【目的】コンタクトホールやビアホール等の接続孔を充填する導電性膜の形成に好適な基板処理装置、基板処理方法および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】チャンバ２内にガスを供給するガス導入管５１〜５４を備える。当該ガス導入管５１〜５４の一端には、上記チャンバ２に供給するガスを収容したガス供給源１１〜１４が接続されている。ガス導入管５１〜５４には、開閉バルブ２１〜２４、４１〜４４、およびガスの流量を所定流量に制御する質量流量コントローラ３１〜３４が介在されている。さらに、チャンバ２へガスの供給を開始するときに、開閉バルブ２１〜２４が開状態になった後に質量流量コントローラ３１〜３４に流量制御を開始させる信号遅延回路９１、９２を備える。 （もっと読む）

【課題】貫通電極の形成に時間を要さず、貫通電極内でのボイドの発生を抑制できる半導体装置、およびこの半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体装置１は、孔１１１が形成された絶縁性あるいは半導体の層１１と、層１１の孔１１１内に設けられた貫通電極１２と、を備える。貫通電極１２は、シード層１２１と、めっき層１２２と、を備える。シード層１２１は、孔１１１の底面１１１Ａを覆う。また、シード層１２１は、孔１１１の側面１１１Ｂのうち、孔１１１の開口から、孔１１１の開口と孔１１１の底面１１１Ａとの間の所定の位置までの第１の領域を未被覆とし、この第１の領域（未被覆領域）１１１Ｂ１を除いた第二の領域を被覆している。めっき層１２２は、シード層１２１と、未被覆領域１１１Ｂ１の少なくとも一部を覆う。 （もっと読む）

誘電材料層などのパターニングされた誘電層に基づいてシリサイデーションプロセスを実行することによって、各々の金属シリサイド部位を各々のコンタクト領域に非常に局所的なやり方で供給することができ、一方で、全体の金属シリサイド量を著しく減らすことができる。このようにして、金属シリサイドが電界効果トランジスタのチャネル領域に及ぼす悪影響を著しく減らすことができ、なおかつコンタクト抵抗を小さく維持することができる。
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【課題】熱変化等により導電部にかかる応力を低減し、導電部の破壊や断線等の損傷を防止して、貫通電極における電気的な接続信頼性を向上した半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置１は、基板２の一方の面に配された第一の導電部３と、前記基板の他方の面から前記第一の導電部の少なくとも一部が露呈するように、前記基板内に設けられた貫通孔４と、前記貫通孔内の側面および露呈された前記第一の導電部を覆うとともに、前記基板の他方の面上を覆うように延びて配され、前記第一の導電部と電気的に接続される第二の導電部６と、前記基板の他方の面上において、前記第二の導電部上に配され電気的に接続される第三の導電部８と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】銅配線のバリア界面調整のための方法および装置
【解決手段】バリア層と銅層との間の接着性は、銅の堆積前にバリア層を金属リッチにすることおよび銅の堆積前にバリア層が曝露される酸素の量を制限することによって向上させることができる。あるいは、バリア層と銅層との間の接着性に優れた方式で銅配線内に銅層を堆積させることを可能にするために、バリア層の上に機能化層を堆積させることができる。方法は、統合システム内において、銅配線構造を被覆するために金属バリア層を堆積させることを含み、金属バリア層を堆積させた後、基板は、金属バリア酸化物の形成を阻止するために制御環境内において搬送され処理される。方法は、また、統合システム内において金属層の上に機能化層を堆積させることも含む。エレクトロマイグレーションの問題を阻止するために、方法は、さらに、金属バリア層の上に機能化層が堆積された後に、統合システム内において銅配線構造内に銅層を堆積させることを含む。 （もっと読む）

