【課題】表面を含む層の密度を上昇させることなく、表面のダメージをより簡便にかつ効率よく修復することができ、かつ腐食性副生成物が発生することがない表面疎水化用組成物、表面疎水化方法、ならびに半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】表面疎水化用組成物は、（Ａ）ジアセトキシメチルシラン０．１〜１０重量％と、（Ｂ）非プロトン性溶媒とを含む。表面疎水化の方法は、前記表面疎水化用組成物を層の表面に接触させた状態で、該層を加熱することにより疎水成膜２４を形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の腐食を抑止する。
【解決手段】 本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板１上に第１の絶縁膜２を介して形成された第１の配線３に対して、前記半導体基板裏面から当該半導体基板１をエッチングして前記絶縁膜２を露出させる第１の開口７Ａを形成する。次に、前記第１の開口７から露出した前記絶縁膜２をエッチングして前記第１の配線３を露出させる第２の開口８を形成した後に、前記半導体基板１をエッチングして前記第１の開口７Ａの開口径を拡張し、より広い開口径を有する第１の開口７Ｂを形成する。そして、前記第１及び第２の開口７Ａ，８を介して前記第１の配線３を含む半導体基板裏面に第２の絶縁膜１０を形成した後に、前記第１の配線３を被覆する第２の絶縁膜１０をエッチングする工程を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】トレンチ内に主金属配線材料の占有体積を十分確保すると同時に、Ｆアタック問題およびＷボルカーノ問題を防止することが可能な半導体素子の配線形成方法を提供する。
【解決手段】所定の構造物が形成された半導体基板に層間絶縁膜を形成する段階と、前記層間絶縁膜に半導体基板の一定の領域を露出させるトレンチを形成する段階と、前記トレンチを含んだ全表面上に接着層と第１バリア金属膜を順次形成する段階と、前記トレンチの下部に第２バリア金属膜を形成する段階と、前記トレンチ内に配線を形成する段階とを含んでなる。 （もっと読む）

【課題】 層間絶縁膜の埋め込み性を向上させ、短絡防止のマージンを向上させる。
【解決手段】 上部がゲート上部絶縁膜で覆われたゲートを半導体基板上に形成し、全面に絶縁膜を形成した後に全面エッチバックを行うことでゲート上部絶縁膜及びゲートの側面に上部の形状が垂直方向から５°〜３０°傾斜したテーパー形状のサイドウォールを形成し、全面に第１の層間絶縁膜を形成し、第１の層間絶縁膜のみをＣＭＰにより平坦化し、ゲート上部絶縁膜よりも第１の層間絶縁膜の方が研磨選択比が高い条件でＣＭＰを行って、第１の層間絶縁膜、ゲート上部絶縁膜及びサイドウォールを平坦化し、全面に第２の層間絶縁膜を形成し、フォトリソグラフィにより第１の層間絶縁膜及び第２の層間絶縁膜にゲート側の側壁が平坦となったサイドウォールの上部にかかるようにコンタクトホールを形成し、コンタクトホールを導電物質で埋め込んでコンタクトパッドを形成する。 （もっと読む）

