【課題】保護絶縁膜で配線溝および接続孔の内面に露出する多孔質の低誘電率膜を被覆することで、導通不良、耐圧不良、信頼性不良等の不具合を抑制して、高性能かつ高歩留まり、高信頼性の多層配線を提供することを可能とする。
【解決手段】多孔質の低誘電率膜２１を有する層間絶縁膜と、層間絶縁膜に形成された配線溝２３とこの配線溝２３に接続する接続孔２４と、配線溝２３の内面と接続孔２４の側壁に露出した多孔質の低誘電率膜２１を被覆するように接続孔２４底部を除く接続孔２４の内面および配線溝２３の内面に形成された保護絶縁膜２５と、配線溝２３の内面および接続孔２４の内面に保護絶縁膜２５を介して形成されたバリアメタル膜２６と、配線溝２３の内部および接続孔２４の内部に保護絶縁膜２５、バリアメタル膜２６を介して形成された配線材料膜２８とを備えたものである。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ配線形成時のボイドの発生を抑制し、バリアメタル層とＣｕ層の密着性低下を抑制できる半導体装置の製造方法とこの方法で製造された半導体装置を提供する。
【解決手段】基板１０に配線を形成する半導体装置の製造方法であって、まず、基板１０にＴａ系バリアメタル材料とＣｕ及び／またはＡｇとの合金からなるバリアメタル層１６を形成する。次に、バリアメタル層１６の上層にバリアメタル層１６を電極とする電解メッキによりＣｕを含む金属層１７を形成し、バリアメタル層１６及び金属層１７を配線パターンに加工する。 （もっと読む）

【課題】低誘電率誘電体材料などからなる層間絶縁膜を用いた多層配線構造を有する半導体装置において、機械的ストレス又は熱的ストレスに起因する層間絶縁膜のクラック又は剥離等を確実に防止する。
【解決手段】半導体基板のチップ領域の外周部にシールリング４が設けられていると共に、当該チップ領域におけるシールリング４の近傍にチップ強度強化用構造体５が設けられている。チップ強度強化用構造体５は複数のダミー配線構造（例えばダミー配線構造５Ａ〜５Ｅ等）から構成されている。各ダミー配線構造５Ａ〜５Ｅ等はそれぞれ、最下層及び最上層の配線層のいずれか一方のみを含むか又はいずれも含まない２層以上の配線層に亘ってビア部を介して連続的に形成されている。 （もっと読む）

【課題】 拡散防止機能を高めることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 （ａ）半導体基板上に形成された酸素を含有する絶縁体の表面上に、銅以外に少なくとも２種類の金属元素を含む銅合金皮膜を形成する。（ｂ）銅合金皮膜上に、純銅または銅合金からなる金属膜を形成する。（ｃ）工程ａまたは工程ｂの後に、絶縁体中の酸素と銅合金皮膜中の金属元素とが反応して絶縁体の表面に金属酸化物膜が形成される条件で熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率の低い絶縁膜を備え、かつ、電気的性能の劣化および信頼性の劣化を抑制することが可能な、多層配線構造の半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板と、前記半導体基板上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜内に形成された配線とを有し、前記絶縁膜は、前記配線の直下に位置する第１の絶縁膜と、その他の部分に位置する第２の絶縁膜から構成され、前記第１の絶縁膜は、前記第２の絶縁膜との境界面に位置する表層の炭素濃度が前記第１の絶縁膜の内部の炭素濃度よりも高いことを特徴とする半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】タングステンプラグを使うコンタクト構造において、低抵抗で安定なコンタクトを実現する。
【解決手段】導電体と、前記導電体を覆う絶縁膜と、前記絶縁膜を貫通し、前記導電体に電気的に接続するコンタクトプラグとよりなるコンタクト構造を含む半導体装置の製造方法において、前記絶縁膜中に、前記絶縁膜を貫通して、底部において前記導電体を露出するように、コンタクトホールを形成し、前記コンタクトホールの底部および側壁面に、窒化タングステンよりなるバリアメタル膜を、前記コンタクトホールの底部および側壁面に整合した形状で形成し、前記コンタクトホールを、前記バリアメタル膜を介して充填するように、タングステン層を形成し、前記絶縁膜上のタングステン膜を、前記絶縁膜の表面が露出するまで研磨・除去し、前記コンタクトホール中に前記タングステン層により、タングステンプラグを形成し、さらに、前記バリアメタル膜の形成に先立って、前記導電体の表面を清浄化する。 （もっと読む）

