地突き抜けを抑制することができるため、良好なエレクトロマイグレーション耐性を有し、かつ高性能（例えば応答速度が速い）・高信頼性な半導体デバイスを得ることができる。少なくとも、上記各工程を経て形成された半導体装置は、従来のエッチングストッパー膜を用いた半導体装置、もしくは従来の層間絶縁膜構造を用いたストッパーレス構造を有する半導体装置よりも、高性能で優れた信頼性特性を得ることができる。
【００５７】
尚、上記記載の各種絶縁膜およびバリア膜２２、２８は、表記された膜種、膜厚、製法に限定されることはない。銅配線上にのみ選択的に形成するバリア膜２２、２８はコバルトタングステンリン（ＣｏＷＰ）の代わりに、例えば、ニッケルタングステンリン（ＮｉＷＰ）、コバルトタングステンホウ素（ＣｏＷＢ）などの合金、もしくは通常の銅のバリアメタルとして用いているタンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、さらには、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、もしくはこれら金属の合金、窒化膜でも良く、さらにはこれら金属、合金、窒化膜を複数組み合わせたものでもよい。
【００５８】
上記接続孔２３が形成される絶縁膜として用いている有機絶縁膜１２１にはポリアリールエーテル（ＰＡＥ）の他に、例えば、ポリアリレンエーテル膜、アモルファスカーボン膜、ポリテトラトラフロロエチレン膜の適用でもよく、さらにはこれらを多孔質（ポーラス）化させた膜でも問題なく用いることができる。
【００５９】
また、第１ハードマスク１４１として用いているＳｉＯＣ膜の代わりに、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）、スピンコート法により形成されるメチルシルセスキオキサン（ＭＳＱ）膜やハイドロゲンシルセキオサン（ＨＳＱ）膜などの適用が可能である。
【実施例５】
【００６０】
次に、本発明の半導体装置の製造方法に係る第２実施例を、図７の概略構成断面図によって説明する。なお、上記第１実施例と同様なる構成部品には第１実施例の構成部品と同一の符号を付与した。
【００６１】
図７（１）に示すように、基体１０上に有機絶縁膜１１１と無機絶縁膜１１２とを積層してなる第１絶縁膜１１が形成されている。上記有機絶縁膜１１１は、例えばポリアリルエーテル（ＰＡＥ）膜で形成され、上記無機絶縁膜１１２は、例えば炭化シリコン酸化膜（ＳｉＯＣ）で形成される。上記第１絶縁膜１１には第１配線２１が溝配線構造にて形成されている。この第１配線２１は、例えば銅（Ｃｕ）もしくは銅合金からなり、その溝内には銅の拡散防止のためのバリアメタル層（図示せず）が形成されている。この第１配線２１の配線厚は、例えば１５０ｎｍに形成されている。また、上記基体１０にはトランジスタなどのデバイス（図示せず）が作製されている。
【００６２】
さらに、しかるべき後処理の後、上記第１配線２１上にのみ、選択的にバリア膜２２を形成する。このバリア膜２２は、導電性の材料からなり、絶縁膜中から第１配線２１に侵入しようとする酸素のバリア（第１配線２１の酸化防止）として機能するとともに第１配線２１中の銅の拡散バリアとして機能するものであり、例えばコバルトタングステンリン（ＣｏＷＰ）を例えば１０ｎｍの厚さに堆積して形成される。ＣｏＷＰは、例えばｐＨ１．３の塩化パラジウム（ＰｄＣｌ2）水溶液で銅配線上にのみパラジウム（Ｐｄ）を置換めっきしたのち、例えばｐＨ９．５に調整した、タングステン酸アンモニウム、塩化コバルト、次亜燐酸アンモニウム、シュウ酸アンモニウムをめっき液として無電界めっき法にて成膜することができる。
【００６３】
続けて、上記バリア膜２２を含む第１配線２１上を被覆するように、上記第１絶縁膜１１上に第２絶縁膜１２を形成する。この第２絶縁膜１２の少なくとも第１絶縁膜１１側は上記第１絶縁膜１１に対して選択的にエッチングされる絶縁体で形成される。例えば、上記第２絶縁膜１２は有機絶縁膜で形成される。例えば、この有機絶縁膜はポリアリルエーテル（ＰＡＥ）膜で形成される。上記第２絶縁膜１２の膜厚は、一例として、それぞれ２４０ｎｍとした。上記ポリアリールエーテル膜は、しかるべき前駆体をスピンコート法により塗布した後、３５０℃、５分のキュア処理を行うことにより形成することができる。
【００６４】
続けて、第２絶縁膜１２上にハードマスク層１４を形成する。ここではハードマスク層１４を、例えば炭化シリコン酸化膜（ＳｉＯＣ）で形成する。このハードマスク層１４の膜厚は、例えば１４０ｎｍｍとした。また、上記ハードマスク層１４を構成する炭化シリコン酸化膜（ＳｉＯＣ）は、例えば平行平板型プラズマＣＶＤ装置を用い、その際に使用するガスとしては、シリコン源としてメチルシラン（ＳｉＣＨ3）を用いた。
【００６５】
次に、上記ハードマスク層１４上に接続孔パターンを形成するためのレジストマスク１７を形成する。このレジストマスク１７には接続パターンを形成するための開口部１７１が形成されている。その後、上記レジストマスクをエッチングマスクに用いたドライエッチング法により、ハードマスク層１４および第２絶縁膜１２をエッチングする。
【００６６】
その結果、図７（２）に示すように、ハードマスク層１４および第２絶縁膜１２に接続孔２３が形成される。ここでのハードマスク層１４のエッチング加工は、一般的なマグネトロン方式のエッチング装置にて、エッチングガスとしてオクタフルオロブタン（Ｃ4Ｆ8）、アルゴン（Ａｒ）を用い、バイアスパワーを４００Ｗに設定する。ガス流量比はＣ4Ｆ8：Ａｒ＝１：４とし、基板温度は２０℃と設定した。また、上記ポリアリールエーテル膜からなる第２絶縁膜１２のエッチング加工は、一般的な高密度プラズマエッチング装置を用い、例えばエッチングガスとしてアンモニア（ＮＨ3）を用いて行う。ＲＦパワーを１５０Ｗ、基盤温度を１０℃に設定した。また、加工した接続孔の深さが１５０ｎｍになるよう加工時間を設定した。このエッチング条件での上記レジストマスク１７のエッチングレートはポリアリールエーテルのエッチングレートとほぼ同等であるため、ポリアリールエーテルのエッチング中にレジストマスク１７は後退していくが、ＳｉＯＣからなるハードマスク１４が存在しているため良好な接続孔２３の開口形状を得ることができる。続いて、しかるべき薬液を用いた後処理を行うことにより、レジストマスク１７の除去、エッチング処理時の残留デポ物の除去をする。
【００６７】
次に、図７（３）に示すように、上記ハードマスク層１４上に配線溝パターンを形成するためのレジストマスク１８を形成する。このレジストマスク１８には配線溝パターンを形成するための開口部１８１が形成されている。その後、上記レジストマスク１８をエッチングマスクに用いたドライエッチング法により、ハードマスク層１４をエッチングする。
【００６８】
その結果、図７（４）に示すように、ハードマスク層１４に配線溝２４が形成される。ここでのハードマスク層１４のエッチング加工は、一般的なマグネトロン方式のエッチング装置にて、エッチングガスとしてオクタフルオロブタン（Ｃ4Ｆ8）、アルゴン（Ａｒ）を用い、バイアスパワーを４００Ｗに設定する。ガス流量比はＣ4Ｆ8：Ａｒ＝１：４とし、基板温度は２０℃と設定した。
【００６９】
続けて、図７（５）に示すように、第２絶縁膜１２に配線溝２４および接続孔２３を延長形成する。そして、接続孔２３がバリア膜２２に到達して、エッチング加工を終了する。このようにして、いわゆるデュアルダマシン加工が完了する。このでのエッチングは、例えば一般的な高密度プラズマエッチング装置を用い、例えばエッチングガスとしてアンモニア（ＮＨ3）を用いて行う。ＲＦパワーを１５０Ｗ、基盤温度を１０℃に設定する。また、加工した配線溝２４の深さが８０ｎｍになるよう加工時間を設定する。このエッチング条件におけるハードマスク層１４および下層の第１絶縁膜１１上層の無機絶縁膜１１２のＳｉＯＣ膜に対するエッチング選択比は１００以上得られるため、接続孔２３と第１配線２１とで合わせずれを発生させた場合でも下層突き抜けを発生させることなく、制御性良く接続孔２３のエッチング加工を行うことができる。
【００７０】
その後、しかるべき薬液を用いた後処理を行うことにより、エッチング処理時の残留デポ物の除去する。続けて、しかるべき脱ガス処理およびＲＦスパッタリング処理を行うことにより、接続孔２３の開口によって露出した第１配線２１の変質層の除去を行う。
【００７１】
続けて、図７（６）に示すように、上記配線溝２４および上記配線溝２４に連続する上記接続孔２３の各内部を被覆するように、銅配線の層間絶縁膜に対する拡散防止膜２５を形成する。その際、ハードマスク層１４上面にも上記拡散防止膜２５が形成される。この拡散防止膜２５には、例えばタンタル（Ｔａ）膜を用いることができる。この成膜は、例えば一般的なマグネトロンスパッタリング装置を用い、タンタルターゲットを用いて指向性スパッタリング法にて成膜する。ここでの拡散防止膜２５の成膜は、上記デュアルダマシン構造の配線溝２４および接続孔２３の内面に対してカバリッジ良く形成される必要があり、好ましくは自己放電イオン化スパッタリング法もしくは遠距離スパッタリング法などの指向性スパッタリング法を用いるのが良い。
【００７２】
続けて、めっき（例えば、電解めっきもしくは無電解めっき）法もしくはスパッタリング法もしくはＣＶＤ法にて、上記拡散防止膜２５表面に銅もしくは銅を含む合金を成膜する。また、めっき法を用いる場合には、スパッタリング法もしくはＣＶＤ法にて予め配線溝２４および接続孔２３の内面に銅のシード層を形成しておくことが好ましい。上記銅もしくは銅を含む合金の成膜により、上記配線溝２４および接続孔２３を埋め込む。その際、ハードマスク層１４上にも銅もしくは銅を含む合金が堆積される。
【００７３】
続けて、例えば化学的機械研磨（ＣＭＰ）法により配線が形成されていない領域の余剰銅もしくは銅を含む合金および拡散防止膜２５を除去することにより、上記配線溝２４の内部に拡散防止膜２５を介して銅もしくは銅を含む合金からなる第２配線２６が形成され、上記接続孔２３の内部に拡散防止膜２５を介して上記第１配線２１と上記第２配線２６とを電気的に接続するもので銅もしくは銅を含む合金からなるプラグ２７が形成される。このようにして、いわゆるデュアルダマシン構造の多層配線構造が得られる。次いで、上記第２配線２６の上面にのみ、第１配線２１上のバリア膜２２と同様な銅の酸化防止および拡散防止となるバリア膜２８を形成する。
【００７４】
上記第２実施例の製造方法では、第１配線２１上にのみ選択的にバリア膜２２を形成し、接続孔２３の層間として有機絶縁膜である第２絶縁膜１２と、配線層間のマスクである無機絶縁膜のハードマスク層１４とを形成しているため、誘電率の高い窒化シリコン（ＳｉＮ）もしくは炭化シリコン（ＳｉＣ）といった誘電率の高いエッチングストッパー膜を適用することなく、良好な多層配線構造を得ることができる。また誘電率の高いエッチングストッパー膜を適用していないことにより、デバイス全体の容量の低減が可能となり、かつ接続孔のボーダーレス部分、もしくはリソグラフィー工程における大きな合わせズレが発生した際にも、下層の下地突き抜けを抑制することができるため、良好なエレクトロマイグレーション耐性を有し、かつ高性能（例えば応答速度が速い）・高信頼性な半導体デバイスを得ることができる。少なくとも、上記各工程を経て形成された半導体装置は、従来のエッチングストッパー膜を用いた半導体装置、もしくは従来の層間絶縁膜構造を用いたストッパーレス構造を有する半導体装置よりも、高性能で優れた信頼性特性を得ることができる。
【００７５】
尚、上記記載の各種絶縁膜およびバリア膜２２、２８は、表記された膜種、膜厚、製法に限定されることはない。銅配線上にのみ選択的に形成するバリア膜２２、２８はコバルトタングステンリン（ＣｏＷＰ）の代わりに、例えば、ニッケルタングステンリン（ＮｉＷＰ）、コバルトタングステンホウ素（ＣｏＷＢ）などの合金、もしくは通常の銅のバリアメタルとして用いているタンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、さらには、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、もしくはこれら金属の合金、窒化膜でも良く、さらにはこれら金属、合金、窒化膜を複数組み合わせたものでもよい。
【００７６】
上記接続孔２３が形成される絶縁膜として用いている有機絶縁膜の第２絶縁膜１２にはポリアリールエーテル（ＰＡＥ）の他に、例えば、ポリアリレンエーテル膜、アモルファスカーボン膜、ポリテトラトラフロロエチレン膜の適用でもよく、さらにはこれらを多孔質（ポーラス）化させた膜でも問題なく用いることができる。
【００７７】