【課題】 絶縁層からの脱ガス処理を必要十分な程度に実施し、製造時の歩留まりと生産性、及び完成品の信頼性の観点から総合的に優れた半導体装置の製造装置を提供する。
で提供する。
【解決手段】 処理室１００と、処理室１００内に載置される基板１０を加熱する加熱手段１１０と、加熱手段１１０の駆動に伴って処理室１００内に放出されるガスの放出量を把握するガスモニター手段１２０と、基板１０の上に金属膜を成膜する成膜手段１３０と、ガスモニター手段１２０によって把握されたガス放出量から予め定めた特徴を発見したとき成膜手段１３０を駆動して金属膜の成膜を開始する制御手段１４０とから半導体装置の製造装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法により、導電体を確実に充填して貫通電極を形成することができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、（１）第１支持体を基板表面側に取り付ける工程と、（２）基板をその裏面側から薄化する工程と、（３）第１支持体を基板から取り外す工程と、（４）開口部を有する第２支持体を基板裏面側に取り付ける工程と、（５）基板表面に第１絶縁膜を形成する工程と、（６）第２支持体の開口部に繋がる貫通孔を基板に形成する工程と、（５）第２絶縁膜を基板の貫通孔内部に形成する工程と、（７）基板の貫通孔内部に導電体を充填する工程を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、強誘電体キャパシタＣを形成する工程と、前記強誘電体キャパシタ上に絶縁膜３５−２を形成する工程と、前記絶縁膜上に第１バリアメタル５１を形成する工程と、前記第１バリアメタルおよび絶縁膜を貫通し、前記強誘電体キャパシタ上に達するコンタクトホール５３−１を形成する工程と、前記第１バリアメタル上、コンタクトホール側壁上、および前記露出された強誘電体キャパシタ上に第２バリアメタル５４を形成する工程と、前記第２バリアメタル上にタングステン４３を形成し、前記コンタクトホール内にタングステン４３を埋め込み形成する工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 Ｃｕの埋め込み配線構造に於けるバリアメタルで構成したヒューズを少ない工程で容易に作製できるように、また、埋め込み配線表面とヒューズ表面とが同一面にある構造を実現しようとする。
【解決手段】 バリアメタル膜５とＣｕからなる配線７とが順に積層されて絶縁膜４中に埋め込まれた構造の一対のヒューズ電極を備え、バリアメタル膜５は両ヒューズ電極を隔てる絶縁膜４上を越えて両ヒューズ電極を結ぶと共に該絶縁膜４上に在る部分の表面がヒューズ電極及びその周辺と略同一面を成し且つ該絶縁膜４上に在る部分がヒューズ５Ａを成している。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率が低いと共にリーク電流が少ない有機シリコン系膜を得易い有機シリコン系膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 原料ガスとして少なくとも１種の有機シリコン化合物を用いた化学的気相堆積法により有機シリコン系膜を成膜するにあたり、前記有機シリコン化合物として、少なくともケイ素、水素、炭素、及び窒素を構成元素として含有していると共に、ケイ素原子と窒素原子とが互いに結合していない化合物を用いることによって、上記課題を解決した。 （もっと読む）

集積回路内のデュアルダマシン構造のコンフォーマルなライニングのための方法および構造を提供する。好ましい実施形態は、多孔性物質で形成された開口を覆うコンフォーマルなライニングの提供に向けられる。トレンチが絶縁層内に形成される（１００）。その後、その層が、特別のプラズマプロセスで適切に処理される（１０１）。このプラズマプロセスに引き続き、自己制限的、自己飽和的原子層堆積（ＡＬＤ）反応（１１５）が、細孔の著しい埋め込みなしに起こり、改善された相互接続を形成する。 （もっと読む）

【課題】 ハードマスクを用いた金属配線形成エッチングで発生する配線不良を抑制する。
【解決手段】 ＴｉまたはＡｌを含む金属配線層６の上に、シリコン酸窒化膜からなるストッパー膜７を形成する。さらに、この上に形成したハードマスク層１０を、フッ素原子を含むガスを用いたプラズマエッチングによりエッチングしてハードマスク１０ａを形成する。
このとき、ストッパー膜７の表面でエッチングがストップするので、ＴｉＦやＡｌＦなどの反応生成物の発生を抑制することができる。これにより、金属配線層６をエッチングして金属配線６ａを形成するエッチング工程において、隣接する金属配線６ａの配線ショートなどの配線不良が発生するのを抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】 ビアホールのアンランデッド部におけるカバレッジを向上させる。
【解決手段】 下層配線層１２を露出させる開口部１４を層間絶縁膜１３に形成する際に、下層配線層１２に対する層間絶縁層１３の選択比を下げ、開口部１４を介して下層配線層１２の端部をエッチングすることにより、開口部１４の底面をアンランデッド部１４ａに向かって傾斜させる。 （もっと読む）

【課題】 ガードリングの周囲に位置する絶縁膜の側面の傾斜を、従来と比べて緩やかにした半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る半導体装置は、第１領域１ａに形成され、第１領域１ａと第２領域１ｂを分離するダイシングライン１ｃに隣接する第１のガードリング８ｂと、第１のガードリング８ｂ上に形成された第１の絶縁膜１１と、第１の絶縁膜１１上に形成され、該第１のガードリング８ｂより幅が狭い第２のガードリング１３ｂと、第２のガードリング１３ｂ上及び第１の絶縁膜１１上に形成された第２の絶縁膜１４とを具備する。第２の絶縁膜１４のダイシングライン１ｃに面する側面は、第１の絶縁膜１１のダイシングライン１ｃに面する側面より第１領域１ａ側に位置している。 （もっと読む）

