【課題】 絶縁膜上における観察可能なショート欠陥のみならず、絶縁膜中で観察不能又は観察困難なショート欠陥も絶縁膜上のショート欠陥と区別して精度良く確実に検出することができ、検出された各種のショート欠陥の情報を利用して半導体製造工程を効率良く管理する。
【解決手段】 短絡検出領域１０は、絶縁膜１１と、この絶縁膜１１内に埋め込まれ表面のみが露出してなる複数の第１の導体パターン１２及び複数の第２の導体パターン１３を備えて構成され、第１の導体パターン１２は、帯状部１２ａと、シリコン半導体基板１と電気的に接続される複数のビア部１２ｂとが一体形成されてなる。 （もっと読む）

【課題】 深さの異なるコンタクトホールを同時に形成する場合にも、高抵抗化や接続不良等を無い高品質なコンタクトホールを形成する。
【解決手段】 半導体基板１０の表面側に、有機系の絶縁材料からなる第１層膜１８、無機系の絶縁材料からなる第２層膜１９の２層構造を有する層間絶縁膜１７が形成される。ソース・ドレイン拡散領域１１及びゲート電極１４に達するコンタクトを形成するため、この層間絶縁膜１７にコンタクトホールが形成される。第２層膜１９のエッチングは、Ｃ４Ｈ８系のガスで行うと、エッチングは第１層膜１８と第２層膜１９の界面で止まる。次にエッチングガスをＮＨ３系のガスに切り替えて、第１層膜１８のエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】 デュアルダマシン（Dual-Damascene）法を用いた多層Ｃｕ配線の形成工程を簡略化する。
【解決手段】 層間絶縁膜４５上に形成したフォトレジスト膜５１をマスクにして層間絶縁膜４５をドライエッチングし、層間絶縁膜４５の中途部に形成したストッパ膜４６の表面でエッチングを停止することによって配線溝５２、５３を形成する。ここで、ストッパ膜４６を光反射率の低いＳｉＣＮ膜によって構成し、フォトレジスト膜５１を露光する際の反射防止膜として機能させることにより、フォトレジスト膜５１の下層に反射防止膜を形成する工程が不要となる。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、導電層の密着性の向上及びマイグレーションの防止を図ることにある。
【解決手段】 半導体装置の製造方法は、（ａ）電極パッド１６及びパッシベーション膜１８を有する半導体基板１０の上方に樹脂層２０を形成する工程と、（ｂ）樹脂層２０をキュアすることにより樹脂突起４０を形成する工程と、（ｃ）電極パッド１６と電気的に接続し、かつ樹脂突起４０の上方を通る導電層５０を形成する工程と、を含む。少なくとも（ｂ）工程前において、少なくとも樹脂層２０の周辺領域３２に対して、樹脂層２０の樹脂材料との濡れ性を向上させる表面処理を行う。 （もっと読む）

【課題】 集積回路においてソフト・エラー率を低下させるための改良された方法および構造体を提供する。
【解決手段】 集積回路においてソフト・エラー率を低下させるための構造体および方法。この構造体は、半導体基板と、最下部の配線レベルから最上部の配線レベルまで積層された１つ以上の配線レベル積層であって、最下部の配線レベルが最上部の配線レベルよりも半導体基板に近い、配線レベル積層と、１つ以上の配線レベルの最上部の配線レベルの上面上のアルファ粒子ブロック層と、を含む。ブロック層は金属配線および誘電材料を含む。ブロック層は、このブロック層に当たる選択されたエネルギ以下のアルファ粒子の所定の割合が１つ以上の配線レベル積層内または基板内に侵入することを阻止するのに充分な前記ブロック層の厚さおよび前記ブロック層内の金属配線の体積百分率の組み合わせを有する。 （もっと読む）

【課題】 耐エッチング性、耐薬品性、及び耐湿性に優れ、密着性が良好であり、しかも誘電率の低いシリカ系被膜、該シリカ系被膜の形成に好適なシリカ系被膜形成用材料等の提供。
【解決手段】 本発明のシリカ系被膜形成用材料は、ＣＨｘ、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合、Ｓｉ−ＣＨ_３結合、及びＳｉ−ＣＨｘ−結合を構造の一部に有するシリコーンポリマーを含む。ｘは、０〜２の整数を表す。シリコーンポリマーが一般式（１）〜（３）で表されるシリコン化合物と、一般式（４）〜（７）で表されるシリコン化合物とを加水分解縮重合反応させて得られる態様等が好ましい。
【化１３】


【化１４】


一般式（１）〜（７）中、ｎは０又は１を表す。Ｒ^１はｎ＝０のとき、塩素、臭素、フッ素及び水素のいずれかを表し、ｎ＝１のとき、炭素数１〜４の炭化水素、芳香族炭化水素、水素、カルボキシル基のいずれかを表す。Ｒ^２は炭素数１〜４の炭化水素、芳香族炭化水素、及び水素のいずれかを表す。Ｒ^３は炭素数１〜３の炭化水素及び芳香族炭化水素のいずれかを表す。 （もっと読む）