また、ハードマスク１４として用いているＳｉＯＣ膜の代わりに、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）、スピンコート法により形成されるメチルシルセスキオキサン（ＭＳＱ）膜やハイドロゲンシルセキオサン（ＨＳＱ）膜などの適用が可能である。
【実施例６】
【００７８】
次に、本発明の半導体装置の製造方法に係る第３実施例を、図８の概略構成断面図によって説明する。なお、上記第１、第２実施例と同様なる構成部品には第１実施例の構成部品と同一の符号を付与した。
【００７９】
図８（１）に示すように、基体１０上に有機絶縁膜１１１と無機絶縁膜１１２とを積層してなる第１絶縁膜１１が形成されている。上記有機絶縁膜１１１は、例えばポリアリルエーテル（ＰＡＥ）膜で形成され、上記無機絶縁膜１１２は、例えば炭化シリコン酸化膜（ＳｉＯＣ）で形成される。上記第１絶縁膜１１には第１配線２１が溝配線構造にて形成されている。この第１配線２１は、例えば銅（Ｃｕ）もしくは銅合金からなり、その溝内には銅の拡散防止のためのバリアメタル層（図示せず）が形成されている。この第１配線２１の配線厚は、例えば１５０ｎｍに形成されている。また、上記基体１０にはトランジスタなどのデバイス（図示せず）が作製されている。
【００８０】
さらに、しかるべき後処理の後、上記第１配線２１上にのみ、選択的にバリア膜２２を形成する。このバリア膜２２は、導電性の材料からなり、絶縁膜中から第１配線２１に侵入しようとする酸素のバリア（第１配線２１の酸化防止）として機能するとともに第１配線２１中の銅の拡散バリアとして機能するものであり、例えばコバルトタングステンリン（ＣｏＷＰ）を例えば１０ｎｍの厚さに堆積して形成される。ＣｏＷＰは、例えばｐＨ１．３の塩化パラジウム（ＰｄＣｌ2）水溶液で銅配線上にのみパラジウム（Ｐｄ）を置換めっきしたのち、例えばｐＨ９．５に調整した、タングステン酸アンモニウム、塩化コバルト、次亜燐酸アンモニウム、シュウ酸アンモニウムをめっき液として無電界めっき法にて成膜することができる。
【００８１】
続けて、上記バリア膜２２を含む第１配線２１上を被覆するように、上記第１絶縁膜１１上に第２絶縁膜１２を形成する。この第２絶縁膜１２の少なくとも第１絶縁膜１１側は上記第１絶縁膜１１に対して選択的にエッチングされる絶縁体で形成される。例えば、上記第２絶縁膜１２は、積層膜で形成され、下層より有機絶縁膜１２１、エッチングストッパーとなる無機絶縁膜１２２の順に形成される。例えば、下層の有機絶縁膜１２１を、例えばポリアリルエーテル（ＰＡＥ）膜で形成し、上層の無機絶縁膜１２２を、例えば炭化シリコン膜（ＳｉＣ）で形成する。上記有機絶縁膜１２１と無機絶縁膜１２２の膜厚は、一例として、それぞれ１５０ｎｍと１０ｎｍとした。ここで、無機絶縁膜１２２は、炭化シリコンで形成するが、平坦な面上に形成され、かつ単に有機絶縁膜のエッチングストッパーとしての機能を有するだけでよいので、非常に薄い膜厚で形成すればよい。このため、層間容量に大きな影響は及ぼさない。上記ポリアリールエーテル膜は、しかるべき前駆体をスピンコート法により塗布した後、３５０℃、５分のキュア処理を行うことにより形成することができる。また、炭化シリコン膜（ＳｉＣ）は、例えば平行平板型プラズマＣＶＤ装置を用い、その際に使用するガスとしては、トリメチルシラン（ＳｉＨ（ＣＨ3）3）を用いた。
【００８２】
続けて、上記第２絶縁膜１２上に配線層間絶縁膜となる第３絶縁膜１３を形成する。この第３絶縁膜１３は、例えばポリアリルエーテル（ＰＡＥ）膜で形成することができる。次いで、第３絶縁膜１３上にハードマスク層１４を形成する。ここではハードマスク層１４は炭化シリコン酸化膜（ＳｉＯＣ）で形成する。第３絶縁膜１３、ハードマスク層１４のそれぞれの膜厚は、例えば８０ｎｍ、１４０ｎｍとした。
【００８３】
上記第３絶縁膜１３を構成するポリアリールエーテル膜は、しかるべき前駆体をスピンコート法により塗布した後、３５０℃、５分のキュア処理を行うことにより形成することができる。また、上記ハードマスク層１４を構成する炭化シリコン酸化膜（ＳｉＯＣ）は、例えば平行平板型プラズマＣＶＤ装置を用い、その際に使用するガスとしては、シリコン源としてメチルシラン（ＳｉＣＨ3）を用いた。
【００８４】
次に、上記ハードマスク層１４上に接続孔パターンを形成するためのレジストマスク１７を形成する。このレジストマスク１７には接続パターンを形成するための開口部１７１が形成されている。その後、上記レジストマスクをエッチングマスクに用いたドライエッチング法により、ハードマスク層１４および第２絶縁膜１２をエッチングする。
【００８５】
その結果、図８（２）に示すように、ハードマスク層１４および第３絶縁膜１３および第２絶縁膜１２の無機絶縁膜１２２に接続孔２３が形成される。ここでのハードマスク層１４のエッチング加工は、一般的なマグネトロン方式のエッチング装置にて、エッチングガスとしてオクタフルオロブタン（Ｃ4Ｆ8）、アルゴン（Ａｒ）を用い、バイアスパワーを４００Ｗに設定する。ガス流量比はＣ4Ｆ8：Ａｒ＝１：４とし、基板温度は２０℃と設定した。また、上記ポリアリールエーテル膜からなる第３絶縁膜１３のエッチング加工は、一般的な高密度プラズマエッチング装置を用い、例えばエッチングガスとしてアンモニア（ＮＨ3）を用いて行う。ＲＦパワーを１５０Ｗ、基盤温度を１０℃に設定した。また、このエッチング条件での上記レジストマスク１７のエッチングレートはポリアリールエーテルのエッチングレートとほぼ同等であるため、ポリアリールエーテルのエッチング中にレジストマスク１７は後退していくが、ＳｉＯＣからなるハードマスク１４が存在しているため良好な接続孔２３の開口形状を得ることができる。さらに、第２絶縁膜１２の無機絶縁膜１２２をエッチングし、接続孔２３を延長形成する。この無機絶縁膜１２２は炭化シリコンからなるので、このエッチング加工には、一般的なマグネトロン方式のエッチング装置を用い、例えばエッチングガスとしてオクタフルオロブタン（Ｃ4Ｆ8）、アルゴン（Ａｒ）、酸素（Ｏ2）を用いて行う。ＲＦパワーを４００Ｗ、基盤温度を２０℃に設定した。続いて、しかるべき薬液を用いた後処理を行うことにより、レジストマスク１７の除去、エッチング処理時の残留デポ物の除去をする。
【００８６】
次に、図８（３）に示すように、上記ハードマスク層１４上に配線溝パターンを形成するためのレジストマスク１８を形成する。このレジストマスク１８には配線溝パターンを形成するための開口部１８１が形成されている。その後、上記レジストマスク１８をエッチングマスクに用いたドライエッチング法により、ハードマスク層１４をエッチングする。
【００８７】
その結果、図８（４）に示すように、ハードマスク層１４に配線溝２４が形成される。ここでのハードマスク層１４のエッチング加工は、一般的なマグネトロン方式のエッチング装置にて、エッチングガスとしてオクタフルオロブタン（Ｃ4Ｆ8）、アルゴン（Ａｒ）を用い、バイアスパワーを４００Ｗに設定する。ガス流量比はＣ4Ｆ8：Ａｒ＝１：４とし、基板温度は２０℃と設定した。
【００８８】
続いて、図８（５）に示すように、上記ハードマスク層１４をエッチングマスクに用いて第３絶縁膜１３に配線溝２４を延長形成するとともに、第２絶縁膜１２の無機絶縁膜１２２をエッチングマスクに用いて第２絶縁膜１２の有機絶縁膜１２１に接続孔２３を延長形成する。この接続孔２３は上記第１配線２１上に形成されたバリア膜２２に達するように形成される。このようにして、いわゆるデュアルダマシン加工が完了する。ここでのエッチングは、例えば一般的な高密度プラズマエッチング装置を用い、例えばエッチングガスとしてアンモニア（ＮＨ3）を用いて行う。ＲＦパワーを１５０Ｗ、基盤温度を１０℃に設定する。
【００８９】
このエッチング条件における上記有機絶縁膜１２１は、ハードマスク層１４および第２絶縁膜１２の無機絶縁膜１２２のＳｉＣ膜に対するエッチング選択比が１００以上得られるため、配線溝２４の加工は制御性良く無機絶縁膜１２２上で停止させることができる。このように、配線溝２４のエッチング加工において、無機絶縁膜１２２上でエッチングを停止させることができるので、配線溝２４の深さを制御性良く決定することができる。すなわち、第３絶縁膜１３とハードマスク層１４の膜厚で配線溝２４の深さを決定することが可能になる。
【００９０】
また、このエッチング条件における上記有機絶縁膜１１１は、第２絶縁膜１２のＳｉＣ膜からなる無機絶縁膜１２２および第１絶縁膜１１のＳｉＯＣ膜からなる無機絶縁膜１１２に対するエッチング選択比が１００以上得られるため、接続孔２３と第１配線２１とで合わせずれを発生させた場合でも下層の無機絶縁膜１１２をエッチングすることが抑制されるので、いわゆる突き抜けを発生させることなく、制御性良く接続孔２３のエッチング加工を行うことができる。
【００９１】
その後、しかるべき薬液を用いた後処理を行うことにより、エッチング処理時の残留デポ物の除去する。続けて、しかるべき脱ガス処理およびＲＦスパッタリング処理を行うことにより、接続孔２３の開口によって露出した第１配線２１の変質層の除去を行う。
【００９２】
続けて、図８（６）に示すように、上記配線溝２４および上記配線溝２４に連続する上記接続孔２３の各内部を被覆するように、銅配線の層間絶縁膜に対する拡散防止膜２５を形成する。その際、ハードマスク層１４上面にも上記拡散防止膜２５が形成される。この拡散防止膜２５には、例えばタンタル（Ｔａ）膜を用いることができる。この成膜は、例えば一般的なマグネトロンスパッタリング装置を用い、タンタルターゲットを用いて指向性スパッタリング法にて成膜する。ここでの拡散防止膜２５の成膜は、上記デュアルダマシン構造の配線溝２４および接続孔２３の内面に対してカバリッジ良く形成される必要があり、好ましくは自己放電イオン化スパッタリング法もしくは遠距離スパッタリング法などの指向性スパッタリング法を用いるのが良い。
【００９３】
続けて、めっき（例えば、電解めっきもしくは無電解めっき）法もしくはスパッタリング法もしくはＣＶＤ法にて、上記拡散防止膜２５表面に銅もしくは銅を含む合金を成膜する。また、めっき法を用いる場合には、スパッタリング法もしくはＣＶＤ法にて予め配線溝２４および接続孔２３の内面に銅のシード層を形成しておくことが好ましい。上記銅もしくは銅を含む合金の成膜により、上記配線溝２４および接続孔２３を埋め込む。その際、ハードマスク層１４上にも銅もしくは銅を含む合金が堆積される。
【００９４】
続けて、例えば化学的機械研磨（ＣＭＰ）法により配線が形成されていない領域の余剰銅もしくは銅を含む合金および拡散防止膜２５を除去することにより、上記配線溝２４の内部に拡散防止膜２５を介して銅もしくは銅を含む合金からなる第２配線２６が形成され、上記接続孔２３の内部に拡散防止膜２５を介して上記第１配線２１と上記第２配線２６とを電気的に接続するもので銅もしくは銅を含む合金からなるプラグ２７が形成される。このようにして、いわゆるデュアルダマシン構造の多層配線構造が得られる。次いで、上記第２配線２６の上面にのみ、第１配線２１と同様な銅の酸化防止および拡散防止となるバリア膜２８を形成する。
【００９５】
上記第３実施例の製造方法では、第１配線２１上にのみ選択的にバリア膜２２を形成し、接続孔２３の層間として有機絶縁膜である第２絶縁膜１２と、配線層間のマスクである無機絶縁膜のハードマスク層１４とを形成しているため、第１配線２１上に誘電率の高い窒化シリコン（ＳｉＮ）もしくは炭化シリコン（ＳｉＣ）といった誘電率の高いエッチングストッパー膜を適用することなく、良好な多層配線構造を得ることができる。また第１配線２１上に誘電率の高いエッチングストッパー膜を適用していないことにより、デバイス全体の容量の低減が可能となり、かつ接続孔のボーダーレス部分、もしくはリソグラフィー工程における大きな合わせズレが発生した際にも、下層の下地突き抜けを抑制することができるため、良好なエレクトロマイグレーション耐性を有し、かつ高性能（例えば応答速度が速い）・高信頼性な半導体デバイスを得ることができる。少なくとも、上記各工程を経て形成された半導体装置は、従来のエッチングストッパー膜を用いた半導体装置、もしくは従来の層間絶縁膜構造を用いたストッパーレス構造を有する半導体装置よりも、高性能で優れた信頼性特性を得ることができる。
【００９６】
尚、上記記載の各種絶縁膜およびバリア膜２２、２８は、表記された膜種、膜厚、製法に限定されることはない。銅配線上にのみ選択的に形成するバリア膜２２、２８はコバルトタングステンリン（ＣｏＷＰ）の代わりに、例えば、ニッケルタングステンリン（ＮｉＷＰ）、コバルトタングステンホウ素（ＣｏＷＢ）などの合金、もしくは通常の銅のバリアメタルとして用いているタンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、さらには、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、もしくはこれら金属の合金、窒化膜でも良く、さらにはこれら金属、合金、窒化膜を複数組み合わせたものでもよい。
