【課題】 バリア層を形成する前にビアホール底部に形成された酸化Ｃｕ層を除去する際に、ダメージ等の問題がなく、大口径の基板であっても均一に除去できる半導体装置の製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】 ビアホール底部に形成された酸化Ｃｕ層を有機酸洗浄により還元処理する還元処理工程Ｓ１０１と、前記還元処理工程Ｓ１０１後にスパッタリングによりバリア層を形成するバリア層形成工程Ｓ１０６と、前記バリア層形成後にスパッタリングによりＣｕシード層を形成するＣｕシード層形成工程Ｓ１０７とを有し、前記還元処理工程Ｓ１０１と前記バリア層形成工程Ｓ１０６と前記Ｃｕシード層形成工程Ｓ１０７とを同一の製造装置内で連続して行う。これにより、低比誘電率材料からなる層間絶縁膜を劣化させることなく、かつ半導体基板面内にわたって均一に、下層配線Ｃｕとバリア層との間に良好なコンタクトを形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】熱膨張差に起因する応力歪みを樹脂ポストにおいて効果的に吸収・緩和させることができるとともに、高密度な配線設計が可能な半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】電極９を有する半導体基板１上の所定位置に形成された突起状の樹脂ポスト３と、前記樹脂ポスト３上に形成され一端部が前記電極９に電気的に接続された金属配線層４と、前記金属配線層４上に形成され前記樹脂ポスト３の頂部に整合する領域に前記金属配線層４を露出する開口部５ｂを備えた絶縁性の封止層６と、前記開口部の金属配線層上に形成された金属パッド７と、前記金属パッド７上に載置されたはんだバンプ８とを備えてなる半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 周辺回路領域の電気的構成要素を形成する際に、設計マージンの減少を極力抑制できるようにする。
【解決手段】 周辺回路領域Ｐにおいて、シリコン窒化膜１８が孔部１９の内側壁面で且つ接続配線層１７の外側壁面に形成されているため、隣接するコンタクト形成領域ＣＰおよびＣＰ間の平面的な最短距離が従来に比較して短くなったとしても形成位置およびその形成領域を極力調整することができ、周辺回路領域Ｐにおける設計マージンの減少を極力抑制できるようになる。 （もっと読む）

【課題】 ビアプラグとＣｕ配線層間におけるボイドの発生を抑制し、配線層相互間の電気的接続を良好にし得る半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板１１と、半導体基板１１上に第１の層間絶縁膜１２を介して形成され、Ｃｕを主材料とする第１の配線層１５と、第１の層間絶縁膜１２及び第１の配線層１５上に第２の層間絶縁膜２１を介して形成された第２の配線層２５と、第２の層間絶縁膜２１を貫通して形成され、第１の配線層１５と第２の配線層２５間を電気接続するビアプラグ２６とを有し、第１の配線層１５に存在する複数のＣｕの結晶粒界の内、ビアプラグ２６の真下に存在する結晶粒界（５１の位置）に選択的に、Ｃｕとは異なる第１の材料を含有する。 （もっと読む）

【課題】電極構造下方のプラグの酸化を抑制する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板（Ｓ）と、この半導体基板に形成されたトランジスタの活性領域（１０７）に接続した導電性プラグ（１１８）と、この導電性プラグの底面部及び側面部に被覆する金属シリサイド膜（１１７）と、前記導電性プラグ上に形成された電極構造（２００）と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣＮ膜を用いた配線構造において、ポイゾニングの発生を抑制すると共に、ＳｉＣＮ膜ストレスの影響を低減する方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、Ｃｕを配線用金属とする下層配線と下層配線上に形成されたＳｉＣＮ膜を備える。また、ＳｉＣＮ膜上に形成された絶縁膜内に上層配線と上層配線と同一材料から構成されるプラグを備える。さらにプラグの下部はＳｉＣＮ膜を部分的に貫通して、下層配線に接し、プラグの上部は上層配線と接している。特に、ＳｉＣＮ膜の屈折率が１．８９以上であることを特徴とする。
これにより、膜の密度が高い安定したＳｉＣＮ膜を提供出来る。よって、ＳｉＣＮ膜が空気中成分（ＮやＨ₂Ｏ等）を取り込みにくくなる。また、ストレスの経時変化を抑制し、ポイゾニング不良の発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 エアーギャップ構造を利用したデュアルダマシン構造を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 基体上にＳｉ犠牲膜４２０を堆積し、このＳｉ犠牲膜に下層配線用の溝を形成した後、この配線溝に導電性材料を埋め込み下層配線２６０とする。この下層配線と前記Ｓｉ犠牲膜上に多孔質ｌｏｗ−ｋ膜２８０とＳｉ犠牲膜４２４を順次堆積した後、これらの膜を貫通する開口部と、Ｓｉ犠牲膜４２４には上層配線用の溝とを形成し、前記開口部と配線溝に導電性材料を堆積させ上層配線２６２とする。この後Ｓｉ犠牲膜４２０、４２４をエッチングで除去し、エアーギャップ３１１，３１３を形成する。 （もっと読む）