【課題】 ダマシン(Damascene)法によって形成されたヒューズを有する半導体集積回路装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】 第４層配線５４およびヒューズ５５の上層にバリア絶縁膜５６と層間絶縁膜５７とを堆積する。バリア絶縁膜５６は、Ｃｕの拡散を防ぐための絶縁膜であり、下層のバリア絶縁膜４４と同じく、プラズマＣＶＤ法で堆積したＳｉＣＮ膜で構成する。ヒューズ５５を覆うバリア絶縁膜５６の膜厚は、下層のバリア絶縁膜４４よりも大きく、ヒューズ５５の耐湿性が向上するようになっている。 （もっと読む）

【課題】パッドに亀裂のような損傷が生じた場合でも、その損傷部分から侵入する水分の影響を最小限の範囲にとどめることで、回路部が形成された層間絶縁膜への水分の浸透を阻止することを可能とする。
【解決手段】配線層と層間絶縁膜とを積層して形成された多層配線上に外部と電気的に接続されるパッド６１を備えた半導体装置であって、前記パッド６１の下部の第２コンタクト層間絶縁膜４３、第２配線層間絶縁膜３３、第１コンタクト層間絶縁膜２３は、前記パッド６１の外周下部に連続して形成された耐湿性を有する保護部材７１によって囲まれていることを特徴とする。
。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、導電層の密着性の向上及びマイグレーションの防止を図ることにある。
【解決手段】 半導体装置の製造方法は、（ａ）電極パッド１６及びパッシベーション膜１８を有する半導体基板１０の上方に、少なくとも複数の分離した第１及び第２の樹脂部３２，３４を含む樹脂層３０を形成する工程と、（ｂ）樹脂層３０をキュアすることにより、第１及び第２の樹脂部３２，３４が一体化した樹脂突起４０を形成する工程と、（ｃ）電極パッド１６と電気的に接続し、かつ樹脂突起４０の上方を通る導電層５０を形成する工程と、を含む。（ａ）工程で、第２の樹脂部３４を、少なくとも電極パッド１６と第１の樹脂部３２の間に形成し、かつ第１の樹脂部３２よりも小さい幅で形成する。 （もっと読む）

【課題】配線と配線を接続する接続部のバリア膜の構造を最適化し、エレクトロマイグレーション特性を向上させる。
【解決手段】半導体基板上の第１層配線Ｍ１上に形成された層間絶縁膜ＴＨ２中に配線溝ＨＭ２およびコンタクトホールＣ２を形成した後、これらの内部にバリア膜ＰＭ２ａを、コンタクトホールＣ２の底部の全周に渡ってコンタクトホールＣ２の底部の中央部から側壁に向かってその膜厚が増加するよう形成し、このバリア膜ＰＭ２ａ上に銅膜（ＰＭ２ｂ、ＰＭ２ｃ）を形成した後、ＣＭＰ法により研磨することにより第２層配線Ｍ２と接続部（プラグ）Ｐ２を形成する。その結果、接続部（プラグ）Ｐ２を介して第２層配線Ｍ２から第１層配線Ｍ１へ流れる電流の幾何学的な最短経路と、電気的に抵抗が最小となるバリア膜ＰＭ２ａの薄い部分が一致せず、電流経路を分散することができ、電子の集中を起こりにくくできる。 （もっと読む）

【課題】更なる配線層の微細化、層間絶縁膜の低誘電率化に対応することが出来る剥離防止のパターンを有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板１上に複数の絶縁膜２〜７を有し、複数の絶縁膜３〜７に埋設された配線３２、４２、５２、６２、７２とを備え、複数の絶縁膜３、４が低誘電率材料を用いた絶縁膜である多層配線構造の半導体装置であって、半導体装置のコーナ部にすべての絶縁膜２〜７を貫通する貫通孔を形成し、貫通孔の全体に貫通ビア１０を形成している。これにより、絶縁膜の剥離の発生を防止することができ、しかも貫通ビアは、ビアと配線をキャップ層で接続する部分が存在しないので、剥離防止の効果は大きい。 （もっと読む）

【課題】 接合リークを増大させることがなく、低抵抗なコンタクトを半導体基板の全面で安定して形成することができる半導体装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体層を有する基板１上に、金属酸化物からなるライナ膜２６と絶縁膜２２からなる層間絶縁膜２０を形成する。次に、絶縁膜２２上に、コンタクトホール２４の形成位置に開口部を有するマスクパターン２３を形成する。そして、マスクパターン２３をエッチングマスクとして絶縁膜２２をエッチング除去し、ライナ膜２６を露出させる。この後、露出したライナ膜２６を真空中でエッチング除去し、半導体基板１を露出させ、当該真空中で連続して、露出した半導体基板１上に導電膜を形成することでコンタクト構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板上の金属膜を平坦化する工程において、低研磨圧力条件下においても金属膜を高速に研磨し、かつスクラッチ、ディッシング等研磨面の欠陥の発生も抑制できる研磨組成物およびそれを用いてなる半導体基板上の金属膜の平坦化方法ならびに半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 ポリオキソ酸、アニオン性界面活性剤および水を含有してなることを特徴とする金属用研磨組成物およびそれを用いてなる半導体基板上の金属膜の平坦化方法ならびに半導体基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】薄膜回路の下方に外部と接続するための電極を容易に形成できる薄膜回路部品の構造及び薄膜回路部品の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜の一方の面上に形成された薄膜回路と、薄膜回路上に形成された第２の絶縁膜と、第２の絶縁膜上に形成された電極と、電極上に形成された樹脂膜とを有する積層物を形成し、積層物の第１の絶縁膜の他方の面側に、電極と重なるように導電膜を形成し、導電膜にレーザーを照射する。 （もっと読む）