【００９７】
上記接続孔２３が形成される絶縁膜として用いている第２絶縁膜１２の有機絶縁膜１２１および第３絶縁膜１３にはポリアリールエーテル（ＰＡＥ）の他に、例えば、ポリアリレンエーテル膜、アモルファスカーボン膜、ポリテトラトラフロロエチレン膜の適用でもよく、さらにはこれらを多孔質（ポーラス）化させた膜でも問題なく用いることができる。
【００９８】
また、ハードマスク１４として用いているＳｉＯＣ膜の代わりに、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）、スピンコート法により形成されるメチルシルセスキオキサン（ＭＳＱ）膜やハイドロゲンシルセキオサン（ＨＳＱ）膜などの適用が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００９９】
本発明の半導体装置およびその製造方法は、各種半導体装置の多層配線構造という用途に適用することが好適である。
【図面の簡単な説明】
【０１００】
【図１】本発明の半導体装置に係る第１実施例を示した概略構成断面図である。
【図２】本発明の半導体装置に係る第２実施例を示した概略構成断面図である。
【図３】本発明の半導体装置に係る第３実施例を示した概略構成断面図である。
【図４】本発明の半導体装置の製造方法に係る第１実施例を示した製造工程断面図である。
【図５】本発明の半導体装置の製造方法に係る第１実施例を示した製造工程断面図である。
【図６】第１実施例の製造方法において合わせずれが生じた場合を説明する製造工程断面図である。
【図７】本発明の半導体装置の製造方法に係る第２実施例を示した製造工程断面図である。
【図８】本発明の半導体装置の製造方法に係る第３実施例を示した製造工程断面図である。
【図９】本発明の課題を説明する概略構成断面図である。
【図１０】本発明の課題を説明する概略構成断面図である。
【符号の説明】
【０１０１】
１１…第１絶縁膜、１２…第２絶縁膜、２２…バリア膜、２３…接続孔
【技術分野】
【０００１】
本発明は、溝配線を信頼性高く形成することが容易な半導体装置およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
銅（Ｃｕ）配線はアルミニウム（Ａｌ）系合金配線より低抵抗・低容量・高信頼性を与えることから、配線の寄生抵抗・寄生容量による回路遅延が支配的になる微細素子において重要性を増してきた。一般には銅はアルミニウム系合金配線と異なりドライエッチングが容易ではないため、溝配線技術（例えば、ダマシンプロセス）が広く受け入れられている。溝配線技術とは、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）などの層間絶縁膜に予め所定の溝を形成し、その溝に配線材料を埋め込み、その後余剰配線材料を化学機械研磨（ＣＭＰ：Chemical Mechanical Polishing）法などにより除去することにより形成される配線のプロセスである。さらに接続孔（Ｖｉａ）と配線溝部分（トレンチ）を形成後、一括して配線材料を埋め込み、余剰配線材料を除去する溝配線技術（例えば、デュアルダマシン法）も工程数・コストの削減に有効である（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
また、配線容量の増加がデバイスの速度低下につながるため、低誘電率膜を層間絶縁膜に用いた微細な多層配線が不可欠となっている。低誘電率層間絶縁膜の材料としては、従来より比較的実績のある比誘電率３．５程度のフッ素含有酸化シリコン（ＦＳＧ）のみならず、ポリアリールエーテル（ＰＡＥ）に代表される有機シリコン系のポリマーや、ハイドロゲンシルセキオサン（ＨＳＱ）、メチルシルセスキオキサン（ＭＳＱ）に代表される無機系材料などの比誘電率２．７前後の低誘電率膜が挙げられ、近年ではそれらを多孔質化させて比誘電率を２．２前後とした材料まで導入が試みられている。
【０００４】
銅配線は一般に多層化されて用いられるが、ＣＭＰ直後の銅表面には拡散防止のバリアメタルが存在しないため、上層配線を形成する前に、銅の拡散防止層として機能するキャップ膜を成膜する。その際、銅は１５０℃の低温で、酸素を含有する雰囲気中で容易に酸化されるため、通常、シリコン窒化膜（ＳｉＮ）や、炭化シリコン膜（ＳｉＣ）がキャップ層として用いられている。しかしながら、窒化シリコン（ＳｉＮ）や炭化シリコン（ＳｉＣ）は酸化シリコン（ＳｉＯ2）よりも比誘電率が大きいため、ＣＭＰ後の銅表面を選択的に被覆する方法が有利といわれており、例えば、銅表面をコバルトタングステンリン（ＣｏＷＰ）で被覆する方法が知られている（例えば、特許文献２参照）。
【０００５】
さらに、配線のエレクトロマイグレーション耐性向上として、銅配線上にのみ選択的に金属キャップ膜を形成することにより、最も弱い界面である絶縁膜／金属界面を金属／金属界面とすることにより、デバイス信頼性を向上させることが可能となる。
【０００６】
しかし、この場合、ダマシンもしくはデュアルダマシン構造を形成する際に、接続孔を形成する際に用いられていたエッチングストッパー膜がなくなるため、図９に示すように、いわゆるボーダーレスの接続孔２２３部分で加工時の下層突き抜けを抑制することができなくなり、金属配線からなる第１配線２２１の側部に接続孔２２３が例えばスリット状に延長形成される。この部分にバリアメタルやプラグ材料の銅等の埋め込み不良が生じるので、特性・信頼性劣化が問題となる。そのため、図１０に示すように、第１配線２２１上に、銅の酸化を防止するとともに、銅の拡散を防止するバリア膜２２２を選択的に形成しても、エッチングストッパー膜２４１として、従来から使用されていた窒化シリコン（ＳｉＮ）もしくは炭化シリコン（ＳｉＣ）膜の適用が不可欠となっており、また、バリア膜２２２の段差を被覆できるような厚さに上記エッチングストッパー膜２４１を形成する必要があった。その結果、層間容量の上昇を来すためにデバイス速度の上昇などの問題が発生していた。
【０００７】
【特許文献１】特開平１１−４５８８７号公報
【特許文献２】米国特許第５６９５８１０号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
解決しようとする問題点は、いわゆるボーダーレスの接続孔を形成する際、もしくは接続孔を形成するリソグラフィー工程で合わせずれが発生した際などに、下地配線の側部に接続孔が突き抜けるように形成され、その部分で埋め込み不良を発生するために、配線信頼性の低下、デバイス速度の上昇等が発生する点である。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の半導体装置は、第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜に形成されたもので第１配線上のみに拡散防止膜が形成された第１配線と、前記第１配線を被覆して前記第１絶縁膜上に形成されかつ接続孔が形成された第２絶縁膜とを有し、前記第２絶縁膜の前記第１絶縁膜側は、前記第１絶縁膜に対して選択的にエッチング可能なものであることを最も主要な特徴とする。
【００１０】
本発明の半導体装置の製造方法は、第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜に形成されたもので第１配線上のみに拡散防止膜が形成された第１配線と、前記第１配線を被覆して前記第１絶縁膜上に形成されかつ接続孔が形成された第２絶縁膜とを有する半導体装置の製造方法であって、前記第２絶縁膜の少なくとも前記第１絶縁膜側を前記第１絶縁膜に対して選択的にエッチング可能な絶縁体で形成することを最も主要な特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の半導体装置は、接続孔が形成される第２絶縁膜は、第１配線が形成される第１絶縁膜に対して選択的にエッチング可能なものであるため、第１配線に接続する接続孔を第２絶縁膜に形成しても第１絶縁膜上でエッチングを停止することができるので、いわゆるボーダーレスの接続孔を形成する際、もしくは接続孔を形成するリソグラフィー工程で合わせずれが発生した際などに、第１配線側部に接続孔が突き抜けるように形成されることがない。このため、接続孔内に埋め込まれる材料の埋め込み不良が発生しなくなるので、良好なエレクトロマイグレーション耐性を有し、配線信頼性の向上が図れるという利点がある。よって、従来の接続孔形成時のエッチングを停止させるエッチングストッパー膜を用いた半導体装置、もしくは従来の接続孔形成時のエッチングを停止させるエッチングストッパーを設けない構造を有する半導体装置よりも、高性能で優れた信頼性特性を得ることができる。
【００１２】
本発明の半導体装置の製造方法は、接続孔が形成される第２絶縁膜を第１配線が形成される第１絶縁膜に対して選択的にエッチング可能なもので形成するため、第１配線に接続する接続孔を第２絶縁膜に形成しても第１絶縁膜上でエッチングを停止することができるので、いわゆるボーダーレスの接続孔を形成する際、もしくは接続孔を形成するリソグラフィー工程で合わせずれが発生した際などに、第１配線側部に接続孔が突き抜けるように形成されることが防止できる。このため、接続孔内に埋め込み不良を発生することなく配線材料を埋め込むことができるようになるので、良好なエレクトロマイグレーション耐性を有し、配線信頼性の高い半導体装置を製造できるという利点がある。よって、従来の接続孔形成時のエッチングを停止させるエッチングストッパー膜を用いた半導体装置、もしくは従来の接続孔形成時のエッチングを停止させるエッチングストッパーを設けない構造を有する半導体装置よりも、高性能で優れた信頼性特性を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
配線信頼性の高い多層配線構造を有する半導体装置形成するという目的を、配線層の第１絶縁膜に対して選択的にエッチングできるもので接続孔が形成される第２絶縁膜を形成することで、誘電率の高いエッチングストッパ膜を使用せずに実現した。
【実施例１】
【００１４】
本発明の半導体装置に係る第１実施例を、図１の概略構成断面図によって説明する。
【００１５】
図１に示すように、基体１０上に有機絶縁膜１１１と無機絶縁膜１１２とを積層してなる第１絶縁膜１１が形成されている。上記有機絶縁膜１１１は、例えばポリアリルエーテル（ＰＡＥ）膜で形成され、上記無機絶縁膜１１２は、例えば炭化シリコン酸化膜（ＳｉＯＣ）で形成される。上記第１絶縁膜１１には第１配線２１が溝配線構造にて形成されている。この第１配線２１は、例えば銅（Ｃｕ）もしくは銅合金からなり、その溝内には銅の拡散防止のためのバリアメタル層（図示せず）が形成されている。この第１配線２１の配線厚は、例えば１５０ｎｍに形成されている。また、上記基体１０にはトランジスタなどのデバイス（図示せず）が作製されている。
【００１６】
上記第１配線２１上にはバリア膜２２が形成されている。このバリア膜２２は、導電性の材料からなり、絶縁膜中から第１配線２１に侵入しようとする酸素のバリア（第１配線２１の酸化防止）として機能するとともに第１配線２１中の銅の拡散バリアとして機能するものであり、例えばコバルトタングステンリン（ＣｏＷＰ）を例えば１０ｎｍの厚さに堆積して形成されている。
【００１７】
上記バリア膜２２を含む第１配線２１上を被覆するように上記第１絶縁膜１１上には第２絶縁膜１２が形成されている。この第２絶縁膜１２の少なくとも第１絶縁膜１１側は上記第１絶縁膜１１に対して選択的にエッチングされる絶縁体で形成されている。例えば、上記第２絶縁膜１２は、積層膜で形成されていて、下層より有機絶縁膜１２１、無機絶縁膜１２２の順に形成されている。例えば、下層の有機絶縁膜１２１は、例えばポリアリルエーテル（ＰＡＥ）膜で形成され、上層の無機絶縁膜１２２は、例えば炭化シリコン酸化膜（ＳｉＯＣ）で形成されている。上記有機絶縁膜１２１と無機絶縁膜１２２の膜厚は、一例として、それぞれ８０ｎｍずつとしている。
【００１８】
上記第２絶縁膜１２上には配線層間絶縁膜となる第３絶縁膜１３が形成されている。この第３絶縁膜１３は、例えばポリアリルエーテル（ＰＡＥ）膜で形成されている。さらに、第３絶縁膜１３上にはハードマスク層１４が形成されている。ここではハードマスク層１４は２層構造に形成され、例えば下層側の第１ハードマスク層１４１は炭化シリコン酸化膜（ＳｉＯＣ）で形成され、上層側の第２ハードマスク（図示せず）はシリコン窒化膜（ＳｉＮ）で形成されている。第３絶縁膜１３、第１、第２ハードマスク層１４１、（図示せず）のそれぞれの膜厚は、例えば８０ｎｍ、１４０ｎｍ、３０ｎｍとする。