【課題】キャパシタ下部電極の直下のコンタクトプラグの歩留まりが向上し、それ以外のコンタクトプラグの設計が容易になる半導体装置とその製造方法を提供すること。
【解決手段】第１の絶縁膜８の第１のホール内８ａに形成された第１の導電性プラグ１０ａと、第１の絶縁膜８上に形成された酸化防止絶縁膜１１ａ及び下地絶縁膜１１ｂと、第１の絶縁膜８、酸化防止絶縁膜１１ａ、及び前記下地絶縁膜１１ｂに形成された第２のホール８ｂと、第２のホール８ｂ内に形成された第２の導電性プラグ１２ａと、第２の導電性プラグ１２ａに接続されたキャパシタQ₁と、キャパシタQ₁上に形成された第２の絶縁膜１８と、第１の導電性プラグ１０ａ上に形成された第３のホール１９ａと、第３のホール１９ａ内に形成された第３の導電性プラグ２１ａとを有する半導体装置による。 （もっと読む）

Ｃｕメタライゼーション段階での、バリヤ／シード層として利用可能な低抵抗ルテニウム金属層の低温化学気相成長法。当該方法（３００）は、堆積システム（１，１００）のプロセスチャンバ内に基板（２５，１２５）を供する工程、ルテニウムカルボニル先駆体蒸気を含むプロセスガス及びＣＯ含有ガスを生成する工程、並びに熱化学気相成長法によって、基板（２５，１２５）をプロセスガスに曝露して、基板（２５，１２５）上に低抵抗ルテニウム金属層（４４０，４６０）を堆積する工程、を有する。曝露中、基板（２５，１２５）は約１００℃から約３００℃の間の温度に維持されている。１以上のビア若しくは溝又はこれらの結合を含む、パターニング基板上に形成されたルテニウム金属層（４４０，４６０）を有する半導体素子が供される。
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【課題】アスペクト比が大きい貫通導電体を形成する場合の導電体の埋め込み性を向上させる手段を提供する。
【解決手段】シリコン基板の上面から下面に貫通する導電体からなる貫通導電体において、シリコン基板の上面からシリコン基板の厚さ方向に延在する第１の導電体と、この第１の導電体の底面からシリコン基板の下面に貫通する第１の導電体よりも厚さ方向に直交する方向の寸法が小さい第２の導電体とを設ける。 （もっと読む）

【課題】下地の薄膜とは材料の異なる薄膜をＣＭＰ法で研磨する工程を含む半導体装置の製造方法において、この研磨工程より前の工程での不良を、ウエハプロセス内の早い段階で発見できるようにする。
【解決手段】ロット内の全ウエハについて、ＣＭＰ法による研磨工程の処理時間を計測し、前記処理時間の最大値と最小値との差を算出し、前記差の算出値とその設定値とを比較し、前記算出値が設定値より大きい場合には、このロット内に、前記研磨工程より前の工程が適正に行われなかった異常ウエハが存在すると判断する。 （もっと読む）

【課題】バリアメタルとシリサイド抵抗との間の剥離を抑制し、半導体装置の性能および信頼性を向上させることができる。
【解決手段】半導体基板（シリコン基板１０１）と、半導体基板の上部に設けられたシリサイド抵抗１０４と、シリサイド抵抗１０４上に設けられたバリアメタル１０６と、バリアメタル１０６上に設けられたコンタクト１１０と、コンタクト１１０上に設けられた配線（金属配線１１２）と、を備え、配線の面積をＳ_１、コンタクト１１０の面積をＳ_２としたときに、Ｓ_１／Ｓ_２の値が４以上である。また、配線の幅をＷ_１、コンタクト１１０の幅をＷ_２としたときに、Ｗ_１／Ｗ_２の値が４以上である。 （もっと読む）

【課題】 層間絶縁膜の誘電率を低く保ちつつ、層間絶縁膜と他の絶縁膜との密着性を改善する。
【解決手段】 半導体チップ１００は、半導体基板（不図示）と、半導体基板上に形成された第一の層間絶縁膜１０６等の炭素含有絶縁膜と、下地層１０２や上地カバー膜１２４等の炭素非含有絶縁膜とを含む積層膜１５０とを含む。ここで、炭素非含有絶縁膜の端面が、炭素含有絶縁膜の端面より外側に位置している。また、炭素含有絶縁膜は、端部における炭素の組成が、内部における炭素の組成よりも低く形成される。また、炭素含有絶縁膜は、端部における膜密度が、内部における膜密度よりも高く形成される。 （もっと読む）

【課題】高精度の櫛型電極を有するＭＩＭキャパシタを実現する。
【解決手段】第１の層間絶縁膜中に埋設され、各々前記第１の層間絶縁膜中を相互に対向して連続的に延在し、櫛型キャパシタパターンの一部を構成する第１および第２の導体パターンと、前記第１の層間絶縁膜からビア絶縁膜を隔てて形成された第２の層間絶縁膜中に、それぞれ前記第１および第２の導体パターンに対応して埋設され、相互に対向して連続的に延在し、前記櫛型キャパシタパターンの一部を構成する第３および第４の導体パターンを含むＭＩＭキャパシタにおいて、さらに前記ビア絶縁膜中に、前記第１および第３の導体パターンに対応して連続して延在し、前記第１および第３の導体パターンを連続的に接続する第５の導体パターンと、前記第２および第４の導体パターンに対応して連続して延在し、前記第２および第４の導体パターンを連続的に接続する第６の導体パターンとを埋設する。 （もっと読む）