【課題】機械的強度が高く、かつ誘電率が低く安定した絶縁膜を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンに炭化水素基を結合させたＳｉＯＣ系材料からなる多孔質の第１層間絶縁膜５を基板１上に成膜する工程と、第１層間絶縁膜５に電子線ＥＢを照射することにより第１層間絶縁膜５の機械的強度を高める工程とを行う半導体装置の製造方法において、電子線ＥＢを照射した後に、第１層間絶縁膜５を酸素雰囲気中においてアニール処理を行い、Ｓｉ−Ｈ結合をＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合に置き換える。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜に凹部を形成する際のエッチングレートの面内傾向を調整して、凹部の形状のばらつきを低減する。
【解決手段】半導体装置１００の製造方法は、半導体ウェハ上に第１の層間絶縁膜１０８を形成し、第１の層間絶縁膜１０８上に第２のエッチング阻止膜１１０を形成し、第２のエッチング阻止膜１１０を貫通して複数の凹部を第１の層間絶縁膜１０８に選択的に形成する工程を含む。ここで、第２のエッチング阻止膜１１０は、半導体ウェハの位置に応じて厚さが異なるように形成される。 （もっと読む）

【課題】配線溝および接続孔の内部に、良好な埋め込み形状を有するＣｕ膜を電解めっきにより形成する。
【解決手段】半導体装置の製造方法であって、半導体基板上に絶縁膜１１を形成する工程と、絶縁膜１１に配線溝および接続孔の少なくとも一方の被埋め込み領域１２を形成する工程と、被埋め込み領域１２上に、導電性を有し、かつ被埋め込み領域１２の内部を埋め込まない厚さの非晶質膜１５を形成する工程と、非晶質膜１５上に被埋め込み領域１２の内部を埋め込む厚さの導電膜１６をめっきにより形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

被加工物１００の表面を選択的に改質するために提供された方法及び装置である。被加工物１００の上部表面１３０と優先的に接触する被加工物表面作用装置１２０を用いる実施形態では、上部表面１３０の化学的改質は、フィールド領域１３０のキャビティ又はリセス１３２の表面に影響することなく、被加工物１００の所望のフィールド領域１３０上で実行される。被加工物表面作用装置は被加工物１００の表面１３０を形成する物質と化学的に反応性である化学活性物質１４０を含む。化学的活性物質１４０は被加工物１００の表面１３０と接触して表面を化学的に改質する薄膜又はコーティングの形態であってよい。ある実施形態では被加工物表面作用装置はローラ又は半透過性膜等の固相アプリケータの形態であってよい。被加工物表面を改質した後、被改質表面に物質が選択的に堆積されてよい。
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【課題】有機化合物よりなる処理ガスを安定に供給する処理ガス供給方法、当該処理ガス供給方法を用いた基板処理方法、当該基板処理方法を用いた半導体装置の製造方法、有機化合物よりなる処理ガスを安定に供給する処理ガス供給装置、当該処理ガス供給装置を用いた基板処理装置、および当該基板処理装置を動作させるプログラムが記載された記録媒体を提供する。
【解決手段】有機化合物よりなる原料を気化または昇華し、単量体と多量体を含む処理ガスを生成する第１の工程と、前記処理ガスの圧力または温度を制御することにより、前記多量体を単量体化させる第１の反応、または、前記単量体を多量体化させる第２の反応を生じさせる第２の工程と、当該処理ガスを所定の処理空間に供給する第３の工程と、を有することを特徴とする処理ガス供給方法。 （もっと読む）

【課題】金属堆積のために基板表面を設計するためのプロセスおよび統合システム
【解決手段】実施形態は、銅配線について、エレクトロマイグレーション耐性を向上させるため、より低い金属抵抗率を提供するため、そして金属−金属またはシリコン−金属の界面接着を改善するために、金属−金属界面またはシリコン−金属界面を形成するプロセスおよび統合システムを提供する。統合システム内において、銅表面上にコバルト合金材料の薄い層を選択的に堆積させて、銅配線のエレクトロマイグレーション耐性を向上させるために、基板表面を調整する代表的方法が提供される。方法は、統合システム内において、基板表面から汚染物および金属酸化物を除去することと、汚染物および金属酸化物を除去した後に、統合システム内において、還元環境を使用して基板表面を再調整することとを含む。方法は、また、基板表面を再調整した後に、統合システム内において、銅配線の銅表面上にコバルト合金材料の薄い層を選択的に堆積させることも含む。また、上述された代表的方法を実施するためのシステムも、提供される。 （もっと読む）