【００１９】
上記第２絶縁膜１２、第３絶縁膜１３、ハードマスク層１４には、接続孔２３および接続孔２３に接続される配線溝２４が形成されている。すなわち、上記ハードマスク層１４および第３絶縁膜１３には配線溝２４が形成され、この配線溝２４の底部から第２絶縁膜１２には第１配線２１上に形成されたバリア膜２２に達する接続孔２３が形成されている。上記接続孔２３が形成される第１配線２１上の絶縁膜は有機絶縁膜１２１で形成されているため、この有機絶縁膜１２１は、第１配線２１が形成されている絶縁膜の上層の無機絶縁膜１１２に対するエッチング選択比が１００以上得られるため、無機絶縁膜１１２に接続孔２３は形成されていない。また、有機絶縁膜からなる第３絶縁膜１３は、第２絶縁膜の上層の無機絶縁膜１２２に対するエッチング選択比が１００以上得られるため、配線溝２４には深さばらつきが生じ無い。
【００２０】
上記配線溝２４および上記配線溝２４に連続する上記接続孔２３の各内部を被覆するように、銅配線の層間絶縁膜に対する拡散防止膜２５が形成され、上記配線溝２４および上記接続孔２３の内部を埋め込むように銅もしくは銅を含む合金が形成されている。したがって、上記配線溝２４の内部に拡散防止膜２５を介して銅もしくは銅を含む合金からなる第２配線２６が形成され、上記接続孔２３の内部に拡散防止膜２５を介して上記第１配線２１と上記第２配線２６とを電気的に接続するもので銅もしくは銅を含む合金からなるプラグ２７が形成されている。このようにして、いわゆるデュアルダマシン構造の多層配線構造が構成されている。さらに、上記第２配線２６の上面にのみ、第１配線２１と同様な銅の酸化防止および拡散防止となるバリア膜２８が形成されている。
【００２１】
本発明の半導体装置の第１実施例は、接続孔２３が形成される第２絶縁膜１２の下層部分の有機絶縁膜１２１は、第１配線２１が形成される第１絶縁膜１１の上層部分の無機絶縁膜１１２に対して選択的にエッチング可能なものであるため、第１配線２１に接続する接続孔２３を第２絶縁膜１２に形成しても第１絶縁膜１１上でエッチングが停止されるので、接続孔２３をいわゆるボーダーレスに形成する際、もしくは接続孔２３を形成するリソグラフィー工程で合わせずれが発生した際などに、第１配線２１側部に接続孔２３が突き抜けるように形成されることがない。このため、接続孔２３内に埋め込まれる材料の埋め込み不良が発生しなくなるので、配線信頼性の向上が図れるという利点がある。
【実施例２】
【００２２】
次に、本発明の半導体装置に係る第２実施例を、図２の概略構成断面図によって説明する。なお、上記第１実施例と同様なる構成部品には第１実施例の構成部品と同一の符号を付与した。
【００２３】
図２に示すように、基体１０上に有機絶縁膜１１１と無機絶縁膜１１２とを積層してなる第１絶縁膜１１が形成されている。上記有機絶縁膜１１１は、例えばポリアリルエーテル（ＰＡＥ）膜で形成され、上記無機絶縁膜１１２は、例えば炭化シリコン酸化膜（ＳｉＯＣ）で形成される。上記第１絶縁膜１１には第１配線２１が溝配線構造にて形成されている。この第１配線２１は、例えば銅（Ｃｕ）もしくは銅合金からなり、その溝内には銅の拡散防止のためのバリアメタル層（図示せず）が形成されている。この第１配線２１の配線厚は、例えば１５０ｎｍに形成されている。また、上記基体１０にはトランジスタなどのデバイス（図示せず）が作製されている。
【００２４】
上記第１配線２１上にはバリア膜２２が形成されている。このバリア膜２２は、導電性の材料からなり、絶縁膜中から第１配線２１に侵入しようとする酸素のバリア（第１配線２１の酸化防止）として機能するとともに第１配線２１中の銅の拡散バリアとして機能するものであり、例えばコバルトタングステンリン（ＣｏＷＰ）を例えば１０ｎｍの厚さに堆積して形成されている。
【００２５】
上記バリア膜２２を含む第１配線２１上を被覆するように上記第１絶縁膜１１上には第２絶縁膜１２が形成されている。この第２絶縁膜１２は、上記第１絶縁膜１１に対して選択的にエッチングされる絶縁体で形成されている。例えば、第２絶縁膜１２は、有機絶縁膜で形成され、この有機絶縁膜としてはポリアリルエーテル（ＰＡＥ）膜が用いられ、その膜厚は例えば２４０ｎｍとしている。
【００２６】
上記第２絶縁膜１２上にはハードマスク層１４が形成されている。ここではハードマスク層１４は、例えば炭化シリコン酸化膜（ＳｉＯＣ）で形成され、その膜厚は、例えば１４０ｎｍとする。
【００２７】
上記第２絶縁膜１２、ハードマスク層１４には、接続孔２３および接続孔２３に接続される配線溝２４が形成されている。すなわち、上記ハードマスク層１４および第２絶縁膜１２の上層部には配線溝２４が形成され、この配線溝２４の底部から第２絶縁膜１２には第１配線２１上に形成されたバリア膜２２に達する接続孔２３が形成されている。上記接続孔２３が形成される第２絶縁膜１２は有機絶縁膜で形成されているので、この有機絶縁膜は、第１配線２１が形成されている絶縁膜の上層の無機絶縁膜１１２に対するエッチング選択比が１００以上得られるため、無機絶縁膜１１２に接続孔２３は形成されていない。
【００２８】
上記配線溝２４および上記配線溝２４に連続する上記接続孔２３の各内部を被覆するように、銅配線の層間絶縁膜に対する拡散防止膜２５が形成され、上記配線溝２４および上記接続孔２３の内部を埋め込むように銅もしくは銅を含む合金が形成されている。したがって、上記配線溝２４の内部に拡散防止膜２５を介して銅もしくは銅を含む合金からなる第２配線２６が形成され、上記接続孔２３の内部に拡散防止膜２５を介して上記第１配線２１と上記第２配線２６とを電気的に接続するもので銅もしくは銅を含む合金からなるプラグ２７が形成されている。このようにして、いわゆるデュアルダマシン構造の多層配線構造が構成されている。さらに、上記第２配線２６の上面にのみ、第１配線２１と同様な銅の酸化防止および拡散防止となるバリア膜２８が形成されている。
【００２９】
本発明の半導体装置の第２実施例は、接続孔２３が形成される第２絶縁膜１２が有機絶縁膜であり、この有機絶縁膜は第１配線２１が形成される第１絶縁膜１１の上層部分の無機絶縁膜１１２に対して選択的にエッチング可能なものであるため、第１配線２１に接続する接続孔２３を第２絶縁膜１２に形成しても第１絶縁膜１１上でエッチングが停止される。このため、接続孔２３をいわゆるボーダーレスに形成する際、もしくは接続孔２３を形成するリソグラフィー工程で合わせずれが発生した際などに、第１配線２１側部に接続孔２３が突き抜けるように形成されることがない。よって、接続孔２３内に埋め込まれる材料の埋め込み不良が発生しなくなるので、配線信頼性の向上が図れるという利点がある。
【実施例３】
【００３０】
次に、本発明の半導体装置に係る第３実施例を、図３の概略構成断面図によって説明する。なお、上記第１実施例と同様なる構成部品には第１、第２実施例の構成部品と同一の符号を付与した。
【００３１】
図３に示すように、基体１０上に有機絶縁膜１１１と無機絶縁膜１１２とを積層してなる第１絶縁膜１１が形成されている。上記有機絶縁膜１１１は、例えばポリアリルエーテル（ＰＡＥ）膜で形成され、上記無機絶縁膜１１２は、例えば炭化シリコン酸化膜（ＳｉＯＣ）で形成される。上記第１絶縁膜１１には第１配線２１が溝配線構造にて形成されている。この第１配線２１は、例えば銅（Ｃｕ）もしくは銅合金からなり、その溝内には銅の拡散防止のためのバリアメタル層（図示せず）が形成されている。この第１配線２１の配線厚は、例えば１５０ｎｍに形成されている。また、上記基体１０にはトランジスタなどのデバイス（図示せず）が作製されている。
【００３２】
上記第１配線２１上にはバリア膜２２が形成されている。このバリア膜２２は、導電性の材料からなり、絶縁膜中から第１配線２１に侵入しようとする酸素のバリア（第１配線２１の酸化防止）として機能するとともに第１配線２１中の銅の拡散バリアとして機能するものであり、例えばコバルトタングステンリン（ＣｏＷＰ）を例えば１０ｎｍの厚さに堆積して形成されている。
【００３３】
上記バリア膜２２を含む第１配線２１上を被覆するように上記第１絶縁膜１１上には第２絶縁膜１２が形成されている。この第２絶縁膜１２の少なくとも第１絶縁膜１１側は上記第１絶縁膜１１に対して選択的にエッチングされる絶縁体で形成されている。例えば、上記第２絶縁膜１２は、積層膜で形成されていて、下層より有機絶縁膜１２１、エッチングストッパーとなる無機絶縁膜１２２の順に形成されている。例えば、下層の有機絶縁膜１２１は、例えばポリアリルエーテル（ＰＡＥ）膜で形成され、上層の無機絶縁膜１２２は、例えば炭化シリコン膜（ＳｉＣ）で形成されている。上記有機絶縁膜１２１と無機絶縁膜１２２の膜厚は、一例として、それぞれ１５０ｎｍ、１０ｎｍとする。
【００３４】
上記第２絶縁膜１２上には配線層間絶縁膜となる第３絶縁膜１３が形成されている。この第３絶縁膜１３は、例えばポリアリルエーテル（ＰＡＥ）膜で形成されている。さらに、第３絶縁膜１３上にはハードマスク層１４が形成されている。ここではハードマスク層１４は、例えば炭化シリコン酸化膜（ＳｉＯＣ）で形成されていて、その膜厚は、例えば１４０ｎｍとする。
【００３５】
上記第２絶縁膜１２、第３絶縁膜１３、ハードマスク層１４には、接続孔２３および接続孔２３に接続される配線溝２４が形成されている。すなわち、上記ハードマスク層１４および第３絶縁膜１３には配線溝２４が形成され、この配線溝２４の底部から第２絶縁膜１２には第１配線２１上に形成されたバリア膜２２に達する接続孔２３が形成されている。上記接続孔２３が形成される第１配線２１上の絶縁膜は有機絶縁膜１２１で形成されているため、この有機絶縁膜１２１は、第１配線２１が形成されている絶縁膜の上層の無機絶縁膜１１２に対するエッチング選択比が１００以上得られるため、無機絶縁膜１１２に接続孔２３は形成されていない。また、有機絶縁膜からなる第３絶縁膜１３は、第２絶縁膜の上層の無機絶縁膜１２２に対するエッチング選択比が１００以上得られるため、配線溝２４には深さばらつきが生じ無い。
【００３６】
上記配線溝２４および上記配線溝２４に連続する上記接続孔２３の各内部を被覆するように、銅配線の層間絶縁膜に対する拡散防止膜２５が形成され、上記配線溝２４および上記接続孔２３の内部を埋め込むように銅もしくは銅を含む合金が形成されている。したがって、上記配線溝２４の内部に拡散防止膜２５を介して銅もしくは銅を含む合金からなる第２配線２６が形成され、上記接続孔２３の内部に拡散防止膜２５を介して上記第１配線２１と上記第２配線２６とを電気的に接続するもので銅もしくは銅を含む合金からなるプラグ２７が形成されている。このようにして、いわゆるデュアルダマシン構造の多層配線構造が構成されている。さらに、上記第２配線２６の上面にのみ、第１配線２１と同様な銅の酸化防止および拡散防止となるバリア膜２８が形成されている。
【００３７】
本発明の半導体装置の第３実施例は、第１配線２１上にのみ選択的にバリア膜２２が形成され、接続孔２３の層間として有機絶縁膜である第２絶縁膜１２と、配線層間のマスクである無機絶縁膜のハードマスク層１４とを形成しているため、第１配線２１上に誘電率の高い窒化シリコン（ＳｉＮ）もしくは炭化シリコン（ＳｉＣ）といった誘電率の高いエッチングストッパー膜を適用することなく、良好な多層配線構造を得ることができる。また第１配線２１上に誘電率の高いエッチングストッパー膜を適用していないことにより、デバイス全体の容量の低減が可能となり、かつ接続孔のボーダーレス部分、もしくはリソグラフィー工程における大きな合わせズレが発生した際にも、下層の下地突き抜けを抑制することができるため、良好なエレクトロマイグレーション耐性を有し、かつ高性能（例えば応答速度が速い）・高信頼性な半導体デバイスとなる。少なくとも、本発明の半導体装置は、従来のエッチングストッパー膜を用いた半導体装置、もしくは従来の層間絶縁膜構造を用いたストッパーレス構造を有する半導体装置よりも、高性能で優れた信頼性特性を得ることができる。
【実施例４】
【００３８】
本発明の半導体装置の製造方法に係る第１実施例を、図４〜図５の概略構成断面図によって説明する。
【００３９】