ルテニウム金属層（５６０）を形成する方法は、成膜システム（１、１００）の処理チャンバ（１０、１１０）内に、パターン化された基板（２５、１２５、５００）を提供するステップであって、前記パターン化された基板（２５、１２５、５００）は、１もしくは２以上のビア、溝またはこれらの組み合わせを有するステップと、原子層成膜処理法で、前記基板（２５、１２５、５００）上に、第１のルテニウム金属層（５４０）を成膜するステップと、熱化学気相成膜処理法で、前記第１のルテニウム金属層（５４０）の上部に、第２のルテニウム金属層（５５０）を成膜するステップと、を有する。成膜されたルテニウム金属層（５６０）は、めっきの拡散バリア層、シード層、またはその両方に使用される。
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【課題】塗布絶縁膜を含む層間絶縁膜において、良好な層間接続が得られる接続孔を形成する。
【解決手段】半導体基板１０の一主面を覆う絶縁膜１２の上にＴｉＮ等の反射防止膜１４ｃを有する配線層１４を形成した後、配線層１４を覆って絶縁膜１６ａ〜１６ｃを含む層間絶縁膜を形成する。絶縁膜１６ａ，１６ｃは、プラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜からなり、絶縁膜１６ｂは、無機又は有機ＳＯＧ等の塗布絶縁膜からなる。レジスト層１８をマスクとするドライエッチング処理により配線層１４の一部に対応する接続孔２０を層間絶縁膜に形成する際に、サイドエッチが進行しやすい絶縁膜１６ｂまではＮ_２を含まないデポジション性の強い条件でエッチングを行い、その後はＮ_２を含むデポジション性の弱いい条件で絶縁膜１６ａのエッチングを行なう。 （もっと読む）

本発明は、集積回路ダイ上に導電性配線部を形成するためのデュアルダマシン方法に関するものである。この方法は、１本のビア開口（３０）がその後形成される、多孔質の超ｌｏｗ−ｋ（ＵＬＫ）誘電材料からなる層（１６）を設ける工程を具える。熱分解性高分子「ポロゲン」材料（４２）は、前記多孔質のＵＬＫ誘電材料内に深く浸透するように、前記開口（３０）の側壁部に適用され（、それによって気孔をシールし、気孔の密度を増加させ）る。導電材料（３６）が前記開口（３０）を用いて設けられ、化学機械研磨（ＣＭＰ）を用いて研磨されると、完成した構造に硬化工程が施されて、前記ＵＬＫ誘電層（１６）とともにポロゲン材料（４４）を分解と蒸発させ、それによって、前記誘電層（１６）の気孔率（およびｌｏｗ−ｋ値）に回復する。
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【課題】表面疎水化方法によって、表面疎水化処理が施された層を含む半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０の上方に絶縁膜２０が形成され、絶縁膜２０に反応性イオンエッチングなどにより凹部２２が設けられる。凹部２２の内壁２２ａにはダメージが生じるため、凹部２２の内壁２２ａには疎水性膜２４が形成される。表面疎水化方法は、（Ａ）ジアセトキシメチルシランを層の表面に接触させた後、（Ｂ）非プロトン系溶媒を前記表面に接触させる工程と、前記層を加熱する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 プラグと配線との接続抵抗および絶縁膜の誘電率を効果的に低下させる。
【解決手段】 半導体装置１００は、半導体基板（不図示）と、半導体基板の上部に設けられ、銅含有金属により構成される第一配線１０８と、第一配線１０８の上部に設けられ、第一配線１０８に接続する導電性の第一プラグ１１４と、第一配線１０８の上部において、第一プラグ１１４が設けられた領域以外の領域に設けられたＣｕシリサイド層１１１と、第一プラグ１１４の上部に設けられたＣｕシリサイド層１１７と、第一配線１０８の側面から第一プラグ１１４の側面にわたって形成されるとともに、第一配線１０８の側面と、第一配線１０８の上部と、第一プラグ１１４の側面とを被覆する第一ポーラスＭＳＱ膜１０５と、を含む配線構造を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置及びその製造方法に関し、銅配線上の酸化銅を十分に除去しつつ、水分及びＣｕ拡散防止用の絶縁膜を低誘電率絶縁材料により形成しうる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】表面に酸化銅膜が形成された銅配線上に、銅に対して拡散バリア性を有するシリコン化合物と、酸化銅を還元する有機化合物とを含む絶縁膜形成用組成物を塗布する工程と、熱処理により、有機化合物によって酸化銅膜を還元して除去するとともに、シリコン化合物を硬化してシリコン化合物よりなる絶縁膜を形成する工程とを有する。 （もっと読む）