【課題】 接続孔での接続信頼性を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、第１の絶縁膜１０上に配線２０を形成する工程と、第１の絶縁膜１０上及び配線２０上に、第２の絶縁膜３０を形成する工程と、第２の絶縁膜３０に、配線２０上に位置する接続孔３０ａを形成する工程と、接続孔３０ａの底に位置する配線２０をスパッタリングすることにより、接続孔３０ａの側面に被覆膜３１を形成する工程と、第２の絶縁膜３０上及び被覆膜３１上にバリア膜４１を形成する工程と、接続孔３０ａに導電膜４２を埋め込む工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 層間絶縁膜にライナー層を用いつつ高耐圧素子の性能を良好に保つ半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 ライナー層１２は、層間絶縁膜１３のシリコン酸化膜とエッチング選択比が異なる例えばシリコン窒化膜とする。シリコン酸化膜の層間絶縁膜１３に対し、図示しない素子の接続部に応じて各々深さの異なるコンタクトホールを形成する際、ライナー層１２がエッチングストッパとなる。ライナー層１２の形成に関し、素子分離膜１１上は一様に除いて、その上に層間絶縁膜１３を形成する。これにより、素子分離膜１１ではライナー層１２の残留電荷による悪影響が解消されるので、素子分離能力は落ちずに良好な状態が保たれる。 （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィにおける合わせずれに対して強い構造を持つ半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】周期的に配置された信号電極線ＢＬと、ワード線方向に、信号電極線ＢＬと同一周期で一列に配置された信号電極線コンタクト１３と、を備え、信号電極線ＢＬの側面は、第１絶縁材１４と、この第１絶縁材１４上に積層された第２絶縁材１５とに接しており、ワード線方向の断面において、信号電極線ＢＬの、信号電極線コンタクト１３に接する部分の径Ｄｂｔｍは、信号電極線ＢＬの最上面の径Ｄｔｏｐよりも狭い。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、導電層の密着性の向上及びマイグレーションの防止を図ることにある。
【解決手段】 半導体装置の製造方法は、（ａ）電極パッド１６及びパッシベーション膜１８を有する半導体基板１０の上方に、エネルギー硬化型の樹脂層２０を形成する工程と、（ｂ）第１のエネルギー供給処理により、樹脂層２０を硬化収縮させることなく融解させる工程と、（ｃ）第２のエネルギー供給処理により、融解後の樹脂層３０を硬化収縮させて樹脂突起４０を形成する工程と、（ｄ）電極パッド１６と電気的に接続し、かつ樹脂突起４０の上方を通る導電層５０を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】シェアードコンタクトを有し、且つ、リーク電流の低減が図れる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】シェアードコンタクト形成領域に位置するゲート電極配線１４ｂの上面上及び側面上にはシリサイド層２０ｄが形成されている。そして、層間絶縁膜２２には、Ｎ型ソース・ドレイン領域１９ｂ上のシリサイド層２０ｂ及びゲート電極配線１４ｂ上のシリサイド層２０ｄに接続するシェアードコンタクトとなるコンタクトプラグ２４ｂが形成されている。これにより、層間絶縁膜２２にコンタクトホール２３ｂを形成した際、半導体基板１１の表面を露出させることなく形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 絶縁膜上における観察可能なショート欠陥のみならず、絶縁膜中で観察不能又は観察困難なショート欠陥も絶縁膜上のショート欠陥と区別して精度良く確実に検出することができ、検出された各種のショート欠陥の情報を利用して半導体製造工程を効率良く管理する。
【解決手段】 短絡検出領域１０は、絶縁膜１１と、この絶縁膜１１内に埋め込まれ表面のみが露出してなる複数の第１の導体パターン１２及び複数の第２の導体パターン１３を備えて構成され、第１の導体パターン１２は、帯状部１２ａと、シリコン半導体基板１と電気的に接続される複数のビア部１２ｂとが一体形成されてなる。 （もっと読む）

