半導体装置の製造方法

【課題】本発明の目的は、導電層の密着性の向上及びマイグレーションの防止を図ることにある。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、（ａ）電極パッド１６及びパッシベーション膜１８を有する半導体基板１０の上方に樹脂層２０を形成する工程と、（ｂ）樹脂層２０をキュアすることにより樹脂突起４０を形成する工程と、（ｃ）電極パッド１６と電気的に接続し、かつ樹脂突起４０の上方を通る導電層５０を形成する工程と、を含む。少なくとも（ｂ）工程前において、少なくとも樹脂層２０の周辺領域３２に対して、樹脂層２０の樹脂材料との濡れ性を向上させる表面処理を行う。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気的接続信頼性の向上を図るため、樹脂突起上に導電層が形成された樹脂コアバンプを外部端子とする半導体装置が開発されている。これによれば、半導体基板に樹脂突起が形成された後に、電極パッドから樹脂突起上に至る導電層が形成される。一般的に、導電層を形成する工程では、電極パッド上の酸化層を除去するため、Ａｒ逆スパッタが行われる。しかし、Ａｒ逆スパッタを行うと、それにより樹脂突起の表面の炭化が進行し、その結果、樹脂の絶縁抵抗が低下し、マイグレーションが引き起こされる可能性がある。また、上述した構造の場合、導電層は立体的形状をなす樹脂突起上を通るように形成されるので、導電層の剥離又は断線の防止を図ることが要求される。
【特許文献１】特開平２−２７２７３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の目的は、導電層の密着性の向上及びマイグレーションの防止を図ることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
（１）本発明に係る半導体装置の製造方法は、
（ａ）電極パッド及びパッシベーション膜を有する半導体基板の上方に樹脂層を形成する工程と、
（ｂ）前記樹脂層をキュアすることにより樹脂突起を形成する工程と、
（ｃ）前記電極パッドと電気的に接続する導電層を、少なくとも前記樹脂突起の上方に形成する工程と、
を含み、
少なくとも前記（ｂ）工程前において、少なくとも前記樹脂層の周辺領域に対して、前記樹脂層の樹脂材料との濡れ性を向上させる表面処理を行う。
【０００５】
本発明によれば、キュア工程において樹脂が周辺領域になじむように流れ、その後、硬化収縮反応が起こり、立ち上がり（接触角）が緩やかな樹脂突起を形成することができる。これにより、導電層の剥離及び断線の防止を図り、その密着性の向上を図ることができる。
【０００６】
なお、本発明において、特定のＡの上方にＢが設けられているとは、Ａ上に直接Ｂが設けられている場合と、Ａ上に他を介してＢが設けられている場合と、を含むものとする。このことは、以下の発明においても同様である。
【０００７】
（２）この半導体装置の製造方法において、
前記表面処理の工程を、前記（ａ）工程後であって前記（ｂ）工程前に行ってもよい。
【０００８】
（３）この半導体装置の製造方法において、
前記表面処理の工程を、前記（ａ）工程前であって、前記樹脂層の形成領域及び周辺領域に対して行ってもよい。
【０００９】
（４）この半導体装置の製造方法において、
前記表面処理の工程は、表面処理剤を設けることにより行ってもよい。
【００１０】
（５）この半導体装置の製造方法において、
前記表面処理の工程は、光エネルギーを照射することにより行ってもよい。
【００１１】
（６）この半導体装置の製造方法において、
前記表面処理の工程は、前記光エネルギーの照射量を調整することにより、前記樹脂層から離れるに従って前記濡れ性を向上させる割合を小さくすることを含んでもよい。
【００１２】
これによれば、樹脂が周辺領域に際限なく流出するのを防止することができる。
【００１３】
（７）この半導体装置の製造方法において、
前記（ａ）工程前において、前記樹脂層の形成領域に対して、前記樹脂層の樹脂材料との濡れ性を低下させる他の表面処理を行う工程をさらに含んでもよい。
【００１４】
これによれば、樹脂層の形成領域は濡れ性が低いので、大量の樹脂がパターニング領域内に留まり、少量の樹脂のみが外側の周辺領域に流出する。そのため、確実に樹脂突起を形成することができる。
【００１５】
（８）この半導体装置の製造方法において、
前記（ｃ）工程において、
前記導電層を形成する前に、Ａｒガスにより、前記電極パッドの表面から酸化膜を除去するとともに、前記樹脂突起の表面の炭化を進行させ、