【課題】配線材との密着性が良く、バリア性の高い金属膜をもつ半導体装置、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の基板温度で、表面に凹部が形成された絶縁膜中および絶縁膜表面の酸化種を放出させる工程と、第１の基板温度より低い第２の基板温度で、絶縁膜上に金属膜を形成する工程と、金属膜を形成後、絶縁膜中に残存する酸化種によって、金属膜の少なくとも一部を酸化させる工程により密度の高い金属膜および金属酸化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 比較的簡単な構成で、例えアスペクト比が高く、深さが深いビアホール等にあっても、金属膜を内部にボイドを発生させることなく確実に埋込むことができるようにする。
【解決手段】 第１めっき液を該第１めっき液にアノードを浸漬させて保持する第１めっき槽１７０ａと、第１めっき液より金属濃度の低い第２めっき液を該第２めっき液にアノードを浸漬させて保持する第２めっき槽１７０ｂと、第１めっき槽１７０ａと第２めっき槽１７０ｂとの間を移動自在で、被めっき材を該被めっき材に通電可能に保持するホルダ１６０を有し、ホルダ１６０で保持した被めっき材を第１めっき槽１７０ａ内の第１めっき液に接触させて行う第１めっき処理と、第２めっき槽１７０ｂ内の第２めっき液に接触させて行う第２めっき処理を順次繰返す。 （もっと読む）

当該機構の導電性の底部上のＣｏ金属への還元により開始されるボトムアップ充填による、Ｃｏイオンおよび還元剤を含む組成物からの無電解析出からなる、スタック・メモリ・セル配線機構を無電解的に充填する方法。高アスペクト比のスタック・メモリ・セル配線機構中でＣｏを無電解的に析出するための無電解析出組成物であって、該組成物が、水、Ｃｏイオン、錯化剤、緩衝剤、ボランを主材料とする還元剤成分、および次亜リン酸塩還元剤成分を含むもの。約０．５未満の次亜燐酸還元剤に対するボランを主材料とする還元剤の濃度比が存在する。 （もっと読む）

【課題】 コンタクトホールがボーイング形状となるのを防止し、かつコンタクトホールの下部の開口径を大きくすることができる半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】 絶縁膜を所定深さまでドライエッチングしてコンタクトホールを形成する工程と、コンタクトホールの側壁に側壁保護膜を形成する工程と、側壁保護膜をマスクとしてコンタクトホールの底部から絶縁膜をドライエッチングしてコンタクトホールを更に掘り込む工程と、側壁保護膜をマスクとしてコンタクトホールの下部の側面にある絶縁膜をウェットエッチングすることにより、コンタクトホールの下部と上部の境界において、下部の開口径を上部の開口径以上にする工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 ＦＳＧ膜で覆われた配線層のフッ素ダメージを抑制する。
【解決手段】 ＴｉＮ２ａ／Ａｌ−Ｃｕ２ｂ／Ｔｉ２ｃ／ＴｉＮ２ｄからなる下層配線層２を絶縁膜１上に形成し、ＦＳＧ膜３の表面がＴｉ層２ｃよりも低い位置に配置されるようにＦＳＧ膜３の膜厚を設定した上で、下層配線層２が埋め込まれるようにＦＳＧ膜３を絶縁膜１上に形成する。 （もっと読む）

【課題】 Ｌｏｗ−ｋ絶縁膜を効率的に形成する。
【解決手段】 Ｌｏｗ−ｋ材料を溶媒中に分散させて形成した前駆体溶液を下地層等の上にスピンコートし、その塗膜に対して溶媒沸点付近の温度でおよそ数分間加熱しベーク処理を行う（ステップＳ１〜Ｓ３）。そして、そのベーク処理後の塗膜上に、ＣＶＤ法を用いてＳｉＣ等でバリア膜を形成した後、その際のＣＶＤ装置から取り出すことなくそのＣＶＤ装置を用いてバリア膜越しに水素プラズマ処理を行う（ステップＳ４，Ｓ５）。 （もっと読む）

【課題】 製造許容値を緩和した相互接続構造を提供する。
【解決手段】 相互接続構造を製造する方法であって、誘電層に相互接続部を設けるステップと、相互接続部の一部が誘電層の上面よりも上に延出するように誘電層をくぼませるステップと、相互接続部の延出した部分の上に被覆キャップを堆積するステップと、を含む。 （もっと読む）