図４（１）に示すように、基体１０上に有機絶縁膜１１１と無機絶縁膜１１２とを積層してなる第１絶縁膜１１が形成されている。上記有機絶縁膜１１１は、例えばポリアリルエーテル（ＰＡＥ）膜で形成され、上記無機絶縁膜１１２は、例えば炭化シリコン酸化膜（ＳｉＯＣ）で形成される。上記第１絶縁膜１１には第１配線２１が溝配線構造にて形成されている。この第１配線２１は、例えば銅（Ｃｕ）もしくは銅合金からなり、その溝内には銅の拡散防止のためのバリアメタル層（図示せず）が形成されている。この第１配線２１の配線厚は、例えば１５０ｎｍに形成されている。また、上記基体１０にはトランジスタなどのデバイス（図示せず）が作製されている。
【００４０】
さらに、しかるべき後処理の後、上記第１配線２１上にのみ、選択的にバリア膜２２を形成する。このバリア膜２２は、導電性の材料からなり、絶縁膜中から第１配線２１に侵入しようとする酸素のバリア（第１配線２１の酸化防止）として機能するとともに第１配線２１中の銅の拡散バリアとして機能するものであり、例えばコバルトタングステンリン（ＣｏＷＰ）を例えば１０ｎｍの厚さに堆積して形成される。ＣｏＷＰは、例えばｐＨ１．３の塩化パラジウム（ＰｄＣｌ2）水溶液で銅配線上にのみパラジウム（Ｐｄ）を置換めっきしたのち、例えばｐＨ９．５に調整した、タングステン酸アンモニウム、塩化コバルト、次亜燐酸アンモニウム、シュウ酸アンモニウムをめっき液として無電界めっき法にて成膜することができる。
【００４１】
続けて、上記バリア膜２２を含む第１配線２１上を被覆するように、上記第１絶縁膜１１上に第２絶縁膜１２を形成する。この第２絶縁膜１２の少なくとも第１絶縁膜１１側は上記第１絶縁膜１１に対して選択的にエッチングされる絶縁体で形成される。例えば、上記第２絶縁膜１２は、積層膜で形成され、下層より有機絶縁膜１２１、無機絶縁膜１２２の順に形成される。例えば、下層の有機絶縁膜１２１を、例えばポリアリルエーテル（ＰＡＥ）膜で形成し、上層の無機絶縁膜１２２を、例えば炭化シリコン酸化膜（ＳｉＯＣ）で形成する。上記有機絶縁膜１２１と無機絶縁膜１２２の膜厚は、一例として、それぞれ８０ｎｍずつとした。上記ポリアリールエーテル膜は、しかるべき前駆体をスピンコート法により塗布した後、３５０℃、５分のキュア処理を行うことにより形成することができる。また、炭化シリコン酸化膜（ＳｉＯＣ）は、例えば平行平板型プラズマＣＶＤ装置を用い、その際に使用するガスとしては、シリコン源としてメチルシラン（ＳｉＣＨ3）を用いた。
【００４２】
続けて、上記第２絶縁膜１２上に配線層間絶縁膜となる第３絶縁膜１３を形成する。この第３絶縁膜１３は、例えばポリアリルエーテル（ＰＡＥ）膜で形成することができる。次いで、第３絶縁膜１３上にハードマスク層１４を形成する。ここではハードマスク層１４は２層構造に形成する。まず第１ハードマスク層１４１として炭化シリコン酸化膜（ＳｉＯＣ）を形成し、第２ハードマスク１４２としてシリコン窒化膜（ＳｉＮ）を形成する。第３絶縁膜１３、第１、第２ハードマスク層１４１、１４２のそれぞれの膜厚は、例えば８０ｎｍ、１４０ｎｍ、３０ｎｍとした。
【００４３】
上記第３絶縁膜１３を構成するポリアリールエーテル膜は、しかるべき前駆体をスピンコート法により塗布した後、３５０℃、５分のキュア処理を行うことにより形成することができる。また、上記第１ハードマスク層１４１を構成する炭化シリコン酸化膜（ＳｉＯＣ）は、例えば平行平板型プラズマＣＶＤ装置を用い、その際に使用するガスとしては、シリコン源としてメチルシラン（ＳｉＣＨ3）を用いた。また、上記第２ハードマスク層１４２を構成するシリコン窒化膜（ＳｉＮ）は、例えば平行平板型のプラズマＣＶＤ装置を用いて、シラン（ＳｉＨ4）、アンモニア（ＮＨ3）ガスを用いて、圧力を５５０Ｐａとして成膜することができる。
【００４４】
次に、上記ハードマスク層１４上に配線溝パターンを形成するためのレジストマスク１５を形成する。このレジストマスク１５には配線溝パターンを形成するための開口部１５１が形成されている。その後、上記レジストマスクをエッチングマスクに用いたドライエッチング法により、第２ハードマスク層１４２をエッチングする。
【００４５】
その結果、図４（２）に示すように、第２ハードマスク層１４２に配線溝パターン１４３が形成される。このエッチングは、例えば、一般的なマグネトロン方式のエッチング装置を用いて、例えばエッチングガスにトリフルオロメタン（ＣＨＦ3）、アルゴン（Ａｒ）および酸素（Ｏ2）を混合したガスを用い、そのガス流量比を、例えばＣＨＦ3：Ａｒ：Ｏ2＝１：５：１とし、バイアスパワーを５００Ｗに、基板温度を２０℃に設定する。上記エッチング加工の後、しかるべき薬液を用いた後処理を行うことにより、上記レジストマスク１５を除去するとともに、エッチング処理時の残留デポ物を除去する。なお、上記エッチングでは、第１ハードマスク層１４１上部もエッチングされることがある。
【００４６】
次に、図４（３）に示すように、上記ハードマスク層１４上に接続孔パターンを形成するためのレジストマスク１６を形成する。このレジストマスク１６には接続孔パターンを形成するための開口部１６１が形成されている。上記レジストマスク１６をエッチングマスクに用いたドライエッチング法により、第１ハードマスク１４１をエッチングし、さらに第３絶縁膜１３をエッチングする。
【００４７】
その結果、図４（４）に示すように、第１ハードマスク層１４１および第３絶縁膜１３に接続孔２３が形成される。ここでの第１ハードマスク１４１はＳｉＯＣ膜からなるので、一般的なマグネトロン方式のエッチング装置にて、エッチングガスとしてオクタフルオロブタン（Ｃ4Ｆ8）、アルゴン（Ａｒ）を用い、バイアスパワーを４００Ｗに設定する。ガス流量比はＣ4Ｆ8：Ａｒ＝１：４とし、基板温度を２０℃に設定した。また、上記第３絶縁膜１３はポリアリールエーテル膜からなるので、例えば一般的な高密度プラズマエッチング装置を用い、例えばエッチングガスとしてアンモニア（ＮＨ3）を用いて行う。ＲＦパワーを１５０Ｗ、基盤温度を１０℃に設定した。このエッチング条件での上記レジストマスク１６〔前記図４（３）参照〕のエッチングレートはポリアリールエーテル膜のエッチングレートとほぼ同等であるため、ポリアリールエーテル膜のエッチング中にレジストマスク１６は後退していくが、第１ハードマスク層１４１があるため良好な接続孔２３の開口形状を得ることができる。
【００４８】
続いて、図４（５）に示すように、上記第１ハードマスク層１４１をエッチングマスクに用いて第２絶縁膜１２の無機絶縁膜１２２をエッチングして接続孔２３を延長形成すると同時に、第２ハードマスク層１４２〔前記図４（４）参照〕をエッチングマスクに用いて第１ハードマスク層１４１に配線溝２４を形成する。ここでのエッチングは、最終的に第２ハードマスク層１４２が無くなるよう、例えば一般的なマグネトロン方式のエッチング装置にて、例えばエッチングガスとしてオクタフルオロシクロペンテン（Ｃ5Ｆ8）、一酸化炭素（ＣＯ）、アルゴン（Ａｒ）および酸素（Ｏ2）の混合ガスを用いて、ガス流量比をＣ5Ｆ8：Ｃｏ：Ａｒ：Ｏ2＝１：１０：５：１とし、バイアスパワーを１６００Ｗ、基板温度を２０℃に設定する。
【００４９】
続いて、図４（６）に示すように、第２絶縁膜１２の有機絶縁膜１２１と第３絶縁膜１３とを同時にエッチングすることにより、第１ハードマスク層１４１および第３絶縁膜１３に配線溝２４が形成され、第２絶縁膜１２に第１配線２１上のバリア膜２２に達する接続孔２３が形成される。このようにして、いわゆる、デュアルダマシン加工が完了する。ここでのエッチングは、例えば一般的な高密度プラズマエッチング装置を用い、例えばエッチングガスとしてアンモニア（ＮＨ3）を用いて行う。ＲＦパワーを１５０Ｗ、基盤温度を１０℃に設定した。このエッチング条件における第１ハードマスク１４１および下層の第２絶縁膜１２の無機絶縁膜１２２に対するエッチング選択比は１００以上得られるため、配線溝２４には深さばらつきが生じ無い。
【００５０】
その後、しかるべき薬液を用いた後処理を行うことにより、エッチング処理時の残留デポ物の除去する。続けて、しかるべき脱ガス処理およびＲＦスパッタリング処理を行うことにより、接続孔２３の開口によって露出した第１配線２１（バリア膜２２）の変質層の除去を行う。
【００５１】
続けて、図５（７）に示すように、上記配線溝２４および上記配線溝２４に連続する上記接続孔２３の各内部を被覆するように、銅配線の層間絶縁膜に対する拡散防止膜２５を形成する。その際、第１ハードマスク層１４１上面にも上記拡散防止膜２５が形成される。この拡散防止膜２５には、例えばタンタル（Ｔａ）膜を用いることができる。この成膜は、例えば一般的なマグネトロンスパッタリング装置を用い、タンタルターゲットを用いて指向性スパッタリング法にて成膜する。ここでの拡散防止膜２５の成膜は、上記デュアルダマシン構造の配線溝２４および接続孔２３の内面に対してカバリッジ良く形成される必要があり、好ましくは自己放電イオン化スパッタリング法もしくは遠距離スパッタリング法などの指向性スパッタリング法を用いるのが良い。
【００５２】
続けて、めっき（例えば、電解めっきもしくは無電解めっき）法もしくはスパッタリング法もしくはＣＶＤ法にて、上記拡散防止膜２５表面に銅もしくは銅を含む合金を成膜する。また、めっき法を用いる場合には、スパッタリング法もしくはＣＶＤ法にて予め配線溝２４および接続孔２３の内面に銅のシード層を形成しておくことが好ましい。上記銅もしくは銅を含む合金の成膜により、上記配線溝２４および接続孔２３を埋め込む。その際、第１ハードマスク層１４１上にも銅もしくは銅を含む合金が堆積される。
【００５３】
続けて、例えば化学的機械研磨（ＣＭＰ）法により配線が形成されていない領域の余剰銅もしくは銅を含む合金および拡散防止膜２５を除去することにより、上記配線溝２４の内部に拡散防止膜２５を介して銅もしくは銅を含む合金からなる第２配線２６が形成され、上記接続孔２３の内部に拡散防止膜２５を介して、上記第１配線２１と上記第２配線２６とを電気的に接続するもので銅もしくは銅を含む合金からなるプラグ２７が形成される。このようにして、いわゆるデュアルダマシン構造の多層配線構造が得られる。次いで、上記第２配線２６の上面にのみ、第１配線２１と同様な銅の酸化防止および拡散防止となるバリア膜２８を形成する。
【００５４】
本発明の半導体装置の製造方法に係る第１実施例では、図６（１）に示すように、接続孔２３と下層の第１配線２１との間で合わせずれが発生した場合であっても、第１絶縁膜１１の無機絶縁膜１２２に対して第２絶縁膜１２の有機絶縁膜１２１が選択的にエッチングできるので、第１配線２１が形成されている第１絶縁膜１１（無機絶縁膜１１２）に接続孔２３が突き抜けて形成されることはなく、接続孔２３を制御性良く形成することができる。
【００５５】
したがって、図６（２）に示すように、上記配線溝２４および上記配線溝２４に連続する上記接続孔２３の各内部を被覆するように、銅配線の層間絶縁膜に対する拡散防止膜２５をカバリッジよく形成することができる。さらに、配線溝２４および接続孔２３の内面に銅のシード層をカバリッジよく形成することができ、また、上記配線溝２４および接続孔２３の内部に銅もしくは銅を含む合金をボイドを発生することなく埋め込むことができる。したがって、上記配線溝２４の内部に拡散防止膜２５を介して銅もしくは銅を含む合金からなる第２配線２６を信頼性良く形成することができ、上記接続孔２３の内部に拡散防止膜２５を介して上記第１配線２１と上記第２配線２６とを電気的に接続するもので銅もしくは銅を含む合金からなるプラグ２７を信頼性良く形成することができる。このようにして、たとえ、接続孔を形成する際に合わせずれが発生しても、信頼性の高いいわゆるデュアルダマシン構造の多層配線構造が得られる。なお、上記第２配線２６の上面にのみ、第１配線２１と同様な銅の酸化防止および拡散防止となるバリア膜２８が形成される。
【００５６】
上記第１実施例の製造方法では、第１配線２１上にのみ選択的にバリア膜２２を形成し、接続孔２３の層間として有機絶縁膜１２１と、配線層間のマスクとして２層からなる無機絶縁膜のハードマスク層１４とを形成しているため、誘電率の高い窒化シリコン（ＳｉＮ）もしくは炭化シリコン（ＳｉＣ）といった誘電率の高いエッチングストッパー膜を適用することなく、良好な多層配線構造を得ることができる。また誘電率の高いエッチングストッパー膜を適用していないことにより、デバイス全体の容量の低減が可能となり、かつ接続孔のボーダーレス部分、もしくはリソグラフィー工程における大きな合わせズレが発生した際にも、下層の下地突き抜けを抑制することができるため、良好なエレクトロマイグレーション耐性を有し、かつ高性能（例えば応答速度が速い）・高信頼性な半導体デバイスを得ることができる。少なくとも、上記各工程を経て形成された半導体装置は、従来のエッチングストッパー膜を用いた半導体装置、もしくは従来の層間絶縁膜構造を用いたストッパーレス構造を有する半導体装置よりも、高性能で優れた信頼性特性を得ることができる。
【００５７】