前記導電層を形成した後に、前記導電層をマスクとして前記樹脂突起を部分的に除去してもよい。
【００１６】
これによれば、Ａｒガスにより樹脂突起の炭化が進行し、炭化層（又はプラズマ重合層）が形成されたとしても、樹脂突起の立ち上がりが緩やかに形成されているので、これにより樹脂突起を炭化層等を残すことなく容易に除去することができる。特に、炭化層等は、樹脂突起の根元部に残存しやすいが、本発明によれば樹脂突起の根元部に残存する炭化層等を容易に除去することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００１８】
（半導体装置の製造方法）
図１〜図１２は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【００１９】
（１）まず、図１及び図２に示すように、半導体基板１０を用意する。半導体基板１０は、例えば半導体ウエハである（図１参照）。その場合、半導体基板１０は、半導体チップとなる複数のチップ領域１２を有し、それぞれのチップ領域１２の内部に集積回路１４が形成されている。すなわち、半導体基板１０を複数の半導体チップに分割する場合、個々の半導体チップが個々の集積回路１４を有することになる。集積回路１４は、少なくともトランジスタ等の能動素子を含む。チップ領域１２は、例えば平面視が矩形形状（例えば長方形）をなしている。それぞれのチップ領域１２には、複数の電極パッド（例えばアルミパッド）１６が形成されている。複数の電極パッド１６は、チップ領域１２の対向する２辺（例えば長辺側の２辺）又は４辺に沿って配列されていてもよい。その場合、各辺に１列又は複数列の電極パッド１６が配列されている。電極パッド１６がチップ領域１２の端部に配列している場合、集積回路１４は、複数の電極パッド１６により囲まれた中央部に形成されていてもよい。あるいは、電極パッド１６は、集積回路１４と平面視において重なる領域に形成されていてもよい。電極パッド１６は、内部配線（図示しない）により集積回路１４と電気的に接続されている。
【００２０】
半導体基板１０の表面（集積回路１４の形成面）には、パッシベーション膜（保護膜）１８が形成されている。パッシベーション膜１８は、無機系又は有機系のいずれから形成してもよく、例えばシリコン酸化膜、シリコン窒化膜の少なくとも１層により形成することができる。パッシベーション膜１８には、電極パッド１６を開口する開口部１９が形成されている。開口部１９により、電極パッド１６の少なくとも一部（例えば中央部のみ）が露出している。なお、電極パッド１６上には、多くの場合、酸化層１７が形成されている。酸化層１７は、例えば自然酸化によるものであり、電極パッド１６の表面を被覆している。
【００２１】
（２）次に、図３〜図５に示すように、樹脂層２０を形成する。
【００２２】
樹脂層２０は、半導体基板１０上（詳しくはパッシベーション膜１８上）であって、平面視において電極パッド１６と異なる領域に形成することができる。樹脂層２０の形成領域は限定されるものではないが、例えば所定の幅を有する直線状に形成することができる（図６参照）。その場合、半導体基板１０のチップ領域１２の境界（例えば長辺方向）に沿って（例えば平行に）延出するように形成することができる。
【００２３】
具体的には、まず、図３に示すように、感光性の樹脂材料２０ａを例えばスピンコート法により半導体基板１０上に塗布する。その後、図４に示すように、開口部２４を有するマスク２２を半導体基板１０上に配置し、光エネルギー２６を照射して露光を行う。樹脂材料２０ａとして、光エネルギー２６の照射部分において現像液の溶解性が減少するネガ型を使用した場合には、マスク２２の開口部２４から露出する領域のみに樹脂を残すことができる。あるいは、逆に、樹脂材料２０ａとして、光エネルギー２６の照射部分において現像液の溶解性が増加するポジ型を使用した場合には、マスク２２により覆われた領域のみに樹脂を残すことができる。その後、現像工程を行うことにより、図５に示すように、樹脂層２０を所定形状にパターニングすることができる。
【００２４】
ここで、樹脂層２０の樹脂材料の一例としては、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性ポリイミド樹脂等の弾性樹脂材料が挙げられる。また、樹脂層２０は、例えばベンゼン環及びそれが縮合した環をもつ有機化合物の芳香族化合物であるポリイミド、ポリベンゾオキサゾル、ベンゾシクロブテン又はエポキシ等であることができる。
【００２５】