【課題】導電部の破壊や電極部の断線等の損傷を防止して、導電部と電極部との電気的な接続信頼性を向上した半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置１は、基板２の一方の面２ａに配された電極部３と、前記基板の他方の面２ｂから前記電極部の少なくとも一部が露呈するように、前記基板内に設けられた貫通孔４と、前記貫通孔内の側面および露呈された前記電極部を覆うように配され、前記電極部と電気的に接続される導電部７と、を備え、前記貫通孔の内側面と前記電極部とが交わる角部において、前記導電部の断面形状Ｒが、円弧状または多角状であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】銅とバリア層との間の接着性を向上させるための自己組織化原子層
【解決手段】実施形態は、エレクトロマイグレーション耐性に優れなおかつ銅配線のストレス誘起ボイドのリスクを低下させた方式で薄い共形バリア層と、銅層とを銅配線内に堆積させることを可能にすることによって、必要性を満たすものである。エレクトロマイグレーションおよびストレス誘起ボイドは、バリア層と銅層との間の接着性に影響される。銅配線内に銅層を堆積させることを可能にするために、バリア層の上に機能化層が堆積される。機能化層は、バリア層と銅層との間の接着性を向上させるために、バリア層および銅と強い結合を形成する。銅配線のエレクトロマイグレーション耐性を向上させるたために、銅配線の金属バリア層の上に機能化層を堆積させ、銅配線内における銅層の堆積を助けるための、基板の基板表面を調整する方法が提供される。方法は、統合システム内において、銅配線構造を被覆するために金属バリア層を堆積させることと、金属バリア層の表面を酸化させることとを含む。方法は、また、金属バリア層の酸化表面の上に機能化層を堆積させることと、金属バリア層の上に機能化層が堆積された後に、銅配線構造内に銅層を堆積させることとを含む。 （もっと読む）

マイクロエレクトロニクスチップ（１）は２つの平行主面（４、５）と側面（６、７）とを備える。該面（４、５、６、７）のうちの少なくとも１つが、少なくとも１つの電気接続要素を具備し、かつワイヤ要素（１０、１１）用のハウジングを形成する凹部を備える。該ワイヤ要素（１０、１１）は、該接続要素を介する該チップ（１）と外部との間の電気接続と、該チップ用柔軟性機械的サポートと、の両方を同時に構成する。
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【課題】 少ない工程数で、支持基板への十分なコンタクトが形成できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 支持基板１１の主面に絶縁膜１２を介して形成された半導体膜１３にゲート絶縁膜２０を介して形成されたゲート電極膜２１と、ソース領域２２およびドレイン領域２３とを有する絶縁ゲート電界効果トランジスタ１５と、半導体膜１３および絶縁膜１２を貫通し、支持基板１１に達する第１開口部に、厚さが０より大きく２ｎｍ以下のシリコン酸化膜２８を介して形成されたポリシリコン膜２９を有する支持基板コンタクト部１７とを具備する。ポリシリコン膜２９と支持基板１１とのコンタクト面積を十分大きく設定することにより、シリコン酸化膜２８のリーク電流を介してコンタクトを得る。 （もっと読む）