尚、上記記載の各種絶縁膜およびバリア膜２２、２８は、表記された膜種、膜厚、製法に限定されることはない。銅配線上にのみ選択的に形成するバリア膜２２、２８はコバルトタングステンリン（ＣｏＷＰ）の代わりに、例えば、ニッケルタングステンリン（ＮｉＷＰ）、コバルトタングステンホウ素（ＣｏＷＢ）などの合金、もしくは通常の銅のバリアメタルとして用いているタンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、さらには、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、もしくはこれら金属の合金、窒化膜でも良く、さらにはこれら金属、合金、窒化膜を複数組み合わせたものでもよい。
【００５８】
上記接続孔２３が形成される絶縁膜として用いている有機絶縁膜１２１にはポリアリールエーテル（ＰＡＥ）の他に、例えば、ポリアリレンエーテル膜、アモルファスカーボン膜、ポリテトラトラフロロエチレン膜の適用でもよく、さらにはこれらを多孔質（ポーラス）化させた膜でも問題なく用いることができる。
【００５９】
また、第１ハードマスク１４１として用いているＳｉＯＣ膜の代わりに、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）、スピンコート法により形成されるメチルシルセスキオキサン（ＭＳＱ）膜やハイドロゲンシルセキオサン（ＨＳＱ）膜などの適用が可能である。
【実施例５】
【００６０】
次に、本発明の半導体装置の製造方法に係る第２実施例を、図７の概略構成断面図によって説明する。なお、上記第１実施例と同様なる構成部品には第１実施例の構成部品と同一の符号を付与した。
【００６１】
図７（１）に示すように、基体１０上に有機絶縁膜１１１と無機絶縁膜１１２とを積層してなる第１絶縁膜１１が形成されている。上記有機絶縁膜１１１は、例えばポリアリルエーテル（ＰＡＥ）膜で形成され、上記無機絶縁膜１１２は、例えば炭化シリコン酸化膜（ＳｉＯＣ）で形成される。上記第１絶縁膜１１には第１配線２１が溝配線構造にて形成されている。この第１配線２１は、例えば銅（Ｃｕ）もしくは銅合金からなり、その溝内には銅の拡散防止のためのバリアメタル層（図示せず）が形成されている。この第１配線２１の配線厚は、例えば１５０ｎｍに形成されている。また、上記基体１０にはトランジスタなどのデバイス（図示せず）が作製されている。
【００６２】
さらに、しかるべき後処理の後、上記第１配線２１上にのみ、選択的にバリア膜２２を形成する。このバリア膜２２は、導電性の材料からなり、絶縁膜中から第１配線２１に侵入しようとする酸素のバリア（第１配線２１の酸化防止）として機能するとともに第１配線２１中の銅の拡散バリアとして機能するものであり、例えばコバルトタングステンリン（ＣｏＷＰ）を例えば１０ｎｍの厚さに堆積して形成される。ＣｏＷＰは、例えばｐＨ１．３の塩化パラジウム（ＰｄＣｌ2）水溶液で銅配線上にのみパラジウム（Ｐｄ）を置換めっきしたのち、例えばｐＨ９．５に調整した、タングステン酸アンモニウム、塩化コバルト、次亜燐酸アンモニウム、シュウ酸アンモニウムをめっき液として無電界めっき法にて成膜することができる。
【００６３】
続けて、上記バリア膜２２を含む第１配線２１上を被覆するように、上記第１絶縁膜１１上に第２絶縁膜１２を形成する。この第２絶縁膜１２の少なくとも第１絶縁膜１１側は上記第１絶縁膜１１に対して選択的にエッチングされる絶縁体で形成される。例えば、上記第２絶縁膜１２は有機絶縁膜で形成される。例えば、この有機絶縁膜はポリアリルエーテル（ＰＡＥ）膜で形成される。上記第２絶縁膜１２の膜厚は、一例として、それぞれ２４０ｎｍとした。上記ポリアリールエーテル膜は、しかるべき前駆体をスピンコート法により塗布した後、３５０℃、５分のキュア処理を行うことにより形成することができる。
【００６４】
続けて、第２絶縁膜１２上にハードマスク層１４を形成する。ここではハードマスク層１４を、例えば炭化シリコン酸化膜（ＳｉＯＣ）で形成する。このハードマスク層１４の膜厚は、例えば１４０ｎｍｍとした。また、上記ハードマスク層１４を構成する炭化シリコン酸化膜（ＳｉＯＣ）は、例えば平行平板型プラズマＣＶＤ装置を用い、その際に使用するガスとしては、シリコン源としてメチルシラン（ＳｉＣＨ3）を用いた。
【００６５】
次に、上記ハードマスク層１４上に接続孔パターンを形成するためのレジストマスク１７を形成する。このレジストマスク１７には接続パターンを形成するための開口部１７１が形成されている。その後、上記レジストマスクをエッチングマスクに用いたドライエッチング法により、ハードマスク層１４および第２絶縁膜１２をエッチングする。
【００６６】
その結果、図７（２）に示すように、ハードマスク層１４および第２絶縁膜１２に接続孔２３が形成される。ここでのハードマスク層１４のエッチング加工は、一般的なマグネトロン方式のエッチング装置にて、エッチングガスとしてオクタフルオロブタン（Ｃ4Ｆ8）、アルゴン（Ａｒ）を用い、バイアスパワーを４００Ｗに設定する。ガス流量比はＣ4Ｆ8：Ａｒ＝１：４とし、基板温度は２０℃と設定した。また、上記ポリアリールエーテル膜からなる第２絶縁膜１２のエッチング加工は、一般的な高密度プラズマエッチング装置を用い、例えばエッチングガスとしてアンモニア（ＮＨ3）を用いて行う。ＲＦパワーを１５０Ｗ、基盤温度を１０℃に設定した。また、加工した接続孔の深さが１５０ｎｍになるよう加工時間を設定した。このエッチング条件での上記レジストマスク１７のエッチングレートはポリアリールエーテルのエッチングレートとほぼ同等であるため、ポリアリールエーテルのエッチング中にレジストマスク１７は後退していくが、ＳｉＯＣからなるハードマスク１４が存在しているため良好な接続孔２３の開口形状を得ることができる。続いて、しかるべき薬液を用いた後処理を行うことにより、レジストマスク１７の除去、エッチング処理時の残留デポ物の除去をする。
【００６７】
次に、図７（３）に示すように、上記ハードマスク層１４上に配線溝パターンを形成するためのレジストマスク１８を形成する。このレジストマスク１８には配線溝パターンを形成するための開口部１８１が形成されている。その後、上記レジストマスク１８をエッチングマスクに用いたドライエッチング法により、ハードマスク層１４をエッチングする。
【００６８】
その結果、図７（４）に示すように、ハードマスク層１４に配線溝２４が形成される。ここでのハードマスク層１４のエッチング加工は、一般的なマグネトロン方式のエッチング装置にて、エッチングガスとしてオクタフルオロブタン（Ｃ4Ｆ8）、アルゴン（Ａｒ）を用い、バイアスパワーを４００Ｗに設定する。ガス流量比はＣ4Ｆ8：Ａｒ＝１：４とし、基板温度は２０℃と設定した。
【００６９】
続けて、図７（５）に示すように、第２絶縁膜１２に配線溝２４および接続孔２３を延長形成する。そして、接続孔２３がバリア膜２２に到達して、エッチング加工を終了する。このようにして、いわゆるデュアルダマシン加工が完了する。このでのエッチングは、例えば一般的な高密度プラズマエッチング装置を用い、例えばエッチングガスとしてアンモニア（ＮＨ3）を用いて行う。ＲＦパワーを１５０Ｗ、基盤温度を１０℃に設定する。また、加工した配線溝２４の深さが８０ｎｍになるよう加工時間を設定する。このエッチング条件におけるハードマスク層１４および下層の第１絶縁膜１１上層の無機絶縁膜１１２のＳｉＯＣ膜に対するエッチング選択比は１００以上得られるため、接続孔２３と第１配線２１とで合わせずれを発生させた場合でも下層突き抜けを発生させることなく、制御性良く接続孔２３のエッチング加工を行うことができる。
【００７０】
その後、しかるべき薬液を用いた後処理を行うことにより、エッチング処理時の残留デポ物の除去する。続けて、しかるべき脱ガス処理およびＲＦスパッタリング処理を行うことにより、接続孔２３の開口によって露出した第１配線２１の変質層の除去を行う。
【００７１】
続けて、図７（６）に示すように、上記配線溝２４および上記配線溝２４に連続する上記接続孔２３の各内部を被覆するように、銅配線の層間絶縁膜に対する拡散防止膜２５を形成する。その際、ハードマスク層１４上面にも上記拡散防止膜２５が形成される。この拡散防止膜２５には、例えばタンタル（Ｔａ）膜を用いることができる。この成膜は、例えば一般的なマグネトロンスパッタリング装置を用い、タンタルターゲットを用いて指向性スパッタリング法にて成膜する。ここでの拡散防止膜２５の成膜は、上記デュアルダマシン構造の配線溝２４および接続孔２３の内面に対してカバリッジ良く形成される必要があり、好ましくは自己放電イオン化スパッタリング法もしくは遠距離スパッタリング法などの指向性スパッタリング法を用いるのが良い。
【００７２】
続けて、めっき（例えば、電解めっきもしくは無電解めっき）法もしくはスパッタリング法もしくはＣＶＤ法にて、上記拡散防止膜２５表面に銅もしくは銅を含む合金を成膜する。また、めっき法を用いる場合には、スパッタリング法もしくはＣＶＤ法にて予め配線溝２４および接続孔２３の内面に銅のシード層を形成しておくことが好ましい。上記銅もしくは銅を含む合金の成膜により、上記配線溝２４および接続孔２３を埋め込む。その際、ハードマスク層１４上にも銅もしくは銅を含む合金が堆積される。
【００７３】
続けて、例えば化学的機械研磨（ＣＭＰ）法により配線が形成されていない領域の余剰銅もしくは銅を含む合金および拡散防止膜２５を除去することにより、上記配線溝２４の内部に拡散防止膜２５を介して銅もしくは銅を含む合金からなる第２配線２６が形成され、上記接続孔２３の内部に拡散防止膜２５を介して上記第１配線２１と上記第２配線２６とを電気的に接続するもので銅もしくは銅を含む合金からなるプラグ２７が形成される。このようにして、いわゆるデュアルダマシン構造の多層配線構造が得られる。次いで、上記第２配線２６の上面にのみ、第１配線２１上のバリア膜２２と同様な銅の酸化防止および拡散防止となるバリア膜２８を形成する。
【００７４】
上記第２実施例の製造方法では、第１配線２１上にのみ選択的にバリア膜２２を形成し、接続孔２３の層間として有機絶縁膜である第２絶縁膜１２と、配線層間のマスクである無機絶縁膜のハードマスク層１４とを形成しているため、誘電率の高い窒化シリコン（ＳｉＮ）もしくは炭化シリコン（ＳｉＣ）といった誘電率の高いエッチングストッパー膜を適用することなく、良好な多層配線構造を得ることができる。また誘電率の高いエッチングストッパー膜を適用していないことにより、デバイス全体の容量の低減が可能となり、かつ接続孔のボーダーレス部分、もしくはリソグラフィー工程における大きな合わせズレが発生した際にも、下層の下地突き抜けを抑制することができるため、良好なエレクトロマイグレーション耐性を有し、かつ高性能（例えば応答速度が速い）・高信頼性な半導体デバイスを得ることができる。少なくとも、上記各工程を経て形成された半導体装置は、従来のエッチングストッパー膜を用いた半導体装置、もしくは従来の層間絶縁膜構造を用いたストッパーレス構造を有する半導体装置よりも、高性能で優れた信頼性特性を得ることができる。
【００７５】
尚、上記記載の各種絶縁膜およびバリア膜２２、２８は、表記された膜種、膜厚、製法に限定されることはない。銅配線上にのみ選択的に形成するバリア膜２２、２８はコバルトタングステンリン（ＣｏＷＰ）の代わりに、例えば、ニッケルタングステンリン（ＮｉＷＰ）、コバルトタングステンホウ素（ＣｏＷＢ）などの合金、もしくは通常の銅のバリアメタルとして用いているタンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、さらには、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、もしくはこれら金属の合金、窒化膜でも良く、さらにはこれら金属、合金、窒化膜を複数組み合わせたものでもよい。
【００７６】
上記接続孔２３が形成される絶縁膜として用いている有機絶縁膜の第２絶縁膜１２にはポリアリールエーテル（ＰＡＥ）の他に、例えば、ポリアリレンエーテル膜、アモルファスカーボン膜、ポリテトラトラフロロエチレン膜の適用でもよく、さらにはこれらを多孔質（ポーラス）化させた膜でも問題なく用いることができる。
【００７７】
また、ハードマスク１４として用いているＳｉＯＣ膜の代わりに、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）、スピンコート法により形成されるメチルシルセスキオキサン（ＭＳＱ）膜やハイドロゲンシルセキオサン（ＨＳＱ）膜などの適用が可能である。
【実施例６】
【００７８】
次に、本発明の半導体装置の製造方法に係る第３実施例を、図８の概略構成断面図によって説明する。なお、上記第１、第２実施例と同様なる構成部品には第１実施例の構成部品と同一の符号を付与した。