上述した樹脂層２０のパターニング工程の変形例として、例えば液滴吐出法（例えばインクジェット法）を適用してもよい。これによれば、樹脂材料を必要な領域のみに直接吐出することができる。特に、インクジェット法によれば、インクジェットプリンタ用に実用化された技術を応用することによって、高速かつインク（樹脂材料）を無駄なく経済的に設けることができる。
【００２６】
（３）次に、図６及び図７に示すように、樹脂層２０をキュアする工程前に、樹脂層２０の周辺領域３２（パッシベーション膜１８）に対して表面処理を行う。なお、図７は、図６のＶII−ＶII線断面図である。
【００２７】
ここで、表面処理とは、下地（パッシベーション膜１８）に対する樹脂層２０の樹脂材料との濡れ性を向上させる処理をいい、言い換えれば、パッシベーション膜１８と樹脂層２０との親和性（親液性（樹脂なので親油性））を向上させる処理をいう。また、表面処理は、化学的処理又は物理的処理のいずれであってもよい。表面処理は、樹脂層２０の形成領域の周縁から外側に広がる周辺領域３２に対して行う。その場合、図６に示すように、樹脂層２０よりもわずかに外側に広がる周辺領域３２のみに表面処理を行うことができる。これにより、樹脂が際限なく外側に広がるのを確実に防止することができる。また、周辺領域３２は、樹脂層２０の略全周を囲むことができる。あるいは、露出するパッシベーション膜１８の略全面に表面処理を行ってもよい。
【００２８】
具体的には、樹脂層２０をパターニングして形成した後、樹脂層２０の周辺領域３２に表面処理剤３０を設ける。表面処理剤３０としては、カップリング剤（シラン系カップリング剤）を使用することができる。カップリング剤は、樹脂層２０の樹脂材料と反応することができる反応性官能基を有する。表面処理剤３０は、例えば液状にして塗布することができる。塗布方法は、ディスペンサ法、インクジェット法などを適用することができる。表面処理剤３０を設けることにより、その領域において、樹脂層２０の樹脂材料の濡れ性、定着性を向上させることができる。
【００２９】
（４）その後、図８に示すように、樹脂層２０をキュアすることにより樹脂突起４０を形成する。
【００３０】
詳しくは、樹脂層２０を加熱することにより、樹脂を溶融させ、その後に硬化収縮させる。溶融時の樹脂は、上述した樹脂層２０の周辺領域３２に至るように広がる。本実施の形態では、周辺領域３２の濡れ性が高くなっているので、樹脂がパッシベーション膜１８になじむように流れ、その後、硬化収縮反応が起こり、立ち上がり（接触角）が緩やかな樹脂突起４０を形成することができる。キュア後の樹脂突起４０は、表面が曲面となっている。樹脂突起４０の断面は、例えば略半円形状をなしている。樹脂突起４０の立ち上がり角度（立ち上がり近傍の傾斜面の接線とパッシベーション膜１８の表面のなす角度）θは、少なくともθ＜９０°（最適にはθ≒０°）である。また、樹脂突起４０の立ち上がりは、外方向（斜め上方向）に凹状をなすように湾曲して形成されている。上述したように、樹脂層２０の略全周の周辺領域３２に表面処理を行うことにより、樹脂突起４０の略全周において立ち上がりを緩やかな傾斜面をもって形成することができる。これにより、後述の導電層５０を高い密着性をもってあらゆる方向から樹脂突起４０上に延出させることができる。
【００３１】
（５）次に、図９〜図１１に示すように、電極パッド１６と電気的に接続し、かつ樹脂突起４０上を通る導電層５０を形成する。なお、図９は導電層の形成工程後の部分平面図であり、図１０は図９のＸ−Ｘ線断面図であり、図１１は図９のＸＩ−ＸＩ線断面図である。
【００３２】
まず、導電層５０を形成する前に、電極パッド１６上の酸化層１７を除去する。酸化層１７は、例えば、自然酸化により成長したものや、上述した樹脂のキュア工程により成長したものである。酸化層１７の除去方法として、例えばＡｒガスの逆スパッタを適用することができる。Ａｒガスの逆スパッタを半導体基板１０の全面に行うと、これにより、樹脂突起４０の表面の炭化が進行する。すなわち、樹脂突起４０の表面に、炭化層又は炭化層に至る前の層（例えばプラズマ重合層）が形成される。なお、本実施の形態は、このように炭化層等が形成されてしまう場合に特に有益である。
【００３３】