【課題】 深さの異なるコンタクトホールを同時に形成する場合にも、高抵抗化や接続不良等を無い高品質なコンタクトホールを形成する。
【解決手段】 半導体基板１０の表面側に、有機系の絶縁材料からなる第１層膜１８、無機系の絶縁材料からなる第２層膜１９の２層構造を有する層間絶縁膜１７が形成される。ソース・ドレイン拡散領域１１及びゲート電極１４に達するコンタクトを形成するため、この層間絶縁膜１７にコンタクトホールが形成される。第２層膜１９のエッチングは、Ｃ４Ｈ８系のガスで行うと、エッチングは第１層膜１８と第２層膜１９の界面で止まる。次にエッチングガスをＮＨ３系のガスに切り替えて、第１層膜１８のエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】犠牲有機膜とハードマスクとに形成される接続孔パターンを先に形成し、それに配線溝パターンをアライメントすることで、いわゆるデュアルダマシン技術におけるアライメント精度の向上を可能とする。
【解決手段】層間絶縁膜１２上に犠牲有機膜２２と第１、第２ハードマスク２３、２４を積層した積層ハードマスクとを形成し、犠牲有機膜２２と積層ハードマスクとをエッチングマスクに用いて層間絶縁膜１２に配線溝２９と接続孔３０とを形成する半導体装置の製造方法において、犠牲有機膜２２と積層ハードマスクとをエッチングマスクに形成する工程は、積層ハードマスクに接続孔パターン２６を形成し、第２ハードマスク２４に接続孔パターン２６にアライメントした配線溝パターン２８を形成し、積層ハードマスクをエッチングマスクに用いて犠牲有機膜２２に接続孔パターン２６を延長形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハ状態で、工程中に金属配線の電気的な検査を行い、金属配線の不良を精度良く検出すると共に、金属配線の不良が発生した場合は、迅速かつ的確に不良原因が特定され、工程へフィードバックさせることが可能となる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体基板上１０の金属配線１３及び外部端子接続用電極１５が形成されていない領域に、金属配線１３のオープン、ショート、リーク不良、素子電極１１と金属配線１３との接続不良を電気的に検出する検査用金属配線１４及び検査用電極１６を有し、半導体ウェハ状態での電気的な検査によって、工程中に精度良く上記不良を検出することが可能となる。又、電気的な検査を実施することで、不良原因を迅速にかつ的確に確認し、工程に早期フィードバックが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 層間絶縁膜中に含まれる不純物やプロセス雰囲気中の不純物から配線層を保護する。
【解決手段】 配線層１２を絶縁層１１上に形成した後、配線層１２の表面の熱酸化を行うことにより、配線層１２の露出面を被覆する保護膜１３を形成し、保護膜１３にて被覆された配線層１２上に高密度ＣＶＤなどの方法にてＦＳＧ膜１４およびＮＳＧ膜１５を形成する。 （もっと読む）

【課題】
バンプ形成前の迅速な電気的特性の測定を可能とし、この測定結果をフィードバックすることで開発期間の短縮を図ることを可能とする半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】
メタル配線１上に堆積させた保護膜２に、開口底部が前記メタル配線１の表面に達し、プロービング用針の先端部が侵入しない寸法を有する、複数の開口部３を形成し、この開口部３を介して前記メタル配線１と電気的に導通するように堆積させたバリアメタル膜をパターニングすることで、前記保護膜２の前記複数の開口部３が形成された領域上にプロービング用パッド４を形成し、このプロービング用パッド４に前記プロービング用針の先端面を接触させることで、形成された回路の電気的特性の測定を可能とする。 （もっと読む）

【課題】 アスペクト比が高いホールが形成された半導体基板に対しても、ステップカバレッジを向上させてホール内部に十分なタングステン層を埋め込むことが可能な気相堆積方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る気相堆積方法は、供給工程と第一ガス排気工程と核形成層形成工程と堆積工程とを含み、核形成層形成工程（Ｓ２２）では、タングステン含有化合物ガスのガスａをシリコン含有化合物の第二ガスよりも先に半導体基板に供給して第一の核形成層を形成する工程（Ｓ２２ａ）と、第一の核形成層にシリコン含有化合物の第三ガスを供給・排気する工程（Ｓ２２ｂ）と、当該第三ガス排気後に、タングステン含有化合物ガスのガスｂがシリコン含有化合物の第四ガスよりも先に第一の核形成層に供給して第二の核形成層を形成する工程（Ｓ２２ｃ）とを含む。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜に用いられる低誘電率膜において、ＲＣ遅延の影響が大きい領域の低誘電率状態を保持しつつ、それ以外の領域の機械的強度を高めることを可能にする。
【解決手段】複数層の配線層と、配線層間に形成された層間絶縁膜とを備え、層間絶縁膜の一部または全部を低誘電率膜１で形成する半導体装置の製造方法において、前記低誘電率膜１のＲＣ遅延時間を低減させたい領域（ＲＣ遅延抑制領域２）をマスク３により遮蔽しながら低誘電率膜１に電子線Ｅを照射する工程を備えている。 （もっと読む）

【課題】 １．５以上の高アスペクト比である微細ホールに対しても、金属配線膜を埋め込むことができるように、ホールへの金属配線膜の埋め込み性を従来よりも向上させる。
【解決手段】 ＴｉＮ膜の成膜工程６３で、スパッタにより、ホールの内壁に沿ってＴｉＮ膜を成膜する。このとき、成膜温度を、従来よりも低温の１５０℃とすることで、アモルファス構造のＴｉＮ膜を形成する。その後、スパッタ工程６４、６５で、アモルファス構造のＴｉＮ膜の表面上にＡｌ合金膜を形成することで、ＴｉＮ膜を下地とした状態で、Ａｌ合金膜をコンタクトホールの内部に埋め込む。このように、Ａｌ合金膜の下地となるＴｉＮ膜をアモルファス構造にすることで、ＴｉＮ膜の表面エネルギーを大きくし、ＴｉＮ膜のＡｌ合金膜に対する濡れ性を従来よりも向上させることができ、ホールへのＡｌ合金膜の埋め込み性を従来よりも向上させることができる。 （もっと読む）