【００７９】
図８（１）に示すように、基体１０上に有機絶縁膜１１１と無機絶縁膜１１２とを積層してなる第１絶縁膜１１が形成されている。上記有機絶縁膜１１１は、例えばポリアリルエーテル（ＰＡＥ）膜で形成され、上記無機絶縁膜１１２は、例えば炭化シリコン酸化膜（ＳｉＯＣ）で形成される。上記第１絶縁膜１１には第１配線２１が溝配線構造にて形成されている。この第１配線２１は、例えば銅（Ｃｕ）もしくは銅合金からなり、その溝内には銅の拡散防止のためのバリアメタル層（図示せず）が形成されている。この第１配線２１の配線厚は、例えば１５０ｎｍに形成されている。また、上記基体１０にはトランジスタなどのデバイス（図示せず）が作製されている。
【００８０】
さらに、しかるべき後処理の後、上記第１配線２１上にのみ、選択的にバリア膜２２を形成する。このバリア膜２２は、導電性の材料からなり、絶縁膜中から第１配線２１に侵入しようとする酸素のバリア（第１配線２１の酸化防止）として機能するとともに第１配線２１中の銅の拡散バリアとして機能するものであり、例えばコバルトタングステンリン（ＣｏＷＰ）を例えば１０ｎｍの厚さに堆積して形成される。ＣｏＷＰは、例えばｐＨ１．３の塩化パラジウム（ＰｄＣｌ2）水溶液で銅配線上にのみパラジウム（Ｐｄ）を置換めっきしたのち、例えばｐＨ９．５に調整した、タングステン酸アンモニウム、塩化コバルト、次亜燐酸アンモニウム、シュウ酸アンモニウムをめっき液として無電界めっき法にて成膜することができる。
【００８１】
続けて、上記バリア膜２２を含む第１配線２１上を被覆するように、上記第１絶縁膜１１上に第２絶縁膜１２を形成する。この第２絶縁膜１２の少なくとも第１絶縁膜１１側は上記第１絶縁膜１１に対して選択的にエッチングされる絶縁体で形成される。例えば、上記第２絶縁膜１２は、積層膜で形成され、下層より有機絶縁膜１２１、エッチングストッパーとなる無機絶縁膜１２２の順に形成される。例えば、下層の有機絶縁膜１２１を、例えばポリアリルエーテル（ＰＡＥ）膜で形成し、上層の無機絶縁膜１２２を、例えば炭化シリコン膜（ＳｉＣ）で形成する。上記有機絶縁膜１２１と無機絶縁膜１２２の膜厚は、一例として、それぞれ１５０ｎｍと１０ｎｍとした。ここで、無機絶縁膜１２２は、炭化シリコンで形成するが、平坦な面上に形成され、かつ単に有機絶縁膜のエッチングストッパーとしての機能を有するだけでよいので、非常に薄い膜厚で形成すればよい。このため、層間容量に大きな影響は及ぼさない。上記ポリアリールエーテル膜は、しかるべき前駆体をスピンコート法により塗布した後、３５０℃、５分のキュア処理を行うことにより形成することができる。また、炭化シリコン膜（ＳｉＣ）は、例えば平行平板型プラズマＣＶＤ装置を用い、その際に使用するガスとしては、トリメチルシラン（ＳｉＨ（ＣＨ3）3）を用いた。
【００８２】
続けて、上記第２絶縁膜１２上に配線層間絶縁膜となる第３絶縁膜１３を形成する。この第３絶縁膜１３は、例えばポリアリルエーテル（ＰＡＥ）膜で形成することができる。次いで、第３絶縁膜１３上にハードマスク層１４を形成する。ここではハードマスク層１４は炭化シリコン酸化膜（ＳｉＯＣ）で形成する。第３絶縁膜１３、ハードマスク層１４のそれぞれの膜厚は、例えば８０ｎｍ、１４０ｎｍとした。
【００８３】
上記第３絶縁膜１３を構成するポリアリールエーテル膜は、しかるべき前駆体をスピンコート法により塗布した後、３５０℃、５分のキュア処理を行うことにより形成することができる。また、上記ハードマスク層１４を構成する炭化シリコン酸化膜（ＳｉＯＣ）は、例えば平行平板型プラズマＣＶＤ装置を用い、その際に使用するガスとしては、シリコン源としてメチルシラン（ＳｉＣＨ3）を用いた。
【００８４】
次に、上記ハードマスク層１４上に接続孔パターンを形成するためのレジストマスク１７を形成する。このレジストマスク１７には接続パターンを形成するための開口部１７１が形成されている。その後、上記レジストマスクをエッチングマスクに用いたドライエッチング法により、ハードマスク層１４および第２絶縁膜１２をエッチングする。
【００８５】
その結果、図８（２）に示すように、ハードマスク層１４および第３絶縁膜１３および第２絶縁膜１２の無機絶縁膜１２２に接続孔２３が形成される。ここでのハードマスク層１４のエッチング加工は、一般的なマグネトロン方式のエッチング装置にて、エッチングガスとしてオクタフルオロブタン（Ｃ4Ｆ8）、アルゴン（Ａｒ）を用い、バイアスパワーを４００Ｗに設定する。ガス流量比はＣ4Ｆ8：Ａｒ＝１：４とし、基板温度は２０℃と設定した。また、上記ポリアリールエーテル膜からなる第３絶縁膜１３のエッチング加工は、一般的な高密度プラズマエッチング装置を用い、例えばエッチングガスとしてアンモニア（ＮＨ3）を用いて行う。ＲＦパワーを１５０Ｗ、基盤温度を１０℃に設定した。また、このエッチング条件での上記レジストマスク１７のエッチングレートはポリアリールエーテルのエッチングレートとほぼ同等であるため、ポリアリールエーテルのエッチング中にレジストマスク１７は後退していくが、ＳｉＯＣからなるハードマスク１４が存在しているため良好な接続孔２３の開口形状を得ることができる。さらに、第２絶縁膜１２の無機絶縁膜１２２をエッチングし、接続孔２３を延長形成する。この無機絶縁膜１２２は炭化シリコンからなるので、このエッチング加工には、一般的なマグネトロン方式のエッチング装置を用い、例えばエッチングガスとしてオクタフルオロブタン（Ｃ4Ｆ8）、アルゴン（Ａｒ）、酸素（Ｏ2）を用いて行う。ＲＦパワーを４００Ｗ、基盤温度を２０℃に設定した。続いて、しかるべき薬液を用いた後処理を行うことにより、レジストマスク１７の除去、エッチング処理時の残留デポ物の除去をする。
【００８６】
次に、図８（３）に示すように、上記ハードマスク層１４上に配線溝パターンを形成するためのレジストマスク１８を形成する。このレジストマスク１８には配線溝パターンを形成するための開口部１８１が形成されている。その後、上記レジストマスク１８をエッチングマスクに用いたドライエッチング法により、ハードマスク層１４をエッチングする。
【００８７】
その結果、図８（４）に示すように、ハードマスク層１４に配線溝２４が形成される。ここでのハードマスク層１４のエッチング加工は、一般的なマグネトロン方式のエッチング装置にて、エッチングガスとしてオクタフルオロブタン（Ｃ4Ｆ8）、アルゴン（Ａｒ）を用い、バイアスパワーを４００Ｗに設定する。ガス流量比はＣ4Ｆ8：Ａｒ＝１：４とし、基板温度は２０℃と設定した。
【００８８】
続いて、図８（５）に示すように、上記ハードマスク層１４をエッチングマスクに用いて第３絶縁膜１３に配線溝２４を延長形成するとともに、第２絶縁膜１２の無機絶縁膜１２２をエッチングマスクに用いて第２絶縁膜１２の有機絶縁膜１２１に接続孔２３を延長形成する。この接続孔２３は上記第１配線２１上に形成されたバリア膜２２に達するように形成される。このようにして、いわゆるデュアルダマシン加工が完了する。ここでのエッチングは、例えば一般的な高密度プラズマエッチング装置を用い、例えばエッチングガスとしてアンモニア（ＮＨ3）を用いて行う。ＲＦパワーを１５０Ｗ、基盤温度を１０℃に設定する。
【００８９】
このエッチング条件における上記有機絶縁膜１２１は、ハードマスク層１４および第２絶縁膜１２の無機絶縁膜１２２のＳｉＣ膜に対するエッチング選択比が１００以上得られるため、配線溝２４の加工は制御性良く無機絶縁膜１２２上で停止させることができる。このように、配線溝２４のエッチング加工において、無機絶縁膜１２２上でエッチングを停止させることができるので、配線溝２４の深さを制御性良く決定することができる。すなわち、第３絶縁膜１３とハードマスク層１４の膜厚で配線溝２４の深さを決定することが可能になる。
【００９０】
また、このエッチング条件における上記有機絶縁膜１１１は、第２絶縁膜１２のＳｉＣ膜からなる無機絶縁膜１２２および第１絶縁膜１１のＳｉＯＣ膜からなる無機絶縁膜１１２に対するエッチング選択比が１００以上得られるため、接続孔２３と第１配線２１とで合わせずれを発生させた場合でも下層の無機絶縁膜１１２をエッチングすることが抑制されるので、いわゆる突き抜けを発生させることなく、制御性良く接続孔２３のエッチング加工を行うことができる。
【００９１】
その後、しかるべき薬液を用いた後処理を行うことにより、エッチング処理時の残留デポ物の除去する。続けて、しかるべき脱ガス処理およびＲＦスパッタリング処理を行うことにより、接続孔２３の開口によって露出した第１配線２１の変質層の除去を行う。
【００９２】
続けて、図８（６）に示すように、上記配線溝２４および上記配線溝２４に連続する上記接続孔２３の各内部を被覆するように、銅配線の層間絶縁膜に対する拡散防止膜２５を形成する。その際、ハードマスク層１４上面にも上記拡散防止膜２５が形成される。この拡散防止膜２５には、例えばタンタル（Ｔａ）膜を用いることができる。この成膜は、例えば一般的なマグネトロンスパッタリング装置を用い、タンタルターゲットを用いて指向性スパッタリング法にて成膜する。ここでの拡散防止膜２５の成膜は、上記デュアルダマシン構造の配線溝２４および接続孔２３の内面に対してカバリッジ良く形成される必要があり、好ましくは自己放電イオン化スパッタリング法もしくは遠距離スパッタリング法などの指向性スパッタリング法を用いるのが良い。
【００９３】
続けて、めっき（例えば、電解めっきもしくは無電解めっき）法もしくはスパッタリング法もしくはＣＶＤ法にて、上記拡散防止膜２５表面に銅もしくは銅を含む合金を成膜する。また、めっき法を用いる場合には、スパッタリング法もしくはＣＶＤ法にて予め配線溝２４および接続孔２３の内面に銅のシード層を形成しておくことが好ましい。上記銅もしくは銅を含む合金の成膜により、上記配線溝２４および接続孔２３を埋め込む。その際、ハードマスク層１４上にも銅もしくは銅を含む合金が堆積される。
【００９４】
続けて、例えば化学的機械研磨（ＣＭＰ）法により配線が形成されていない領域の余剰銅もしくは銅を含む合金および拡散防止膜２５を除去することにより、上記配線溝２４の内部に拡散防止膜２５を介して銅もしくは銅を含む合金からなる第２配線２６が形成され、上記接続孔２３の内部に拡散防止膜２５を介して上記第１配線２１と上記第２配線２６とを電気的に接続するもので銅もしくは銅を含む合金からなるプラグ２７が形成される。このようにして、いわゆるデュアルダマシン構造の多層配線構造が得られる。次いで、上記第２配線２６の上面にのみ、第１配線２１と同様な銅の酸化防止および拡散防止となるバリア膜２８を形成する。
【００９５】
上記第３実施例の製造方法では、第１配線２１上にのみ選択的にバリア膜２２を形成し、接続孔２３の層間として有機絶縁膜である第２絶縁膜１２と、配線層間のマスクである無機絶縁膜のハードマスク層１４とを形成しているため、第１配線２１上に誘電率の高い窒化シリコン（ＳｉＮ）もしくは炭化シリコン（ＳｉＣ）といった誘電率の高いエッチングストッパー膜を適用することなく、良好な多層配線構造を得ることができる。また第１配線２１上に誘電率の高いエッチングストッパー膜を適用していないことにより、デバイス全体の容量の低減が可能となり、かつ接続孔のボーダーレス部分、もしくはリソグラフィー工程における大きな合わせズレが発生した際にも、下層の下地突き抜けを抑制することができるため、良好なエレクトロマイグレーション耐性を有し、かつ高性能（例えば応答速度が速い）・高信頼性な半導体デバイスを得ることができる。少なくとも、上記各工程を経て形成された半導体装置は、従来のエッチングストッパー膜を用いた半導体装置、もしくは従来の層間絶縁膜構造を用いたストッパーレス構造を有する半導体装置よりも、高性能で優れた信頼性特性を得ることができる。
【００９６】
尚、上記記載の各種絶縁膜およびバリア膜２２、２８は、表記された膜種、膜厚、製法に限定されることはない。銅配線上にのみ選択的に形成するバリア膜２２、２８はコバルトタングステンリン（ＣｏＷＰ）の代わりに、例えば、ニッケルタングステンリン（ＮｉＷＰ）、コバルトタングステンホウ素（ＣｏＷＢ）などの合金、もしくは通常の銅のバリアメタルとして用いているタンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、さらには、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、もしくはこれら金属の合金、窒化膜でも良く、さらにはこれら金属、合金、窒化膜を複数組み合わせたものでもよい。
【００９７】