導電層５０は、スパッタ法又は蒸着法により導電箔を成膜し、その後、導電箔をパターニングすることにより形成することができる。導電層５０は、例えば、下地となる第１の層（例えばＴｉＷ層）５２と、その上の第２の層（例えばＡｕ層）５４とからなる複数層により形成することができる。その場合、導電箔を第１及び第２の層５２，５４により形成し、レジストをマスクとしてドライエッチングにより第２の層５４をパターニングし、パターニング後の第２の層５４をマスクとして第１の層５２をパターニングしてもよい。下地となる第１の層５２は、金属拡散防止、密着性向上又はメッキ層として利用することができる。変形例として、下地となる第１の層５２をスパッタ法又は蒸着法により形成し、その上の第２の層５４を無電解メッキ又は電気メッキにより形成することもできる。これにより、第２の層５４を容易に厚く形成することができる。あるいは、導電層５０は、単一層（例えばＡｕ層）により形成することもできる。なお、導電層５０の材質は上述に限られず、例えば、Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ａｌ，Ｃｒ等を使用することができる。
【００３４】
導電層５０は、電極パッド１６と樹脂突起４０の間を電気的に接続する配線層である。導電層５０は、少なくとも、電極パッド１６上、パッシベーション膜１８上、及び樹脂突起４０上を通るように形成する。本実施の形態では、樹脂突起４０の立ち上がりが緩やかに形成されているので、導電層５０の密着性の向上を図ることができる。そのため、導電層５０の剥離及び断線の防止を図ることができる。図１０に示す例では、導電層５０を、樹脂突起４０上を超えて、電極パッド１６とは反対側のパッシベーション膜１８上に至るように形成する。言い換えれば、導電層５０を、樹脂突起４０から複数方向（例えば電極パッド１６側及びそれとは反対側）に分岐してパッシベーション膜１８上に至るように形成する。これにより、導電層５０の下地に対するさらなる密着性の向上を図ることができる。なお、導電層５０は、樹脂突起４０上に形成されている電気的接続部５６を有する。
【００３５】
図１１及び図１２に示すように、導電層５０を形成した後に、導電層５０をマスクとして樹脂突起４０を部分的に除去してもよい。これにより、例えば実装時における接着剤の排出性の向上を図ることができる。例えば、樹脂突起４０が所定の幅を有する直線状に形成され、樹脂突起４０の長さ方向に複数の電気的接続部５６が所定間隔をあけて配列されている場合、隣接する電気的接続部５６同士の間から露出する部分を異方性のエッチャント（例えばＯ_２プラズマ）５８によりエッチングして除去する。その場合、パッシベーション膜１８の損傷を防止するため、隣接する電気的接続部５６同士の間に樹脂の残渣４４を設けるようにエッチングすることができる。本実施の形態によれば、樹脂突起４０の立ち上がりが緩やかになっているため、樹脂突起４０の根元部に異方性のエッチャントが進入しやすくなり、これにより、樹脂突起４０の根元部に形成される炭化層等を従来に増して容易に除去することができる。したがって、炭化層等に起因するマイグレーションを防止し、信頼性の向上を図ることができる。
【００３６】
こうして、複数の樹脂コアバンプ６０を有する半導体装置１００を製造することができる。樹脂コアバンプ６０は、半導体基板１０の一方の面（集積回路１４の形成面）に形成され、樹脂突起４２と、樹脂突起４２上に形成された電気的接続部５６と、を含む。これによれば、樹脂突起４２がコアとなりそれ自体が弾力性を有するので、実装時における応力緩和機能や電気的接続信頼性の向上を図ることができる。なお、本実施の形態に係る半導体装置は、上述した半導体装置の製造方法の内容から導き出せる構成を有する。
【００３７】
（電子機器）
図１３は、本発明の実施の形態に係る電子デバイスを示す図である。電子デバイス（例えば表示デバイス）１０００は、半導体装置１００を含む。図１３に示す例では、電子デバイス１０００は、半導体装置１００と、樹脂フィルム等からなる第１の基板２００と、ガラス等からなる第２の基板３００と、を含む。半導体装置１００は、例えば第１の基板２００にフェースダウン実装され、詳しくは、第１の基板２００に形成された配線パターンと、半導体装置１００の樹脂コアバンプ６０とが電気的に接続されている。半導体装置１００と第１の基板２００の間には、図示しない絶縁性接着剤（例えばＮＣＦ(Non Conductive Film)又はＮＣＰ(Non Conductive Paste)）が設けられている。あるいは、第１の基板２００を省略して、半導体装置１００を第２の基板３００にフェースダウン実装することもできる。電子デバイス１０００の例としては、例えば、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、ＥＬ（Electrical Luminescence）ディスプレイなどが挙げられる。なお、図１４には本発明の実施の形態に係る電子機器の一例としてノート型パーソナルコンピュータが示され、図１５には携帯電話が示されている。