【課題】高容量化に対して有利な半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、第１絶縁膜１７と、前記第１絶縁膜と接して設けられ前記第１絶縁膜の構成元素と所定の金属元素との化合物を主成分とし前記第１絶縁膜よりも比誘電率が高い高誘電体膜１５とを少なくとも有するキャパシタ絶縁膜３０と、前記キャパシタ絶縁膜を挟むように設けられ、ＣｕまたはＣｕを主成分とする第１、第２キャパシタ電極１０、２０とを備えるキャパシタＣ１を具備する。 （もっと読む）

【課題】 コンタクトホールの目外れによる不具合を防止する。
【解決手段】 半導体基板１上に形成された補助ゲート電極の幅広領域１５ａの周囲に幅広領域１５ａよりも高いダミー浮遊ゲート電極４２を形成し、ダミー浮遊ゲート電極４２の上面の端部が、幅広領域１５ａの端部の直上に一致する位置か、または直上を超えて幅広領域１５ａ側の位置にあるようにする。ダミー浮遊ゲート電極４２は、不揮発性メモリの電荷蓄積用の浮遊ゲート電極と同層の導電体層により形成されている。コンタクトホール６２ａに目外れが生じた場合は、コンタクトホール６２ａの側面でダミー浮遊ゲート電極４２を露出させてエッチングストッパとして機能させ、底部で幅広領域１５ａを露出させる。補助ゲート電極の幅広領域１５ａと接続するプラグ６３は、ダミー浮遊ゲート電極４２とも接続される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、上記の問題点に鑑み、動作速度の遅延を発生させる寄生容量の増大を招くことなく、ボンディング時のパッド剥がれを低減することが可能な半導体集積回路装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体集積回路装置１は、基板１０と；基板１０上に形成された絶縁膜１１と；絶縁膜１１の最上層に形成されたパッド１６ａと；基板１０とパッド１６ａとの間に形成されたダミーパッド１２ａ〜１５ａと；パッド１６ａとダミーパッド１２ａ〜１５ａとを導通するビア１８と、を有して成る半導体集積回路装置であって、ダミーパッド１２ａ〜１５ａのうち、少なくとも最下層のダミーパッド１２ａは、半導体基板１０に対向する面積がパッド１６ａのそれより小さくなるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において絶縁層や層間絶縁層を加熱したとき、層間絶縁層に設けられた開口部の底部において配線に隆起が生ぜず、配線の信頼性が低下することのない配線構造を提供する。
【解決手段】半導体基板の上に設けられた絶縁層に形成された溝部内に埋め込まれた配線の表面に、導電材料から成る被覆層が形成されている半導体装置における配線構造であって、絶縁層及び被覆層の上に形成された層間絶縁層と、被覆層の上方の層間絶縁層に形成された開口部内が配線材料層で埋め込まれて成る、配線と接続された接続孔と、配線材料層から成り、層間絶縁層に形成されそして接続孔と接続された上層配線、を更に備えており、被覆層はタングステンから成り、溝部内に埋め込まれた配線を構成する材料は、Ａｌ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｇｅ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃｕ−Ｔｉ、又はＣｕ−Ｚｒである。 （もっと読む）

【課題】 抵抗率を小さくし、下地のバリヤ層との境界部分のフッ素濃度を低減し、バリヤ層との密着性を向上させることができるタングステン膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 真空引き可能になされた処理容器１４内にて被処理体Ｍの表面にタングステン膜を形成するに際して、前記被処理体にシリコン含有ガスを供給する工程と、該工程後にタングステン含有ガスを供給するタングステン含有ガス供給ステップとシリコンを含まない水素化合物ガスを供給する水素化合物ガス供給ステップとを、両ステップ間に前記処理容器内に不活性ガスを供給するパージステップ及び／又は前記処理容器を真空引きする真空引きステップを介在させて、交互に繰り返し実行することにより第一のタングステン膜７０を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】水分や酸化ガスの透過を防止して、耐水性および耐酸化性を向上できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１１上の素子形成領域１３を囲むように前記半導体基板上の層間絶縁膜１４−１、１２−２中に設けられ、Ｃｕを主成分とするガードリングＧＲ１、ＧＲ２と、前記層間絶縁膜とガードリングとの界面に設けられ、前記層間絶縁膜の構成元素と所定の金属元素との化合物を主成分とするバリア膜１９とを具備する。 （もっと読む）