上記接続孔２３が形成される絶縁膜として用いている第２絶縁膜１２の有機絶縁膜１２１および第３絶縁膜１３にはポリアリールエーテル（ＰＡＥ）の他に、例えば、ポリアリレンエーテル膜、アモルファスカーボン膜、ポリテトラトラフロロエチレン膜の適用でもよく、さらにはこれらを多孔質（ポーラス）化させた膜でも問題なく用いることができる。
【００９８】
また、ハードマスク１４として用いているＳｉＯＣ膜の代わりに、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）、スピンコート法により形成されるメチルシルセスキオキサン（ＭＳＱ）膜やハイドロゲンシルセキオサン（ＨＳＱ）膜などの適用が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００９９】
本発明の半導体装置およびその製造方法は、各種半導体装置の多層配線構造という用途に適用することが好適である。
【図面の簡単な説明】
【０１００】
【図１】本発明の半導体装置に係る第１実施例を示した概略構成断面図である。
【図２】本発明の半導体装置に係る第２実施例を示した概略構成断面図である。
【図３】本発明の半導体装置に係る第３実施例を示した概略構成断面図である。
【図４】本発明の半導体装置の製造方法に係る第１実施例を示した製造工程断面図である。
【図５】本発明の半導体装置の製造方法に係る第１実施例を示した製造工程断面図である。
【図６】第１実施例の製造方法において合わせずれが生じた場合を説明する製造工程断面図である。
【図７】本発明の半導体装置の製造方法に係る第２実施例を示した製造工程断面図である。
【図８】本発明の半導体装置の製造方法に係る第３実施例を示した製造工程断面図である。
【図９】本発明の課題を説明する概略構成断面図である。
【図１０】本発明の課題を説明する概略構成断面図である。
【符号の説明】
【０１０１】
１１…第１絶縁膜、１２…第２絶縁膜、２２…バリア膜、２３…接続孔
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜に形成されたもので第１配線上のみにバリア膜が形成された第１配線と、
前記第１配線を被覆して前記第１絶縁膜上に形成されかつ接続孔が形成された第２絶縁膜とを有し、
前記第２絶縁膜の前記第１絶縁膜側は、前記第１絶縁膜に対して選択的にエッチング可能なものである
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第２絶縁膜は、積層構造の絶縁膜であり、少なくとも最下層の絶縁膜が前記第１絶縁膜に対して選択的にエッチング可能な絶縁膜である
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１絶縁膜は少なくとも最上層が無機絶縁膜からなり、
前記第２絶縁膜は少なくとも最下層が有機絶縁膜からなる
ことを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１絶縁膜は少なくとも最上層が無機絶縁膜からなり、
前記第２絶縁膜は有機絶縁膜からなる
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項５】
前記拡散防止膜は、パラジウム、ニッケル、コバルト、タングステン、タンタル、チタン、ルテニウムおよびアルミニウムから選択される金属、もしくは前記金属のうちの少なくとも１種が含まれる合金、もしくは前記金属の窒化物、または前記金属、前記合金、前記窒化物のうちの複数を組み合わせてなる多層膜からなる
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項６】
第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜に形成されたもので第１配線上のみにバリア膜が形成される第１配線と、
前記第１配線を被覆して前記第１絶縁膜上に形成されかつ接続孔が形成される第２絶縁膜とを有する半導体装置の製造方法であって、
前記第２絶縁膜の少なくとも前記第１絶縁膜側を前記第１絶縁膜に対して選択的にエッチング可能な絶縁体で形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１絶縁膜上に絶縁膜を積層して前記第２絶縁膜を形成し、その際、少なくとも最下層の絶縁膜を前記第１絶縁膜に対して選択的にエッチング可能な絶縁膜で形成する
ことを特徴とする請求項６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１絶縁膜の少なくとも最上層を無機絶縁膜で形成し、
前記第２絶縁膜の少なくとも最下層の絶縁膜を有機絶縁膜で形成する
ことを特徴とする請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１絶縁膜の少なくとも最上層を無機絶縁膜で形成し、
前記第２絶縁膜を有機絶縁膜で形成する
ことを特徴とする請求項６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第２絶縁膜上に第３絶縁膜を形成する工程と、
前記第３絶縁膜上に第１ハードマスク層と第２ハードマスク層からなる２層のハードマスク層を形成する工程とを備え、
前記第２ハードマスク層を用いて前記第１ハードマスク層に配線溝パターンを形成するとともに前記第１ハードマスク層を用いて前記第３絶縁膜に配線溝を形成する
ことを特徴とする請求項６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第２絶縁膜上にハードマスク層を形成する工程を備え、
前記ハードマスク層を用いて前記第２絶縁膜に前記配線溝および前記接続孔を形成する
ことを特徴とする請求項６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第２絶縁膜を有機絶縁膜とエッチングストッパとなる無機絶縁膜とを積層して形成し、
前記第２絶縁膜上に第３絶縁膜を形成する工程と、
前記第３絶縁膜上にハードマスク層を形成する工程とを備え、
前記ハードマスク層を用いて前記第３絶縁膜および前記第２絶縁膜に接続孔を形成するとともに前記ハードマスク層を用いて前記第３絶縁膜に配線溝を形成する
ことを特徴とする請求項６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記拡散防止膜を、パラジウム、ニッケル、コバルト、タングステン、タンタル、チタン、ルテニウムおよびアルミニウムから選択される金属、もしくは前記金属のうちの少なくとも１種が含まれる合金、もしくは前記金属の窒化物、または前記金属、前記合金、前記窒化物のうちの複数を組み合わせてなる多層膜で形成する
ことを特徴とする請求項６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１】
第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜に形成されたもので第１配線上のみにバリア膜が形成された第１配線と、
前記第１配線を被覆して前記第１絶縁膜上に形成されかつ接続孔が形成された第２絶縁膜とを有し、
前記第２絶縁膜の前記第１絶縁膜側は、前記第１絶縁膜に対して選択的にエッチング可能なものである
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第２絶縁膜は、積層構造の絶縁膜であり、少なくとも最下層の絶縁膜が前記第１絶縁膜に対して選択的にエッチング可能な絶縁膜である
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１絶縁膜は少なくとも最上層が無機絶縁膜からなり、
前記第２絶縁膜は少なくとも最下層が有機絶縁膜からなる
ことを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１絶縁膜は少なくとも最上層が無機絶縁膜からなり、
前記第２絶縁膜は有機絶縁膜からなる
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項５】
前記拡散防止膜は、パラジウム、ニッケル、コバルト、タングステン、タンタル、チタン、ルテニウムおよびアルミニウムから選択される金属、もしくは前記金属のうちの少なくとも１種が含まれる合金、もしくは前記金属の窒化物、または前記金属、前記合金、前記窒化物のうちの複数を組み合わせてなる多層膜からなる
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項６】
第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜に形成されたもので第１配線上のみにバリア膜が形成される第１配線と、
前記第１配線を被覆して前記第１絶縁膜上に形成されかつ接続孔が形成される第２絶縁膜とを有する半導体装置の製造方法であって、
前記第２絶縁膜の少なくとも前記第１絶縁膜側を前記第１絶縁膜に対して選択的にエッチング可能な絶縁体で形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１絶縁膜上に絶縁膜を積層して前記第２絶縁膜を形成し、その際、少なくとも最下層の絶縁膜を前記第１絶縁膜に対して選択的にエッチング可能な絶縁膜で形成する
ことを特徴とする請求項６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１絶縁膜の少なくとも最上層を無機絶縁膜で形成し、
前記第２絶縁膜の少なくとも最下層の絶縁膜を有機絶縁膜で形成する
ことを特徴とする請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１絶縁膜の少なくとも最上層を無機絶縁膜で形成し、
前記第２絶縁膜を有機絶縁膜で形成する
ことを特徴とする請求項６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第２絶縁膜上に第３絶縁膜を形成する工程と、
前記第３絶縁膜上に第１ハードマスク層と第２ハードマスク層からなる２層のハードマスク層を形成する工程とを備え、
前記第２ハードマスク層を用いて前記第１ハードマスク層に配線溝パターンを形成するとともに前記第１ハードマスク層を用いて前記第３絶縁膜に配線溝を形成する
ことを特徴とする請求項６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第２絶縁膜上にハードマスク層を形成する工程を備え、
前記ハードマスク層を用いて前記第２絶縁膜に前記配線溝および前記接続孔を形成する
ことを特徴とする請求項６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第２絶縁膜を有機絶縁膜とエッチングストッパとなる無機絶縁膜とを積層して形成し、
前記第２絶縁膜上に第３絶縁膜を形成する工程と、
前記第３絶縁膜上にハードマスク層を形成する工程とを備え、
前記ハードマスク層を用いて前記第３絶縁膜および前記第２絶縁膜に接続孔を形成するとともに前記ハードマスク層を用いて前記第３絶縁膜に配線溝を形成する
ことを特徴とする請求項６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記拡散防止膜を、パラジウム、ニッケル、コバルト、タングステン、タンタル、チタン、ルテニウムおよびアルミニウムから選択される金属、もしくは前記金属のうちの少なくとも１種が含まれる合金、もしくは前記金属の窒化物、または前記金属、前記合金、前記窒化物のうちの複数を組み合わせてなる多層膜で形成する
ことを特徴とする請求項６記載の半導体装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【公開番号】特開２００６−１９６６４２（Ｐ２００６−１９６６４２Ａ）
【公開日】平成１８年７月２７日（２００６．７．２７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−６０６５（Ｐ２００５−６０６５）
【出願日】平成１７年１月１３日（２００５．１．１３）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年７月２７日（２００６．７．２７）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年１月１３日（２００５．１．１３）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
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