【００３８】
（変形例）
上述した例では、表面処理の工程を樹脂層２０をパターニングした後に行うが、変形例として、表面処理の工程を樹脂層２０の形成工程前に行うことも可能である。その場合、樹脂材料２０ａを半導体基板１０上に塗布する前に、樹脂層２０の形成領域及び周辺領域３２に対して表面処理の工程を行うことができる。あるいは、樹脂層２０の形成領域を避けて、その周辺領域３２に対して表面処理の工程を行ってもよい。
【００３９】
また、他の変形例として、樹脂層２０の形成工程前にその形成領域（のみ）に対して、樹脂層２０の樹脂材料との濡れ性を低下させる他の表面処理（化学的処理・物理的処理を含む）を行ってもよい。例えば、樹脂層２０の形成領域（パッシベーション膜１８）に対して撥液処理（樹脂は弾かない程度の撥液処理）を行ってもよい。これによれば、パターニングされた樹脂層２０の下地は濡れ性が低いので、大量の樹脂がパターニング領域内に留まり、少量の樹脂のみが外側の周辺領域３２に流出する。そのため、確実に樹脂突起４０を形成することができる。
【００４０】
図１６及び図１７は、本発明の実施の形態の他の変形例に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。本変形例では、樹脂突起１４０の形態が上述と異なる。
【００４１】
樹脂層１２０の形成工程の詳細は上述した内容を適用することができる。ただし、本変形例では、導電層５０の形成工程前において、それぞれの電極パッド１６に対していずれかの樹脂突起１４０が対となるように、互いに離間させて複数の樹脂突起１４０を形成する。そのために、樹脂層１２０は、例えば個々が円柱状をなす複数にパターニングして形成することができる。その場合、表面処理を施す周辺領域１３２は、例えば個々の樹脂層１２０の周囲の領域であってもよいし、複数の樹脂層１２０の周囲の一体的な領域であってもよい。上述した表面処理の工程として表面処理剤３０を設けた後、キュア工程により個々の樹脂層１２０を略半球状に形成することができる。これにより、樹脂突起１４０を立ち上がりが緩やかな傾斜面をもって形成することができる。
【００４２】
導電層５０は、例えば、いずれか１つの電極パッド１６といずれか１つの樹脂突起１４０の間を電気的に接続する。その場合、導電層５０は、１つの樹脂突起１４０の一部のみを覆うように形成してもよいし、その全部を覆うように形成してもよい。前者の場合、樹脂突起１４０の一部が露出することにより、外力が開放されるので、実装時の電気的接続部５６（導電層５０）のクラックを防止することができる。
【００４３】
なお、本変形例においては、樹脂突起１４０をあらかじめ個々に分離して形成するので、上述した例のように、導電層５０を形成した後の樹脂突起の部分的な除去工程を省略することができる。
【００４４】
図１８は、本発明の実施の形態の他の変形例に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。本変形例では、表面処理の具体的方法が上述と異なる。
【００４５】
表面処理の具体的方法として、光エネルギー１７０を照射することにより、半導体基板１０（詳しくはパッシベーション膜１８）の表面を改質させる。光エネルギー１７０としては、例えば紫外線（ＵＶ）エネルギーを使用することができる。光エネルギー１７０の波長、照射量等は、表面処理後の樹脂材料の濡れ性の程度を考慮して適宜調整することができる。
【００４６】
例えば、光エネルギー１７０の照射工程は、樹脂層の形成工程前に行うことができる。その場合、光エネルギー１７０は半導体基板１０の全面に照射してもよいし、図示しないマスクを介して所定領域（例えば上述した樹脂層の周辺領域）のみに照射してもよい。また、光エネルギー１７０の照射量を調整することにより、パターニング後の樹脂層から離れるに従って濡れ性を向上させる割合を小さくしてもよい。すなわち、パッシベーション膜１８の表面の濡れ性の度合いを段階的に変化させてもよい。具体的には、光の透過率が変更可能であるグレイマスクを介して光エネルギー１７０を照射すればよい。これによれば、樹脂が周辺領域に際限なく流出するのを防止することができる。なお、上述とは別に光エネルギー１７０の照射工程を樹脂層の形成工程後（キュア工程前）に行うことも可能である。