【課題】基板９の温度を比較的低温に保ちながら、微細なホール９０の内面に配線材料を埋め込むことを可能にする。
【解決手段】基板９に形成された微細なホール９０の内面にアルミのベース薄膜９３をイオン化スパッタによって作成した後、３００℃程度の温度でアルミ膜をスパッタによって作成しながらリフローさせてリフロー薄膜９１を作成する（Ｄ）。ホール９０内のベース薄膜９３が厚いためにリフロー薄膜９１の拡散が促進され、ボイド９２の無い埋め込みが可能になる。ベース薄膜９３は途切れを防止するため１５０℃以下の温度で作成される。スパッタチャンバーはプラズマを形成するイオン化手段を有し、このプラズマ中でスパッタ粒子がイオン化される。イオン化スパッタ粒子は電界設定手段が与える電界によって基板９に垂直に多く入射し、ホール９０内のカバレッジが向上する。 （もっと読む）

【課題】無線通信により交信可能な半導体装置において、個体識別子を容易に付けることができるようにする。
【解決手段】薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタ上に第１の層間絶縁膜と、第１の層間絶縁膜上の、ソース領域またはドレイン領域の一方に電気的に接続される第１の電極と、ソース領域またはドレイン領域の他方に電気的に接続される第２の電極と、第１の層間絶縁膜、第１の電極、及び第２の電極上に形成された第２の層間絶縁膜と、第２の層間絶縁膜上の、第１の電極または第２の電極の一方に電気的に接続される第１の配線と、第２の層間絶縁膜上の、第１の電極または第２の電極の他方に電気的に接続されない第２の配線とを有し、第２の配線と前記第１の電極または第２の電極の他方は、第２の層間絶縁膜中に形成された分断領域によって、電気的に接続されない半導体装置及びその作製方法に関するものである。 （もっと読む）

【課題】めっき工程への負荷を抑制した状態で、導電層の膜剥がれを防止するとともに、基板面内における導電層の埋め込み均一性を向上し、配線抵抗の増大を抑制する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】まず、基板１１上に設けられた層間絶縁膜１５に配線溝１６を形成する工程を行う。次に、配線溝１６の内壁を覆う状態で、ＣｕＭｎ合金からなる合金層１７ａと純Ｃｕからなる導電層１７ｂとがこの順に積層されためっきシード層１７を形成する工程を行う。次いで、めっき法により、めっきシード層１７が設けられた配線溝１６に、純Ｃｕからなる導電層１８を埋め込む工程を行う。その後、熱処理を行い、合金層１７ａ中のＭｎを層間絶縁膜１２、１５の構成成分と反応させて、合金層１７ａと層間絶縁膜１２、１５との界面に、Ｃｕの拡散バリア性を有するＭｎ化合物からなる自己形成バリア膜１９を形成する工程を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の製造方法及び半導体装置に関し、先ビアデュアルダマシン工程において、ダメージを発生することなくビアの少なくとも上部をテーパ状にする。
【解決手段】 導電体層１上に層間絶縁膜２を形成したのち、層間絶縁膜２に導電体層１に対するビア３を形成し、次いで、ビア３を充填物７で埋め込んだのち、充填物７のエッチングレートが層間絶縁膜２のエッチングレートより遅い条件でエッチングを行うことによって層間絶縁膜２に配線溝６を形成すると同時に、ビア３の少なくとも上部５をテーパ形状に加工し、次いで、ビア３と配線溝６を埋めるように導電体膜８を形成したのち、導電体膜８が形成された表面を平坦化して埋込配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】配線材とバリアメタル層の密着性を向上させる。
【解決手段】第１の基板温度で、表面に凹部が形成された層間絶縁膜中及びその表面の酸
化種を放出させ、その後、前記第１の基板温度より低い第２の基板温度で、前記層間絶縁
膜の少なくとも一部と接触するようにして、Ｔｉ及びＮを含み、酸素（Ｏ）及び貴金属成分を除く全成分におけるＴｉ含有量が５０ａｔ％を超える層を形成する。次いで、前記層上にＣｕ金属層を形成して半導体装置を製造する。 （もっと読む）