【００４７】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図２】本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図３】本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図４】本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図５】本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図６】本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図７】図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線断面図である。
【図８】本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図９】本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図１０】図９のＸ−Ｘ線断面図である。
【図１１】図９のＸＩ−ＸＩ線断面図である。
【図１２】本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図１３】本実施の形態に係る電子デバイスを示す図である。
【図１４】本実施の形態に係る電子機器を示す図である。
【図１５】本実施の形態に係る電子機器を示す図である。
【図１６】本実施の形態の変形例に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図１７】本実施の形態の変形例に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図１８】本実施の形態の変形例に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【符号の説明】
【００４９】
１０…半導体基板１６…電極パッド１８…パッシベーション膜
２０…樹脂層３０…表面処理剤３２…周辺領域
４０，４２…樹脂突起５０…導電層１００…半導体装置
１２０…樹脂層１３２…周辺領域１４０…樹脂突起１７０…光エネルギー

【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）電極パッド及びパッシベーション膜を有する半導体基板の上方に樹脂層を形成する工程と、
（ｂ）前記樹脂層をキュアすることにより樹脂突起を形成する工程と、
（ｃ）前記電極パッドと電気的に接続する導電層を、少なくとも前記樹脂突起の上方に形成する工程と、
を含み、
少なくとも前記（ｂ）工程前において、少なくとも前記樹脂層の周辺領域に対して、前記樹脂層の樹脂材料との濡れ性を向上させる表面処理を行う半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記表面処理の工程を、前記（ａ）工程後であって前記（ｂ）工程前に行う半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記表面処理の工程を、前記（ａ）工程前であって、前記樹脂層の形成領域及び周辺領域に対して行う半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記表面処理の工程は、表面処理剤を設けることにより行う半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記表面処理の工程は、光エネルギーを照射することにより行う半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５記載の半導体装置の製造方法において、
前記表面処理の工程は、前記光エネルギーの照射量を調整することにより、前記樹脂層から離れるに従って前記濡れ性を向上させる割合を小さくすることを含む半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ａ）工程前において、前記樹脂層の形成領域に対して、前記樹脂層の樹脂材料との濡れ性を低下させる他の表面処理を行う工程をさらに含む半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１から請求項７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｃ）工程において、
前記導電層を形成する前に、Ａｒガスにより、前記電極パッドの表面から酸化膜を除去するとともに、前記樹脂突起の表面の炭化を進行させ、
前記導電層を形成した後に、前記導電層をマスクとして前記樹脂突起を部分的に除去する半導体装置の製造方法。

【図１】